FUNDAMENTOS FSICOS DE LA INFORMTICA - 1/7/2005

Tiempo: 3h. y media

1.- (1.5 puntos) Explicar por qu las lneas de campo elctrico no se pueden cortar.
Suponiendo que las lneas de campo se cruzasen en algn punto qu podramos decir de
la fuerza elctrica que sentira una partcula cargada situada en dicho punto? Pueden
cortarse entre s superficies equipotenciales? Razonar la respuesta.
Suponiendo que dos lneas de campo elctrico se
cortaran, en el punto P de corte el campo elctrico
tendra 2 valores, tal como vemos en la figura. Esto no
tiene sentido, ya que el valor del campo elctrico en un
punto est unvocamente determinado por la ley de
Coulomb.
Una carga puntual situada en el punto P sentira una
fuerza que tendra a la vez 2 valores distintos, lo cual es
igualmente absurdo.
Razonando de forma similar, podemos afirmar que 2
superficies equipotenciales no pueden nunca tener
ningn punto comn, pues entonces a ese punto le
corresponderan 2 valores diferentes de potencial.
---------------------------------------------------------------------------2.- (1.5 puntos) Tenemos ocho cargas puntuales
todas iguales de valor q en los vrtices de un
cubo de lado (arista) a. (ver figura). Calcular:
a) El campo elctrico en el centro del cubo (punto
O)
b) El potencial elctrico en el centro del cubo
(punto O)
c) El campo elctrico en el centro de la cara
superior (punto B)
d) El potencial elctrico en el centro de la cara
superior (punto B)
a) Por la simetra de las 8 cargas respecto del centro O, el campo elctrico en dicho
punto ser nulo.
b) La distancia de cada uno de los vrtices del cubo; es decir, de cada una de las
cargas q, es:
2

a
a
a
b = + + , y por lo tanto el potencial debido a cada una ser:
2
2
2
q
q
V1 = K , y el total: V = 8 K
b
b
c) Para determinar el campo elctrico en el punto B, no hace falta considerar las 4
cargas de la cara superior del cubo, puesto que por simetra sus efectos en B se
cancelan. Por lo tanto el campo, EB , ser la suma de los producidos por las 4 cargas
de la cara inferior. La distancia de cada una de dichas cargas a B ser:
2

a
a
c = + + a 2 , y el mdulo del campo debido a una carga ser:
2
2

q
. Las componentes sobre los ejes X e Y se anularn por simetra.
c2
a
q
La componente sobre el eje Z ser: E B1Z = K 2 cos , siendo cos =
c
c
q

Por lo tanto, nos queda finalmente: E B = 0 i + 0 j + 4 K 2 cos k

c

d) El potencial elctrico, , ser la suma de los potenciales de cada una de las 8 cargas.
La distancia de cada una de las 4 cargas de la cara superior ser.
E B1 = K

a
a
d = + y por lo tanto, el potencial debido a las 4 cargas de la cara
2
2
q
q
superior: VBS = 4 K y el potencial debido a las 4 de la cara inferior: VBI = 4 K .
d
c
Por lo tanto el potencial total en el punto B ser:
q
q
1 1
VB = 4 K + 4 K = 4 Kq +
c
d
c d
----------------------------------------------------------------------------

3.- (1.5 puntos) Una varilla de longitud L est cargada con una densidad lineal uniforme
de carga y carga total Q. Calcular:
a) El campo elctrico en un punto del eje que se encuentra a una distancia x0 de un
extremo.
b) El potencial elctrico para cualquier punto del eje x exterior a la varilla.
c) Utilizando la expresin obtenida en el apartado b), calcular el campo elctrico en el
punto x0. Comprobar que el resultado coincide con el obtenido en el apartado a).
d) El trabajo para llevar una carga puntual de valor q0 desde el punto x1 al x0

a) Considerando descompuesta la varilla en elementos de longitud infinitesimal dx, el

mdulo del campo elctrico en un punto del eje x a distancia x0 ser:
dx
y como la direccin es la del mismo eje x, tendremos:
dE x 0 = K
(x 0 + x )2
L

E x0 = K
0

1
dx
1
, que es el mdulo. El vector ser:
= K

(x 0 + x )
x0 x0 + L

1
1
i + 0 j + 0 k (1)
E x0 = K

x
x
+
L
0
0

L
x +L
dx
dx

b) dVx 0 = K
e integrando Vx 0 = K
= K ln 0
x0 + x
x0 + x
x0
0
c) Teniendo el potencial en funcin de la distancia x0, podemos calcular el campo
elctrico por la relacin fundamental E x0 = grad (Vx 0 ) . En este caso, como
estamos sobre el eje x, solo tenemos que derivar Vx0 respecto de la variable x0:
1
V
1
, que es el mismo valor obtenido en a)
E x 0 = 0 x = K

x 0
x0 x0 + L

 (x + L )x 1

Wx 0 ,x1 = q 0 (VX 0 VX1 ) = K ln 0

(x 1 + L )x 0
----------------------------------------------------------------------------

d) El trabajo ser:

4.- (1.5 puntos) Calcular el campo elctrico creado por un plano infinito cargada con una
densidad superficial uniforme de
1
2
carga 1.
Se aade otro plano infinito
2
paralelo al anterior, cargado con
1
densidad superficial uniforme de
carga 2 y a una distancia d del
primero. Calcular para la nueva
configuracin el campo elctrico
en todos los puntos del espacio.
d
d
Al considerar infinitos los planos, por simetra, el vector campo elctrico ser perpendicular
a dichos planos, lo que nos permite aplicar ventajosamente la ley de Gauss. Tomaremos
como superficie de Gauss un cilindro (ver figura 1): el flujo a travs del rea lateral ser
nulo y a travs de las bases ser:
= 2 A E 1 siendo E1 el mdulo del campo elctrico. Aplicando Gauss (ver Figura 1): nos
A 1

queda: = 2 A E1 =
, de donde sacamos: E1 = 1 (mdulo).
0
20

Figura 1
Si aadimos otro plano paralelo y con densidad 2, el razonamiento ser idntico. Para
puntos fuera del espacio entre ambos planos, el flujo a travs del rea lateral ser nulo y a
travs de las bases ser: 1,2,ext = 2 A E1,2,ext siendo E1,2,ext el mdulo del campo elctrico

para puntos fuera del espacio entre planos. Aplicando Gauss (ver Figura 2): nos queda:
( + 2 )
A ( 1 + 2 )
, de donde sacamos: E1,2,ext = 1
(mdulo).
1,2,ext = 2 A E1,2,ext =
0
20
Igualmente, para puntos situados entre ambos planos (ver Figura3) resulta:
A 1

, de donde sacamos: E1,2,int = 1 (mdulo)

1,2,int = 2A E 1,2,int =
0
20

Figura 2

Figura 3

---------------------------------------------------------------------------5.- (1.5 puntos) Dos condensadores de placas paralelas tienen la misma separacin e
igual superficie de las placas. La capacidad de cada uno de ellos es inicialmente 10 F.
Insertando un dielctrico en el espacio completo entre las placas de uno de los
condensadores, su nueva capacidad es 35 F. Los condensadores de 35 F y 10 F se
conectan en paralelo y se cargan con una diferencia de potencial de 100 V. A continuacin
de desconecta la fuente de tensin.
a) Cuales son las cargas de los dos condensadores
b) Cual es la energa almacenada en este sistema
A continuacin se extrae el dielctrico del condensador
c) Cuales son las nuevas cargas de los dos condensadores
d) Cual es la energa final almacenada en el sistema
e) Se cumple el principio de conservacin de la energa? Razonar la respuesta
Suponemos que inicialmente el dielctrico es el vaco (constante 0). La capacidad inicial
de ambos es C0= 10 F, el rea A, la separacin d, la capacidad del condensador en el
que introducimos el dielctrico de constante 1, es C1= 35 F.
a) C0 y C1 conectados en paralelo a una d.d.p. V=100 V. La carga almacenada en C0
ser: q0= C0V; q0= 1 mC. La carga almacenada en C1 ser: q1= C1V; q1= 3.5 mC
1
b) W = (C0 + C1 ) V 2 ; W = 0.225 J
2
c) Al extraer el dielctrico, el condensador de capacidad C1 pasa a tener una capacidad
C0. Al estar desconectada la fuente de energa, la carga total se conserva, es decir,
ser q0+ q1 = 4.5 mC. La nuevas cargas sern por lo tanto q= 2.25 mC en cada uno.

1
(C 0 + C 0 ) V 2 = C 0 V 2 ; W= 0.100 J
2
e) Como vemos, W> W, es decir, aparentemente, no se cumple el principio de
conservacin de la energa. Como eso no es admisible, hemos de justificar la
energa que falta. Esta no es otra que la energa invertida en la polarizacin del
dielctrico. Cuando el dielctrico se extraiga, las molculas de desordenarn, lo que
significa que aumentar la temperatura del mismo.

d) La energa ahora ser: W =

----------------------------------------------------------------------------

V
R

a
c
d

6.- (1 punto) El espacio comprendido

entre dos paraleleppedos coaxiales de
longitud L y con sus lados de valores a,
b, c y d est lleno de un material
conductor de resistividad . Se conecta
entre los puntos R y S una fuente de
tensin V. Calcular:
a) La resistencia del material
b) La corriente que circula
c) Cmo podramos disminuir la
resistencia?

L
ab cd
V V (ab cd)
b) I = =
R
L
c) Mecanizando la pieza de forma que disminuyera L y, por consiguiente, aumentara
el rea ab-cd. Tambin podramos enfriar el conductor, con lo que disminuira la
resistividad.

a) R =

----------------------------------------------------------------------------

7.- (1.5 puntos) Tenemos un bloque de germanio de longitud L=1 mm y de rea S =0.01
mm2 a una temperatura de 20 C. Calcular:
a) La resistencia del bloque de germanio intrnseco entre A y B.
b) La resistencia del bloque si aadimos impurezas de fsforo en proporcin
1/106.
Datos: ni(concentracin intrnseca Si a 20 C) =2.36 1019 m-3, n = 0,390 m2 (V s)-1, p =
0,182 m2 (V s) -1, densidad DGe=5.32 g cm-3; Masa atmica AGe=73 g mol-1; nmero de
Avogrado NA=6.02x1023 mol-1; carga del electrn e = - 1.6x10-19 C

L
1
; donde i =
y i = e ni n + p . Finalmente, nos queda:
S
i
L
y numricamente: Ri 4.63 x 108 i 463 M
Ri =
S e ni ( n + p )

a) R i = i

b) El SC ser tipo N, los portadores mayoritarios sern los electrones y despreciaremos la

proporcin de huecos minoritarios.
1
L
L
y N e n n . Finalmente, nos queda: R N =
y
R N = N ; donde N =
S
N
S enn
N D
L A Ge
. Numricamente nos resulta:
n = A Ge y sustituyendo en la anterior: R N =
A Ge
S e n nD Ge
RN 1424.61