Universidad de Sonora

Departamento de Fsi a
Sistemas fotovoltai os
Pr ti a 01

Curva del diodo

Mara Fernanda Moreno Lpez

Li en iatura en Fsi a
Hermosillo - 2 de febrero de 2016

Curva del diodo

1.

3 Resumen teri o

Introdu in

Las eldas fotovoltai as se basan en la misma teora que rige a los diodos. Sus
fundamentos provienen de la me ni a estadsti a y la fsi a del estado slido, las
uales des riben teor amente el omportamiento ele trni o de los materiales
semi ondu tores.
El propsito de esta primera pr ti a es la de obtener la urva del orriente
de un diodo semi ondu tor para as ompararla on la urva que se des ribe
teri amente
El mtodo a partir del ual se llevar a abo el propsito ser mediante la
obten in de parejas de datos voltaje- orriente, resultado de un ir uito sen illo
on un diodo, para pro eder a interpretarlos en forma de gr a. Tambin se
bu ar la manera en la uale esta gr a se pueda observar en la pantalla de un
os ilos opio.

2.

Objetivos

1. Cono er el omportamiento de la orriente en fun in del voltaje que pasa

atravs de un diodo.

3.

Resumen teri o

Los dispositivos ele trni os ono idos omo diodos semi ondu tores se forma
de dos materiales dopados de tal forma que uno sea de tipo n y el otro de tipo
p. El primero de estos es un portador mayoritario de ele trones y el segundo es
un portador mayormente de hue os.

Figura 1: Diferen ias entre los materiales tipo n y tipo p.

Al unirse, los ele trones y los hue os se ombinan en la regin de union y redu en la antidad de portadores libres en la regin prxima a la unin. Las
part ulas en esa zona son iones positivos y negativos que quedan al absorberse
los portadores libres. A esta regin se le llama regin de agotamiento, debido a
que se disminuyen los portadores libres.

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3 Resumen teri o

Figura 2: Unin de un material n y otro p.

El termino polariza in onsiste en la a in de apli ar voltaje externo al diodo
a travs de las dos terminales que posee. Existen tres formas de polizar un diodo:
dire ta, neutra e inversa.
La polariza in neutra es uando hay una ausen ia de voltaje entre las terminales, por lo ual no hay orriente que pase a travs del dispositivo
La polariza in inversa se da en el momento que se apli a un voltaje externo que
entra por la terminal del material n en dire in al material p. Esto se muestra
en la siguiente gura

Figura 3: Polariza in inversa de un diodo.

En este aso se rea una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar. El ujo de estos se redu e a ero. Se presenta
una orriente de satura in en inversa (Is ) del orden de mi roamperes (A). Esta
orriente al anza su nivel mximo on rapidez y no ambia signi ativamente
on los in rementos en el poten ial.
Por ltimo, uando se habla de polariza in dire ta se ha e men in a la situa in en la ual se apli a un voltaje de tal forma que la dire in de la orriente
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4 Material y equipo

es del material p al material n, tal y omo se muestra en la gura

Figura 4: Polariza in dire ta del diodo.

El poten ial presionara a los portadores para que se re ombinen y formar iones
prximos al regin lmite, por onse uente, la barrera se redu ir.
Cuando se in rementa la magnitud de la polariza in apli ada, el an ho de
la regin de emprobe imiento ontinuar redu indose hasta que un ujo de
ele trones pueda atravesar la unin, lo ual produ e un re imiento exponen ial
de la orriente.
ID = Is (eVD /VT 1)

y es denido omo voltaje trmi o.

VT =

kT
q

4.

Material y equipo

1. Fuente de voltaje regulable

2. Medidor de voltaje y orriente
3. 1 diodo
4. 1 resistor 27 - 10 W
5. Os ilos opio

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5.

6 Medi iones del experimento

Desarrollo experimental

A
i

D Vd

1. Armar el ir uito segn el diagrama anterior. Tomando a A y V omo un

ampermetro y un voltmetro, respe tivamente.
2. Comenzar de un voltaje mnimo e ir intesi ando su intensidad para as
registrar las medi iones de orriente y voltaje en el diodo para distintos
voltajes de entrada.
3. Probar una ongura in que permita observar la urva en el os ilos opio.

6.

Medi iones del experimento

Resisten ia: 28.09

Tabla que registra las medi iones de orriente (I ) que pasaba por el ir uito en
fun in del poten ial en el diodo (Vd ).

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7 Resultados

Vd

0.625
0.678
0.702
0.718
0.730
0.742
0.751
0.758
0.766
0.772
0.779
0.788
0.799
0.809
0.814
0.820
0.827
0.843
0.857
0.871
0.885
0.899
0.913
0.926
7.

3.89
13.49
23.46
32.94
42.43
52.86
61.85
71.30
80.8
89.7
99.2
122.8
139.8
156.8
173.6
188.3
204.8
237.9
269.7
302.3
335.1
368.0
398.6
429.0

Vr

0.381
1.326
2.306
3.239
4.175
5.207
6.147
7.11
8.1
9.04
10.07
3.452
3.92
4.41
4.885
5.3
5.765
6.7
7.6
8.53
9.47
10.41
11.29
12.17

Resultados

La e ua in obtenida mediante el ajuste de los datos por parte del software

Origin fue el siguiente:
I(V ) = 0.0519(eV /0.1016 1)

Cuyos parmetros representan a la orriente de satura in Is = 51.9mA y al

voltaje trmi o VT = 101.6mV

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8 Con lusiones

7.0.1. Gr as
Diagrama I V del diodo
500

datos
ajuste

450
400

Corriente (mA)

350
300
250
200
150
100
50
0
0.6

0.65

0.7

0.75

0.8

0.85

0.9

0.95

Votaje (V)

Figura 5: Curva del diodo obtenida mediante los datos experimentales y el ajuste.
8.

Con lusiones

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