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ELECTRONICA
Tomo I
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MODULO I
MECANICA CUANTICA
PARTE I :
LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MECANICA CUANTICA
PARTE I : LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
INTRODUCCION
Fsica Clsica y Fsica Cuntica
EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
La radiacin del cuerpo negro y el cuanto de Planck
Formulacin de Rayleigh - Jeans
Hiptesis de Planck
El efecto fotoelctrico
Einstein y la interpretacin del efecto fotoelctrico
La radiacin electromagntica,... onda o corpsculo?
El Efecto Compton
Explicacin de Compton
Algo ms a partir de Compton.....
Regularidades en los espectros atmicos
El lenguaje de los espectros
Las series espectrales del hidrgeno
Las series espectrales: un enigma pendiente
INTRODUCCION
FISICA ELECTRONICA
MODULO I
S. MARCHISIO
EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
Este problema est vinculado a la medicin ptica de temperaturas.
A principios de siglo, cuano se necesitaba medir una temperatura, se
empleaban mtodos basados en la dilatometra , ya sea por el empleo de un
termmetro , o la medicin a travs de la elongacin por dilatacin de una
varilla o de un fleje metlico.
Estos mtodos se volvan problemticos o imposibles a temperaturas
elevadas, fundamentalmente debido a la prdida de linealidad de la
elongacin de los metales con la temperatura.
l = l - lo =
T + T2 + .......
MODULO I
As,
UT = 0 T d
Por otra parte, si analizamos la absorcin por un cuerpo del flujo
de energa radiante provocado por ondas electromagnticas,
veremos que del total incidente, una parte es absorbida por el
mismo. La relacin entre la absorbida y la incidente es lo que se
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
(, T)
(, T) = (, T)
MODULO I
mx. T = cte.
Ley de Wien :
2000 0K
1790 0K
1600 0K
3
2
1
1
2,36
3 (m)
0,59 .105(s-1)
Se
formul
entonces
una
segunda relacin, la ley de Stefan Boltzmann, en un esfuerzo por describir estas curvas. Esta ley establece que
la emitancia luminosa del cuerpo negro es proporcional a la cuarta potencia
de la temperatura absoluta:
1,18
Ley de Stefan-Boltzmann :
O. VON PAMEL
0 (, T) d() = . T 4
S. MARCHISIO
<>=
FISICA ELECTRONICA
. e-
/KT
e-
/KT
MODULO I
.
Tal como se puede observar en
la
figura,
sta
concuerda
satisfactoriamente con los datos
experimentales slo para longitudes
de onda muy largas y diverge
considerablemente del experimento
para longitudes de onda cortas. La
relacin seala que la curva debera
aumentar sin lmite a medida que
se hace ms pequea. Vimos, sin
embargo, que la curva experimental
alcanza un mximo en algn valor
de y a continuacin disminuye
hacia cero a medida que
disminuye.
10
8
6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Hiptesis de Planck
Uno de los fsicos que estaba trabajando en la bsqueda de un marco
terico explicativo para la radiacin del cuerpo negro fue Max Planck. Ya
haba desarrollado una relacin emprica que describa con xito la
informacin experimental de la curva de la distribucin espectral de la
energa de la radiacin del cuerpo negro. Examinando los resultados de la ley
de Rayleigh, Planck pudo advertir que la inexactitud proceda del papel
demasiado importante que desempean en la imagen csica de los
intercambios de energa entre los osciladores atmicos y la radiacin, los
osciladores de alta frecuencia. Esto era lo que conduca al crecimiento
montono de la densidad espectral con la frecuencia, la llamada catstrofe
ultravioleta.
Con el objeto de restringir el papel de los osciladores de alta frecuencia,
Planck introdujo en su descripcin un elemento extrao a las concepciones
clsicas. Postul que la materia no puede emitir energa radiante ms que
por cantidades finitas (cuantos de energa) proporcionales a la
frecuencia de la radiacin. De este modo resulta:
cuanto de energa
O. VON PAMEL
= h.
9
S. MARCHISIO
n = n. = n. h. ;
con n = 0, 1, 2, ....
<> =
. e
/KT
0 n.o e- n.o/KT
d
por:
/KT
<> =
0 o e- n.o/KT
h.
<> =
e
h . / KT
; con =
-
FISICA ELECTRONICA
<> = KT)
(
, T) = cte. 3.
h
KT
h . / 2
e
- 1
10
MODULO I
2KT
El efecto fotoelctrico
Otro conjunto de resultados experimentales sin explicacin en el
comienzo de este siglo se relacionba con el efecto fotoelctrico. Se
denomin efecto fotoelctrico a la emisin de electrones por una
sustancia bajo la accin de la luz. Este efecto se observa de la siguiente
manera:
Luz
Tubo de vidrio al vacio
Placas
O. VON PAMEL
Se
encierran
dos
electrodos metlicos en un
tubo de vidrio, como se
muestra en la figura.
11
S. MARCHISIO
m1
Cs
u1
K
u2
m2
m3
Na
u3
1
2
FISICA ELECTRONICA
Si la misma experiencia se
repite para disintos materiales de la
placa, es posible obtener una familia
de curvas de la energa en funcin de
la
frecuencia
que
resultan
representaciones de rectas de
idntica
pendiente
y diferente
ordenada al origen. Ntese la
existencia de una frecuencia mnima
o umbral (u). Esta se vincula con c
, siendo u= c /c
De
estos
resultados
12
MODULO I
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Si los fotones tienen una energa tal que h > , entonces los
fotones sern capaces de liberar electrones. de otra manera no fluir
corriente. Por lo tanto tenemos:
u = / h
o lo que es lo mismo: c
= hc /
= +K
K
K
ley emprica
= A B
14
MODULO I
El Efecto Compton
Las propiedades corpusculares de la luz se manifiestan con ms claridad
en un fenmeno asociado a la dispersin de la radiacin que recibi el
nombre de efecto Compton.
Se sabe que, si una radiacin golpea un cuerpo material, una parte de la
energa de esta radiacin es dispersada en todas direcciones en forma de
radiacin difusa. La teora electromagntica interpreta esta dispersin
diciendo que, bajo la influencia del campo elctrico de la onda incidente, los
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
haz incidente de
rayos X
grafito
rayos X dispersados
Explicacin de Compton
= 00
= 450
= 900
=1350
16
MODULO I
dispersado h/
incidente h/
P de los electrones
En la figura, esta radiacin dispersada est caracterizada por una
longitud de onda mayor que la de la incidente.
Esta experiencia puso entonces en evidencia que: el fotn es pues un
corpsculo, al que no slo se le puede caracterizar con un valor de
energa, sino que adems, como partcula, es capaz de transferir
cantidad de movimiento.
Pero, cul es la cantidad de movimiento de esta partcula que,
como radiacin, se desplaza a la velocidad de la luz c ?
Como partcula relativista:
= m.c2
energa
p=
y cantidad de movimiento
/c
p = m.c
= h.
p=
/c
Podemos calcular:
cantidad de movimiento del fotn
pfotn = h /
o, lo que es lo mismo:
O. VON PAMEL
p = h. / c
17
S. MARCHISIO
despus
Segn el eje x :
pax = h/
h/
cos + m.vx = pdx
y en el eje y
pay = 0
h/
sen m.vy = pdy
despus
=
h.c/
+ m.vx + m.vy = Ed
2
2
= + h . (1- cos )
m.c
Obsrvese que en esta ecuacin de Compton se predice que =
cuando = 0. Por otra parte, a medida que aumenta, la
longitud de onda de la radiacin dispersada tambin aumenta,
tal como se observ en la experiencia, pudindose reproducir
los valores experimentales.
18
MODULO I
lampara de
descarga
prisma
pantalla
espectro gaseoso
diafragma
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
6562.8 0A
4861.3 0A
4340.5 0A
4101.7 A
= 0
n
2
Frmula de Balmer
2
n - 2
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO I
1 =R ( 1
2
1 )
2
frmula generalizada
de Balmer
m = 1 ; n = 2, 3, 4, ...
de Pashen:
m = 3 ; n = 4, 5, 6 ,...
de Brackett:
m = 4 ; n = 5, 6, 7,....
de Pfund:
m = 5 ; n = 6, 7, 8, ...
21
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO I
MODULO II
MECANICA CUANTICA:
LA ECUACION DE SCHROEDINGER
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Contenidos
HACIA EL CONOCIMIENTO DE LA ESTRUCTURA ATOMICA
El tomo de Thomson
La experiencia de Lenard
El origen del tomo nuclear: Rutherford
Limitaciones del modelo de Rutherford
El modelo de Bohr del tomo de hidrgeno
Limitaciones del modelo de Bohr
Hiptesis de De Broglie: el electrn como onda
El experimento de Davisson - Germer
La ecuacin de Schroedinger
A partir de la dualidad onda - corpsculo del electrn
MODULO II
El tomo de Thomson
Una de las cuestiones fundamentales sin respuesta an en 1900 se
relacionaba con la estructura de los tomos. La carga y la masa del electrn
se conocieron en forma aproximada, as como tambin las masas de los
diferentes tomos, juntamente con las estimaciones de los qumicos del
nmero de electrones de cada uno.
3
La experiencia de Lenard
El modelo atmico de Thomson fue sometido a prueba seriamente
por Lenard en 1903.
Dispar un haz de electrones a travs de una delgada hoja de metal
y midi las propiedades de los electrones que podan atravesar una hoja.
Segn el modelo de Thomson, la situacin podra describirse como se
muestra en la figura.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
hoja metalica
electrones
FISICA ELECTRONICA
MODULO II
Como blanco utilizaron una delgada hoja de oro. El oro tiene ventajas
sobre otros materiales: se forja con facilidad en hojas muy delgadas.
material
radiactivo
haz de
particulas
luz
ojo
amplificador
escudo de plomo
pantalla
fluorescente
hoja de oro
Particulas
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
v
-e
r
+e
De
acuerdo
con
la
teora
electromagntica clsica, el electrn orbital deba
por ello radiar continuamente, lo cual explicaba la
emisin de luz por los tomos. Obviamente, esta
emisin de luz no era discreta.
Adems, si la luz es emitida por el electrn en su movimiento
peridico, el principio de conservacin de la energa exige que la radiacin
emitida origine una disminucin en la energa del electrn.
FISICA ELECTRONICA
MODULO II
e
= m.v
2
4..0.r
r
m.v
2
e
8. .. 0. r.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
e .
4. . 0. r
2
Er4
Ecinet.
Epot.
8. .. 0. r4
e
8. .. 0. r4
e
4. . 0. r4
Resolviendo, resulta:
Er4
e
8. .. 0. r5
2
=
8
h.
5--4
MODULO II
e
8. .. 0. r5
2
5--4
e
8. .. 0. r4
o lo que es lo mismo:
h.
5--4
e
8. .. 0.
( 1/ r4
1/ r5 )
e
. ( 1/ r4
8. .. 0. h.c.
= c/ y dividimos
1/ r5 )
1 =R ( 1 - 1 )
2
2
m
n
frmula generalizada
de Balmer
m.vn.rn = n. h
9
S. MARCHISIO
siendo:
n un nmero entero diferente para cada rbita;
vn la velocidad del electrn en la rbita;
rn el radio correspondiente a n.
Reemplazando rn y utilizando la expresin de la energa cintica
del electrn para eliminar vn , se puede obtener en nuestra
transicin de la rbita 5 a la rbita 4:
1/ 5-4 =
e .m
2 3
0. h .c.
. ( 1
2
4
1 )
2
5
e .m
0.2 h3.c.
concuerda dentro del error experimental con la constante de
Rydberg ; representada por R en la frmula de Balmer.
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO II
De Broglie
h / m.v
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
; con n entero
= h / m.v ,
m.v.r = n. h./ 2
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO II
fu e n te d e
electr on es
c r is ta l
esquema
del experimento
de Davisson y
Germer
d e te c to r
Patrn de intensidad
distancia para el fenmeno
de interferncia.
onda
intensidad
y
onda
Interferencia de ondas
luminosas
intensidad
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
haz de
electrones
intensidad
La ecuacin de Schroedinger
Desarrollando las ideas de De Broglie sobre las propiedades
ondulatorias de la materia, E. Schroedinger obtuvo, en el ao 1926 (antes
de la experiencia de Davisson y Germer), su clebre ecuacin.
El compar el movimiento de una micropartcula con una funcin
compleja de la posicin y el tiempo, a la cual denomin funcin de onda y
design como funcin (psi).
La funcin de onda caracteriza el estado de la micropartcula. La
expresin para se obtiene de la solucin de la ecuacin de Schroedinger,
expresada como:
2
-h
2
8 m
+ U = i.h.
2
ecuacin de Schroedinger
= 2 + 2 + 2
x
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO II
(x, y, z, t) = ( x, y, z ). e -i..t
si consideramos la relacin entre la energa E de la partcula y la
frecuencia angular :
E = h. / 2
el factor dependiente del tiempo toma la forma:
-i(2 E/h)t
-h .e
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
8 m
2 h
-h
2
8 m
de
+ U = E
la
ecuacin
se
Schroedinger
= - 82m / h2 . ( E - U ).
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO II
modulacin de la
amplitud
onda
vg
x
vf
x
paquete de ondas
De este modo podemos distinguir lo que se llama un paquete de onda
Analicemos ms detalladamente la superposicin de ondas.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
v = vf
A
x
vg
x
18
MODULO II
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO II
MODULO III
MECNICA CUNTICA
PARTE III
Modelos de potencial
Objetivos:
A travs del desarrollo del presente mdulo se pretenden
lograr tres objetivos fundamentales :
1- introducir modelos de potencial simples
que ilustren los principales fenmenos que se
presentan en la Mecnica Cuntica.
2- mostrar cmo se calcula mediante la
ecuacin de Schroedinger
3- generar capacidad de modelar y de
interpretar modelos
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Modelos de potencial.
Un mtodo de anlisis a partir del clculo de la funcin de onda
Como hemos visto en el marco del trabajo de Schroedinger, la
funcin de onda no tiene interpretacin fsica real, debiendo ser entendida
como una descripcin matemtica que nos permite analizar el
comportamiento de los electrones en los tomos de una manera
conveniente.
Desde un punto de vista prctico, podemos considerar entonces a
como una magnitud intermedia cuyo conocimiento nos permitir calcular
algunas otras magnitudes, reales stas, que s tienen una interpretacin
fsica, aunque de orden estadstico. Por otra parte, la forma de dicha funcin
quedar definida por la forma de la funcin potencial U que se considere.
Para conocer esas magnitudes y resolver as problemas que
involucren comportamientos cunticos de la materia, es necesario plantear
la representacin de la funcin potencial ms aproximada a la situacin
concreta en estudio. Es decir, se requiere trabajar con modelos de potencial
representados matemticamente por la funcin U de la ecuacin de
Schroedinger, que contendr la informacin caracterstica en cada caso.
Es as como a travs de una seleccin adecuada de la funcin
potencial podremos modelar el tomo, una barra de metal, la unin de dos
metales, un slido cristalino, el efecto de un campo elctrico sobre un
material, etc. Asimismo, y de acuerdo con la situacin a modelar, los
potenciales a considerar sern diferentes. Segn su tipo, stos pueden ser
expresados en coordenadas cartesianas ortogonales, en coordenadas
radiales, etc.
A modo de ejemplo, si queremos modelar un tomo, podemos
suponer en principio al electrn encerrado en una caja de potencial
cuadrada; un modelo mejor resultara de considerar un potencial central del
2
tipo - e /r , aunque este tipo de potencial hace ms dificultosa la resolucin
de la ecuacin de Schroedinger.
A lo largo de este mdulo nos proponemos analizar slo potenciales
simples; stos, no obstante, con menor o mayor aproximacin, modelarn
situaciones que se nos presentan habitualmente en el estudio de los
materiales. De todos los casos propuestos, resolveremos con detalle
aqullos que consideramos ms formativos para los objetivos de este curso;
de los restantes, desarrollaremos el modelo y expondremos las soluciones y
los principales resultados que de ellas se desprenden.
Concretamente estudiaremos
cartesiano, crecientes en complejidad,
FSICA ELECTRNICA
distintos
potenciales
de
MODULO III
tipo
desde:
la casilla de potencial unidimensional
hasta :
el potencial peridico de un cristal
para finalizar estudiando:
el potencial central de tipo electrosttico, o lo que es lo mismo, la
representacin del tomo de hidrgeno.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
E (x)
U=
casilla de potencial
unidimensional
x
x=0
x=a
= = 0 y 2 = 1
2
n = A sen n x
a
donde n = 1,2,3...... y
A = cte.
FSICA ELECTRNICA
MODULO III
nh
En = ---------2
8ma
donde n = 1 , 2 , 3 , .......
0 x = 1
2
_____
de donde, reemplazando se obtiene A = 2/a
Imagen cuntica
Imagen clsica
La
energa
asume
determinados valores discretos
E = n2
16
En = n E1
con n 0
h2
E1 = ------8ma2
O. VON PAMEL
n=4
La energa
asume
valores
continuos.
n =3
n =2
n =1
n =0
S. MARCHISIO
n (x)
3 2
(x)
2 = cte.
2 2
= cte.
1 2
1
a x
La probabilidad de encontrar
a la partcula vara en el
intervalo
La probabilidad de encontrar
a la partcula es igual en todo el
intervalo
z
a
La energa potencial de la
partcula en el interior de la casilla
es constante.( por simplicidad
igual a cero). Fuera de ella posee
una
magnitud
infinitamente
grande.
a
x
FSICA ELECTRNICA
MODULO III
O. VON PAMEL
h .
2
8ma
S. MARCHISIO
Escaln de potencial
Supondremos al electrn propagndose en el sentido positivo de la
coordenada x, encontrndose con una barrera de potencial Vo ( alto de la
barrera ), que es mayor que la energa total E del electrn, pero de un valor
finito.
La figura siguiente representa esta situacin.
FSICA ELECTRNICA
MODULO III
V(x)
Vo
E
I
II
y en la regin ( II ) :
2m
-------- + ------- ( E - Vo ) =0
2
2
x
h
2
donde :
y
I = A ei x + B e-i x
= 2mE / h2
( II )
donde : =
II = C e x + D e- x
2m
/ h2 ( E - Vo)
2m
/ h2 ( Vo - E ),
II = C e x + D e - x
Aplicando condiciones de contorno encontramos :
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
si x entonces
si x = 0
I (x=0) II (x=0)
entonces
por lo que A + B = D
A i + B i = - D
de donde obtenemos :
A = D/2 ( 1+ i / )
B = D/2 ( 1 - i / )
Vo
e-x
+
II
En efecto , cuando los electrones van del seno del material hacia su
superficie, al llegar a ella, mantienen su estado de movimiento. En ese
instante el material gana una carga equivalente positiva, y los electrones se
ven atrados por la accin de esta fuerza atractiva. Al cabo de un cierto
recorrido invierten su sentido de movimiento y retornan al seno del material.
V(x)
Vo
e-x
+
I
a
FSICA ELECTRNICA
II
x
10
Obsrvese
que,
en
promedio, los electrones se
encuentran ms afuera del
material que los iones de la red,
generndose as un campo
elctrico en la superficie del
material, por lo que un modelo
de potencial ms realista de los
bordes del material sera el de
la figura.
MODULO III
Efecto tnel.
Consideremos ahora que la barra de potencial posee un espesor a,
muy delgado, menor que la penetracin de los electrones en la barrera.
V(x)
Vo
I
0
II
a
III
x
V(x)
Vo
e-x
+
3
I
II
O. VON PAMEL
III
a
11
S. MARCHISIO
V(x)
V=
e-x
+
I
0
II
Vo
III
a
V(x)
Vo
3
Vo + E.(x - a )
+
I
II
a
FSICA ELECTRNICA
12
MODULO III
Vo
3
II
I
0
III
Vo
Vo
haz transmitido
I
0
II
a
II
a
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
I = T + R ( en x = a )
Obsrvese que clsicamente no debera haber onda reflejada.
Esto es equivalente a lo que se presenta para una onda
electromagntica, en una lnea de transmisin frente a un cambio de la
impedancia de sta. ( en este caso el cambio de potencial es equivalente al
cambio de impedancia).
Para ondas electromagnticas en el rango de la luz visible esto
equivaldra al cambio de ndice de refraccin del medio.
En este caso el haz de partculas se comporta como una onda (Recordar
la dualidad partcula onda ).
En este caso I = R
V(x)
V=
I
R
E
V0 =0
0
V(x)
Vo =
I haz incidente
R haz reflejado
0
x
I
II
III
-V
FSICA ELECTRNICA
14
MODULO III
V
Vs =
2- E2 > Vo
E2
Vo
En este caso el
electrn prcticamente no
ver la barrera de altura Vo
y se mover a lo largo de
toda la molcula. (ver figura)
E1
E1
x
nucleos
V
Vo
E
II
II
II
x
-b
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
V
Potencial superficial
Un modelo mejor es el de
Muffin
que
se
puede
observar en la figura,
aunque
sigue
siendo
unidimensional.
nucleos
(I)
2m
------ + ------ E = 0
2
2
x
h
( II )
2m
------ + ------ ( E - Vo ) = 0
2
2
x
h
2 = 2m /h2 E
2 = 2m /h2 ( Vo - E)
(x) = u(x) . ei kx
En la ecuacin de Bloch, u(x) es una funcin peridica, la cual
posee la periodicidad de la red en el sentido de las x. No posee una
amplitud constante en el sentido x, cambiando peridicamente ( Amplitud
modulada). Obviamente es distinta para cualquier otra direccin de la red.
u
u
2
ikx
------ = ( ------- + ------- 2ik - k u ) e
2
2
x
x
x
2
calculando
FSICA ELECTRNICA
16
MODULO III
(I)
u
u
2
2
------- + 2ik ----- - ( k - ) u = 0
2
x
x
( II )
u
u
2
2
------- + 2ik ----- - ( k + ) u = 0
2
x
x
(I)
uI = e - i k x ( A e i x + B e - i x )
( II ) uII = e - i k x ( C e - x + D e x )
A , B , C , D pueden determinarse a partir de las siguientes
condiciones de continuidad y periodicidad (en a+b ) :
x=0
= uII /x
x=0
= uII /x
x= a
x=-b
A+B =C+D
A ( i - ik ) + B ( -i - ik ) = C ( - - ik ) + D ( - ik )
A e( i - i k ) a + B e( - i - i k ) a = C e( i k +
)b
+ D e( i k - ) b
A i( - k)e i a ( - k ) -B i( + k)e - ia ( + k ) =
= -C ( + ik)e ( i k + ) b + D ( - ik)e ( i k - ) b
Por lo tanto hemos resuelto el problema. En este caso, sin embargo,
el conocimiento de no es lo que reviste mayor importancia. En
cambio, es de sumo inters determinar una condicin para la
existencia de las soluciones de la ecuacin de Schroedinger en las
regiones I y II.
Esta condicin limitar los posibles niveles de energa En .
Para hallarlos bastar emplear el ltimo sistema de cuatro
ecuaciones. Recordemos que para que en este sistema existan soluciones
basta con estudiar su determinante.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
2m
. Vo
/ h
2m
/ h . (Vo b) b
2
cosh( b ) 1
sinh( b ) b
comparado con
Si llamamos:
2
P = m Vo b / h
FSICA ELECTRNICA
18
MODULO III
y b
Finalmente obtenemos :
P.
sin a
/a + cos a = cos ka
P.sina/a + cosa
solucion
solucion
-4
-3
-2
-1
6
5
4
3
2
1
2 3
4
a
0
-1
-2
2 =2m/h2 E ,
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
e
U(r) = -----r
z
x = r sen cos
y = r sen cos
z = r cos
FSICA ELECTRNICA
20
MODULO III
R ( r ) = F1 ( n, l )
( ) = F2 ( l, m )
( ) = F3 ( m )
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
l .......................s
que
22
MODULO III
4r2 R2(r)
n=1
l=0
En el eje de las coordenadas
2
estn situados los valores de R
( r ), multiplicados por 4r2.
Las
magnitudes
dadas
caracterizan la probabilidad de
estancia del electrn en una
fina capa esfrica de radio r ,
esta
probabilidad
es
2 2
proporcional
a
4r R (r)dr
donde dr es el espesor de la
capa.
2s n = 2
l=0
1s
2p n = 2
l=1
0
4 r (A0)
3s
n=3
l=0
3p
n=3
l=1
n=3
l=2
8 10 12 14 r ( A0)
3d
2 4
De la figura se deduce que a diferencia de la teora de BohrSomerfeld , de acuerdo con la cual el electrn se mueve por rbitas
predeterminadas, la mecnica cuntica nos muestra que el electrn puede
encontrarse en cualquier parte del tomo. Sin embargo, la probabilidad
de su estancia en distintas zonas del espacio no es igual, de esta forma,
si pudiramos observar el electrn en el tomo veramos que se encuentra
ms frecuentemente en unas zonas que en otras.
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
1s
2pz
x
z
2py
2px
x
y
y
z
3d z2
3d x2 - y2
x
FSICA ELECTRNICA
z
3d x y
3d y z
3d x z
24
MODULO III
MDULO IV
TOMOS, MOLCULAS,
MICROSLIDOS
OBJETIVOS :
A partir de conocimientos elementales de la Mecnica Cuntica, en
el presente mdulo nos proponemos discutir un modelo de la materia
basado en consideraciones energticas.
No es objeto de este mdulo brindar una teora muy elaborada del
tema, sino introducirnos en un modelo que nos ser de utilidad a la hora de
querer interpretar el funcionamiento fsico de dispositivos electrnicos.
Para elaborar este modelo de materia partiremos de estudiar su
componente mas simple, es decir el tomo, a partir de l veremos como se
construye una molcula, y a partir de sta construiremos el slido.
O.Von Pamel
S. Marchisio
El tomo
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
S. Marchisio
-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = +1
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
n = 2 ---------
l = 0 ------- m = 0
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = --1
-------- s = 1/2
MODULO IV
me e z
E = ------------2
2
n h
tomos polielectrnicos
Anlisis mecnico-cuntico de los tomos polielectrnicos.
k=n
O.Von Pamel
S. Marchisio
Como en el tomo de hidrogeno, en los tomos polielectrnicos el
estado de cada electrn se determina por los valores de los cuatro nmeros
cunticos n, l, m, s.
Estos nmeros pueden tomar los mismos valores que en el tomo
de hidrgeno.
.
- energa
------ f
------ d
------- s
------- p
------ d
------- s
------ p
------ d
------s
------ p
------ s
------p
------ s
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
3
1
0
+/- 1
1
0
2
+/- 1
+/- 1
+/- 2
+ 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2
- 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2
1s
2s
2px
2py
2pz
3s
3px
3py
3pz 3dx2
3dxz
3dyz
3dxy
+ 1/2
- 1/2
3dx2-y2
nmero mximo de
electrones con un valor
10
dado de l
nmero mximo de
electrones con un valor
18
dado de n
Molculas.
Explicacin mecnico-cuntica del enlace covalente.
Antes de pasar a la exposicin de los resultados del anlisis
mecnico-cuntico de las molculas, es necesario conocer la dependencia
entre la energa potencial de la molcula y la distancia entre tomos.
O.Von Pamel
S. Marchisio
E
ncleo 1
ncleo 2
E , eV
3
2
1
0
r,
A0
-1
-2
Zona de atraccin
-3
-4
-5
r0
La dependencia
de la energa potencial
con respecto a r es una
curva que presenta un
mnimo.
En la figura se
representa la curva de
energa
potencial
correspondiente
a
la
molcula de hidrgeno.
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
La
curva
de
energa potencial tiene la
forma representada en la
figura y se observa que
con la disminucin de r la
curva
asciende,
sin
presentar mnimos.
electrn 1
r12
electrn2
rb2
ra1
ra2
rb1
Si representamos las
distancias entre las partculas,
como est hecho en la figura,
entonces la expresin para la
energa potencial se escribe de
Rab
+
En la molcula de
hidrgeno hay dos electrones,
que se mueven en el campo de
dos ncleos .
la siguiente forma :
O.Von Pamel
S. Marchisio
e
e
e
e
e
e
U = ------ + ------ ------ ------ ---- -- ----r12
ra1
ra2
rb2
rb1
Rab
tomo 1
tomo 2
s = 1 + 2
a = 1 - 2
s 2
a 2
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO IV
E , eV
1- curva experimental.
4
3
2
1
3
2
0
-1
-2
-3
r ,A
-4
-5
0 0,6
simtrica
antisimtrica
O.Von Pamel
11
S. Marchisio
s = 1+ 2 1 + 2
2
spines paralelos
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO IV
As pues , emplearemos diagramas de niveles energticos que
describen los estados que puede tener un electrn en un tomo.
Ionizacin
Estados ligados ( E = - E1 / n2 )
18 e
continuo
discreto
n=3
( d ) l=2
8e
n=2
( p ) l= 1
2e
- E1
n=1
( S ) l=0
E3
E2
Energa potencial
E1
E
r
E3
E3
E3
E2
E1
O.Von Pamel
13
S. Marchisio
Al estar los tomos fijos a muy corta distancia uno del otro, la
atraccin que cada ncleo ejerce sobre sus electrones se ve perturbada por
la accin del ncleo vecino.
E1
r1
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO IV
La abscisa r1 representa el radio clsico de Bohr para esa
energa. Para esta energa el electrn presentar mxima probabilidad de
encontrarse a la distancia r1 del ncleo.
r1 E
r
En la figura se aprecia la
aproximacin semiclsica
para una molcula.
Slidos
Diagramas de energa en un slido
Si analizamos un slido debemos generalizar nuestro estudio para
una cantidad muy grande de tomos .
O.Von Pamel
15
S. Marchisio
E
rs
ra
r
Sus rbitas se
alterarn notablemente,
de forma tal que puedan
llegar
a
intercambiar
posiciones de un tomo al
siguiente, con lo que los
estados
resultantes
contendrn movimientos
orbitales a travs de todo
el slido.
E4
E3
E2
E1
Los resultados de esta interaccin se pueden ver en la figura :
vaco
cristal
ncleos
23
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO IV
Definimos :
Banda de valencia a la ltima capa que se encuentra
totalmente ocupada.
Banda de conduccin a la mas baja de las bandas vacas o
parcialmente ocupadas.
Banda prohibida (en caso de existir) a la regin comprendida
entre las bandas de conduccin y de valencia.
2p
6N
2s
2N
1s
2N
tomo aislado
2 tomos que
interactan
3 tomos que
interactan
sistema formado
por N tomos
O.Von Pamel
17
S. Marchisio
E (eV)
r0
r4
r3 r2
r1
r (A0)
Ec
l= 1
capa n
ltima capa
l=0
Eg
Ev
l= n-2
penltima capa
l=0
A medida que los tomos se van acercando (por ej. a una distancia
r2 ) existe desdoblamiento de niveles y aparecen dos bandas de energa
separadas por una zona vaca de estados permitidos.
La magnitud r2 no representa an, en este ejemplo la distancia
interatmica correspondiente a un slido, por lo que necesitamos acercar
an ms los tomos para constituirlo.
18
MODULO IV
estados
E (eV) r0
r (A )
vacios
4p
4s
ocupados
3s
E (eV)
Eg
E (eV )
Eg
O.Von Pamel
19
S. Marchisio
temperaturas.
AsGa Si Ge
Ntese adems el
ancho
de
la
banda
energtica prohibida Eg .
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO IV
Nota :
Puede notarse, analizando la estructura de bandas del cobre que se
representa en la figura, el solapamiento de las bandas 4s y 3d para la
distancia interatmica real r0.
E
r0
r
4p
4s
3s
O.Von Pamel
21
S. Marchisio
MODULO V
MATERIA CONDENSADA
SLIDOS Y LQUIDOS
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
Estructura de la sustancia
dpp
Tp
O O O O O
O O O O O
U>K
Las
distancias
entre partculas ( dpp ) son
del orden de la dimensin
de las partculas( Tp ).
La
energa
potencial media ( U ) es
mayor que su energa
cintica media ( K ).
El movimiento de
dpp
o o
o o
Dpp
Tp
o o
o
o o
O. VON PAMEL
UK
La
sustancia
lquida se diferencia de la
slida en que no todas las
partculas
estn
distribuidas a distancias
del mismo orden del
tamao de ellas, como en
los slidos. Una parte de
las
molculas
se
encuentran a distancias
considerablemente
mayores.
S. MARCHISIO
Tp
Dpp
En este estado,
las
partculas
se
encuentran a distancias
que considerablemente
sobrepasan
sus
dimensiones .
Por
eso
las
fuerzas de interaccin
entre ellas son muy
pequeas, lo que se
traduce en que puedan
K >> U
desplazarse libremente.
La energa cintica media de las partculas de un gas es mucho
mayor que la energa potencial media de las mismas.
Si en la sustancia slida todas las partculas constituyen un
agregado entero, y en el lquido una gran cantidad de agregados
voluminosos y resistentes, en los gases pueden encontrarse solo partculas,
compuestas de 2 - 5 molculas, y su nmero, con frecuencia es
comparativamente pequeo.
Este estado, el ms
abundante en la naturaleza,
presenta propiedades distintas
a las de los anteriores.
En l, la materia que
lo constituye est formada por
iones positivos y negativos, de
forma
tal
que,
tomado
globalmente es neutro, pero si
lo consideramos localmente,
no lo es.
Temperatura
FISICA ELECTRONICA
de
MODULO V
la
sustancia
Resulta interesante a fin de aclarar ideas ver qu se entiende por
temperatura en cada uno de los estados anteriormente descriptos :
Temperatura de un slido:
La temperatura en un slido es la energa interna de ste.
Temperatura de un gas:
Temperatura de un lquido
Temperatura de un plasma:
S. MARCHISIO
Estado condensado.
Para facilitar el estudio de este estado vamos a considerar a los lquidos y
los slidos segn la siguiente subdivisin:
estado condensado
Slidos
Amorfos
Cristalinos
Lquidos
Vidrios
Amorfos
Cristalinos
Slidos.
Slidos cristalinos.
La propiedad fundamental de los slidos cristalinos (cristales) es la
regularidad de la distribucin de los tomos en ellos, constituyendo lo que se
llama una red cristalina.
sta est compuesta por una unidad bsica (celda de la red) que
se repite a lo largo de ella. Es por ello que para el anlisis de la estructura
de un cristal basta estudiar esta celda unitaria considerando que todas las
propiedades se repiten de una celda a la otra.
Las redes cristalinas se subdividen en varios tipos, en dependencia
de:
el tipo de partculas que la forman
el tipo de enlace entre ellas
Cristales covalentes:
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
En las figuras se
representan
las
redes
cristalinas del NaCl y del
CsCl respectivamente.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Los iones
de tal modo que
una configuracin
sus interacciones
mutuas.
se disponen
se produce
estable bajo
electrnicas
Estos cristales :
son duros, frgiles y tienen alto punto de fusin debido a las
fuerzas electrostticas relativamente fuerte entre iones;
son malos conductores de la electricidad, pero a altas
temperaturas, los iones pueden adquirir una cierta movilidad que
se traduce en una mejor conductibilidad elctrica;
son malos conductores del calor al carecer de electrones libres;
algunos absorben fuertemente radiacin infrarroja.
cristales metlicos
Son cristales cuyos elementos tienen energas de ionizacin
relativamente pequeas y cuyos tomos tienen unos pocos electrones
dbilmente ligados que son fcilmente puestos en libertad usando la energa
que se libera al formarse el cristal.
De este modo los metales tienen una red regular compuesta de
iones positivos esfricamente simtricos que se forman cuando los
electrones ms externos quedan en libertad.
Dentro de esta estructura hay un gas electrnico formado por los
electrones libres, los que son responsables de la unin.
Estos se mueven ms o menos libremente dentro de la red cristalina
y por lo tanto no estn localizados.
Estos cristales :
son maleables debido a la simetra del enlace;
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
un
alto
coeficiente
de
reflexin
Cristales moleculares
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Esto es particularmente
interesante en el caso del hielo en
el cual las molculas tienen el
arreglo tetradrico que se muestra
en la figura.
Esta
estructura
relativamente abierta del hielo
explica el mayor volumen que el
hielo tiene en comparacin con el
agua en la fase lquida.
10
MODULO V
Estas capas estn unidas entre s por fuerzas dbiles de van der
Walls, lo que explica la naturaleza escamosa y resbaladiza del grafito. Esta
caracteriza lo hace til como lubricante.
Sistemas cristalinos
Como dijimos, un cristal es una estructura que para su estudio
puede ser reducida a una unidad mnima denominada celda.
Si bien existen 14 tipos de celdas o cristales, las que resultan de
mayor inters para el estudio de los semiconductores presentan estructuras
reducibles a una red cbica.
stas son:
a - cbica
b - cbica centrado en las caras
c - cbica centrado en el cuerpo
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO V
Planos cristalinos.
A continuacin se presentan los principales planos cristalinos para
un sistema cbico. Los planos cristalinos se identifican mediante la
representacin en coordenadas cartesianas del vector unitario normal al
plano en cuestin.
x
( 1,0,1 )
( 0,0,1 )
y
y
z
( 0,1,0 )
( 0,1,1 )
y
z
z
( 1,0,0 )
y
z
( 1,1,1 )
y
z
( 1,1,0 )
y
z
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Super-redes
En la actualidad las modernas tcnicas de fabricacin de cristales
permiten obtener cristales formados de modo tal que a continuacin de una
capa cristalina de una especie se superpone otra de una especie diferente y
as sucesivamente.
Estas tcnicas permiten alterar la estructura energtica del cristal a
lo largo del mismo, alterando asimismo sus propiedades elctricas y pticas.
De esta forma se pueden fabricar microlentes y/o microespejos,
dentro de algunos dispositivos.
Un ejemplo de aplicacin tecnolgica de super-red lo constituyen las
fibras pticas no lineales.
Slidos amorfos.
Las sustancias amorfas se diferencian de las cristalinas por la
isotropa (no hay direcciones privilegiadas en su interior). Son distinguibles
de las cristalinas debido a que su transicin del estado slido al lquido no va
acompaada de cambios bruscos de propiedades.
V sustancia cristalina
slido
lquido
fusin
sustancia amorfa
slido
lquido
reblandecimiento
T
T
En un slido amorfo existe entre las temperaturas Ta y Tb una zona
de reblandecimiento. Entre esas temperaturas el material evoluciona
paulatinamente ablandndose cada vez ms desde un slido rgido a un
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO V
Lquidos.
Es un estado intermedio entre el slido y el gaseoso.
A elevadas temperaturas las propiedades del lquido se acercan a
las del gas no perfecto y a bajas temperaturas a las de la sustancia slida.
Un liquido se puede explicar representando su estructura como la
acumulacin
de
agregados
ultramicroscpicos
significativamente
deformados, o bien en forma de una malla estructural continua, en la cual
los elementos de orden estructural estn limitados por los vecinos ms
cercanos.
La primera suposicin significa que un gran numero de islotes
cristalinos estn divididos por zonas de partculas de desordenada
disposicin.
La segunda suposicin lleva a la representacin casi cristalina del
lquido en la cual el orden del cristal se va perdiendo capa a capa.
Es difcil decir qu punto de vista es preferible.
Lo importante es que en el lquido existe un orden determinado, el
que es tanto ms superior cuanto ms se acerca el lquido al punto de
fusin.
Lquidos cristalinos.
Estos lquidos se diferencian de los corrientes por su anisotropa.
sta se revela de manera ms notable en sus propiedades pticas .
Estos lquidos cristalinos se observan en muchos compuestos
orgnicos de grandes molculas, generalmente de forma alargada.
En un lquido corriente la orientacin y disposicin de las molculas
son completamente arbitrarias. En otras palabras, en el movimiento trmico
las molculas del lquido efectan movimientos caticos tanto de traslacin
como de rotacin.
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
lquido amorfo
lquido cristalino
16
MODULO V
nemtico
esmtico
colestrico
incoloro
rojo
amarillo
verde
azul
violeta
incoloro
17
S. MARCHISIO
de
las
molculas
Torsionada o giratoria :
en una placa la orientacin de
las molculas es paralela a esta y en la otra perpendicular. En
este caso la orientacin de las molculas gira 90 de una placa a
otra.
Las propiedades pticas de estos cristales son alteradas
fuertemente por campos elctricos, magnticos y fuerzas mecnicas.
Debido a su simetra cristalina se comportan como cristales
uniaxiales cuyo eje ptico es paralelo a la direccin de alineacin de las
molculas.
Son birrefringentes (su birrefringencia es siempre positiva) y la
constante dielctrica, la susceptibilidad magntica y la resistividad son
anistropas.
Estas propiedades permiten la fabricacin de deflectores y
moduladores magneto-pticos. Una de las aplicaciones ms difundidas es
su empleo en la fabricacin de visualizadores o displays de cristal lquido
(LCD).
Visualizadores ( Displays)
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO V
LCD
LCD
LCD
Trasmisivo
Reflectivo
Transflectivo
Tcnica empleada
Ventajas
Inconvenientes
Dispersin
nemtica
sencillez de construccin
no necesita polarizadores
mayor conductividad
mayor consumo
vida mas corta
Nemtica
Giratoria
Anfitrin
invitado
posibilidad de colores
mayor brillo
mayor ngulo visual
menor distorsin por paralaje
bajo contraste
mayor tensin de operacin
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Modo de funcionamiento
Aparte del cristal lquido con el correspondiente circuito de
polarizacin el display cuenta con el siguiente arreglo de elementos :
polarizador
espejo
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO V
sin polarizacin
polarizador cristal lquido
polarizador
espejo
polarizador
espejo
21
S. MARCHISIO
Lquidos amorfos.
Estos lquidos se diferencian de los cristalinos por su isotropa (no
tienen direcciones privilegiadas en su seno). Esto se debe a que las
molculas en su interior, debido al efecto trmico efecta movimientos
caticos tanto de traslacin como de rotacin.
No es objeto de este curso profundizar en este tema.
Vidrios.
Un vidrio es un material formado por enfriamiento del estado lquido
normal. En ese proceso sufre un cambio no discontinuo tal como la
cristalizacin hacindose ms rgido debido a un aumento de la viscosidad .
Se asume normalmente que un lquido se convierte en vidrio cuando
3
su viscosidad es superior a 10 poises.
Consideramos por lo tanto que un vidrio es un cuerpo slido con un
denso empaquetamiento de tomos. Estos se caracterizan por no mantener
entre s las distancias regulares y ordenadas que mantienen los cristales.
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO V
Polmeros
Se llaman polmeros a los cuerpos cuyas molculas estn formadas
por un gran nmero de grupos que se repiten, llamados unidades
monmeras . Los grupos que se hallan en los extremos de la molcula,
llamados grupos finales, se diferencian por su estructura de las unidades
monmeras fundamentales. El nmero de unidades monmeras que hay en
una molcula recibe el nombre de grado de polimerizacin.
Los polmeros se dividen en lineales y tridimensionales:
O. VON PAMEL
23
Polietileno
HHHHHHH
S. MARCHISIO
... -C-C-C-C-C-C-C...
HHHHHHH
T fl
* En los tridimensionales
aparecen enlaces transversales
de manera que constituyen una
red espacial.
No son fusibles ni solubles;
solamente se pueden hinchar en
un disolvente, absorbiendo una
cantidad limitada del mismo, pero
conservando, en lo fundamental,
las propiedades del slido.
FISICA ELECTRONICA
24
Poliestireno
H H H H H
-----C----C----C----C----C----
H C H C H
CH CH CH CH
CH CH CH CH
CH
CH
MODULO V
MDULO VI
MATERIA CONDENSADA
EFECTO DE LAS IMPUREZAS EN LOS
SLIDOS
Objetivos:
Estudiar cmo se alteran sustancialmente las propiedades
de un material mediante el agregado de impurezas. En
particular, el inters del estudio es la modificacin de las
propiedades pticas y elctricas.
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
tomo intersticial
O
O
Impureza sustitucional
tomo de otra especie que reemplaza
a otro de la red
Impureza intersticial
tomo de otra especie que ocupa un
intersticio de la red
dislocacin de arista
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
O
O
Aleaciones:
Una aleacin se forma cuando a un material base se le hacen
agregados de otros materiales llamados aleantes.
Tiene como fin obtener una sustancia que posea determinadas
propiedades diferentes de las que poseen sus componentes aisladamente.
Estas propiedades dotan a cada aleacin de una utilidad especfica, por lo
general vinculada a mayor resistencia a la corrosin, maleabilidad, etc.
En general el trmino aleacin se emplea para los compuestos
metlicos, aunque en la actualidad tambin se ha extendido esta
denominacin a combinaciones de compuestos no metlicos.
Las aleaciones pueden ser del tipo sustitucional o intersticial.
En el presente curso hablaremos de los efectos de los materiales
aleantes cuando estos estn en una proporcin respecto al material base
mayor al 1/1000. Si la proporcin es menor, los llamaremos impurezas y
hablaremos de sus efectos.
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
Introduccin
Las impurezas, an en pequeas cantidades, tienen un efecto
importante sobre las propiedades mecnicas, elctricas y pticas de los
materiales.
Como vimos, estas impurezas pueden ser intersticiales
sustitucionales. Podemos caracterizarlas de la siguiente manera:
Impurezas en semiconductores
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
semiconductores a estudiar.
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
IIIB
IV B
VB
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
1 4 ,0 0
13
14
15
Al
Si
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
3 0 ,9 7
31
32
33
Ga
6 9 ,7 2
Ge
As
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
49
50
In
Sn
Sb
1 1 4 ,8 2
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
81
82
83
Ti
2 0 4 ,3 7
IIIB
IV B
VB
Al
Si
Ga
Ge
As
In
Sn
Sb
Ti
Pb
Bi
51
Pb
Bi
2 0 7 ,1 9
2 0 8 ,9 8
Para : C, Si y Ge
a = 5,56 , 5,13
y 5,66 0A
respectivamente
MODULO VI
.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
En el anlisis no
debe olvidarse, sin embargo,
que los fenmenos ocurren
en el espacio.
+4
IIIB
IV B
V B
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
1 4 ,0 0
13
14
15
A l
S i
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
31
32
33
G e
A s
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
49
50
In
S n
S b
1 1 4 ,8 2
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
81
82
T i
P b
B i
2 0 7 ,1 9
2 0 8 ,9 8
2 0 4 ,3 7
Observamos adems en la
figura, que aquellos elementos
de la tabla peridica que
guardan en todos los aspectos
mayor semejanza con los
tomos de SI y Ge son el fsforo
(P) y el arsnico (As). La
impureza encajar sin dificultad
en la estructura covalente
quedando un electrn sobrante.
3 0 ,9 7
G a
6 9 ,7 2
51
83
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
.
+4
+4
El semiconductor as
constituido es de tipo n porque
conduce
la
corriente
principalmente
mediante
electrones
de
conduccin
cargados negativamente.
+4
.
+4
+4
+5
+4
+4
En
este
caso
semiconductor
tipo
n,
electrones de conduccin son
portadores
mayoritarios
corriente.
+4
de
los
los
de
IIIB
IV B
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
1 4 ,0 0
13
14
A l
S i
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
3 0 ,9 7
15
31
32
33
G a
G e
A s
6 9 ,7 2
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
49
50
In
S n
S b
1 1 4 ,8 2
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
81
82
83
T i
2 0 4 ,3 7
P b
2 0 7 ,1 9
Sustituyamos alguno de
sus tomos por otros de
caractersticas similares, pero que
presentan un electrn de valencia
en defecto.
V B
51
B i
2 0 8 ,9 8
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
.
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
En
este
caso
la
circulacin de corriente se explica
por desplazamiento de los huecos
o faltantes de electrones, que se
constituyen
en
portadores
mayoritarios para el material tipo
p.
Nota
m v = 3/2 kT
debido a lo cual:
7 cm
/seg.
S. MARCHISIO
El diagrama de bandas
de energa de un material
semiconductor puro se altera
por el agregado de impurezas.
Es necesario ubicar en
l los estados de energa
permitidos de los tomos
donantes y aceptantes, segn
sean los materiales tipo n o p
respectivamente.
Eg 1eV
banda de valencia
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO VI
Ed
Eg
banda de valencia
El
electrn
sobrante
del
tomo
donante no se encuentra
en libertad de deambular
por el cristal sino que
realiza
movimientos
similares a los de los
electrones en sus rbitas
atmicas alrededor de la
impureza sin constituir un
enlace en la red.
Nota :
O.VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
Eg
Ea
Ev
.
banda de valencia
Nota :
.11A
. 14
aceptantes
.35D
.17
FISICA ELECTRONICA
.2A
.3 .32
12
.26
.25A
.43 .36A .45A
.34A
.53
.
.5 .5 .48
.55 .36 .49D
.45D .33D .3
.3D .19D
MODULO VI
.22
.31A .28 .27
.25 .25A
.26 .25
.3
.37
.51 .51
1,12 eV
donantes
.4
.53
.34D .33D .5D .5D .4
.4
aceptantes
.3 .34
.072 .16
.35D
.35
.17 .26 .29D
.045 .067
B Al Ga In Tl Pd Na Be Zn Au Co V Ni Mo Mg Zr Ge Cu K Sn W Pb O Fe
Bandas de impurezas.
18
banda de conduccin
Ec
Ev
Ev
banda de valencia
banda de valencia
O.VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
E n er g a d e los electr on es
ban d a d e con d u ccin
. Ec
Eg
Eg = 0
. Ev
ba n d a d e va len cia
Impurezas indeseables.
En muchos procesos de fabricacin de cristales es imposible evitar
que el material puro no incorpore impurezas indeseables.
Las impurezas indeseables agregaran niveles energticos al
material, algunos de los cuales, - los que se encuentran dentro de la banda
prohibida -, alteraran las propiedades elctricas y pticas del material.
Un ejemplo tpico indeseable de impurificacin es el que se produce
durante el proceso de fabricacin del monocristal silicio al incorporar
oxgeno como impureza.
La impureza oxgeno
genera niveles de impureza
aproximadamente en la mitad
de la banda prohibida.
Estos
niveles
de
impurezas indeseables limitan
las transiciones electrnicas
de una a otra banda.
niveles de impurezas
banda de valencia
! Nota:
Las imperfecciones cristalogrficas de la red (dislocaciones, etc)
generan, del mismo modo que las impurezas indeseables,
niveles
energticos dentro de la banda prohibida. Puesto que stos alteraran las
propiedades del material, se busca que estas imperfecciones sean las
menores posibles.
! Nota:
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO VI
Impurezas en conductores.
Como es previsible, las impurezas no existen slo asociadas a los
semiconductores. Las impurezas en un conductor generarn niveles
energticos que caern necesariamente dentro de la banda continua
conduccin-valencia de ste. Sus efectos sern la alteracin de las
propiedades elctricas y magnticas del material puro.
En la figura siguiente se observa la resistividad de tres muestras de
sodio con impurezas diferentes.
Obsrvese que se puede escribir:
= i + t ,
sta es la llamada regla de Mathiessen, donde:
i (resistividad residual) es la
resistividad del metal debido
a las impurezas. sta resulta
independiente
de
la
temperatura, aunque vara de
una muestra a otra.
(Resistividad) en .m
2.10
-2
1.10
-2
t es la resistividad debida a
las vibraciones trmicas, por
lo cual aumenta con la
temperatura.
10
20 T ( K)
Metalizaciones
O.VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
16
MODULO VI
Impurezas en aisladores.
En la banda prohibida de un material, sea cristalino o no, aparecen
niveles debido a imperfecciones de diverso tipo, tales como dislocaciones,
tomos de impurezas extraos, tomos del material en exceso o defecto,
estructuras en forma de mosaico, etc.
Tengamos en cuenta que estos niveles en un aislador son muy
pocos y por lo tanto no alteran la posicin energtica del nivel de Fermi, el
cual se encuentra aproximadamente en el centro de la banda prohibida.
Estos niveles en cuanto a sus efectos son totalmente equivalentes a
los de impurezas; por este motivo hablaremos indistintamente de ambos.
Estos niveles aparecen distribuidos en todo el Gap, obviamente,
algunos ms cerca de la banda de conduccin y otros ms cerca de la
banda de valencia, segn sea su origen. En particular, los niveles
provenientes de dislocaciones y otros defectos de la red aparecern cerca
de la banda de conduccin.
En general en los aisladores podemos encontrarnos con dos tipos
de niveles: los indeseables y los que pueden ser incorporadas a stos para
obtener propiedades especficas.
Existen diferencias en el origen y la ubicacin energtica de estos
niveles en el aislador segn sea el tipo de enlace molecular y/o su estructura
cristalina, a saber:
En cristales inicos las imperfecciones de la red provienen del
exceso o defecto de iones y/o electrones. Podemos citar, por ejemplo:
tomos intersticiales, impurezas de valencia en exceso o defecto, etc.
O.VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
Eg 5 eV
banda de valencia
Nota:
Nota:
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VI
banda de conduccin
electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco
F
m = --------a
O.VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
masa
carga
me
m*c
m*v
mh
e
e
e
+e
electrn libre
electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco
interaccin
fotn
asociada a
electromagntica
energa
momento
emisin por
decaimiento
electrnico
E = h
p = h/c
E = h
p = h/v
con v << c
fonn
mecnica
vibracin
de la red
plasmn
mecnica
vibracin
colectiva de
electrones o
huecos
E = h
E = h
Su momento
p = h / c
Su masa
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO VI
El momento p = h / v = h / ,
toda onda que viaja a la velocidad v .
siendo
= v / ,como en
y el momento
21
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VI
(CH(ASF2)x)n
La
conductividad
elctrica de estos materiales en
funcin de la temperatura se
representa en la figura.
( CHIx)n
(CHBrx)n
-2
-4
-6
5%
molar
15%
10%
Tc = 0,3 K
106
Grafito
+AsF5
10 5
(SNb0,4)x
Fe
(SN)x
104
Si
103
102
n-Ge
{CH(AsF6 )0,1}4
{(PPP) (AsF6)0,4}4
101
100
En el
polmero ste
semiconductor.
KCP
{(PPS)(AsF6)1,45}4
{PPV(AsF5)}4
50
100
150 200
250
300 350
T ( 0K)
23
S. MARCHISIO
Indice de refraccin
1.49
1.48
Indice de refraccin
1.47
.
1.46
.
1.45
60
30
30
60
radio de la fibra
24
n1 > n2
n2 sen 2 = n1 sen 1
por lo tanto:
sen 2 = n1 /n2 sen 1
si n1 > n2
n2
n1 < n2
c
n2
Por lo tanto podemos concluir que dentro de una fibra slo se
propagaran los rayos que incidan con 90 i > c , puesto que los otros, al
cabo de un nmero dado de reflexiones, habrn desaparecido. Esto es
porque en cada reflexin tambin tenemos una refraccin que se lleva parte
de la intensidad del rayo fuera de la fibra.
Por otra parte es fcil ver que si la fibra se curva, se producirn
perdidas por refraccin como se observa en la figura:
Es fcil ver que cuanto mayor sea r menor ser la prdida por
refraccin en la fibra ptica.
A partir de la ptica Fsica recordamos
O.VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
D.sen
FISICA ELECTRONICA
26
MODULO VI
n + n
sustrato
Materiales no lineales :
Son aquellos en los cuales la respuesta del slido a la luz presenta
un comportamiento super lineal.
El comportamiento no lineal ms conocido es el efecto de inversin
de poblacin que da lugar a la emisin lser.
Los materiales utilizados como lseres los podemos dividir en
materiales dielctricos o aisladores y semiconductores.
La tabla de la pgina siguiente muestra los lseres sintonizables de
matriz dielctrica, que, como se puede ver, combinan la impureza que emite
la radiacin con la matriz que los contiene.
Con ellos se consigue emisin lser desde el visible hasta
infrarrojo (5 ) .
Es importante comentar el uso de los microlseres.
el
27
S. MARCHISIO
Material
Ti:saphire
CO :M gF
CO :KznF
Co:KznF
Co:KM gF
Co:Z n F
NiM gF
NiKM gF
Ni:M gO
Ni:CAM G AR
Ce:YLF
Ce:LaF
SM :CaF
Ho:YAG
Ho:YLF
Ho:BaYF
Alexandrite
Emerald
Emerald
Cr:Z nW O
Cr:Z nW O
Cr:G SAG
Cr:G G G
Cr:LLG G
Cr:YSG G
Cr:YG G
Cr:G SG G
Cr:G SG G
Cr:G SG G
Cr:KZ nF
V:M gF
V:CsCaF
Cr:SrAlF 5
ran g o d e
o p eracio n
660-986
1520-2280
1650-2280
1700-2260
1600-1740
708.5
745
658-720
729-809
980-1090
735-820
742-842
766-820
785-865
1070-1150
1240-1340
1825-1020
FISICA ELECTRONICA
tep eratu ra
d e trab ajo
RT
80K
80K
77K
77K
77K
77K
>80K
80K
<210K
77K
77K
RT
RT
RT
77K
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
80K
RT
28
MODULO VI
Mdulo VII
Objetivos :
Estudiar el comportamiento de los cristales frente al agregado de energa
externa de distinto tipo:
Energa trmica
Energa radiativa
Energa mecnica
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MODULO VII
Ec
Ev
Entonces, el incremento de
energa de un hueco, se representa
por un hueco que se mueve hacia
abajo en la banda de valencia.
Ev
Es
importante
que
consideremos por ltimo, que el
nivel ms bajo en la banda de
conduccin determina la energa del
electrn de conduccin cuando est
en reposo, es decir, su energa potencial; por lo que Ec es el nivel que
marca la energa potencial del electrn.
En forma anloga, el extremo superior de la banda de valencia Ev
representa la energa potencial de un hueco.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Nota :
Radiacin
Conduccin
Conveccin
Calentamiento Joule
Calentamiento por prdidas dielctricas a alta frecuencia.
Etc.
Nota :
MODULO VII
0 K.
Sabemos
por
Termodinmica, que en estas
condiciones, la energa promedio
de los tomos de la red es mnima.
Ei
A 0 K estarn ocupados
todos los niveles energticos permitidos hasta el nivel E1, quedando vacos
todos los estados permitidos por encima de ste.
A temperatura ambiente, la energa promedio de los tomos de la
red aumenta.
Energa
Estados
Estados
parcialmente
ocupados
1,3 eV a 300 0K
Ei
Estados
ocupados
T0
T>0
conductor
S. MARCHISIO
Energa
Ei
En cambio en caso de un
aislante, -con Eg 2 eV-, el efecto
energtico de la temperatura no es
suficiente para generar portadores
en la banda de conduccin.
AsGa
Si
Ge
En
el
caso
de
los
conductores, el efecto de la
temperatura los hace que los electrones puedan trasladarse a niveles ms
0
altos de energa, que estaban vacos a 0 K.
En algunos casos puede incluso lograrse extraer electrones del
metal.
Efecto termoinico
Emisin de electrones en los metales por efecto trmico
Para liberar un electrn de un cuerpo, es decir, para que el electrn
sea emitido por la superficie, ste debe tener:
una cantidad de energa suficiente para vencer las fuerzas
superficiales que lo ligan al cuerpo.
una velocidad dirigida hacia el exterior.
La agitacin trmica da a los electrones movimientos de vibracin
aleatorios.
Para la emisin es necesario considerar slo aquellos electrones de
alta energa cuyas velocidades tengan componente normal a la superficie
FISICA ELECTRONICA
MODULO VII
dirigidas hacia el exterior; de ah, que slo haya algunos electrones en esas
condiciones.
La cantidad de energa que un electrn debe poseer para que
escape de la superficie es Eb.
Energa
vaco
metal
energa de un
electrn en
reposo en el
vaco E0v
vaco
W
Eb = E0v E0m
E1
x
energa de un electrn en
reposo en el metal E0m
sta depende
del material y del
estado de la superficie.
La
energa
suplementaria
por
sobre la ms alta a
0
0 K, (E1 en la figura),
que hay que proveer
para la emisin, es la
llamada trabajo de
extraccin o funcin
trabajo del material
W. Normalmente se
expresa:
W = Eb E1
siendo
Eb : energa barrera
E1 : energa ms alta de
los electrones a 0 K.
eW
/k
eW
/kT
4mek
siendo A0 = -------------3
h
2
S. MARCHISIO
A0 x104
amp/m2/grado2
60,2
16,2
60,2
26,8
32,0
60,2
60,2
60,2
b0
54500
21000
49900
32100
61700
47600
39400
52400
Ew Punto de fusin 0K
eV
4,70
..............
1,81
301
4,30
2895
5,00
1725
5,32
2047
4,10
3123
3,40
2118
4,52
3655
de
de
de
es
En la figura se observa la
variacin de la densidad de emisin
en funcin de la temperatura para el
tungsteno en su margen normal de
trabajo.
Emisin ( A/ cm2 )
2,0
1,5
1,0
conductores
trabajo
0,5
2500
2600
baja
funcin
0
2400
de
2700
Temperatura K
FISICA ELECTRONICA
MODULO VII
Tungsteno
Tungsteno toriado
Revestidos de oxidos
A0 x 104
Ew
eV
60,20 52400
3,00 30500
0,01 11600
Concentracin
de
semiconductores
b0
4,52
2,60
1,00
Rendimiento de
emisin
mA/Vatio
4 a
20
50 a 100
100 a 10000
electrones
Temperatura de trabajo
0
K
2500 a 2600
1900 a 2000
1000 a 1200
huecos
en
Semiconductores intrnsecos
1019
1018
1017
1016
1015
1014
1013
1012
1011
1010
109
108
O. VON PAMEL
portadores /cm3
para el Silicio
a 0K
entre :
T=100 0C
y 0 0C
n
1000
1200
900
700
600
500
450
400
350
320
290
265
250
De acuerdo a lo ya
analizado,
la
concentracin
intrnseca es una funcin de la
energa vibracional de la red o
temperatura.
Por otro lado, ni es
funcin de la energa requerida
para romper un enlace, es decir,
de Eg.
Ambas
dependencias
fueron corroboradas en forma
experimental
para
distintos
semiconductores, concluyndose
S. MARCHISIO
que:
Para un dado semiconductor, ni aumenta rpidamente
con el aumento de la temperatura.
Para una dada temperatura ni disminuye bruscamente
con el aumento de Eg.
Mediante un anlisis minucioso podemos hallar la expresin
cuantitativa entre ambas dependencias.
ni e Ea
sta es:
/ kT
Eg
/2
ni (cm -3 )
10 18
10 17
10 16
10 15
GaAs
Si
Ge
ni = 2 ( 2 m k T / h )
2
10 14
Eg = 1,4 eV
1,1
0,7
10
10
11
donde :
10 10
0,5
para Eg >> kT
10 13
12
3/2
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0 3,5
1000 / T(0 K)
Nota :
-5
10
MODULO VII
Semiconductores extrnsecos
Tipo n
Segn vimos en los semiconductores extrnsecos tipo n, los
donantes suministran niveles de energa que estn representados como
niveles localizados en la banda prohibida.
La diferencia de energa entre Eg y Ed corresponde a la energa de
ionizacin del electrn adicional del donante, el cual, al ganar esta energa,
pasa a la banda de conduccin.
Esto ocurre para los donantes a temperaturas ms bajas que en el
caso del semiconductor intrnseco.
0
Segn la figura
vemos que a bajas
temperaturas, (regin
1), la concentracin de
electrones n proviene
de
las
impurezas
donantes.
S i lic io ti p o N
3 .1 0 16
2 .1 0 16
n
1 .1 0 16
ni
0
0
100
200 300
700
La posicin de
la curva depende de la
concentracin
de
donantes,
y
su
11
S. MARCHISIO
16
2.1016
n
Si
1.1016
Ge
ni
En
ella
se
observan
las
concentraciones
de
portadores
con
la
temperatura
del
Si
dopado con arsnico
16
3
(1,15 e tomos/cm ) y
del Ge dopado con
15
arsnico
(
7,5.e
3
atomos/cm ).
0
0
Tipo p.
12
Nd > Na
MODULO VII
p = Na Nd
si
Na > Nd
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
1
f ( E ) = -----------------------
1 + e ( E Ef ) / k T
E : nivel de energa
considerado
k : constante de Boltzman
T : temperatura absoluta
Ef : Nivel de Fermi
Ec
Ef
Ev
En la banda de conduccin
hay gran nmero de estados. Sin
embargo,
la
probabilidad
de
ocupacin de estados por los
electrones es pequea, por esto
habr muy pocos electrones en la
banda de conduccin
f(E)
14
MODULO VII
En un semiconductor tipo n,
la concentracin de electrones en la
banda de conduccin es mayor que
en el caso del intrnseco.
Ef
f(E)
Ef
1 f(E)
f (E)= e(E
Ef )/ kT
para E > Ef .
Ef E ) / kT
para E < Ef .
Nota 1.
Nota 2
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
N ( Ec ) = Nc f (E) E
0
Nota 3
can tidad de
electron es
libres
Ec
can tidad de
h uecos
Ef
can tidad de
electron es
ligados
Ev
16
MODULO VII
Nota 4
En
la
figura
se
esquematiza esta variacin
para un material N, en la que
por simplicidad se ha omitido la
disminucin que sufre Eg con
el aumento de la temperatura
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
N i = 1 0 12
E F - E i (e V )
0 ,6
0 ,6
0 ,4
0 ,2
0
-0 ,2
-0 ,4
-0 ,6
N i = 1 0 16
N i = 1 0 18
Ec
N
Ei
P
Ev
150
300
450
600
T (0K )
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VII
peso atmico o
molecular
tomos/cm 3 o
moleculas/cm 3
estructura del
cristal
Ge
72,60
Si
28,09
AsGa
114,63
SiO2
60,08
4,42 x 1022
5 x 1022
2,21 x1022
2,3 x1022
Diamantina
8 tomos por
celda unitaria
Diamantina
8 tomos por
celda unitaria
Zinc-Blenda
8 tomos por
celda unitaria
Red aleatoria
tetragonal de
SiO4
50% coovalente
50% inica
cte. de la red
cristalina (A0)
densidad
(g/cm3)
salto de
energa (E g)
(eV)
5,56
5,44
5,65
------------
5,32
2,33
5,32
2,27
1,67
1,11
1,40
1,44 x 1019
2,08 x 1019
7 x 1018
------------
6 x 1018
1,04 x 1017
4,7 x 1017
--------------
densidad efectiva
de estados
banda de
cond. Nc ( cm 3
)
banda de val.
Nv ( cm -3 )
n = Nc e
( Ec Ef ) / kT
( Ef Ev ) / kT
19
S. MARCHISIO
( Ef Ei ) / kT
p = ni e
donde :
( Ei Ef ) / kT
Ei = ( Ec + Ev ) + kT ln (
Nv
/ Nc )
Eg / kT
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO VII
Efoton = h = h / .
La absorcin de la luz puede interpretarse ahora como un proceso
de colisin
Al incidir la luz sobre un slido, los fotones chocan con los
electrones de los enlaces y son absorbidos por stos.
Sin embargo, como la energa se conserva durante el proceso, la
energa inicial del electrn de enlace (Ei ) sumada a la energa del fotn
incidente, debe ser igual a la energa final del electrn.
Esta condicin puede sintetizarse como:
Efinal = Einicial + h / .
estados
vacos
Ef
El proceso de absorcin de
radiacin electromagntica se ilustra
en la figura para un semiconductor
0
puro a 0 K.
hc/
E Fermi
estados Ei
ocupados
O. VON PAMEL
fotn
S. MARCHISIO
estados vacios a 0 K
Eg1
Ef
Ef
Eg2
hc /
Ei
en el caso de los
metales , cualquiera sea el
valor de siempre podemos
encontrar Ei y Ef que
satisfacen
la
condicin
necesaria.
En el caso de los
semiconductores y aislantes,
Eg1 > Eg2 > hc /
para valores de la longitud de
0
estados ocupados a 0 K
onda tales que la energa del
fotn es menor que el ancho
de la banda prohibida Eg , la condicin requerida no puede ser satisfecha.
Una determinada radiacin podr ser absorbida en el semiconductor
c
o en el aislante si: h / Eg .
Respuesta espectral
El valor c correspondiente al signo igual de la frmula anterior
determina la longitud de onda de corte o umbral de longitud de onda larga:
c = h / Eg =
c
1,24
/ Eg ( eV) ( m )
Eg = 0,67 eV
c = 1,73 m
En el
Si
Eg = 1,1 eV
c = 1,13 m
En el
AsGa
Eg = 1,3 eV
c = 0,903 m
En el
PGa
Eg = 1,8 eV
c = 0,700 m
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VII
Estas curvas de
sensibilidad son de
forma similar a las de
los metales.
infrarrojo
75
Obsrvese que
el lmite de longitud de
onda
larga
es
ligeramente superior a
25
los valores de c
calculados debido a las
0
de
0.5
0.9 1.13
1.7 (m) excitaciones
impurezas.
Conforme
la longitud de onda disminuye ( < c , o , f > fc ), aumenta la respuesta y
alcanza el mximo.
50
Fotoemisin en conductores.
metal
K
X
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
construccin de un tubo
fotoelectrnico tpico
Luz
Ctodo
Anodo
lo largo de todo el espectro visible.
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO VII
Puede crearse un par electrn-hueco por un fotn de alta energa lo
que se denomina excitacin intrnseca
ED
EA
nivel aceptante
banda de valencia
Nota :
Obsrvese que estos casos
en menor medida tambin son
posibles:
b a n d a d e c o n du c c i on
Ed
En la figura se agreg un
nivel de impurezas en el centro de
la banda Ei.
Ei
Observe
que
las
transiciones que comienzan en Ea
suponen que este estado este
ocupado y Ed y Ei vacos.
Ea
Suposicin
anloga
transicin Ei, Ed
ba nd a d e v a l e n c i a
para
la
Nota
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
Nota
Nota :
Nota :
Comparemos los distintos efectos:
FISICA ELECTRONICA
26
MODULO VII
que una
fuerza de tipo mecnica aplicada sobre un
EfectosRecordemos
de las fuerzas
mecnicas
material produce en ste una deformacin.
Piezoelectricidad
El efecto piezoelctrico fue observado por primera vez por Pierre
Jacques Cune, quien al aplicar un peso (deformacin) a un cristal de
cuarzo detect una carga elctrica proporcional en su superficie.
Es decir en sus caras surgen cargas elctricas distintas. Al invertir la
deformacin se invierte el signo de las cargas.
Un ao despus se demostr el fenmeno contrario: al aplicar una
tensin elctrica al cristal se obtiene un desplazamiento (deformacin)
proporcional a sta.
Adems : al invertir la polaridad de la tensin aplicada se
cambia el sentido del desplazamiento de sta.
O. VON PAMEL
27
S. MARCHISIO
El efecto piezoelctrico se
produce a lo largo de los ejes elctricos
del cristal X1 , X2 , X3, perpendiculares a
su eje ptico.
Z
X3
X1
El efecto piezoelctrico se
observa en cristales de: cuarzo,
turmalita, sal de Rochelle, titanato de
X2
Ec
EF
Ev
Si se deforma el
material en toda su
extensin
en
forma
homognea,
solo
se
producir una variacin de
Eg.
Pero
si
la
deformacin
no
es
homognea o si se realiza
en solo una parte del
material, aparecer entre
distintos
puntos
del
material una variacin de
las energas EC y Ev, la
que traer aparejada la
aparicin de una tensin
microscpica V
FISICA ELECTRONICA
28
MODULO VII
Cristales de cuarzo
Los cristales de mayor uso son los cristales de cuarzo (SiO2) .
Estos se cortan en laminas o placas de distintas formas y tamaos
para darles propiedades determinadas.
Al cortar un cristal de cuarzo en bruto siguiendo distintos ngulos
segn los ejes, se puede obtener una gran variedad de placas con diferentes
propiedades de frecuencia y temperatura.
Ciertas placas obtenidas con este procedimiento se denominan
placas normales y se clasifican en dos grupos X e Y.
La dimensin del espesor de las placas del grupo X es normal al eje
X (eje elctrico) del cristal en bruto del cual se obtuvieron.
En cambio en el grupo Y la dimensin del espesor es paralela al eje
Y (eje mecnico).
La denominacin de las placas normales es: AT, BT, CT, etc.
La frecuencia de resonancia de los cristales depende de las
dimensiones de la placa, en combinacin con el modo de vibracin.
El margen de frecuencias de resonancia que se puede obtener es
amplio, va desde 400 Hz a 125 mhz.
A mayor tamao de placa menor frecuencia de resonancia.
En cuanto al limite superior de frecuencias que se puede obtener,
queda limitado por el tamao ms chico que se pueda ser manejado sin que
se rompa durante su funcionamiento.
Los modos de vibracin del cuarzo son: el Flexor, el transversal y el
longitudinal.
Flexor
Longitudinal
O. VON PAMEL
El longitudinal es un
movimiento a lo largo de la
extensin de la placa partiendo
del centro.
29
S. MARCHISIO
Transversal
El transversal,
que es el ms complejo,
consiste
en
el
desplazamiento de dos
planos paralelos de la
placa en sentidos opuestos, conservando estos su paralelismo.
Todos los tipos de vibracin se pueden producir en un modo
fundamental o en uno armnico.
Para cada modo de vibracin se pueden trabajar unas frecuencias
solamente:
Modo flexor
Modo longitudinal
Modo transversal
0,4
40
100
a
a
a
100 KHz
15000 KHz
125000 KHz
L1
C1
La frecuencia de resonancia en
serie depende de los valores de la
autoinduccin distribuida (L1 ) y de la
capacidad distribuida ( C1 )
La frecuencia resonante en
paralelo, depende de los factores ya
mencionados y de la capacidad paralela (C0).
C0
FISICA ELECTRONICA
30
MODULO VII
Terminales
de
31
S. MARCHISIO
MDULO VIII
La materia en interaccin con el medio
ambiente
Parte 2 : bajo condiciones de no equilibrio
Objetivos :
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MODULO VIII
S. MARCHISIO
cuando n . p > ni
hablamos de inyeccin de
portadores en exceso.
2
Luz
material tipo p
E
Niveles de inyeccin .
MODULO VIII
nno
pn
1016
1014
10
Nd
pn
12
ni para
0
a T = 300 K
1010
pno
Concentracin de donantes
Nd =1016cm-3
Para el Si a temperatura ambiente
( T 300 0K ) la concentracin
intrnseca es :
ni = 1010 cm-3
por lo que en condiciones de equilibrio
es:
el Si
n . p = ni2 = 1020 cm-6
Concentracin de portadores n
n
n
18
n
10
108
106
104
102
equilibrio inyeccin inyeccin
bajo
alto
nivel nivel
nn , pn concentraciones de electrones y
huecos en un semiconductor tipo n
fuera del equilibrio.
nn = nn0 + 10
O. VON PAMEL
16
= 10
12
+ 10
10 electrones / cm
16
S. MARCHISIO
+ 10
16
16
+ 10 = 2 . 10
nn= nn0 + 10 = 10
16
1 . 10
16
pn = pn0 + 10 = 10
16
16
16
Retorno al equilibrio
FISICA ELECTRONICA
MODULO VIII
En el caso que ocurra inyeccin de portadores, ( n . p > ni ), el
retorno al equilibrio es a travs de la recombinacin de los minoritarios
inyectados con los mayoritarios.
2
que
es
luz absorbida uniformemente
absorbida uniformemente
en
todo el volumen
de la muestra,
x
Concentracin de portadores minoritarios
pl
y que no hay
recombinacin
superficial
p .G l
p n0
x
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
pn(t)- pn0
pL - pn0
1.0
0.8
p = 10 ( unidades arbitrarias )
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.1
1
10
t ( unidades arbitrarias )
As, la concentracin de minoritarios decae a medida que transcurre el
tiempo.
Se asocia entonces un tiempo de vida p, definido operativamente como el
tiempo durante el cual la concentracin de portadores minoritarios en exceso
1
decae en /e de su magnitud.
La figura anterior muestra la evolucin temporal descripta para
distintos valores de p.
La expresin que representa la ley de variacin encontrada para el
decaimiento de la concentracin de portadores es :
pn( t ) = pn0 + ( pl pn0 ) e
-t / p
FISICA ELECTRONICA
MODULO VIII
En vez de
iluminar
la
totalidad
de
la
muestra,
lo
hacemos slo en
un extremo, de tal
forma
que
la
absorcin
se
produce en una
capa muy delgada.
pn0
x
Una vez ms, despus del pulso, hay generacin de pares electrnhueco, pero ahora slo en el extremo donde la luz es absorbida.
En las condiciones de baja inyeccin que estamos considerando no
se lleva al sistema muy lejos del equilibrio en ningn punto y los portadores
inyectados comparten el movimiento aleatorio (trmico) de la red, al igual
que todos los portadores.
An cuando el movimiento es totalmente aleatorio, habr ms
partculas que se alejen del extremo que recibi el pulso de luz respecto de
las que provienen del resto de la muestra, debido a que en ese lugar hay
inicialmente mayor concentracin de portadores. Ocurre as el proceso de
difusin que provoca un flujo que depende de la diferencia o gradiente de
concentraciones de las partculas.
Asociada a este proceso , podemos definir la longitud de difusin
(Lp) como el trecho medio recorrido por los portadores antes de
recombinarse.
-2
0.6
0.4
Obsrvese que en
este caso hay difusin
tanto de mayoritarios
como de minoritarios y
ambas
en
igual
direccin lo cual genera
corrientes opuestas .
10
En la figura se
grafica la forma en que
decae la concentracin
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
de
portadores
x (unidades arbitrarias )
minoritarios inyectados
en exceso en funcin
de x, tomando como parmetro la longitud de difusin .
0.2
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
-x / Lp
Consideremos ahora
una muestra de material
semiconductor homogneo tipo n iluminada
uniformemente como en
el primer caso analizado,
pero
ahora
sin
suspender
la
iluminacin.
x
Concentracin de los portadores minoritarios
pn(x)
Fp
Fn
pl
p Gl
pn0
x
FISICA ELECTRONICA
10
Suponemos adems
que la velocidad de
recombinacin de los
MODULO VIII
p n (x ) - p n 0
p L - p n0
L p = 1 (u n id ad es ar bitr ar ias )
1 .0
0 .8
10
0 .6
0 .4
0 .2
0
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
x ( u n id ad es ar bitr ar ias )
100
Este anlisis
puede sintetizarse
en
la
representacin de
la figura .
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
la
pn (x) = pl ( pl pn0 ) e
-x / Lp
U = ( pn - pn0 ) . 1 / p .
12
MODULO VIII
las
los
las
las
vamos a restar del total de las recombinaciones para obtener aqullas que
llamamos netas o de portadores en exceso.
2
G ter = R ter
( en equilibrio )
Ec
Ev
Cuando se recombinan
directamente electrones que se
encuentran en la banda de
conduccin con huecos en la
banda de valencia hablamos de
recombinacin banda a banda.
Podemos esquematizarla
mediante la figura .
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
este proceso tendr lugar con una frecuencia que depender del nmero en
que estn presentes unos y otros.
Podemos escribir :
R = k . nn. pn k . nn0 . pn
( k constante de proporcionalidad )
U=R-G
R - G = k nn0 ( pn - pn0 ) = ( pn - pno ) / p = U
De donde obtenemos :
p =
/ k .nn0
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO VIII
Los principales
saltos debido a los
centros intermedios se
esquematizan en la
figura.
2
a : antes
3
d: despus
d
4
En particular se
representa el estado del
centro de recombinacin
antes y despus de
cada proceso.
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
Resulta as :
siendo :
1
p = -----------p vt Nt
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO VIII
Trampas
Existe
an
otro efecto que se
manifiesta con un
tiempo aparente de
vida mucho ms largo
que el descripto.
Ec
Et
Ello se debe a
imperfecciones
llamadas trampas que
luz o calor
no actan de la forma
Ev
descripta
anteriormente,
sino
que permiten que el electrn (portador generado en exceso ) en el material p
regrese a la banda de conduccin antes de recombinarse con el hueco.
Er
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
Estados metaestables
foton incidente
foton emitido
ionizacin
del
2cada
del
electrn en el estado
metaestable
3- el fotn incidente
permite el decaimiento
Efecto lser
Este efecto se logra en materiales que presentan estados
metaestables. Consta de tres procesos :
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VIII
.
.
.
.
.
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Cristales centelladores.
banda de conduccin
estados de impurezas
banda de valencia
Expresin general
semiconductor
del
flujo
de
portadores
en
el
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO VIII
21
S. MARCHISIO
q p p E q Dp p
x
arrastre
y la de electrones :
Jn = q n n E
difusin
+ q Dn n
x
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VIII
! Nota :
En el caso del semiconductor fuera de equilibrio la recombinacin
provee una variacin de concentracin por unidad de tiempo (velocidad de
recombinacin neta) y una distribucin de portadores no constante en
algunos casos a lo largo del eje x.
El flujo de portadores que se origina debido a este hecho se produce
mediante el mecanismo de difusin .
La recombinacin en s misma no provee flujo de portadores en el
semiconductor. Los portadores inyectados difunden debido a que existe
recombinacin que hace disminuir las concentraciones de huecos y
electrones; es decir, provee gradiente de concentraciones.
En metales
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
Supongamos una
barra metlica que se
calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la
figura .
distribucin de portadores
metal
portadores generados trmicamente
fuente de
Obsrvese
la
distribucin de portadores
en exceso as como la
corriente de difusin.
calor
En la
tercer
representacin en la figura
se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se
produce el retorno al
equilibrio.
difusin de portadores
campo externo
arrastre
difusin
El efecto Thompson
se produce cuando al
fenmeno de inyeccin
trmica le agregamos el
arrastre de portadores por
parte del campo elctrico.
El campo elctrico
aplicado dar origen a la
aparicin de una fem. entre
los extremos de la barra.
difusin
En semiconductores
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO VIII
El
proceso
ser
similar
excepto
que
tendremos dos tipos de
portadores.
Puede
observarse en la figura la
aparicin de la fem.
calor
de pares
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte :
Conduccin elctrica
objetivos:
En el presente mdulo se pretende lograr tres objetivos
fundamentales :
1- introducir un modelo de conduccin
elctrica en slidos.
2- extender este modelo a gases y lquidos
3- ver ejemplos donde el modelo no rige
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
El proceso de conduccin
Introduccin :
Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red
Msa eficaz:
Centros de dispersin ( o desviacin )
Movimiento trmico
Movimiento por campo elctrico
Velocidad de arrastre . Movilidad
Difusin
Expresin general del flujo de portadores en el
semiconductor
Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall
Superconductividad .
Modelo de la molcula de dos electrones:
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
El proceso de conduccin
Introduccin :
Una de las propiedades que distinguen a un slido de otro es su
posibilidad o no de conducir una corriente elctrica.
Recordemos que la intensidad de corriente representa la carga
transportada por unidad de tiempo a travs de una superficie normal a ella
(debe existir entonces un desplazamiento neto de cargas en una direccin
determinada ).
La intensidad depender :
del nmero de cargas que puedan moverse libremente y
de
Msa eficaz:
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Potencial
a
Distancia
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
Potencial
a
a
Los tomos se
hallan ms separados o
ms concentrados en una
regin de lo que lo estn
en la red peridica ideal.
Estas variaciones
alteraran
el
potencial
elctrico
en
las
proximidades de dichas
regiones
,
y
estas
diferencias de potencial representan campos elctricos aplicados sobre ellas
que alteran la direccin y magnitud de la velocidad y de la cantidad de
movimiento de la partcula cargada.
Dispersin por las impurezas:
Nota:
Desde luego , ambas forms de dispersin pueden combinarse ,
cuando por ejemplo , se produzca una compresin vibratoria en una regin
del cristal que contenga un tomo de impureza cargado.
Movimiento trmico
S. MARCHISIO
2
1
7
Puede sintetizarse
lo dicho mediante la
observacin de la figura en
la que se representa en
forma sencilla el tipo de
movimiento
trmico
aleatorio de un electrn.
3
4
Potencial
a
W
.
Potencial
F1
Al
incrementar
su
.. .
Distancia velocidad el electrn tambin
cambia su energa.
campo electrico
Hay sin embargo una
condicin adicional que aparece
F2
debido a la ndole cuntica del
electrn: el cambio de velocidad
F3
F4
slo se produce si tal cambio no
implica un cambio de banda.
Es decir, un electrn no
puede ser acelerado de la
primera a la segunda banda , ni
de la segunda a la tercera , en general el electrn no puede cruzar ninguna
discontinuidad de energa .
x -a
x+a
MDULO IX
2
1
7
7
6
E
3 2
1arrastre del E
Esta
velocidad
adicional,
llamada
velocidad de arrastre , vd ,
tendr
una
direccin
opuesta al campo elctrico
para los electrones e igual
ala del campo para los
huecos.
Se encuentra que
la fuerza resultante crece
con
esta
velocidad
promedio, como en las
fuerzas de origen viscoso.
1
3
4
movimiento combinado del electron en el campo E
La velocidad de
arrastre, por lo tanto ser
proporcional a la intensidad
del campo aplicado.
vd = E
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Nota:
El resultado que aparece en la expresin obtenida para vd proviene
de un anlisis en el que se supone que el tiempo entre colisiones es
independiente del campo elctrico.
Esto es cierto , si la velocidad vd es pequea comparada con las
7
velocidades trmicas de los portadores ( del orden de 10 cm/seg. para el
silicio a temperatura ambiente ).
Cuando el valor de vd se hace comparable al de las velocidades
trmicas ,su dependencia respecto del campo elctrico se aleja un poco de
la simple relacin de proporcionalidad a la vista .
vd ( cm/seg )
La variacin de vd
con el campo elctrico
puede interpretarse
a
partir de la observacin de
la figura.
10 x106
8
6
4
En
ella
se
representan los resultados
experimentales de vd vs.
E.
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2 x 104
E (V/cm )
Puede observarse
que cuando el campo se
hace suficientemente importante se alcanza una velocidad limite superior
que deja de depender del valor del campo.
Otra conclusin que puede extraerse de las curvas concierne al
valor de la movilidad , en ella se ve claramente la diferencia entre el valor
de las movilidades de los huecos y de los electrones.
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
semiconductor N
podemos
de
su
Si cerramos la llave, el
terminal negativo de la batera
inyectar electrones en el extremo de
la barra.
V(x)
Enseguida alcanzaran la
velocidad limite y comenzaran a
moverse con v = cte. , por lo que
se formara un frente de electrones
que se mover a lo largo de la
barra con velocidad constante.
V(x)
O. VON PAMEL
V(x)
S. MARCHISIO
E
V(x)
Finalmente,
sobre
la
resistencia se vern pasar una serie de pulsos de corriente que se repetirn
con un periodo:
= l /v
donde :
l : longitud de la barra
v : velocidad limite de los electrones en el material
En la figura puede
observarse una muestra de
semiconductor tipo n sin
polarizacin.
semiconductor n
FSICA ELECTRNICA
10
MDULO IX
Ee
U
Eh
Debido a que en
este proceso la energa
total de los electrones no
cambia significativamente,
el aumento de energa
cintica
traer
como
compensacin
una
disminucin de la energa
potencial.
Este hecho se hace evidente en la ultima figura donde vemos que el
electrn se aleja hacia arriba (ganando energa cintica) del borde inferior de
la banda de conduccin Ec que representa como ya analizramos la energa
potencial del electrn.
Cuando el electrn sufre una colisin (en promedio al haber
recorrido una longitud de colisin) pierde parte de su energa cintica y la
transfiere a la red del semiconductor. Este es el proceso de conversin de
la energa cintica en calor. (este fenmeno se conoce como efecto joule)
A continuacin, luego de que el electrn perdi total o parcialmente
su energa cintica, vuelve a acelerarse repitiendo el proceso. sta es la
forma en que puede esquematizarse la conduccin en el diagrama de
bandas.
En este anlisis consideramos un semiconductor homogneo, es
decir, aqul que posee una concentracin de impurezas uniforme. Por esta
razn, en las figuras anteriores hemos indicado el nivel de Fermi
conservando la misma distancia respecto a la banda de conduccin a lo
largo de toda la muestra.
Nota:
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
+ 2V
semiconductor P
Ee
U
Eh
Obsrves
e que para un
semiconductor
tipo p ocurrir lo
mismo
si
cambiamos
electrones en la
banda
de
conduccin
por
huecos
en
la
banda
de
valencia.
Conductores.
conductor
Aisladores.
En este caso N es muy pequeo respecto de los anteriores y Eg es
grande.
FSICA ELECTRNICA
12
MDULO IX
+V
aislador
Ee
U
Por
lo
tanto
el
fenmeno de circulacin de
corriente ser despreciable,
pero s se harn visibles dos
fenmenos
colaterales
observados por la Fsica
Clsica.
Ea
frecuencias.
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
portador de
carga
e
colisiona con
efecto
ion de la red
ion de la red
ion de la red
ion de la red
aumento
temp.red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
e,
me
FSICA ELECTRNICA
14
MDULO IX
gas
radiacion
cosmica
e
iones +
e-ion
aumento temp. y
presion gas
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
dipolos
iones +
iones -
aumento
temp.liquido
Resistividad
La densidad de corriente J que fluye a travs del material se
expresa o define por el producto del nmero de electrones por unidad de
volumen que pueden ser acelerados ( n ) , la carga del electrn ( q ) y la
velocidad media vd.
Por lo cual podemos escribir :
2
n q tcol
J = n q vd = n q E = ------------ . F
m*
La resistividad ( resistencia por unidad de longitud de un cristal,
cuya seccin transversal es la unidad de rea ) viene dada por el cociente
entre el campo elctrico E y la densidad de corriente J , es decir :
1
m*
= --------- = ------------2
nq
q tcol n
Resistividad de un semiconductor
FSICA ELECTRNICA
16
MDULO IX
si ND > NA
P = NA - ND
si NA > ND
Nota:
En la figura siguiente se grafica la correlacin entre el nmero de
impurezas y la resistividad , para un semiconductor de silicio impurificado
con fsforo y boro ( dopado n y p ) a temperatura ambiente.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
10
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
Fosforo
1015
1014
1013
1012
FSICA ELECTRNICA
18
MDULO IX
1-b semiconductores
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
2-a metales
En este caso n es casi independiente de la temperatura por lo tanto
si T crece , entonces tcol disminuye , por lo tanto crece al crecer T.
2-b semiconductores ( termistores )
2-b-1 extrnsecos
Segn hemos visto la concentracin de portadores n en el caso de
un semiconductor extrnseco tiene una dependencia con la temperatura que
puede visualizarse a travs de la figura.( trazo lleno )
n (cm -3 )
Silicio tipo N
3 .10 1 6
2 .10 1 6
3
n
1 .10 1 6
ni
0
0
100
20 0 3 00
400 50 0 60 0
T (0K )
7 00
En
esta
distinguimos tres zonas (
para n ) , en donde a altas y
bajas temperaturas ( zonas
1 y 3 ) se incrementa con
ella segn las leyes ya
analizadas y en otra ( zona
2
)
n
se
mantiene
prcticamente constante.
Vemos que a 0 K ,
la ausencia de portadores
libres
hace
del
semiconductor un aislante
perfecto .
Cuando la temperatura crece , los electrones de los tomos de
dopaje consiguen la suficiente energa como para llegar a la banda de
conduccin y por lo tanto aumenta la conductividad del material ( 50 K ).
De 50 a 500 K , la disminuye porque las movilidades disminuyen.
A partir de los 500 K , el aumento brusco se debe al paso de
operacin extrnseca a intrnseca de del semiconductor.
FSICA ELECTRNICA
20
MDULO IX
La figura muestra la
variacin de conductividad con
al temperatura del silicio tipo P
15
3
con NA = 10 atom/cm .
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
La figura es para un
dado semiconductor , para otro
semiconductor y distinto dopaje
slo se modifican las escalas y
no la forma de la curva .
2-b-2 Intrnsecos
La dependencia de ni con la temperatura puede observarse tambin
en la figura siguiente.
De ella podemos deducir
que si el termistor emplea un
semiconductor
intrnseco,
la
conductividad
aumenta,
la
resistencia disminuye por lo que
estos se denominan NTC. ( coef.
negativo.)
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
21
S. MARCHISIO
Los
portadores
generados por fotoexcitacion
se movern bajo la influencia
de un campo aplicado.
foton
Si no se recombinan
, llegaran a los contactos
hmicos en los extremos de
la barra semiconductora ,
constituyendo entonces la corriente del dispositivo.
FSICA ELECTRNICA
22
MDULO IX
dv
La
fraccin
de
electrones
que
continuara
corriente ser :
d v
los
la
v./d
y la fotocorriente y medida se obtiene a partir de :
i=Nqv/d =qlLV/d
donde q : carga elctrica del electrn.
Por lo tanto la resistencia R causada por la luz vale :
ql
-1
R = V / i = ------------- L
d
El tiempo de vida generalmente no es constante sino que depende
de la longitud de onda y de la iluminacin L
= o ( ) L
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
material fotoconductor
ventana
capsula
metalica
sustrato
ceramico
terminales
Esto
se
logra
usando
una
larga
y
estrecha tira de material
doblando varias veces
para que cubra poca
superficie..
Esta
disposicin se completa
dando a los electrodos
forma de peines con las
puntas intercaladas.
ultravioleta
100
R
e
s
p
u
e
s
t
a
r
e
l
a
t
i
v
a
80
ZnS
4000
visible 7000
infrarrojo
CdS
60
PbS
PbTe 900K
Si
40
CdSe
20
PbSe
Ge
InSb 50k
GaAs
0
3000
5000
10.000
20.000
50.0000
Difusin
FSICA ELECTRNICA
24
MDULO IX
100.000
ID
Expresin general
semiconductor
del
flujo
de
portadores
en
el
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
FSICA ELECTRNICA
26
MDULO IX
q p p E q Dp p
x
arrastre
y la de electrones :
Jn = q n n E
difusin
+ q Dn n
x
O. VON PAMEL
27
S. MARCHISIO
En metales
FSICA ELECTRNICA
28
MDULO IX
Supongamos
una
barra
metlica que se calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la figura .
distribucin de portadores
metal
portadores generados trmicamente
fuente de
calor
Obsrvese la distribucin de
portadores en exceso as como la
corriente de difusin.
En la tercer representacin
en la figura se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se produce el
retorno al equilibrio.
difusin de portadores
El efecto Thompson se
produce cuando al fenmeno de
. inyeccin trmica le agregamos el
arrastre de portadores por parte del
campo elctrico.
El campo elctrico aplicado
dar origen a la aparicin de una
fem. entre los extremos de la barra.
cam po extern o
arrastre
difusin
difusin
En semiconductores
O. VON PAMEL
29
S. MARCHISIO
calor
de pares
FSICA ELECTRNICA
30
MDULO IX
fx = q Ex
Ez
Ey
Hz
fm = - 1/c v x H
donde :
H
x
Semiconductor intrinseco
Ey
Hz
Semiconductor tipo N
---
J x Hz
vx Hz
Ey = ---------- = --------c
nqc
-- ----
Semiconductor tipo P
Superconductividad .
O. VON PAMEL
31
S. MARCHISIO
Este modelo supone que por debajo de una temperatura critica que
denominaremos de superconduccin Ts los iones estn fijos en sus
posiciones de equilibrio ( sin vibrar alrededor de ella ).
En la figura
se observa un corte
plano de una red
cristalina en la cual
todos los iones se
encuentran inmviles
en sus posiciones de
equilibrio.
FSICA ELECTRNICA
32
MDULO IX
Cuando
un
electrn
de
conduccin ( mvil a lo largo de la red , y
por lo tanto alejado del ncleo del ion ),
se acerca a ella , la atraccin
electrosttica entre este y los iones ,
har que la red se deforme.
33
S. MARCHISIO
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
FSICA ELECTRNICA
34
MDULO IX
10
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
1015
Fosforo
1014
1013
1012
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104
Resistividad ( / cm )
Nota :
Un fenmeno similar ocurrir durante la descarga de arco en un gas.
O. VON PAMEL
35
S. MARCHISIO
MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte :
Conduccin elctrica
objetivos:
En el presente mdulo se pretende lograr tres objetivos
fundamentales :
1- introducir un modelo de conduccin
elctrica en slidos.
2- extender este modelo a gases y lquidos
3- ver ejemplos donde el modelo no rige
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
El proceso de conduccin
Introduccin :
Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red
Msa eficaz:
Centros de dispersin ( o desviacin )
Movimiento trmico
Movimiento por campo elctrico
Velocidad de arrastre . Movilidad
Difusin
Expresin general del flujo de portadores en el
semiconductor
Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall
Superconductividad .
Modelo de la molcula de dos electrones:
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
El proceso de conduccin
Introduccin :
Una de las propiedades que distinguen a un slido de otro es su
posibilidad o no de conducir una corriente elctrica.
Recordemos que la intensidad de corriente representa la carga
transportada por unidad de tiempo a travs de una superficie normal a ella
(debe existir entonces un desplazamiento neto de cargas en una direccin
determinada ).
La intensidad depender :
del nmero de cargas que puedan moverse libremente y
de
Msa eficaz:
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Potencial
a
Distancia
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
Potencial
a
a
Los tomos se
hallan ms separados o
ms concentrados en una
regin de lo que lo estn
en la red peridica ideal.
Estas variaciones
alteraran
el
potencial
elctrico
en
las
proximidades de dichas
regiones
,
y
estas
diferencias de potencial representan campos elctricos aplicados sobre ellas
que alteran la direccin y magnitud de la velocidad y de la cantidad de
movimiento de la partcula cargada.
Dispersin por las impurezas:
Nota:
Desde luego , ambas forms de dispersin pueden combinarse ,
cuando por ejemplo , se produzca una compresin vibratoria en una regin
del cristal que contenga un tomo de impureza cargado.
Movimiento trmico
S. MARCHISIO
2
1
7
Puede sintetizarse
lo dicho mediante la
observacin de la figura en
la que se representa en
forma sencilla el tipo de
movimiento
trmico
aleatorio de un electrn.
3
4
Potencial
a
W
.
Potencial
F1
Al
incrementar
su
.. .
Distancia velocidad el electrn tambin
cambia su energa.
campo electrico
Hay sin embargo una
condicin adicional que aparece
F2
debido a la ndole cuntica del
electrn: el cambio de velocidad
F3
F4
slo se produce si tal cambio no
implica un cambio de banda.
Es decir, un electrn no
puede ser acelerado de la
primera a la segunda banda , ni
de la segunda a la tercera , en general el electrn no puede cruzar ninguna
discontinuidad de energa .
x -a
x+a
MDULO IX
2
1
7
7
6
E
3 2
1arrastre del E
Esta
velocidad
adicional,
llamada
velocidad de arrastre , vd ,
tendr
una
direccin
opuesta al campo elctrico
para los electrones e igual
ala del campo para los
huecos.
Se encuentra que
la fuerza resultante crece
con
esta
velocidad
promedio, como en las
fuerzas de origen viscoso.
1
3
4
movimiento combinado del electron en el campo E
La velocidad de
arrastre, por lo tanto ser
proporcional a la intensidad
del campo aplicado.
vd = E
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Nota:
El resultado que aparece en la expresin obtenida para vd proviene
de un anlisis en el que se supone que el tiempo entre colisiones es
independiente del campo elctrico.
Esto es cierto , si la velocidad vd es pequea comparada con las
7
velocidades trmicas de los portadores ( del orden de 10 cm/seg. para el
silicio a temperatura ambiente ).
Cuando el valor de vd se hace comparable al de las velocidades
trmicas ,su dependencia respecto del campo elctrico se aleja un poco de
la simple relacin de proporcionalidad a la vista .
vd ( cm/seg )
La variacin de vd
con el campo elctrico
puede interpretarse
a
partir de la observacin de
la figura.
10 x106
8
6
4
En
ella
se
representan los resultados
experimentales de vd vs.
E.
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2 x 104
E (V/cm )
Puede observarse
que cuando el campo se
hace suficientemente importante se alcanza una velocidad limite superior
que deja de depender del valor del campo.
Otra conclusin que puede extraerse de las curvas concierne al
valor de la movilidad , en ella se ve claramente la diferencia entre el valor
de las movilidades de los huecos y de los electrones.
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
semiconductor N
podemos
de
su
Si cerramos la llave, el
terminal negativo de la batera
inyectar electrones en el extremo de
la barra.
V(x)
Enseguida alcanzaran la
velocidad limite y comenzaran a
moverse con v = cte. , por lo que
se formara un frente de electrones
que se mover a lo largo de la
barra con velocidad constante.
V(x)
O. VON PAMEL
V(x)
S. MARCHISIO
E
V(x)
Finalmente,
sobre
la
resistencia se vern pasar una serie de pulsos de corriente que se repetirn
con un periodo:
= l /v
donde :
l : longitud de la barra
v : velocidad limite de los electrones en el material
En la figura puede
observarse una muestra de
semiconductor tipo n sin
polarizacin.
semiconductor n
FSICA ELECTRNICA
10
MDULO IX
Ee
U
Eh
Debido a que en
este proceso la energa
total de los electrones no
cambia significativamente,
el aumento de energa
cintica
traer
como
compensacin
una
disminucin de la energa
potencial.
Este hecho se hace evidente en la ultima figura donde vemos que el
electrn se aleja hacia arriba (ganando energa cintica) del borde inferior de
la banda de conduccin Ec que representa como ya analizramos la energa
potencial del electrn.
Cuando el electrn sufre una colisin (en promedio al haber
recorrido una longitud de colisin) pierde parte de su energa cintica y la
transfiere a la red del semiconductor. Este es el proceso de conversin de
la energa cintica en calor. (este fenmeno se conoce como efecto joule)
A continuacin, luego de que el electrn perdi total o parcialmente
su energa cintica, vuelve a acelerarse repitiendo el proceso. sta es la
forma en que puede esquematizarse la conduccin en el diagrama de
bandas.
En este anlisis consideramos un semiconductor homogneo, es
decir, aqul que posee una concentracin de impurezas uniforme. Por esta
razn, en las figuras anteriores hemos indicado el nivel de Fermi
conservando la misma distancia respecto a la banda de conduccin a lo
largo de toda la muestra.
Nota:
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
+ 2V
semiconductor P
Ee
U
Eh
Obsrves
e que para un
semiconductor
tipo p ocurrir lo
mismo
si
cambiamos
electrones en la
banda
de
conduccin
por
huecos
en
la
banda
de
valencia.
Conductores.
conductor
Aisladores.
En este caso N es muy pequeo respecto de los anteriores y Eg es
grande.
FSICA ELECTRNICA
12
MDULO IX
+V
aislador
Ee
U
Por
lo
tanto
el
fenmeno de circulacin de
corriente ser despreciable,
pero s se harn visibles dos
fenmenos
colaterales
observados por la Fsica
Clsica.
Ea
frecuencias.
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
portador de
carga
e
colisiona con
efecto
ion de la red
ion de la red
ion de la red
ion de la red
aumento
temp.red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
e,
me
FSICA ELECTRNICA
14
MDULO IX
gas
radiacion
cosmica
e
iones +
e-ion
aumento temp. y
presion gas
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
dipolos
iones +
iones -
aumento
temp.liquido
Resistividad
La densidad de corriente J que fluye a travs del material se
expresa o define por el producto del nmero de electrones por unidad de
volumen que pueden ser acelerados ( n ) , la carga del electrn ( q ) y la
velocidad media vd.
Por lo cual podemos escribir :
2
n q tcol
J = n q vd = n q E = ------------ . F
m*
La resistividad ( resistencia por unidad de longitud de un cristal,
cuya seccin transversal es la unidad de rea ) viene dada por el cociente
entre el campo elctrico E y la densidad de corriente J , es decir :
1
m*
= --------- = ------------2
nq
q tcol n
Resistividad de un semiconductor
FSICA ELECTRNICA
16
MDULO IX
si ND > NA
P = NA - ND
si NA > ND
Nota:
En la figura siguiente se grafica la correlacin entre el nmero de
impurezas y la resistividad , para un semiconductor de silicio impurificado
con fsforo y boro ( dopado n y p ) a temperatura ambiente.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
10
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
Fosforo
1015
1014
1013
1012
FSICA ELECTRNICA
18
MDULO IX
1-b semiconductores
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
2-a metales
En este caso n es casi independiente de la temperatura por lo tanto
si T crece , entonces tcol disminuye , por lo tanto crece al crecer T.
2-b semiconductores ( termistores )
2-b-1 extrnsecos
Segn hemos visto la concentracin de portadores n en el caso de
un semiconductor extrnseco tiene una dependencia con la temperatura que
puede visualizarse a travs de la figura.( trazo lleno )
n (cm -3 )
Silicio tipo N
3 .10 1 6
2 .10 1 6
3
n
1 .10 1 6
ni
0
0
100
20 0 3 00
400 50 0 60 0
T (0K )
7 00
En
esta
distinguimos tres zonas (
para n ) , en donde a altas y
bajas temperaturas ( zonas
1 y 3 ) se incrementa con
ella segn las leyes ya
analizadas y en otra ( zona
2
)
n
se
mantiene
prcticamente constante.
Vemos que a 0 K ,
la ausencia de portadores
libres
hace
del
semiconductor un aislante
perfecto .
Cuando la temperatura crece , los electrones de los tomos de
dopaje consiguen la suficiente energa como para llegar a la banda de
conduccin y por lo tanto aumenta la conductividad del material ( 50 K ).
De 50 a 500 K , la disminuye porque las movilidades disminuyen.
A partir de los 500 K , el aumento brusco se debe al paso de
operacin extrnseca a intrnseca de del semiconductor.
FSICA ELECTRNICA
20
MDULO IX
La figura muestra la
variacin de conductividad con
al temperatura del silicio tipo P
15
3
con NA = 10 atom/cm .
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
La figura es para un
dado semiconductor , para otro
semiconductor y distinto dopaje
slo se modifican las escalas y
no la forma de la curva .
2-b-2 Intrnsecos
La dependencia de ni con la temperatura puede observarse tambin
en la figura siguiente.
De ella podemos deducir
que si el termistor emplea un
semiconductor
intrnseco,
la
conductividad
aumenta,
la
resistencia disminuye por lo que
estos se denominan NTC. ( coef.
negativo.)
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
21
S. MARCHISIO
Los
portadores
generados por fotoexcitacion
se movern bajo la influencia
de un campo aplicado.
foton
Si no se recombinan
, llegaran a los contactos
hmicos en los extremos de
la barra semiconductora ,
constituyendo entonces la corriente del dispositivo.
FSICA ELECTRNICA
22
MDULO IX
dv
La
fraccin
de
electrones
que
continuara
corriente ser :
d v
los
la
v./d
y la fotocorriente y medida se obtiene a partir de :
i=Nqv/d =qlLV/d
donde q : carga elctrica del electrn.
Por lo tanto la resistencia R causada por la luz vale :
ql
-1
R = V / i = ------------- L
d
El tiempo de vida generalmente no es constante sino que depende
de la longitud de onda y de la iluminacin L
= o ( ) L
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
material fotoconductor
ventana
capsula
metalica
sustrato
ceramico
terminales
Esto
se
logra
usando
una
larga
y
estrecha tira de material
doblando varias veces
para que cubra poca
superficie..
Esta
disposicin se completa
dando a los electrodos
forma de peines con las
puntas intercaladas.
ultravioleta
100
R
e
s
p
u
e
s
t
a
r
e
l
a
t
i
v
a
80
ZnS
4000
visible 7000
infrarrojo
CdS
60
PbS
PbTe 900K
Si
40
CdSe
20
PbSe
Ge
InSb 50k
GaAs
0
3000
5000
10.000
20.000
50.0000
Difusin
FSICA ELECTRNICA
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MDULO IX
100.000
ID
Expresin general
semiconductor
del
flujo
de
portadores
en
el
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
FSICA ELECTRNICA
26
MDULO IX
q p p E q Dp p
x
arrastre
y la de electrones :
Jn = q n n E
difusin
+ q Dn n
x
O. VON PAMEL
27
S. MARCHISIO
En metales
FSICA ELECTRNICA
28
MDULO IX
Supongamos
una
barra
metlica que se calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la figura .
distribucin de portadores
metal
portadores generados trmicamente
fuente de
calor
Obsrvese la distribucin de
portadores en exceso as como la
corriente de difusin.
En la tercer representacin
en la figura se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se produce el
retorno al equilibrio.
difusin de portadores
El efecto Thompson se
produce cuando al fenmeno de
. inyeccin trmica le agregamos el
arrastre de portadores por parte del
campo elctrico.
El campo elctrico aplicado
dar origen a la aparicin de una
fem. entre los extremos de la barra.
cam po extern o
arrastre
difusin
difusin
En semiconductores
O. VON PAMEL
29
S. MARCHISIO
calor
de pares
FSICA ELECTRNICA
30
MDULO IX
fx = q Ex
Ez
Ey
Hz
fm = - 1/c v x H
donde :
H
x
Semiconductor intrinseco
Ey
Hz
Semiconductor tipo N
---
J x Hz
vx Hz
Ey = ---------- = --------c
nqc
-- ----
Semiconductor tipo P
Superconductividad .
O. VON PAMEL
31
S. MARCHISIO
Este modelo supone que por debajo de una temperatura critica que
denominaremos de superconduccin Ts los iones estn fijos en sus
posiciones de equilibrio ( sin vibrar alrededor de ella ).
En la figura
se observa un corte
plano de una red
cristalina en la cual
todos los iones se
encuentran inmviles
en sus posiciones de
equilibrio.
FSICA ELECTRNICA
32
MDULO IX
Cuando
un
electrn
de
conduccin ( mvil a lo largo de la red , y
por lo tanto alejado del ncleo del ion ),
se acerca a ella , la atraccin
electrosttica entre este y los iones ,
har que la red se deforme.
33
S. MARCHISIO
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
FSICA ELECTRNICA
34
MDULO IX
10
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
1015
Fosforo
1014
1013
1012
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104
Resistividad ( / cm )
Nota :
Un fenmeno similar ocurrir durante la descarga de arco en un gas.
O. VON PAMEL
35
S. MARCHISIO
APNDICE I
FSICA ESTADSTICA
O. Von Pamel
S.Marchisio
Estadstica Clsica
Ley de equiparacin de la energa por grados de libertad
Distribucin de Maxwell-Boltzmann
Estadsticas Cunticas
Generalidades
Estadstica de Bose-Einstein
Estadstica de Fermi-Dirac
Fisica Electronica
Apendice I
S.Marchisio
T
Si una magnitud fsica determinada M es funcin unvoca del estado
y toma el valor Mi , quiere decir que el sistema se encuentra en el estado i .
T
donde dtM es el tiempo durante el cual el sistema se encuentra en
los estados correspondientes a los valores de M comprendidos entre M y M
+ dM ; los valores de dtM y de dw(M) son proporcionales al intervalo dM. Es
decir :
dw(M) = f(M) dM
siendo f(M) la densidad de
distribucin de las probabilidades.
Fisica Electronica
probabilidad
funcin
Apendice I
de
i wi = 1
dw(M) = f(M) dM = 1
Estadstica clsica
Ley de equiparacin de la energa por grados de libertad
Distribucin de Maxwell-Boltzmann
O. Von Pamel
S.Marchisio
dnv = 4.n0
v2 dv
2
p
donde :
vp :
- px +py +pz
- Ep(x,y,z)
2mkT
dw =
.
e
1
3/2
(2 mkT)
kT
dE(p)
distribucin de Maxwell
dx dy dz
dE(x,y,z)
distribucin de Boltzmann
siendo :
dw :
la probabilidad de que las coordenadas y las proyecciones
de los momentos de la molcula se encuentren en el elemento de
volumen del espacio fsico d = dx dy dz dpx dpy dpz y Ep(x,y,z) la
energa potencial de la molcula en el campo de fuerzas exterior.
Fisica Electronica
Apendice I
Obsrvese que:
la energa total es E = Ec + Ep
y
-E
kT
dw =
e
const.
3/2
(2 mkT)
Estadsticas cunticas
Generalidades
S.Marchisio
Estadstica de Bose-Einstein
Fisica Electronica
Apendice I
E = Ni .Ei
N = Ni
1
N ( Ei )
n i = ------------------- = ------------------------ gi
Ei -
e
siendo :
kT
- 1
Estadstica de Fermi-Dirac
O. Von Pamel
S.Marchisio
1
N ( Ei )
n i = ------------------- = ------------------------ gi
Ei -
kT
+ 1
NOTA 1:
1
n i = -------------------------
e
donde :
= 0 y
= -1
= +1
=0
Bose-Einstein
Maxwell-boltzmann
Ei -
kT
para la de Maxwell-Boltzmann
para la de Bose-Einstein
para la de Fermi-Dirac
en la figura se muestra la
forma de la funcin distribucin para
las tres Estadsticas.
Fermi-Dirac
1
E
2kT
NOTA 2:
Fisica Electronica
10
Apendice I
1
nI = f(E) = -------------------------
Ei -
kT
NOTA 3:
O. Von Pamel
11
S.Marchisio