TP 14

Rsistivit du conducteur et du semiconducteur en

fonction de la temprature

1. Termes : rsistivit, rsistance, conducteurs et semiconducteurs.

2. Thorie
Dpendance de rsistivit de la temprature
La rsistivit de tous les matriaux dpend de deux paramteres:
- du nombre de porteurs de charge (lectrons ou ions)
- de la vitesse moyenne avec laquelle ils se dplacent sous linfluence du champ
lectrique extrieur.
Les deux peuvent changer beaucoup par les mcanismes divers, donc en generale on
ne peut pas dcrire la dpendence de rsistivit de la temprature par une formule simple.
Dans beaucoup de matriaux, dans certaines limites de temprature, il ny a quun seul
mcanisme dominant, alors la situation est relativement simple.
Les mtaux
Dans les mtaux le nombre de porteurs de charge (lectrons) est trs grand et ne dpend pas
de la temprature (gaz dlectrons libres). La rsistivit est donc limite par la diffusion des
lectrons qui augmente avec la temprature. Par consquence la rsistivit des mtaux est trs
basse et augmente avec la temprature. Il y a plusieurs mcanismes de diffusion, donc la
rsistivit change dun faon complexe, approxim souvent par la formule:

= o (1 + T + T2)
o :

- la rsistivit en temprature T0 + T
o - la rsistivit en temprature T0
, - les coefficients de la temprature de la rsistivit,

Dans les tempratures assez hautes (au dessus de ca. 50 K) si les changements de temprature
ne sont pas trop grands, la rsistivit varie dun faon approximativement linaire avec la
temprature

= o (1 + T) = o [1 + (T-T0)]
Dans les tempratures 273-373 K on peut utiliser une formule pareille pour la rsistance

Rm = Ro (1 + t)
o

Ro - la rsistance en 0 C
0

Rm - la rsistance en temprature t
- le coefficient de la temprature de la rsistivit

Les semiconducteurs
Dans les semiconducteurs le changement de la diffusion des porteurs de charge en
temprature est beaucoup moins important. Par contre, le nombre de porteurs est relativement
petit et il augmente trs vite en fonction de la temprature (activation thermique). Donc, la
rsistivit de semiconducteurs chute quand la temprature augmente. La dependence de la
temprature nest pas lineaire mais peut tre reprsente comme:

R = Roexp( EA/2 kT)

o

Ro - la rsistance caractristique du semiconducteur

R - la rsistance en temprature T
EA - lenergie dactivation des porteurs de charge
k - la constante de Boltzmann

2. Matriel et mode opratoire

Les chantillons dun metal (M) et dun semiconducteur (P) sont placs dans une vaisseau
remplie de lhuile. Lhuile peut tre chauffe par une chaufferette lectrique (G), alimente de
autotransformateur (A), qui permet les changements de la temprature. La temprature est
mesure par un thermocouple T plac aussi dans lhuile.

Pour mesurer la rsistance du metal on utilise un ohmmtre. On dtermine la rsistance d un

semiconducteur en mesurant le courant dans un circuit aliment par une source de tension
stabilise (Z) contrle par un voltamtre V.
3. Manipulation
Les instruments doivent tre regl:
1. La rsistance - ltendue de lohmmtre 200
2. La tension - ltendue du voltmtre - 20 V
3. Le courrant - ltendue de lamperimtre 200 mA
4. La temprature - - ltendue du multimtre - oC

5. Pour rgler la tension il faut utiliser seulement le rglage Fine, pour avoir Uo = 0.7
sur le voltmtre.
6. La tension de l autotransformateur 100 V
Les prmieres mesurses doivent tre faites dans la temprature ambiante. Branchez
lautotransformateur. La temprature va augmenter et il faut faire les mesures de deux
chantillons (la rsitance pour le mtal et le courant pour le semiconducteur) chaque 5-7 oC
jusqu 60 oC. Changez la tension de lautotransformateur 150 V et continuez jusqu 100
o
C. Debranchez lautotransformateur et branchez le ventilateur.
Les rsultats doivent tre nots dans le tableau suivant:

4.. Prsentation des rsultats

Le Mtal
1. Il faut tablir un graphique avec la rsistance R en fonction de la temprature t. Par la
mthode de moindres carrs ( rgression linaire) trouvez lquation de sorte y = ax +b. A
partir de coefficients de la droite dterminez Ro = b et le coefficient en temprature du mtal
= a/R. Notez les erreurs a et b.
2. valuez lerreur partir de la formule suivante: : = ( a/a + b/b)
3.Donnez le rsultat dans la forme = la valeur calcule lerreur
Le semiconducteur:
1. Faites les calculs ncessaires et notez les rsultats dans le tableau:

2. Il faut tablir un graphique avec ln R en fonction de 1/T. Par la mthode de moindres

carrs (la mthode de rgression linaire) trouvez lquation de sorte y = ax +b. A
partir de la pente calculer
EA = 2a k
Prenez la valeur de constate de Boltzmann k = 8.62 x 10-5 eV . La valeur de EA sera alors en
lectronovolts.
3. valuez lerreur partir de la formule suivante: EA= EA a/a
4. Donnez le rsultat dans la forme EA = la valeur calcule lerreur