UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA
MECNICA

Laboratorio
Curso: Electrnica de potencia
Tema:

Disparo del tiristor con circuitos

Integrados UJT Y PUT.

Profesor: Ing. Arvalo Robinson

Macedo
Grupo: 1
Seccin: A

2015-2

3.

3.1.

Operacin............................................................................................ 9

3.1.

CIRCUITO DE DISPARO CON UJT........................................................10

TRANSISTOR PUT..................................................................................... 11
3.1.

Funcionamiento.................................................................................. 11

3.2.

Aplicaciones....................................................................................... 12

3.3.

Diseo............................................................................................... 13

III.

IMGENES DE LA EXPERIENCIA..........................................................15

IV.

CUESTIONARIO:.................................................................................... 16

V.

HOJA DE DATOS:................................................................................... 21

VI.

Observaciones y Conclusiones...........................................................23

I.

Objetivos

Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y

PUT.

Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una

o carga.

II.

FUNDAMENTO TERICO

1. TIRISTOR

El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que

utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se
compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos
unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea
generalmente para el control de potencia elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre
los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso
se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones
(denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la
unin J2 (unin NP).

Fig.1 Simbologa del tiristor

El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente

como sigue:
-

Rectificacin:
Consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del
dispositivo, el cual realiza entonces la misma funcin de un diodo.
Interrupcin de corriente: Usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los
contactores mecnicos.
Regulacin:
La posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite
emplear el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida.
Amplificacin:
Puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en
comparacin con la corriente principal, se produce un fenmeno de amplificacin en
corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad.

a) Tipos de tiristores

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el
punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar
el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de
desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y
desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categoras:
1. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

2. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).

3. Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC).

4. Tiristores de conduccin inversa (RTC).

5. Tiristores de induccin esttica (SITH).

6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).

7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).

8. Tiristores controlados por MOS (MCT).

Fig2 Smbolos de tiristores comunes

b) Curva caracterstica
La interpretacin directa de la curva caracterstica del tiristor nos dice lo siguiente: cuando
la tensin entre nodo y ctodo es cero la intensidad de nodo tambin lo es.
Hasta que no se alcance la tensin de bloqueo (VBO) el tiristor no se dispara.
Cuando se alcanza dicha tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (I A),
disminuye la tensin entre nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado
directamente.
Si se quiere disparar el tiristor antes de llegar a la tensin de bloqueo ser necesario
aumentar la intensidad de puerta (IG1, IG2, IG3, IG4...), ya que de esta forma se modifica la
tensin de cebado de este.
Este seria el funcionamiento del tiristor cuando se polariza directamente, esto solo ocurre
en el primer cuadrante de la curva.
Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta
que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo.

Fig.3 Curva Caracterstica

2. TRANSISTOR MONOUNION(UJT)

El transistor

monounin es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (

) y base dos (

). Est formado

por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales

, en la que se difunde
una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor
del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.

Fig.4 (a) Estructura del UJT

(b) Circuito equivalente del UJT

placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este material
tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras
que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente contaminado.

.1. Caractersticas

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje
sobrepasa un valor
de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia
que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello,
tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa.
Este es un proceso con realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo que lo
hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajacin.

Fig. 5 Caracterstica esttica

.1. Operacin

El UJT se polariza normalmente segn se ve en su curva de polarizacin. La base

lleva a una tensin positiva (5VVBB30V). Por la resistencia
una corriente
:

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

se

circula entonces

El diodo muy pequea. Por otro lado si

es superior

directamente y por ende circula una corriente

depositados en

, el diodo queda polarizado

formada por portadores minoritarios que son

. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensin

tambin, ahora si bien si

.

es constante,

disminuye

debe aumentar, lo que disminuye an ms a

.1. CIRCUITO DE DISPARO CON UJT

El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los
SCR. En la fig.1 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales,
conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las
caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores
en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el
capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado
abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor
VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el
capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de
tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al
punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR.
El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est
dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig. 6 Circuito de disparo con UJT

3. TRANSISTOR PUT
constante de tiempo RC.

Fig. 7 Smbolo del PUT

.1. Funcionamiento

Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El PUT
permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se apaga. El
apagado se debe a que la corriente andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de
sostenimiento.

Fig. 7 Circuito de conexion del PUT

Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su disparo se

realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin
del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como
oscilador de relajacin, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin
mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el
caso del UJT, Vp est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al
modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del nodo Va es menor que el
voltaje de compuerta Vg, se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo
excede al de compuerta ms el voltaje de diodo Vag, se alcanzar el punto de disparo y el
dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentacin en VBB. En general Rk
est limitado a un valor por debajo de 100 ohm.

Rk= RB1.RB2/(RB1+RB2)

Para tener un diseo exitoso, la corriente de nodo, que la llamaremos I, debe estar entre las
corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilar. Por ello, se debe tener cuidado al
disear la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentacin, ya que estos parmetros
modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.

.2. Aplicaciones

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para
disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les
permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de
capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en
circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso
de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de
conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la
barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de

capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

Fig. 8 Capsula del PUT 2N6027

.3. Diseo

Para el diseo de un oscilador de relajacin con PUT, se debe realizar los siguientes pasos:

1. Al igual que en los UJT, la resistencia de temporizacin R debe ser lo

suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta para que
no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT
2. Debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de Rg. El
valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un divisor
resistivo como el mostrado. La ecuacin bsica del PUT es:

Vp=Vt+Vs

Siendo Vs la tensin de Thevenin vista desde la compuerta y Vt una tensin

de offset compuesta por la cada directa de la juntura nodo compuerta Vag ms la cada
producida en Rg por la corriente Ip justo antes del disparo.

1. Como Vt = Vag + Ip*Rg , un cambio en Rg afecta a ambos trminos en forma opuesta. Si

Rg aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a Vag, pero como Ip no se reduce tan rpido
como Rg se incrementa, el producto Ip*Rg aumenta, aumentando el valor de Vt. Como
estas variaciones son difciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayora
de las aplicaciones.
Vt = 6v
2. El periodo de un oscilador a relajacin basado en PUT resulta:
Vct=Vp=Vt+Vs

Por lo que resulta un periodo

T= R*C*Ln((VBB-Vv) /(VBB-Vt-Vs))
Donde Vcc es el voltaje de alimentacin del circuito. Despreciando Vv y Vt, se reduce a una
expresin equivalente a la ya obtenida para los UJT.
T=R*C*Ln(1+RB1/RB2)

5. Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de
conmutacin, especialmente para capacidades inferiores a 0.01 uF.
6.Valores tpicos de frecuencias de oscilaciones se encuentran comprendidas entre los 0.003
Hz y 2.5 KHz.
7. El PUT operando como oscilador de relajacin presenta una baja dependencia de su
frecuencia con la temperatura debido a que su tensin de compuerta se encuentra fijada
exteriormente. Para aplicaciones crticas deben implementarse circuitos de compensacin.

III.

IMGENES DE LA EXPERIENCIA

Instrumentos de medicin y circuito

Multimetro

Osciloscopio

Foco(carga)

Circuito a probar

Fotos del osciloscopio

IV. CUESTIONARIO:
1.- Ver la parte terica

2.-Datos tcnicos del UJT 2N4871

Datos tcnicos del PUT 2N6027

Circuito de disparo con UJT, con los valores hallados en el previo.

2N4870

220V

Circuito de disparo con PUT.

220V

3.- Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de C en ambos circuitos?

Cuando el valor de C aumenta, la frecuencia disminuye, es decir, la frecuencia de disparo
disminuye, en consecuencia, la potencia entregada al foco tambin disminuye, haciendo
que ste cada vez pierda mayor luminosidad, en otras palabras, la potencia entregada a
la carga disminuye.
4.- Segn su opinin cul de los circuitos integrados de disparo es el recomendable
Por qu?
El UJT no es fcil de conseguir, debido a que el PUT lo est reemplazando, y esto es
debido a que con el PUT de puede disear las resistencias internas del UJT, y por ende,
es ms controlable. Por lo tanto, si queremos un mejor control del circuito de disparo, se
recomendara utilizar el PUT, pero si queremos un circuito ms sencillo de disear, se
recomendara el UJT, ya que las resistencias RB1 y BR2 se encuentran dentro del
transistor.

5.- Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera que cambios
se podran hacer para mejorarlo.
La mayor dificultad fue calibrar los potencimetros que utilizamos, debido a que el circuito
de disparo era muy sensible a los cambios en el potencimetro.
Unos cambio que se pudieron haber realizado son, el cambio de entrada de fuente, se
pudo haber elegido otro valor de entrada de voltaje en el circuito de disparo ya que la
fuente a usar es una fuente regulada y de un modo u otro es ms fcil de determinar.

V.
.

HOJA DE DATOS:

VI. Observaciones y Conclusiones

Se concluye que de ambos circuitos realizados en el experimento,

el que es ms sencillo de disear es el UJT, pero como se ha
explicado anteriormente, al momento de realizar el diseo, se
debe tener sumo cuidado de los parmetros a usar en el circuito
de disparo ya que el dispositivo es muy sensible.
Tambin es muy dificultoso de encontrar el dispositivo en el
mercado, ya que seguro no es muy usado.
Si se consigue un reemplazo de los componentes electrnicos
pedidos en la gua de laboratorio es muy necesario conocer sus
caractersticas para el diseo ya que tiene parmetros diferentes y
por ende puede variar el diseo.
Conforme al diseo del circuito de disparo utilizando el dispositivo
PUT, en cierto modo es ms seguro que el disparo del tiristor se d
con xito.