DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar

TRIACS Y TIRISTORES (Es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos
terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en forma opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente
no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en
conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se
utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de
fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando:

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito
abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a
1 W)

Diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el
diodo Schottky tiene una unin Metal-N. El metal suele ser oro, plata o
platino y el semiconductor un dopado tipo N.
En este tipo de diodo, una de las caras de la unin semiconductora carece
de capa de transicin y como consecuencia de esto no aparece
almacenamiento de cargas en la unin como ocurre con un diodo normal al
que le lleva un tiempo recuperarse (Reverse recovery time) trr.
Cuando en un rectificador se incrementa la frecuencia la seal rectificada
comienza a deteriorarse porque un diodo normal no es capaz de conmutar
(on-off) lo suficientemente rpido para producir una media onda bien definida.

Este problema se puede resolver con la utilizacin del diodo Schottky que se
caracteriza por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje
cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor
comn pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin
en aplicaciones de potencia. Estas son:
El diodo
Schottky tiene
poca capacidad de
conduccin
de corriente en directo
Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo
rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de
alimentacin) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir
en sentido directo es bastante grande.
- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen
inversamente (VCRR). El proceso de rectificacin antes mencionado
tambin requiere que la tensin inversa que tiene que soportar el
diodo sea grande.

Smbolo del diodo Schottky

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de

aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadoras.
En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de
conmutacin y su poca cada de voltaje en directo causa poco gasto
de energa.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor
del fsico alemn Walter H.

12.2.- Diodo Shockley

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por
cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la
figuras 12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin
J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado.
Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha
donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la
misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una

manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su

estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c).
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el
circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la
grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro
regiones de operacin:

1.- Zon
a directa
(V
>
0)
1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy
bajas. En esta regin se puede modelar como unaresistencia ROFF de valor

1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es

suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy
elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa
debido a la realimentacin positiva de su estructura.
1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin
entre
nodo
y
ctodo
est
comprendida
entre
0.5V
y
1.5V,
prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre
que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles
de mantenimiento definidos por VH e IH.
2.- Zona inversa (V<0)
2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa
VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos
de ruptura por avalancha.

12.2.1 - SIDAC
El SIDAC (Silicon Diode for Alternating Current) es un dispositivo bilateral de
disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con
unas caractersticas elctricas simtricas.
En la figura 12.4.a se describe su estructura fsica, en la figura 12.4.b el smbolo de
este dispositivo y en la figura 12.4.c sus caractersticas elctricas simtricas.
El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de
disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270V (tpicos).
En comparacin con el DIAC, este tiene cinco capas, una tensin de ruptura y
corriente de mantenimiento ms elevada. Adems el DIAC ofrece una menor cada
de tensin y menor corriente de mantenimiento. Por otro lado el DIAC suele
utilizarse tambin como dispositivo de disparo (trigger) de otro dispositivo de corte
y el SDIAC solo se utiliza como dispositivo de corte. (switching device)
El modo de operacin del SIDAC es funcionalmente similar al de un spark gap. El
SDIAC permanece sin conduccin hasta que el voltaje aplicado exceda del voltaje de
ruptura.
Una vez que entra en estado de conduccin pasa a la parte de resistencia dinmica
negativa y continua conduciendo (aunque el voltaje sea menor que el de ruptura

y/o descienda) y continuar conduciendo hasta que la corriente que lo recorre

descienda por debajo de la corriente de mantenimiento. En este punto el SDIAC
vuelve al estado inicial de no conduccin y el ciclo comience nuevamente.
El SDIAC es un dispositivo poco comn que est agrupado en dispositivos
especiales y que suele utilizarse cuando los voltajes son demasiado bajos como
para emplear un spark gap, en estos casos, el SDIAC es un componente
indispensable.

El MKP3V120 de Motorola es
un ejemplo tpico
de
un SIDAC,
con
una corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO = 120 V (pertenece a
la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras definen la VBO).

En la figura 12.5 se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin.

En este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente
independiente de la corriente.
Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC es como generador de diente de
sierra en donde se aprovecha las caractersticas de disparo y bloqueo de este
dispositivo.

TL431: Zenerajustable desde2,5Volts a36Volts

Entre los componentes electrnicos que encontramos dentro de las actuales fuentes de alimentacin conmutadas,
existe uno muy enigmtico, de difcil evaluacin, para conocer su verdadero estado de funcionamiento, y del que las
hojas de datos ofrecen poca informacin, ms all de mostrar que se trata de un circuito integrado. Adems de saber
que el TL431 (conocido con otros prefijos; segn el fabricante) es un Adjustable Precision Zener Shunt Regulator los
textos no suministran demasiados indicios de cmo evaluar y, en el mejor de los casos, utilizar en forma prctica este
componente. Y como todo dispositivo misterioso, en una falla y ante la duda, termina siendo reemplazado por uno
nuevo. No tires ms el dinero a la basura y aprende a sacar ventajas de este interesante Zener Ajustable de
Precisin.
El TL-AZ-LM431 es un regulador Shunt ajustable con todas las caractersticas que puede tener el mejor diodo
zener tradicional y que la mayora conoce. Pero antes de hablar de este circuito integrado tan popular, vale hacer una
breve resea para aquellos que no conozcan a fondo el funcionamiento de un diodo zener, es decir, hagamos un poco
de electrnica bsica. Su aspecto suele ser el mismo que el de un diodo tradicional, pero su funcionalidad no se basa
en dejar circular la corriente en un sentido e impedir este procedimiento en el sentido inverso. Si recordamos el diodo
tradicional, este consta de dos materiales semiconductores unidos, donde cada material posee caractersticas
particulares (infusiones). Uno est dopado (tiene abundancia) con electrones libres y forma la regin N del diodo, que
en la prctica conocemos como Ctodo. En forma universal, en los circuitos, se suele encontrar representada con la
abreviatura K. se es, en la prctica, uno de los terminales del diodo que, como caracterstica distintiva posee una raya
o lnea de indicacin, para decirnos: yo soy el ctodo. La otra regin est tambin realizada como una aleacin con

un material que posee falta de electrones o, lo que es lo mismo, abundancia de huecos o lagunas. ste es el terminal
conocido comonodo. Cuando estos materiales se unen por primera vez, existe un pasaje de electrones hacia el
material carente de ellos hasta que se forma una zona de equilibrio y la corriente deja de circular o se hace
despreciable (siempre puede existir, debido a agitacin trmica, variacin de temperatura, etc.) y a esta condicin se la
puede considerar como de equilibrio trmico.

Cuando inyectamos electrones a la regin N, estos se atraen hacia los huecos (o lagunas) que abundan en la regin
P y la juntura se estrecha a tal punto que los electrones saltan la barrera de potencial pasando a poner el diodo en
conduccin, polarizado en directa. Nunca se cierra en forma completa el paso, siempre queda un potencial a
vencer y eso vara de un diodo a otro segn el material y la tecnologa de construccin de estos semiconductores. A la
inversa, la regin P absorbe electrones, los electrones de la regin N se van hacia el polo positivo donde abundan los
huecos, y la barrera de potencial se ensancha hasta un punto en que el material se torna estable y no hay ms
elementos para combinar. En esta instancia, el diodo est polarizado en inversa y la corriente no circula en
cantidades, como lo hara en polarizacin directa. Pasando a la clsica grfica de la curva caracterstica de un
diodo, veremos que en el primer cuadrante encontramos la funcin caracterstica de conduccin del diodo, a partir del
umbral de la tensin de juntura, propia de cada diodo.

Es decir, en polarizacin directa, el diodo conduce y la grfica nos lo muestra, con mnima necesidad de tensin,
circula gran cantidad de corriente. En el tercer cuadrante, encontrbamos la respuesta a la polarizacin inversa donde
existe una nfima corriente de fuga inversa que, si incrementamos la tensin aplicada a los terminales, llegaremos
hasta alcanzar un punto conocido como tensin de ruptura del diodo. Esto es, la tensin necesaria que se necesita
para vencer la juntura NP polarizada en forma inversa y ensanchada al mximo por esta conexin. En ese punto de

ruptura, la curva cae de manera abrupta y recta provocando una circulacin de corriente tan elevada que lleva al diodo
a un estado de cortocircuito (conduccin en ambos sentidos) y/o destruccin. Para los diodos zener en particular
(fabricados en forma especial para funcionar as) la curva hacia la ruptura es amplia, muy amplia respecto a un diodo
tradicional que es muy cerrada y de rpida cada. Como puedes ver en la imagen superior, esa curva admite algunas
centenas de mili-volts mientras por el diodo circula corriente en forma inversa. De este modo, un diodo zener puede
regular una tensin de trabajo gracias a esa corriente que circula en su interior, en forma inversa, pero hay que tener
mucho cuidado aqu. Un zener puede disipar poca potencia y no puede absorber la corriente que se nos ocurra para
mantener estable una tensin. El 7805 no hubiera existido si esto fuera as. El zener tampoco almacena energa para
alimentar un circuito como lo hara un capacitor electroltico. Para una mejor comprensin, nada mejor que un
grfico.

Los tradicionales diodos zener vienen en tensiones que varan desde los 2,4Volts hasta los 200Volts con potencias de
hasta 50Watts, pero vamos a comprar todos los diodos zener del mercado para, quizs, nunca utilizar algunos? Hay
tensiones que se utilizan muy poco y las ms empleadas en los circuitos de control, o baja potencia, no llegan ms all
de los 30Volts. La cantidad se reduce drsticamente, pero seguimos necesitando varias decenas de valores. Sobre esa
necesidad habla este artculo y cmo resolverla. El TL431 es, en sntesis, un diodo zener ajustable entre 2,5Volts y
36Volts. Segn el fabricante, cambia su prefijo pero su nomenclatura siempre llevar el 431. Al final del artculo te
dejamos una serie de hojas de datos de diversos fabricantes de este circuito integrado y all podrs apreciar que, no
slo cambia el prefijo, sino que las letras finales tambin lo hacen indicando tensin mxima de
trabajo, temperatura de operacin y otros parmetros que hacen al desempeo y la utilizacin de este dispositivo.
Nosotros lo llamaremos TL431 en todo el artculo, pero ya sabes que puede venir con otros nombres. Su utilizacin
depende de tres resistencias, su implementacin es muy sencilla y su costo es irrisorio por lo que resulta extrao su
poco uso en la electrnica diaria de la mayora de los desarrolladores. Como en NeoTeo no dejamos nada sin utilizar o
reciclar, nos propusimos hacer algo con este zener ajustable (que abunda) y aparecieron, por ejemplo, los siguientes
circuitos:

Hasta ahora, la mejor referencia que tenamos para utilizar con un PIC, en AN3/Vref+, era un LM336-2.5V o el LM3365V. De este modo, como hemos visto en otros artculos donde utilizamos el de 2,5Volts, las mediciones con el ADC del
PIC son precisas durante todo momento, sin importar las fluctuaciones que pueda tener la alimentacin del PIC, ante la
activacin de cargas externas. Recordemos que cuando utilizamos la referencia interna del PIC, desconectando los
comparadores de tensin que trae en su encapsulado, las mediciones pueden ser errneas ya que un LED encendido

de ms o de menos puede alterarnos la conversin ADC. 1023 muestras divididas por una tensin fluctuante, puede
proporcionarnos valores imposibles para mediciones de control de precisin. En el caso de 1023 / 5Volts tendremos
una muestra cada 4,88mV y para 2,5Volts ser, por lgica la mitad: 2,44Volts. Con el TL431, para obtener otros valores
diferentes a 2,5 o 5Volts, debemos realizar un pequeo arreglo de resistencias y unas pocas operaciones matemticas
muy elementales. Recuerda siempre mantener la corriente de zener "Iz" a un valor seguro debajo de 100mA.
Observa:

Debemos tener en cuenta, y muy en claro, que estamos hablando de circuitos que se utilizan como referencias de
tensin, es decir, donde no alimentaremos nada, ni siquiera un LED y la corriente que puedan entregar estar en el
orden de los micro-amperes o apenas un par de mili-amperes. As trabaja un zener convencional y as lo hace
el TL431 con la ventaja de que este circuito integrado te permitir tener un zener hecho a tu necesidad y medida. El
circuito de aplicacin que vemos en la imagen de arriba, en la prctica, se ver de la siguiente manera:

Ahora que ya tenemos en claro como utilizar el TL431 como si fuera un zener variable, nuestro paso obligado es
transformar esta idea de diseo en una fuente de alimentacin regulada serie. El esquema que te mostramos es
elemental y bsico como para comenzar a hacer los primeros ensayos y experimentos (porque de eso se trata este
juego). Puedes iniciar con una pequea fuente de alimentacin de 1 Amper empleando un BC337, o un BC639, y
experimentar con ella en circuitos de pequeo y mediano consumo. La tensin de salida, segn el ejemplo tomado de
la hoja de datos, ser de 5Volts y debes tener en cuenta, segn lo que menciona la misma, es que Rb debe proveer
unacorriente de ctodo mayor a 1mA hacia el TL431. Si la hoja de datos menciona que podemos drenar una corriente
comprendida entre 1 y 100mA podemos seleccionar 50mA como valor seguro para corriente de ctodo en este caso
junto a una alimentacin de entrada de 10Volts (utilizando un transformador que nos rectifique 7,5VAC). De este modo,
Rb = 10V / 0,05A = 200 Ohms, por lo que una R de 220 Ohms funcionar sin problemas. (Recuerda, por all pasa muy
baja corriente, no es necesaria una R de alta disipacin). El resto, es la frmula ya conocida utilizando resistencias
iguales de 27K. El circuito entonces, quedar de este modo:

La ltima parte de este artculo estar dedicada a encontrar la forma de perder el miedo a este componente
desconocido y complejo. Para esto, tenemos que saber algunos secretos muy sencillos de recordar y muy tiles para el
futuro, cuando se nos crucen por el camino. Por ejemplo, este IC siempre estar sobre el secundario de las fuentes
conmutadas que traen los reproductores de DVD econmicos (chinos), o de cualquier otro tipo de fuente conmutada
econmica (de TV)(obvio, tambin chino). La disposicin de pines puede asustarte al principio, pero al familiarizarte
con este dispositivo, ser muy sencilla su inclusin en futuros diseos. Los ensayos que puedes hacer para comprobar
si funcionan de manera correcta, son tambin muy simples. Estableces el circuito donde unes Vref con el Ctodo y
colocas una R que le haga circular al menos 10mA, eso es todo, es el primer circuito que vimos. Si obtienes 2,5Volts en
el ctodo, significar que el dispositivo funciona. Por supuesto, antes puedes hacer un ensayo esttico con el
multmetro observando que no existan cortocircuitos entre sus pines y tambin puedes avanzar un poco ms hasta
organizar una pequea fuente de alimentacin de configuracin serie, sobre un protoboard.
Por lo tanto; son baratos, sirven para reemplazar a todos los zeners y sistemas de referencia de tensin que conozcas
(salvo casos extraordinarios), ya sabes donde encontrarlos si no deseas comprarlos, tambin sabes cmo ensayarlos,
por si dudas sobre su funcionamiento. Deja ya de usar un 7805 como referencia! No necesitas ms, slo animarte y
usarlos. Recuerda que soportan hasta 100mA de corriente en polarizacin inversa y son capaces de transformarse en
un zener de 2,5Volts a 36Volts con apenas un par de resistencias. No conocas a este dispositivo? En TV y DVD se
utiliza desde hace algunos aos con mucho xito. Cuntanos tus experiencias en el Foro de Electrnica de NeoTeo y
comparte tus circuitos con todo el mundo. Sorprndenos! Te esperamos!
Con la proliferacin de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez ms complejo, para el actual diseador,
seleccionar el mejor producto para su aplicacin. La evolucin de este tipo de dispositivos,nacidos para eliminar el
clsico rel de conmutacin de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros,
por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego losIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor). En la
actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes mquinas
elctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusin cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver
nuestra necesidad. Conociendo las caractersticas elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la
conmutacin en sistemas electrnicos de potencia, podremos discernir qu componente se ajusta a nuestras
necesidades de diseo.

TRi terminals transitor . Etc

A pesar de sus enormes limitaciones funcionales, el transistor bipolar fue la nica solucin real y verdadera a las
aplicaciones de conmutacin hasta la aparicin en escena de los transistores de potencia MOSFET, durante la dcada
del 70 en el siglo pasado. El transistor bipolar (BJT), para funcionar como interruptor de conmutacin, requiere de
una (hoy considerada) alta corriente de base para entrar en estado de conduccin o saturacin y adems, es
relativamente lento en sus caractersticas de apagado o corte, es decir, en la transicin de la saturacin al
corte (actualmente conocida como cola de corriente). Como desventajas adicionales, podemos mencionar en primer
lugar que el BJT posee una considerable dispersin trmica debido a su coeficiente de temperatura negativo. La
segunda desventaja importante es la incidencia que puede alcanzar en un circuito mientras se encuentra en estado de
conduccin. Este efecto (problemtico) se rige por la tensin de saturacin entre Colector y Emisor (Vce), que en
muchas aplicaciones suele alcanzar valores de varios voltios, an en condiciones de saturacin total. Si a esto lo
comparamos con el contacto de un rel, elBJT no es un elemento totalmente idneo para trabajar como interruptor ya

que si la corriente de colector es elevada, la potencia disipada en forma de calor puede llegar a niveles destructivos
para el transistor (P = V * I). Cuando las corrientes son pequeas, los BJT pueden ser una solucin econmica, pero si
de electrnica de potencia hablamos, su utilizacin es la menos indicada.

El transistor MOSFET, en cambio, es un dispositivo en el que su estado de corte o de conduccin se controla por
tensin en su terminal de control, no por corriente. El MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que les
permite detener fugas o dispersiones trmicas. En estado de conduccin, su resistencia no tiene lmite terico, por lo
tanto, su incidencia es notablemente inferior dentro de un circuito elctrico cuando se encuentra en estado de
saturacin gracias a que presenta una resistencia final (RDS-on) de unos pocos miliOhms. El MOSFET suele
tener tambin incorporado en su encapsulado un diodo, que es particularmente til en el tratamiento de sistemas
conmutados de corriente, impidiendo la retroalimentacin destructiva que se origina en este tipo de aplicaciones. A este
diodo se lo conoce como Damper. Todas estas ventajas comparativas y algunas otras ms, hicieron que
el MOSFET se convirtiera en el dispositivo preferido al momento de la eleccin en los diseos de manejo de
conmutacin de potencia. A pesar de todas las cualidades mencionadas, un punto dbil de esta tecnologa es la
potencia mxima de trabajo. Si bien existen dispositivos que pueden trabajar con altas tensiones (VDS > 400 Volts)
exista una necesidad de disponer de semiconductores adecuados para aplicaciones industriales de alta corriente
(IDS >100 Amperes). Fue as que, a lo largo de la dcada del 80, comenzaron a aparecer en escena los IGBT.

Cmo podramos definir al IGBT en pocas palabras? El IGBT es un cruce, un hbrido, entre los
transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de ambas tecnologas. El IGBT tiene la salida
de conmutacin y de conduccin con las caractersticas de los transistores bipolares, pero es controlado por tensin
como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo
de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conduccin por tensin que ofrece
un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y entre algunas de sus desventajas encontramos que
tienen una relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz) y no siempre traen el diodo de proteccin (Damper) que
incluyen los MOSFET. En sus primeras versiones, los IGBT eran propensos a entrar abruptamente en conduccin,
pero en la actualidad, las nuevas tecnologas de fabricacin estn eliminando este defecto. Otro de los posibles
problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura negativo que poseen, que podra conducir al
dispositivo a una deriva trmica muy difcil de controlar. Por supuesto, estas desventajas quedan eclipsadas cuando
debemos reconocer la capacidad de un IGBT de poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas
que permiten hablar de cientos de KiloWatts de potencia controlada.

En la batalla entre IGBTs y MOSFETs, ya sea un dispositivo como el otro, pueden demostrar que tiene ventajas y
desventajas en un mismo circuito dependiendo de las condiciones de funcionamiento y cada uno ser el indicado para
diferentes diseos, pero; Cmo debe un diseador seleccionar el dispositivo correcto para su aplicacin? El mejor
enfoque es comprender el rendimiento relativo de cada dispositivo y los valores nominales de corriente y tensin que
sean capaces de manejar. ElMOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un desarrollo constructivo muy
importante. LosIGBT son una nueva tecnologa que superar a los MOSFET por encima de los 300 Volts y los 100
Amperes, pero estos ltimos continan teniendo un crecimiento muy dinmico en el rea de la automocin y la
electrnica de consumo, lo que har que su decadencia no resulte tan pronta ni tan sencilla. Cada cual tendr su nicho
de trabajo y ser muy importante, para el diseador, aprender a identificar estos espacios para alcanzar un desarrollo
industrial eficiente, ajustado a las necesidades operativas del trabajo a realizar. Y t, has utilizado ya algn IGBT en
tus desarrollos?. Cuntanos, tu experiencia puede enriquecernos a todos.

Termistores NTC. Coeficiente de Temperatura

Negativo (NTC) termistores

Coeficiente de Temperatura Negativo (NTC) termistores son

resistencias semiconductores trmicamente sensibles que presentan
una disminucin de la resistencia a medida que aumenta
la temperatura absoluta. Cambio en la resistencia del termistor NTC
puede llevarse a cabo ya sea por un cambio en
la temperatura ambiente o internamente por autocalentamiento
resultante de la corriente que fluye a travs del dispositivo. La mayora
de las aplicaciones prcticas de termistores NTC se basan en estas
caractersticas de los materiales.
Dispositivos limitadores de corriente de irrupcin
RTI produce SURGE-GARD irrupcin de dispositivos limitadores de
corriente que utilizan especialmente formulados materiales de xido
de metal-cermica. Estos dispositivos son capaces de suprimir la
corriente de irrupcin alta subidas de tensin. Son especialmente
tiles en las fuentes de alimentacin donde la baja impedancia del
condensador de carga expone el rectificador puente de diodos para
una corriente transitoria excesivamente alta en el encendido.

Termistor Terminologa para dispositivos limitadores de corriente de

irrupcin

Yo MAX - El mximo estado estable RMS corriente AC o DC.

Yo OP - La corriente de funcionamiento real.
RI MAX - La resistencia aproximada en las mximas
condiciones actuales del estado estacionario.
Temperatura mxima de funcionamiento - se recomienda
la temperatura ambiente de RTI mxima es de 65 C sin
perdida de potencia. (Ref. fig. C para obtener informacin derating)
Tiempo de recuperacin - SURGE-Gard
dispositivos requieren de tiempo para volver a su estado de
resistencia ambiental a fin de proporcionar
una adecuada limitacin de la corriente de irrupcin en cada
poder del encendido. Este tiempo vara con cada dispositivo, la
configuracin de montaje y la temperatura ambiente de
operacin. RTI recomienda un mnimo de 60 segundos. La
seleccin de una resistencia de absorcin condensador puede
reducir el requisito requerido fresco tiempo de inactividad.

SURGE-GARD
Seleccin de
Procedimiento

Calcular I MAX

Calcular R @ 25 C
SeleccioneSURGE-GARD especificada para manejar
la energa de entrada y la corriente mxima con una R a 25 C
de valor capaz de limitar la corriente de entrada
Evaluar Valoracin Julios
Calcular elSURGE-GARD resistencia en I OPutilizando la
curva de la 'M' en la figura B
Revise la Figura C, si de-rating es necesaria para
las altas temperaturas ambiente de funcionamiento

SURGE-GARD
de instalacin
Opciones

Thru-hole Cables
Aislado / sin aislamiento
Separadores
Preformada conduce
Consulte la figura D

Aplicaciones
RTI sobretensiones GARDS se utilizan en muchas aplicaciones hoy
en da que requieren la limitacin de corriente de entrada cuando se
aplica energa a un sistema. La aplicacin ms popular es la
proteccin irrupcin de la corriente alterna en fuentes
de alimentacinconmutadas (SPS). La razn principal para tener
supresin de sobretensiones de corriente en una MSF es proteger el
rectificador puente de diodos como la entrada o condensador de carga
se carga inicialmente.Este condensador extrae corriente significativa
durante la primera mitad del ciclo de CA y puede someter a los
componentes en lnea con el condensador a una corriente excesiva.
La resistencia inherente en serie equivalente (ESR) del condensador
ofrece muy poca proteccin para el puente rectificador de diodos. El
uso de la adecuada SURGE-GARD proporcionar la proteccin de
corriente mxima cuando la fuente de alimentacin est encendido y
permitir que el ingeniero de diseo para seleccionar ms bajos picos
de corriente nominal rectificadores de puente de diodos para su uso
en la MSF.
Si la resistencia de un SURGE-Gard no proporciona suficiente
irrupcin de limitacin de corriente para una aplicacin existente, dos o
ms pueden ser utilizados en serie o en las piernas separadas del
circuito de alimentacin. SURGE-GARDS no debe ser utilizado en
paralelo desde una unidad tender a realizar casi toda la corriente
disponible. SURGE-GARDS puede ser utilizado en el lado de
entrada de CA o en el circuito en la lnea CC entre los condensadores

de carga y el circuito de diodo puente rectificador. (Figura Referencia

A)
Consideraciones de seleccin para cubrir la demanda de GARDS

Yo MAX - La primera consideracin fundamental en la seleccin

de unSURGE-GARD es la corriente mxima en estado
estacionario (CA o CC) de la fuente de alimentacin.
sobretensiones GARDS estn clasificados para la mxima
corriente continua. La potencia de entrada (Pin) se calcula como
Pin = Pout / eficiencia. En el caso de una MSF 75 vatios con
0,70 eficiencia, 100% de carga se calcula en 107.14 vatios. La
corriente mxima de entrada est en el voltaje mnimo de
entrada. La corriente de entrada efectiva (I e ) es igual a la carga
mxima dividida por la tensin de entrada mnima. En este caso,
una de 75 vatios sanitarias y fitosanitarias, I e = P en / V en el (bajo) =
107.14 = 1.2 Voltios Watts/90 amperios. Por lo tanto, el SURGEGARD debe tener un I MAX calificacin mnima de 1.2
amperios.
R @ 25 C. - El segundo paso es determinar el valor mnimo de
la R SURGE-GARD a seleccionar que limite la calificacin de
un ciclo de corriente mxima del puente rectificador de diodos
para el 50% de la calificacin adecuada para garantizar aumento
proteccin. Varios clculos adicionales deben ser realizados
para determinar el valor de resistencia estimado requerido en el
punto en el tiempo del pico de corriente mxima.RTI ofrece una
capacidad mxima de voltaje de CA de 265V RMS en la mayora
de sobretensiones GARDS . (Referencia a las
especificaciones) Si la corriente de irrupcin mxima deseada es
menor de 100 amperios (50% del puente de diodos con una
corriente nominal de pico de 200 amperios), y luego resolver
para R producira un valor de 2,65 ohmios. Si
la temperatura mxima de funcionamiento es distinto de 25 C,
entonces el valor de potencia resistencia cero debe ser
calculado utilizando las NTC
Resistencia / Temperatura Tablas de conversin .
Como un ejemplo, si la temperatura mxima de funcionamiento . es de
50 C, y el SURGE-GARD seleccionado tiene una curva RT A , el
R T / R 25 es el factor 0,464 . Esto indica a fin de que el SURGE-Gard
para tener la misma caracterstica de limitacin de corriente eficaz a
la temperatura elevada, se debe tener una resistencia superior a la R
@ 25 C valor previamente determinado.Para simplificar la seleccin
del valor mnimo de R dividir la inicial R @ 25 C por el valor de R T /

R 25 factores. En este caso, la mnima R @ 25 C valor = 2,65

ohm/0.464 = 5,71 ohmios.

Seleccione un SURGE-GARD - El tercer requisito es

seleccionar un SURGE-GARD de las especificaciones . En
primer lugar encontramos la columna denominada R @ 25 C.
Los valores de resistencia se enumeran en orden ascendente. Si
el valor de R calculado exacto no aparece todo hasta el valor R
ms alto siguiente.En este ejemplo, que sera una resistencia de
6, 5 Amp parte, el nmero de SG418. Tenga en cuenta que la
calificacin actual es mayor que el requerido. Esta capacidad de
corriente es la masa por lo tanto depende de la parte sera
mayor en tamao que el circuito requiere. Continuar por la
columna hasta que la corriente nominal ms cercano se
encuentra. En este caso sera un 10 ohmios, 3 amperios parte
nominal, nmero SG220. Este sera el seleccionado SURGEGARD de la eleccin.
Evaluar Valoracin Julios - El cuarto paso es revisar la cantidad
de energa que puede ser absorbida o disipada por un SURGEGARD antes de que un fallo puede ocurrir. Los GARD
SURGE con dispositivos se clasifican en julios . A fin de
calcular la calificacin julios el valor del condensador de entrada
debe ser especificada.Supongamos que el condensador de
entrada se 220fd. La energa instantnea es igual a una vez y
media la capacidad del condensador ms sus tiempos de
tolerancia de la tensin de pico al cuadrado. En este ejemplo, Ei
= 0.5 (220 (+ /-Tol) 06.10 * (265 * 1.414) 2 = 15.44 J(nominal). La
clasificacin de Joules para el SG220 seleccionado es 17J. (Por
favor, tenga en cuenta que otros criterios como la tiempo de
retencin, rizado de corriente, el tiempo de descarga del
condensador, y la eficiencia del diseo de la fuente
de alimentacin pueden afectar a la SURGE-GARD proceso
de seleccin. Consulte al personal de RTI de aplicaciones de
ingeniera para obtener informacin adicional.)
Calcular I OP / I MAX Ratio - A continuacin, estimar el
funcionamiento real actual, que la OP , y calcular la I OP / I MAX
relacin La resistencia nominal de un Gard SURGE- cuando se
opera en su I MAX calificacin se especifica en el pliego de
condiciones bajo el RI MAX partida. La resistencia del dispositivo
cuando se opera a una menos corriente que la
que MAX calificacin puede estimarse multiplicando su
RI MAX especificaciones por el factor, M . A modo de ejemplo, un
SURGE-GARD con un I MAX de 3,0 amperios y un RI MAX de
0,20 ohmios que funciona a 1,2 amperios, el I OP /
I MAX proporcin actual es de 1,2 amperios Amps/3.0 = 0,40.El

correspondiente M factor puede ser determinado a partir del

grfico mostrado en la Figura C a ser 3,2. Por lo tanto la
resistencia del dispositivo calcula en 1,2 amperios puede ser
calculado en R = 3,2 * 0,20 = 0,64 ohmios ohmios. Si dos
diferentes sobretensiones GARDS tienen similares
I MAX clasificaciones, pero diferentes de I a 25 C y los valores
que cumplan los requisitos del circuito, a continuacin,
seleccione el que tiene el ms bajo de RI MAXvalor nominal.
Por ltimo, si la temperatura mxima de funcionamiento . el
rango es> 65 C o <0 C, se refieren a la SURGE-GARD me
recomend MAX de potencia por la curva , la figura C

Nmero de pieza R @ 25
R
Imax Rimax Max. D Max. T El plomo NTC Oleada
Curva Valoracin
Estilo Estilo Estilo C Tolerancia (AMPS) (ohmios) (pulgadas) (pulgadas) Dia.
(ohmios)
(%)
(pulgadas)
(Julios)
A
B
C
SG260SG326
0.5
20
30
0,010
1,250
0,200
0,040
A
31 *
SG415SG327
0.7
25
12
0,030
0,770
0,200
0,040
A
45
SG100SG301
1.0
15
20
0,015
0,900
0,300
0,040
A
48 *
SG405SG328
1.0
25
30
0,015
1,250
0,250
0,040
A
157
SG416SG329
1.3
25
8
0,050
0,550
0,200
0,040
A
40
SG110SG302
2.0
15
18
0,030
0,900
0,350
0,040
A
80
SG420SG355
2.0
25
23
0,025
1,250
0,300
0,040
A
250
SG120
SG303 2.5
15
3
0,150
0,600
0,250
0,032
A
27
SG130
SG304 2.5
15
7
0,050
0,600
0,250
0,032
A
27
SG140
SG305 2.5
15
9
0,040
0,600
0,250
0,032
A
27
SG150SG306
2.5
15
10
0,040
0,900
0,300
0,040
A
87
SG160SG307
2.5
15
15
0,030
0,900
0,300
0,040
A
87
SG170SG308
4.0
15
8
0,070
0,600
0,250
0,040
A
27
SG32 SG330
4.0
20
14
0,050
0,900
0,350
0,040
A
100
SG180
SG309 5.0
15
2
0,400
0,600
0,250
0,032
A
36
SG413
5.0
25
2.8
0,250
0,530
0,200
0,025
A
23
SG190
SG310 5.0
15
4
0,150
0,600
0,250
0,032
A
36
SG450
SG373 5.0
15
6
0,100
0,600
0,250
0,032
A
30
SG200
SG311 5.0
15
7
0,070
0,600
0,250
0,032
A
40
SG44 SG332
5.0
20
8
0,050
0,600
0,250
0,040
A
40
SG26 SG333
5.0
15
12
0,060
0,900
0,275
0,040
A
100
SG418
SG334 6.0
15
5
0,150
0,600
0,270
0,032
A
40
SG210SG312
7.0
15
4
0,200
0,600
0,300
0,040
A
50
SG85 SG335
7.0
25
5
0,150
0,600
0,300
0,040
A
45
SG64 SG336
7.0
15
10
0,080
0,950
0,275
0,040
J
100
SG13
SG337 10
15
2
0,300
0,500
0,250
0,032
A
17
SG220
SG313 10
15
3
0,200
0,450
0,300
0,032
A
17

SG42 SG338
SG27 SG314
SG40 SG72
SG451SG374
SG452
SG375
SG86
SG414
SG63 SG320
SG230
SG315
SG411
SG341
SG412
SG342
SG38 SG343
SG240
SG316
SG52 SG344
SG453
SG376
SG250SG317
SG31 SG346

10
10
10
12
15
16
16
16
20
25
25
30
40
47
60
120
220

15
15
20
15
15
25
25
25
15
25
25
15
15
25
15
15
20

5
6
8
4
2.5
1.7
2.7
4.0
1,75
1.7
2.4
3.0
2.0
3.0
1.5
3.0
1.3

0,200
0,150
0,100
0,220
0,330
0,600
0,400
0,250
0,600
0,600
0,400
0,400
0,600
0,500
1,000
0,900
1,900

0,600
0,500
0,900
0,500
0,550
0,530
0,530
0,750
0,500
0,500
0,500
0,600
0,625
0,770
0,600
0,925
0,600

0,350
0,350
0,350
0,350
0,300
0,300
0,300
0,250
0,300
0,300
0,300
0,250
0,250
0,240
0,250
0,250
0,300

0,040
0,040
0,040
0,040
0,032
0,025
0,025
0,040
0,032
0,032
0,032
0,040
0,032
0,040
0,032
0,040
0,040

A
A
J
A
A
A
A
J
A
A
A
B
B
B
B
C
C

Para aplicaciones que requieren calificaciones no se muestra, pngase en contacto con RTI
Electronics, Inc. ingeniera de aplicaciones.
Tensin mxima de operacin es de 265 RMS.
* tensin mxima de operacin es de 120 V RMS
Temperatura
C
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20

NTC Resistencia tablas de conversin de temperatura

La curva A RT
La curva B RT
La curva C RT
RT curva J
RT/R25
DEV
RT/R25
DEV
RT/R25
DEV
RT/R25
DEV
43,0
75,0
6.6
140,5
6.6
52,5
31,9
54,1
6.1
96,4
6.1
39,0
24,3
39,7
5.6
67,0
5.6
29,2
18,5
18,6
29,2
5.2
47,2
5.2
22,1
17,0
14,4
7.6
21,7
4.7
33,7
4.7
16,9
15,4
11,3
6.9
16,4
4.3
24,3
4.3
13,0
14,0
8,93
6.2
12,5
3.8
17,7
3.8
10,1
12,5
7,10
5.6
9,58
3.4
13,0
3.4
7,90
11,2
5,69
5.0
7,42
3.0
9,71
3.0
6,24
9.9
4,56
4.4
5,75
2.6
7,30
2.6
4,96
8.7
3,68
3.7
4,50
2.2
5,53
2.2
3,97
7.4
2,99
3.1
3,55
1.9
4,23
1.9
3,20
6.2
2,45
2.5
2,82
1.5
3,27
1.5
2,60
5.0
2,02
2.0
2,26
1.2
2,54
1.2
2,12
3.9
1,68
1.6
1,83
0.8
1,99
0.8
1,74
2.7
1,42
1.1
1,48
0.5
1,57
0.5
1,44
1.6
1,18
0.6
1,22
0.2
1,25
0.2
1,20
0.5

44
40
50
40
40
45
45
50
31
30
30
25
20
55
50
36
25

25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150

1,00
0.0
1,00
0.0
1,00
0.0
1,00
0.0
0,854
0.6
0,828
0.4
0,806
0.4
0,841
1.4
0,732
1.1
0,689
0.7
0,653
0.7
0,710
2.3
0,628
1.6
0,576
1.0
0,533
1.0
0,602
3.2
0,537
2.0
0,482
1.3
0,437
1.3
0,513
4.3
0,464
2.5
0,406
1.5
0,360
1.5
0,439
5.0
0,403
3.0
0,343
1.8
0,299
1.8
0,377
5.9
0,350
3.4
0,292
2.0
0,249
2.0
0,326
6.7
0,305
3.8
0,247
2.3
0,208
2.3
0,282
7.5
0,267
4.2
0,212
2.5
0,175
2.5
0,245
8.2
0,236
4.6
0,182
2.8
0,148
2.8
0,214
9.0
0,208
4.9
0,157
3.0
0,126
3.0
0,188
9.8
0,183
5.3
0,137
3.2
0,107
3.2
0,165
10,5
0,163
5.6
0,120
3.4
0,0916
3.4
0,146
11,2
0,145
6.0
0,105
3.6
0,0787
3.6
0,129
11,9
0,130
6.3
0,0920
3.8
0,0679
3.8
0,114
12,6
0,117
6.7
0,0812
4.0
0,0588
4.0
0,102
13,3
0,105
7.0
0,0723
4.2
0,0511
4.2
0,0908
13,9
0,0943
7.3
0,0641
4.4
0,0445
4.4
0,0813
14,4
0,0852
7.6
0,0569
4.6
0,0389
4.6
0,0730
14,9
0,0771
7.9
0,0508
4.8
0,0342
4.8
0,0657
15,6
0,0700
8.2
0,0455
4.9
0,0301
4.9
0,0593
16,3
0,0636
8.4
0,0408
5.1
0,0265
5.1
0,0536
17,0
0,0579
8.6
0,0368
5.3
0,0235
5.3
0,0486
17,6
0,0529
9.0
0,0332
5.4
0,0208
5.4
0,0442
18,0
0,0483
9.3
0,0300
5.5
0,0185
5.5
0,0402
18,4
NTC Resistencia caractersticas de la temperatura de la curva
RT Curva
A
B
C
J
Temperatura Coeficiente a 25
-3,3% / C
-3,9% / C
-4,4% / C
-3.5% / C
C
Beta, SS
3000 K
3530 K
3965 K
3200 K
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