.

DIA
C

La conduccin se da cuando se
ha superado el valor de tensin
del zener que est conectado en
sentido opuesto. El DIAC
normalmente no conduce, sino
que tiene una pequea corriente
de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se
alcanza. Cuando la tensin de
disparo se alcanza, la tensin
en el DIAC se reduce y entra en
conduccin dejando pasar la
corriente necesaria para el
disparo.

El diac es un componente
simtrico porque est formado
por dos diodos conectados en
paralelo y en contraposicin,
por lo que cada uno de ellos
permitir el paso de corriente
de cada uno de los semiciclos
de la corriente alterna a que
se le somete. Para que un
diac comience a funcionar,
necesitar que se le apliquen
entre sus bornes una tensin
determinada,
momento
despus del cual empezar a
trabajar. La tensin mnima
necesaria
se
denomina
tensin de disparo. Dicha
tensin de disparo ser
aproximadamente de 30 V.

Cuando
el
DIAC
esta
polarizado como en la parte
(b),
la
estructuraPnpn
desde A1 a A2, proporciona
la operacin del dispositivo
con cuatro capas. En el
circuito equivalente, Q1 y
Q2 estn polarizados en
directa y los Q3 y Q4 en
inversa. El dispositivo opera
en
la
porcin
derecha
superior
de
la
curva
caracterstica de la figura
2.2, bajo esta condicin de
polarizacin. Cuando el DIAC
est polarizado como se
muestra en la figura 2.3 (c),
la estructura pnpn , desde
A2 a A1 , es la que se usa.
En el circuito equivalente,
los
Q3
y
Q4
estn
polarizados en directa y los
Q1 y Q2en inversa. El
dispositivo
opera
en
la porcin izquierda inferior
de la curva caracterstica,
como se muestra en la
figura

GT
O

Las curvas estticas para el

GTO,
mostradas
en
la
figura
,
tambin
son
similares a las del tiristor,
una
vez
que
se
ha
conectado por suficiente
corriente de puerta. A bajos
niveles de corriente de
puerta, funciona en la regin
del transistor, con una
familia de curvas de ataques
de puerta en aumento. El
valor de la tensin negativa
impuesta al electrodo de
control
debe
estar
comprendido entre 6 y 8 V
y,
en
ningn
caso,
sobrepasar los 10 V; la
duracin de aplicacin de la
polarizacin negativa debe
ser de 20 a 30 ms,
aproximadamente,
para
permitir
al
dispositivo
recuperar sus propiedades
de bloqueo.

Es un dispositivo que
puede ser disparado por
un pulso positivo a su
terminal gate y bloqueo si
se aplica un pulso negativo
a esa misma terminal. GTO
se emplea actualmente en
muchas
aplicaciones
interesantes en el dominio
de altas potencias cuyo
control
se
realiza
fcilmente
mediante
transistores bipolares. Los
bajos requerimientos de
potencia de su control
facilitan la aplicacin de
tcnicas de modulacin de
anchura de pulso.

Si la corriente por la puerta

es
positiva,
el
semiconductor pasar del
estado OFF al estado
ON. Por el contrario, si la
corriente por la puerta es
negativa, el semiconductor
dejar de conducir, pasando
del estado de ON a OFF.

IGB
T

VDSmax es la tensin de ruptura

del transistor pnp. Como es
muy baja, sera VDSmax=BVCB0
Existen en el mercado IGBTs
con valores de 600, 1.200,
1.700, 2.100 y 3.300 voltios.
(Anunciados de 6.5 kV). La
tensin VDS apenas vara con la
temperatura.
Se
pueden
conectar en paralelo fcilmente.
Se pueden conseguir grandes
corrientes con facilidad,(1.200 o
1.600 Amperios).

El IGBT es un dispositivo
semiconductor de potencia
hbrido que combina los
atributos del BJT y del
MOSFET.
Posee
una
compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El
gate maneja voltaje como el
MOSFET. Al igual que el
MOSFET de potencia, el IGBT
no exhibe el fenmeno de
ruptura secundario como el
BJT. Generalmente se aplica a
circuitos de potencia. Este es
un
dispositivo
para
la
conmutacin en sistemas de
alta tensin. La tensin de
control de puerta es de unos
15V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia
aplicando una seal elctrica
de entrada muy dbil en la
puerta.

a)
SOA
directamente
Polarizada (FBSOA)
b)
SOA Inversamente Polarizada
(RBSOA)
IDmax , es la mxima corriente
que no provoca latch up.
VDSmax , es la tensin de ruptura
de la unin B-C del transistor
bipolar.
Limitado trmicamente para
corriente continua y pulsos
duraderos.
La RBSOA se limita por la
VDS/t en el momento del corte
para evitar el latch-up dinmico.