INSTITUTO TECNOLOGICO DE COLIMA

MOSFET
UNIDAD 3
BRANDON ALIT CARDENAS CONTRERAS
CARLOS JACOBO BONILLA
ABRAHAM MAYORGA GONZALEZ
ISAAC SANCHEZ LOPEZ
GILBERTO
SABINO TONATIUH RODRIGUEZ

[Escriba aqu una descripcin breve del documento. Normalmente, una

descripcin breve es un resumen corto del contenido del documento. Escriba
aqu una descripcin breve del documento. Normalmente, una descripcin
breve es un resumen corto del contenido del documento.]

Este PUENTE de H utiliza transistores MOSFET principalmente para mejorar la

eficiencia
del
puente.
A diferencia de los transistores bipolares, los transistores MOSFET poseen una
resistencia entre Drenaje y Fuente (RDS) cuando son activados que rondan los
0.1
ohms
(dependiendo
del
modelo).
Esto significa que en un ejemplo como el anterior y trabajando con una
corriente de 4 amperes estaramos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v en
total), lo cual representa una notable mejora en el rendimiento del puente.
Los MOSFETs trabajan mediante la aplicacin de un voltaje en la Compuerta o
Gate.

En este circuito trabajan dos tipos de MOSFET: N-Chanel (canal negativo Q3 y

Q5) y P-Chanel (canal positivo Q2 y Q4). En el primer caso pasan a modo
conduccin (activado) mediante un voltaje positivo en la Compuerta y
mediante un voltaje negativo para el segundo caso.

IMPORTANTE: Los MOSFETs son extremadamente sensibles a las corrientes

estticas y adems su compuerta no puede ser dejada sin conexin, ya que
pueden
llegar
a
destruirse.
La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de
10Mohm)
y
un
simple
ruido
elctrico
puede
activarlo.
Las resistencias R3, R4, R6 & R8 han sido adicionadas para evitar que el
MOSFET se autodestruya. Estas resistencia permitirn un comportamiento

estable del MOSFET y adems agregarn una proteccin contra la esttica.

D1 a D4 desvan los picos de tensin negativa provocados por los motores
evitando que afecten a los transistores. Algunos MOSFET ya tiene estos diodos
construidos internamente, por lo que pueden no ser necesarios.
Q1 y Q6 son transistores NPN que controlan el accionamiento del motor DC.

La ventaja de este concepto de diseo es que las tensiones necesarias para

activar los Gates de los transistores de canal P se podrn sacar directamente
de la alimentacin utilizada para el motor. Si por el contrario utilizamos
transistores de Canal N en el lado superior de la H, la tensin necesaria para
activar los Gates deber provenir de un elevador de tensin que funcione
por encima del valor nominal de alimentacin del motor.

PWM(Modulacin por Ancho de Pulso) utilizando el LM555 hacemos que por

medio del voltaje cambie su ancho de pulso, al igual su amplitud.
La modulacin por ancho de pulso es una tcnica utilizada para regular la
velocidad de giro de los motores DC. Mantiene el par motor constante (es la
fuerza que es capaz un motor de ejercer en cada giro). Controlado por Mosfet
de alta frecuencia con pulsos del 555 en alto(encendido o alimentado) y
bajo(apagado o desconectado).

Componentes:
--LM555.
--1 potenciometro 50K Ohmios.
--2 diodos 1N4148.
--3 capacitores 100nF.
--1 diodo 1N4007.
--1 resistencia 100 Ohmios 1/4 Watt.
--1 resistencia 330 Ohmios 1/4 Watt.
--1 transistor Mosfet IRF830 IRFZ44N.