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Introduccin a la Ciencia de Materiales Captulo 4

U N I V E R S I D A D

D E P I U R A

FACULTAD DE INGENIERIA

ITRODUCCI A LA CIECIA DE LOS MATERIALES


(ICM)

Captulo IV
IMPERFECCIOES E SLIDOS CRISTALIOS
Dra. Ing. Rosalba Guerrero A.
2009

Dra. Ing. Rosalba Guerrero. Facultad de Ingeniera

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Introduccin a la Ciencia de Materiales Captulo 4

4. IMPERFECCIONES EN SLIDOS CRISTALINOS


Hasta aqu se ha supuesto que los materiales cristalinos presentan en todas sus
partes un ordenamiento perfecto de sus tomos; sin embargo, la realidad es otra:
los slidos cristalinos tienen un gran nmero de defectos e imperfecciones de
variada ndole que afectan a sus propiedades en servicio. La influencia de estas
imperfecciones no siempre es negativa, mas bien, algunas caractersticas
especiales de los materiales se consiguen introduciendo deliberadamente
cantidades controladas de defectos particulares.
Un defecto cristalino es una irregularidad de la red en la cual una o ms de sus
dimensiones son del orden del dimetro atmico. Se clasifican de acuerdo a su
geometra y forma:
a) Defectos puntuales: vacancias, intersticiales (en slidos cristalinos), defecto de
Schottky y defecto de Frenkel (en slidos inicos).
b) Defectos de lnea: dislocaciones tipo cua y helicoidal.
c) Defectos interfaciales: lmites de grano.
d) Defectos volumtricos: fases precipitadas.

4.1 Defectos de punto


a) Vacancia o vacante
Es un hueco creado en la red debido a la prdida de un tomo que se encontraba
en esa posicin, ver figura 4.1. Puede producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales que se dan cuando se produce el crecimiento
del cristal o pueden ser debido al reordenamiento en el cristal debido a la
movilidad de los tomos.
En equilibrio, el nmero de vacantes Nv de una cantidad determinada de material
depende de la temperatura:
Qv
v =  exp

RT
N: nmero total de lugares ocupados por un tomo
Qv: energa de activacin requerida para la formacin de una vacante
T: temperatura (K)
K: constante de Boltzmann o de los gases:
K = 1.38 10 23 J at K = 8.62 10 5 ev at K
Como se ve, el Nv crece exponencialmente con la temperatura.

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Figura 4.1 Vacancia


En la mayora de metales la fraccin Nv / N es del orden de 10-4, es decir, hay una
vacante por cada 10 000 lugares ocupados.
En los metales son defectos de equilibrio y su energa de activacin es del orden
de 1 ev. Se pueden introducir vacantes adicionales en el material mediante:
-

deformacin plstica
enfriamientos rpidos
bombardeo de neutrones

Las vacantes de no equilibrio tienden a agruparse formando clsters, divacantes o


trivacantes; pueden trasladarse cambiando posiciones con sus vecinas lo que da
lugar a la difusin de tomos.

Ejercicio
Calcular el nmero de vacantes por metro cbico en el cobre en equilibrio a
1000C. La energa de activacin para la formacin de vacantes es 0,9 ev / tomo;
peso atmico Cu = 63,58 g /mol
= 8.4 g cm 3
Qv
v =  exp

RT
N: nmero de tomos en 1m3
m celda
Cu =
Vcelda
1m = 10 2 cm 1m 3 = 10 6 cm 3
10 6 m 3 63.5 g
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1m 3 x
x=

8 .4 g
= 8.4 10 6 g
10 6

1mol 63.5 g
x 8.4 10 6 g

x=

8.4 10 6 g 1mol 8.4 10 6


=
mol
63.5 g
63.5

1mol 6.023 10 23 at
8.4 10 6
mol x
63.5
8.4 10 6 6.023 10 23 at
x=
= 8.24 10 28 at
63.5

0.9ev

at
v = 8.24 10 28 at exp
= 2.25 10 25 Vact m 3

5
8.62 10 ev
1273K
at K

b) Defecto intersticial o autointersticial


Es un tomo que se ha desplazado a un lugar intersticial de la red, un espacio
pequeo, vaco, que normalmente no est ocupado. Los defectos intersticiales
producen una distorsin en la red porque, generalmente, los tomos son ms
grandes que los espacios vacos, por eso su aparicin de forma natural es mucho
menos probable que las vacancias, normalmente se introducen adrede en la
estructura.

Figura 4.2 Defectos intersticiales en una celda fcc.

Vamos a ver esto con un ejemplo. Calcular el radio del mayor hueco intersticial de
la red fcc de hierro , sabiendo que en la red fcc el radio atmico del hierro es de

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0.129 nm y que los mayores huecos intersticiales se encuentran en las posiciones


tipo ( , 0, 0), (0, , 0), (0, 0, ), etc.
En la figura siguiente se muestra un plano (1 1 0) de la red FCC sobre el plano YZ,
R es el radio atmico, y el radio del hueco intersticial en la posicin (0, , 0) es r,
entonces
2 R + 2r = a
2

1
1
+ a = a2
2
2 2

(2 R )2 = 1 a
luego
2R = a

a = 2 2R

reemplazando queda:

2 R + 2r = 2 2 R

r = 2 1 R = 0.414 R
r = (0.414)(0.129nm ) = 0.053nm

Figura 4.3 tomo intersticial en el hierro gamma

4.2 Defectos puntuales en slidos inicos

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a) Defecto de Schottky: cuando dos tomos cargados opuestamente faltan en


un cristal inico, se produce una divacante aninica-catinica.
b) Defecto de Frenkel: Si un catin se desplaza a un hueco intersticial se crea
una vacante catinica en la posicin primitiva del in.
La presencia de ambos defectos aumenta la conductividad elctrica del slido
inico.

Figura 4.4a) Defecto de


Frenkel: Un catin sale
de su lugar y crea una
vacante.

Figura 4.4b) Defecto de


Schottky: Un anin ha
salido de su posicin y
crea una vacante, por otro
lado un catin ha saltado
de su posicin y crea una
vacante.

Anin
intersticial

Figura 4.4 Defectos puntuales en cristales inicos.


4.3 Soluciones slidas.
En una solucin slida tenemos: soluto y solvente.
- Soluto: Elemento o compuesto que est en menor concentracin (impureza).
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Solvente: Elemento o compuesto que est en mayor concentracin.

La solucin slida se forma cuando al adicionar tomos de soluto a un material


disolvente, la estructura cristalina se mantiene y no se forma ninguna nueva
estructura. Los tomos de soluto se dispersan libre y homogneamente dentro del
solvente.
Las soluciones slidas pueden ser de dos tipos: solucin slida de sustitucin y
solucin slida de insercin.

4.3.1 Solucin slida de sustitucin


Los tomos de soluto reemplazan a los tomos de solvente en la red cristalina. La
estructura cristalina del solvente no cambia pero puede distorsionarse.
La fraccin de tomos de soluto que puede entrar en un solvente por sustitucin
puede llegar al 100% de tomos pero debe cumplir ciertas condiciones:
a) Los dimetros de los tomos de los elementos no deben diferir mucho ms del
15% (si es mayor distorsionan mucho la red).
b) La estructura cristalina en ambos elementos tiene que ser la misma.
c) La diferencia de electronegatividad no debe ser muy alta o apreciable. Si stas
son muy diferentes entre s, tienen tendencia a reaccionar y formar
compuestos.
d) Deben tener las mismas valencias.
El sistema Cu-Ni es un ejemplo de sistema de solubilidad total:
RCu = 0,128 nm
RNi = 0,129 nm
eCu = 1,9
eNi = 1,8
Valencia : Cu = +1, Ni = +2
En la figura N 4.5 se muestra el diagrama de fase correspondiente a las
aleaciones Cobre-Nquel., es un tpico diagrama de solubilidad total.

4.3.2 Solucin slida de insercin o intersticial.


En este tipo de solucin slida, los tomos de soluto ocupan los lugares vacos o
intersticiales de la red del solvente. Como esos espacios suelen ser muy
pequeos, normalmente la concentracin mxima de soluto, en este tipo de
solucin es menor al 10%. Se puede calcular una concentracin mxima terica -

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la esperada- segn la geometra de la red cristalina y los espacios disponibles. Por


otra parte, los tomos intersticiales deforman mucho la red, por ello, influyen
bastante sobre las propiedades mecnicas del solvente. Veamos las condiciones
para que se de la mxima solubilidad en las redes BCC y FCC

Figura 4.5 Sistema Cobre-Nquel

4.3.3 Mxima solubilidad esperada en una red BCC.


En una red de este tipo, los espacios disponibles para insertar tomos en
posiciones intersticiales, son los centros de las aristas y los centros de las caras,
como se muestra en las figuras 4.6 y 4.7. Tendremos la mxima solubilidad si es
posible ocupar todos los espacios disponibles.

Figura 4.6
Posiciones de los tomos solventes:
En los vrtices y centro del cubo

Figura 4.7
Posiciones de los tomos solutos:
en el centro de las aristas y en el
centro de las caras.

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Si se ocupan todos los lugares disponibles, tendramos en el plano diagonal del


cubo, lo siguiente (ver figura 4.8)

SOLVENTE, Radio R

SOLUTO, Radio r

a 3

a 2

Figura 4.8

De la figura 4.8: 2R + 2r = a
4R = a 3
Eliminando a, r/R = 0,154
Lo que quiere decir que, geomtricamente hablando, para que se d la mxima
solubilidad por insercin en en una red BCC, los radios del soluto y solvente deben
cumplir la relacin indicada, si el soluto tiene un radio mayor que 0,154R, no
puede darse la mxima solubilidad. Y cunto es esa mxima solubilidad?
Calculemos respecto al porcentaje atmico.
Mxima solubilidad:

mero mx imo de tomos de soluto


, en este caso:
mero total de tomos en la celda

Nmero de tomos de soluto en la celda: 12x(1/4) + 6(1/2) = 6


Nmero de tomos de solvente en la celda = 2
Nmero de tomos totales: 8
Porcentaje atmico : 75%

4.3.4 Mxima solubilidad por insercin en estructura FCC

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En el sistema FCC, los lugares disponibles para colocar tomos por insercin son
los centros de las aristas y el centro del cubo, en forma anloga al caso anterior, la
solubilidad ser mxima cuando estn ocupados todos los espacios disponibles,
como se indica en las figuras 4.9 y 4.10.
En este caso, atendiendo a razones geomtricas, ver figura 4.11, para que se d
la mxima solubilidad, el radio del soluto debe ser menor a 0,414R; y la mxima
solubilidad corresponde al 50% atmico (4 tomos de soluto y 4 tomos de
solvente por celda).

Figura 4.9

Figura 4.10

Posiciones de los tomos solventes


En los vrtices y centro de las caras

Posiciones de los tomos solutos:


en el centro de las aristas y en el
centro del cubo

Considerando uno de los planos de las caras del cubo, tenemos:

SOLVENTE, Radio R

SOLUTO, Radio r

Figura 4.11
En la figura 4.11: 2R + 2r = a
4R = a 2
Eliminando a, r/R = 0,414

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4.3.5 Estudio de las soluciones slidas en el sistema Fe-C


Muchas de las aleaciones importantes en ingeniera, se producen por solucin
slida de insercin. Un ejemplo importante lo conforma el sistema hierro
carbono, que se muestra en la figura 4.12. Los tomos de carbono entran en
solucin slida de insercin en cualquiera de las formas alotrpicas del hierro:
- Si lo hace en el hierro delta, forma la solucin slida FERRITA DELTA ()
- Si lo hace en el hierro gamma, forma la solucin slida AUSTENITA ()
- Si lo hace en el hierro alfa, forma la solucin slida FERRITA ALFA (),
comnmente llamada FERRITA.
Estas tres soluciones slidas forman parte, en algn momento, de la
microestructura de los aceros. Dada la relacin de los radios soluto/solvente,
estas soluciones son parciales y no alcanzan la mxima solubilidad terica
(rc/RFe= 0,63)
La solucin slida ferrita delta alcanza su mxima solubilidad 0,09% en pesoa 1495C. Dado que desaparece a elevadas temperaturas (1394C), su estudio
no tiene inters prctico, salvo en algunos aceros aleados.
La solucin slida Austenita () presenta la mxima solubilidad a 1148C y
corresponde al 2,11% en peso. Tericamente cabra esperar una solubilidad de
50% atmico o 23% en peso. Vemos, sin embargo, que la mxima solubilidad
real est muy por debajo de este valor, la causa de esto es, como se indic
ms arriba, la relacin de radios entre el carbono y el hierro. Como en
cualquier solucin slida de insercin, la presencia de los tomos de soluto
producen distorsiones en la red del solvente, en este caso concreto, el
parmetro de red de la austenita vara con el contenido de carbono segn la
expresin: a () = 0,0448(%C) + 3,548
Esta solucin slida aparece en el intervalo de temperaturas entre 1495 y
727C. Es amagntica, blanda, dctil y tenaz. Sus propiedades mecnicas
varan con la composicin. En promedio presenta 300HB de dureza, 8801100MPa de carga de rotura, alargamientos del orden de 30-60%.
La solucin slida Ferrita alfa () presenta la mxima solubilidad 0,0218%C- a
727C, a temperatura ambiente esta solubilidad es casi nula (0,008%C).
Debido a que el radio del carbono es mucho mayor que el espacio disponible
en esta celda (para BCC, la relacin de soluto a solvente debe ser r/R = 0,154),
tampoco se alcanza aqu la mxima solubilidad terica y como puede verse,
sta es menor incluso que la mxima que presenta la austenita.

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La Ferrita es amagntica a temperatura superiores a 770C y magntica a


temperaturas inferiores. Es el constituyente ms blando del diagrama Fe-C.
Presenta una dureza de 90 HB, 300 MPa de carga de rotura, 40% de
alargamiento

Figura 4.12. Diagrama Fe-C. Diagrama estable con lneas punteadas, diagrama
metaestable con lneas continuas.

4.4 Difusin.- Es un fenmeno de transporte de materia por movimiento atmico.


Es un transporte trmicamente activado de tomos en un slido, de una regin a
otra del mismo.

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Cu

Ni

Cu

Ni

Cu
Ni

Ejemplo de Difusin

Perfil de concentraciones

Figura 4.13 Esquema de difusin en estado slido


Para que el tomo pueda moverse de un sitio a otro necesita romper una barrera
de energa de activacin, precisamente, se denomina energa de activacin Qd., a
la energa requerida para producir el movimiento difusivo de los tomos.
La difusin puede darse por dos mecanismos:
-

Difusin por vacancias: difunden tomos de un metal puro, se llama


autodifusin
Difusin por intersticiales: difunden tomos de otro metal (impurezas)
mediante intersticiales.

Figura 4.14 Mecanismo de autodifusin (Difusin por vacancias)

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4.1 Difusin en estado estacionario


La difusin depende del tiempo. El flujo de difusin J, es la masa (o nmero de
tomos) M que difunde perpendicularmente a travs de la unidad de rea de
un slido, por unidad de tiempo, tal como se esquematiza en la figura N 4.15
M
, donde A es el rea y t es el tiempo, J, flujo de difusin es la
At
velocidad de transporte de masa que, en su forma diferencial, puede escribirse
como:
J=

J=

1 dM
A dt

g
, para que sea estado estacionario, es necesario que J, no

m 2 S

cambie con el tiempo.


Perfil de concentracin.- Es el grfico de la concentracin C frente a la
posicin (distancia): la pendiente de la grfica en un punto determinado es el
dC
C C A C B
=
, si el grfico es lineal:
gradiente de concentracin:
dx
X X A X B

Lmina metlica
Gas a presin PA

CA

Gas a presin PB
CB

PA > PB

Direccin de difusin de las


sustancias difusivas

XA

XB

Posicin, X

rea, A

(a)

(b)

Figura 4.15, a) Difusin en estado estacionario a travs de una lmina delgada, b)


Perfil de concentraciones para la situacin a)

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4.2 Primera ley de Fick


Suele ser ms conveniente expresar la difusin por unidad de volumen. En una
direccin dada, en estado estacionario, esto se expresa por la primera Ley de
Fick. Esta ley dice que en flujo de una especie metlica dada en el interior de
una red cristalina, es proporcional al gradiente de la composicin (En forma
similar a como el flujo de calor es proporcional al gradiente de temperatura), la
dC
, D es el coeficiente de difusin.
primera ley de Fick se expresa as: J = D
dx
En estado no estacionario rige la segunda ley de Fick:
es independiente de la composicin:

C C
= D
, si D
t x x

C
2C
=D
t
x 2

4.3 Factores que influyen en la difusin


El coeficiente de difusin es un indicativo de la velocidad a la cual difunden las
substancias. Este coeficiente depende tanto de la substancia que difunde como
del material a travs del cual lo hace. Otro de los factores que ejerce gran
influencia es la temperatura. La dependencia del coeficiente D con la
Qd
RT

temperatura sigue una ley exponencial, tal como esta: D = D0 exp

donde

Qd, es la energa de activacin, R es la constante de los gases, T, es la


temperatura en grados Kelvin, y D0 es el factor de frecuencia (de movimiento

m
de los tomos) independiente de la temperatura

Tomando

logaritmos

naturales

Qd
Qd 1
ln D0 = ln D0
ln D =
R
T
R

la

expresin

anterior,

tenemos:

que es una ecuacin lineal para 1/T. Si se

representa grficamente D versus 1/T, obtendremos una recta cuya pendiente es


Q
d y lnD0, es la ordenada en el origen, de este modo se determinan
R
experimentalmente Qd y D0.

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4.4 Defectos de lnea: dislocaciones


Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una
lnea. Se crean durante la solidificacin de los slidos cristalinos, asimismo se
pueden formar por deformacin plstica del slido cristalino.
Desde un punto de vista puramente terico, el concepto de dislocacin fue
propuesto en 1934 por Taylor, Orowan y Polany como una explicacin a la
debilidad experimental que presentan los cristales reales en la deformacin
plstica frente a los valores tericos calculados en funcin del enlace metlico. El
esfuerzo de deformacin real es de 1000 a 10000 veces menor que el terico.
Actualmente la teora de dislocaciones se aplica a casi todos los aspectos de la
deformacin plstica y explica muchas de las interrogantes relativas al
comportamiento mecnico de los metales, por ejemplo: deslizamiento cristalino,
acritud, tenacidad, recristalizacin y fluencia.
Existen tres tipos de dislocaciones: tipo cua, de hlice y mixta.
4.4.1 Dislocacin tipo cua: Se crea en un cristal por insercin de un semiplano
adicional de tomos. Se simboliza mediante (dislocacin positiva), T (dislocacin
negativa). Se denomina deslizamiento o vector b de Burgers a la distancia de
desplazamiento de los tomos en torno a una dislocacin; b es perpendicular a la
lnea de dislocacin de cua. La dislocacin de cua tiene una zona de esfuerzo
de compresin donde se encuentra el semiplano adicional de tomos y una regin
de esfuerzo de tensin por debajo del semiplano de tomos. Se denomina circuito
de Burgers al circuito que es necesario recorrer desde la zona deslizada a la no
deslizada; el vector necesario para cerrar el circuito se denomina vector de
Burgers. En la figura 4.16 se esquematiza este tipo de dislocacin.

Figura 4.16 Dislocacin tipo cua

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4.4.2 Dislocacin helicoidal: Se genera en un cristal perfecto por aplicacin de


esfuerzos de cizalladura. Se forma una regin de distorsin en forma espiral o
rampa helicoidal alrededor de las lneas dislocadas. El vector de Burgers es
paralelo a la lnea de dislocacin. En torno a la dislocacin se crea una regin de
tensin de cizalla en la que se almacena energa, ver esquema en la figura 4.17.
La mayor parte de las dislocaciones en un metal son mixtas y pueden verse en un
microscopio electrnico.

Figura N4.17. Dislocacin tipo hlice.

4.4.3 Influencia de las dislocaciones en la deformacin


Como se ha mencionado anteriormente, todo material policristalino presenta
dislocaciones en su interior y stas son las responsables de la facilidad con que se
deforma un material de este tipo, por ejemplo, un metal.
El deslizamiento de los planos, a consecuencia de la fuerza aplicada para producir
la deformacin, se ve facilitada cuando algunos de stos estn incompletos y, por
tanto, carentes de enlaces zona de la dislocacin-. En trminos de dislocaciones
se puede decir que durante la deformacin, el plano o los planos- incompletos
van viajando de una zona a otra, lo que dicho de otra manera, significa que las
dislocaciones van viajando de una zona a otra. Sin embargo, durante la
deformacin plstica de un metal, no slo se produce el movimiento de
dislocaciones sino que se genera un gran nmero de nuevas dislocaciones,
tantas que en algn momento llegan a obstaculizar el movimiento entre ellas
mismas, traducindose esto en un endurecimiento del metal (se necesita ms
esfuerzo para continuar con la deformacin), este fenmeno se conoce como
acritud.
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4.5 Defectos interfaciales


Son lmites que separan granos (lmites de grano) o cristales de diferentes
orientaciones. Se forman durante la solidificacin, al entrar en contacto cristales o
granos de diferente orientacin que han crecido simultneamente.
Es una regin estrecha, de 2 a 5 dimetros atmicos de ancho. El
empaquetamiento atmico es menor en esta regin que dentro del grano y
algunos tomos estn en posicin de tensin, por lo que aumenta la energa en
esta regin. Son zonas de concentracin dislocaciones.

Esquema de juntas de grano


Grano cristalino
Es el conjunto de celdas cristalinas
apiladas siguiendo la misma
orientacin.

Juntas de grano de un acero austentico


Microestructura o estructura granular :
conjunto de todos los granos cristalinos

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4.6 Relacin entre dislocaciones y deformacin

a)

b)

c)

Figura 4.18
Movimiento de una dislocacin
sobre
su
plano
de
deslizamiento, P desde la cara
izquierda hasta la derecha del
cristal
originando
una
deformacin
plstica
irreversible,
igual
a
una
distancia interatmica a lo largo
de la direccin de deslizamiento
(situacin e).

En
cualquier
posicin
intermedia, por ejemplo caso c,
la dislocacin divide al cristal en
dos mitades, una deformada a
la izquierda de y otra sin
deformar a la derecha de
observa
cmo
la
deformacin plstica final es
simplemente el traslado de la
dislocacin
desde
una
posicin inicial hasta una final
en la cara externa del cristal.

Se

d)

e)

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Ya hemos visto que, en ltimo trmino, la deformacin de un material cristalino se


traduce en el movimiento de dislocaciones: cunto ms fcil sean de mover, ms
deformable y menos resistente es el material.
Las dislocaciones no se mueven con la misma facilidad en cualquier direccin,
normalmente existen planos preferidos y dentro de stos algunas direcciones
especficas a lo largo de las cuales ocurre el desplazamiento de las dislocaciones,
son los llamados planos y direcciones de fcil deslizamiento.
Los deslizamientos ms probables de las dislocaciones son aquellos en que el
plano de deslizamiento coincide con el plano cristalogrfico de mayor densidad
atmica. A mayor compacidad o densidad del plano, mayor resulta el espaciado
entre planos paralelos y por tanto, menor resistencia intrnsica de la red al
deslizamiento. La direccin de deslizamiento ms probable coincide con la del
vector de Burgers ms pequeo posible, que es la direccin ms compacta dentro
de ese plano de deslizamiento.
En los metales y aleaciones que cristalizan en el sistema cbico de caras
centradas los sistemas de deslizamiento ms compactos estn formados por los
planos 111 y las direcciones <110>. Como en la celda hay 4 planos 111 y
cada plano contiene tres direcciones <110>, hay un total de 12 sistemas de
deslizamiento. En los metales cbicos de cuerpo centrado las direcciones
compactas son las <111> pero no hay planos totalmente compactos y por tanto no
hay un plano de deslizamiento nico. Se comprueba que el deslizamiento se
presenta en los planos 110, 112 123 por consiguiente hay 48 posibles
sistemas de deslizamiento. Pero para que ese deslizamiento se produzca se
requieren tensiones cizallantes ms elevadas que en los metales cbicos de caras
centradas. Por eso los metales fcc son ms deformables que los bcc.

4.7 Mecanismos de endurecimiento en materiales metlicos


Ya que la deformacin se ve facilitada por el movimiento de las dislocaciones, la
forma ms eficaz de aumentar la resistencia de un material es impedir o dificultar
el movimiento de las dislocaciones, por ello, todo mecanismo que vaya en esa
direccin ser eficaz para endurecer el material. Los mecanismos ms comunes
empleados con este fin son:
1.
2.
3.
4.

Endurecimiento por solucin slida


Endurecimiento por afino de grano
Endurecimiento por deformacin en fro
Endurecimiento por segundas fases precipitadas

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5. Endurecimiento por transformaciones de fase


microestructura).

(modificacin

de la

4.7.1 Endurecimiento por solucin slida


Los tomos en solucin slida causan endurecimiento del material debido a la
distorsin que producen en la red del solvente. Cuanto mayor es la distorsin de la
red, mayor es el endurecimiento.
En general, el incremento de resistencia (lmite de fluencia) es proporcional a la
f c , donde c es la
raz cuadrada de la concentracin, es decir:
concentracin del soluto. Para pequeas cantidades de soluto, la relacin puede
considerarse lineal.
Los tomos en solucin slida de sustitucin producen menores distorsiones que
los tomos en insercin, por ello estos ltimos producen mayor endurecimiento,
como se ve en las figuras. En las figuras 4.19 y 4.21 se muestran ejemplos de este
mecanismo de endurecimiento en aceros y latones.
Los elementos en solucin slida tambin pueden influir sobre otros mecanismos
de endurecimiento: pueden influir en el tamao de grano, pueden inducir la
precipitacin de segundas fases, pueden alterar las transformaciones de fase y
modificar la microestructura. Por otra parte, el aumento de resistencia que
producen los elementos en solucin slida, conlleva una disminucin de la
tenacidad (aumento de la temperatura ITT)

Figura 4.19
Endurecimiento por
solucin slida en un acero ferritoperltico.

4.7.2 Endurecimiento por afino de grano


Tf
, las juntas de
3
grano constituyen fuertes barreras para el desplazamiento de las dislocaciones.
Ello es as porque, al pasar de un grano a otro, la dislocacin tiene que cambiar de

En los agregados policristalinos, a temperaturas menores que

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direccin debido a que el desorden atmico de la junta de grano produce


discontinuidad en los planos de deslizamiento. Esta es la razn por la que los
materiales con tamao de grano pequeo, fino, son ms resistentes que los de
tamao grande, grueso, pues en los primeros existen ms juntas de grano y, por
tanto, ms barreras para las dislocaciones. Este mecanismo de endurecimiento es
el ms documentado y est explicado mediante la ley de Hall Petch:
f = 0 + kd 1 / 2 , donde "f" es el lmite elstico, "k" una constante del material y
d es el tamao de grano. Por otra parte, el afino de grano es el nico factor que
simultneamente aumenta la resistencia y la tenacidad (disminuye la ITT). En
general, se tiene la siguiente ecuacin para ITT: T = ln ln c ln d 1 / 2 , donde
y c son constantes del material, T es la ITT y d el tamao de grano. Ambos
efectos se muestran en la figura 4.20, para aceros al carbono.

Figura 4. 20 Efecto del tamao de grano en el endurecimiento y la tenacidad de


un acero ferrito-perltico

Figura 4.21
Efecto del contenido de cinc sobre a) el lmite elstico, b)
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resistencia a la traccin, c) ductilidad en diversos latones

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4.7.3 Endurecimiento por deformacin


Es el fenmeno por el cual un metal dctil se hace ms duro y resistente a medida
que es deformado plsticamente, es lo que se llama acritud o endurecimiento por
trabajo (deformacin) en fro.
El porcentaje de trabajo en fro "Cold Work" se determina mediante la siguiente
relacin:
A Ad
%CW = 0
x100 , donde A0 es el rea inicial y Ad el rea despus de la
A0
deformacin. En las figuras 4.22, se muestra cmo al aumentar el porcentaje de
deformacin aumenta la resistencia del material y disminuye la ductilidad en
diversos materiales.
Si recordamos el comportamiento del material metlico durante el ensayo de
traccin, vemos que la expresin de Ludwick = K n , donde "n" es el coeficiente
de acritud y es igual al mximo alargamiento uniforme, tambin nos indica que a
mayor deformacin mayor resistencia del material.
En el caso de la deformacin en fro el material endurece por la generacin de
nuevas dislocaciones que se suman a las ya existentes en el material. La
densidad de dislocaciones puede llegar a ser tan alta que se obstruyan entre ellas
mismas el movimiento oponindose as a la deformacin. En general se puede
relacionar el aumento del lmite elstico con el aumento de dislocaciones mediante
la siguiente relacin: f = 0 + k , donde "k" es una constante del material y "" es la
densidad de dislocaciones.

4.7.4 Recuperacin, recristalizacin y crecimiento de grano


Durante la deformacin ocurren ciertos cambios y fenmenos en la estructura
granular del material. Se produce un alargamiento de los granos en la direccin de
la deformacin, aumento de las dislocaciones que se concentran en las juntas de
grano y las maclas de deformacin, todas estas zonas quedan convertidas en
zonas de alta energa. Exteriormente todo esto causa el endurecimiento del
material. Adems se producen modificaciones en otras propiedades tales como la
conductividad elctrica y la resistencia a la corrosin.
Una parte de la energa consumida en la deformacin es almacenada en el metal
como energa de deformacin y las propiedades modificadas pueden recuperarse
por fenmenos de restauracin y recristalizacin. Para esto se somete al material
a un tratamiento trmico de recristalizacin.

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Figura 4.22 Variacin del lmite elstico y ductilidad, con el porcentaje de deformacin en fro para el Acero AISI 1040,
Latn y Cobre.

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Este tratamiento consiste en el calentamiento del material hasta una temperatura


adecuada llamada temperatura de recristalizacin.
El proceso se da en tres partes. Una primera llamada de restauracin, la segunda
que es propiamente la recristalizacin y una ltima que es la etapa de crecimiento
de grano. En la figura 4.23 se muestra esquemticamente este proceso y los
cambios que suceden.
Restauracin o recuperacin.- En esta etapa se produce un reordenamiento de
las dislocaciones, como consecuencia de la difusin a alta temperatura de los
tomos (movimiento de tomos en estado slido). Los granos no cambian de
forma, lo que se elimina son algunos de los defectos de deformacin creados en el
interior de los mismos. Se produce una recuperacin de las propiedades fsicas y
leve mejora de las mecnicas.
Recristalizacin.- Consiste en la creacin de nuevos granos no deformados y
libres de dislocaciones. La nucleacin de los nuevos granos ocurre en las juntas
de los granos deformados y en las zonas de defectos. La temperatura a la cual
sucede este fenmeno se llama temperatura de recristalizacin Trex, que es la
temperatura a la cual ocurre la recristalizacin total en una hora. Est
T
T
comprendida entre F F
3
2
El proceso de recristalizacin depende tanto del tiempo como de la temperatura y
se da por un fenmeno de nucleacin y crecimiento.
La fraccin de granos recristalizados aumenta con el tiempo y sigue la
denominada ley de Avrami: y = 1 exp( kt n ) , donde "k" y "n" son constantes de la
reaccin independientes del tiempo.
La temperatura de recristalizacin depende de varios factores, entre ellos, del
grado de deformacin y la pureza de la aleacin. Como se ve en el grfico 4.24,
existe un grado de deformacin crtico por debajo del cual no se produce la
recristalizacin y, a mayor grado de deformacin disminuye la temperatura de
recristalizacin.
La recuperacin de propiedades mecnicas sucede cuando los granos han
recristalizado. Por otra parte, la recristalizacin produce un afino de grano y cuanto
mayor sea la deformacin menor ser el tamao de grano final.
La temperatura de recristalizacin marca el lmite entre lo que es la deformacin
en fro y la deformacin en caliente. La deformacin en caliente se realiza a una
temperatura tal que los granos deformados recristalizan durante el proceso mismo

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de deformacin. Por tanto, despus de deformacin en caliente no se obtiene un


material con acritud.

Figura 4.23 Influencia de la


temperatura de recocido sobre
la resistencia a la traccin y
ductilidad de un latn. Se
muestra tambin el
crecimiento de grano con la
temperatura y un esquema del
cambio microestructural
durante la restauracin,
recristalizacin y crecimiento
de grano

Figura 4.24.
Variacin de la temperatura
de recristalizacin con el
porcentaje de trabajo en
fro para el hierro

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4.7.5 Crecimiento de grano


Despus de terminada la recristalizacin los granos libres de deformacin
continan creciendo si la temperatura se mantiene elevada. El crecimiento de
grano no est necesariamente precedido del fenmeno de recristalizacin y ocurre
en cualquier material policristalino: metlicos o cermicos.
Durante el crecimiento de grano se produce un movimiento de las juntas de grano,
por ello una forma de impedir que crezcan es anclarlos es el fundamento del
afino de grano en aceros estructurales, con el uso d elementos microaleantesLa ecuacin que relaciona el tamao de grano con el tiempo sigue, segn muchos
autores, esta relacin:
d n d 0n = kt , donde k y n son cons tan tes, n 2

d0 es el dimetro inicial. En la figura 4.25 se muestra cmo el dimetro d


aumenta con el tiempo y la temperatura.

Figura 4.25 Crecimiento del grano frente al tiempo para diversas el latn a diversas
temperaturas.

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Bibliografa
1. Michael F. Asbhy, David R.H. Jones, Materiales para Ingeniera 1; Editorial
Revert, Barcelona, 2008
2. J. A. Pero-Sanz Elorz, Ciencia e ingeniera de los materiales, Editorial
Dossat, 2ed. Madrid, 1998.
3. .William D. Callister, Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los
Materiales, Editorial Revert, S.A.; Barcelona, 1995
4. William F. Smith, Fundamentos de l Ciencia e Ingeniera de Materiales,
McGraw-Hill/Interamericana de Espaa, Madrid, Tercera edicin, 1998.
5. . Michael F. Ashby y David Jones, Engineering Materials T1 y T2,
Pergamon Press Oxford, 1era edicin, 1986
6. R. Flinn, P. K. Trojan, Materiales de ingeniera y sus aplicaciones, Editorial
Mc Graw Hill Latinoamericana, 1979.
7. Donald Askeland, La ciencia e ingeniera de los materiales, Grupo editorial
Iberoamrica, Mxico, 1era edicin 1985
8. Van Vlack, Lawrence, Materiales para Ingeniera, Compaa editorial
Continental, S.A. de C.V., Mxico, 4 edicin. 1984
9. www.asminternational.org

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