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Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 2 de 21
GENERALIDADES REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA
Flujo de Potencia
R=50Ω
Fuente de Convertidor
Energía de Estado Carga IR=10A
Eléctrica Sólido E=500V VCE
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 3 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 4 de 21
REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Elementos Básicos
i di IL
v=L
dt
1 t
L ∫t 0
i (t ) = i (t 0 ) + v(t )dt VL
L V L
1 2
ξ = ∫ ivdt = L ∫ idi = Li
2
1 t
L ∫t0
i (t ) = i (t0 ) + v (t ) dt
dv
i=C
i dt
1 t
C ∫t 0
V v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt
C
1
ξ = ∫ ivdt = C ∫ vdv = Cv 2
2
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 5 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 6 de 21
REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Elementos Básicos
Ic IL
Vc
C
L VL
1 t
v(t ) = v(t0 ) + ∫ i (t )dt
C t0
Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensión alternada positiva y
negativa
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 7 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 8 de 21
REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Ejemplo
IL D
Carga LR
L
L VL i(t)
V = E sen ωt R
Diodo Carga LR
Conduciendo L
i(t)
V = E sen ωt R
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 9 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 10 de 21
INTRODUCCIÓN
Vd
2 TA + DA + ts = 1 f
io s
0
A V$tri
Vd TA − D A − V AN Vcont
2
N
Rama de un Puente Inversor − V$tri
ts = 1 f
s + Vd
V$tri V AO
2
Vcont
− Vd
− V$tri
2
+ Vd
2 V AO Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
1,4 1.4
25 ma=0.2
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1,2 1.2
1 1
0,8 0.8
0,6 0.6
0,4 75 0.4
1 49 51
0,2 99101 0.2
73 77
23 27 97 103
0 0
1.0
0.2
1
1
ma=1.0 Amplitudes de los primeros armónicos para ma entre 0.2 y 1.0,
0.9
para mf=25
0.8
0.7 mf=25
h⇓ ma⇒
25
0.6 0,2 0,4 0,6 0,8 1
0.5 1 0,2 0,4 0,6 0,8 1
0.4
21 0,018
23 27 23 0,016 0,061 0,131 0,22 0,318
0.3
47 53
25 1,242 1,15 1,006 0,818 0,601
0.2 4951 71
75
79
95 101 105
27 0,016 0,061 0,131 0,22 0,318
0.1
29 45 69
73
77
81 93
99
107
29 0,018
21 55
97 103
0
Si ma < 1 : La ventaja de ma ≤ 1 es que se tiene una relación lineal entre Vcontrol y la tensión
de salida, y además los armónicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
¾ Si m f es un número entero impar, entonces será:
alto). Para ma > 1 se habla de sobremodulación, el problema es que aparecen
1π armónicos de bajas frecuencias.
f (−t ) = − f (t ) y también f (−t ) = − f (t + ) (Función impar: Simetría
2ω
de media onda respecto al origen)
(V$ )
AO 1
lineal sobre-
Para mf=15
onda cuadrada
Esto implica que solo habrá armónicos impares y coeficientes de tipo seno. (en Vd modulación
fase con la señal). 2
4
= 1,278
¾ Al elegir fs se debe tener en cuenta que: π
- Cuanto mayor sea mf más fácil será filtrar los armónicos que aparecen. 1
- Sincronización para pequeños valores de mf (por ejemplo < 21) mf debe ser 1 3,24 ma
un entero impar, sino aparecen subarmónicos. Esto implica que fs debe
modificarse al variar f1: fs =mf f1. Tensión de salida normalizada en función de ma para mf=15
(V̂ ) = (V h )
de PWM asíncrono (mf no entero). Debe tenerse en cuenta
que los subarmónicos de muy baja frecuencia (aunque
ˆ
AO 1
tengan una amplitud pequeña) pueden ocasionar grandes y AO h h= 3, 5, 7….
corrientes en cargas inductivas.
Al tratarse de una onda cuadrada no se puede controlar V AO ( ) 1
salvo variando Vd .
Armónico
0 Z
0 Vd
t
Va
Configuración en Medio Puente
0
t
T1
T0
T0,T1= Instantes de Muestreo
0
t
T1 T3
Va
0
T2 t
N
-0.5
convertidores DC/DC:
Las tensiones V AO y VBO son idénticas a las explicadas para una rama simple, Vsin Vsal Unipolar
solo que V BO (t ) = −V AO (t ) , 1
Si (-Vcontrol ) < Vtri TB − on (VBN = 0 ) Comparación entre modulación Bipolar y Unipolar en un puente
monofásico. Para ma=0.8 y mf=22
Bipolar Unipolar
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
t
1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 52 55 58 61 64 67 70 73
Va
TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
Vd/2
N1 iA iB iC
A C Vtri
B
Vb
TA- DA- TB- DB- TC- DC-
Vd/2 0
t
V V$ Vc
V$AN 1 = ma ⋅ d con m a = cont
2 V$T
3 V
V LL1RMS = ⋅ ma ⋅ d = 0,612 ⋅ ma ⋅ Vd
2 2 Va
0
Formas de ondas t
Vc
0
0 t
t
S0 S1 S2 S7 S2 S1 S0
PUENTE TRIFÁSICO. Modulación “Space Vector” PUENTE TRIFÁSICO. PWM Modificado. Extensión del
Indice de Modulación
t
t
Armónico
Comparación entre modulación PWM y SV
ωt
t
a) Vo=0.8Vd/2
b) Vo=0.2Vd/2
Vd DA +
TA + Modulador PWM Medida de
2 iA corriente
Consigna iA
A iAerr
Vcont
Controlador
L + iA/C A
Vd TA − N
+
DA −
Inversor
Comparador
PI
2 B
Consigna de Corriente
Vtri iB/C
iC/C
1/fs
Control PI de la Corriente
Frecuencia
V AN variable El control de corriente (ambos métodos) son muy usados en:
♦ Control de motores de inducción.
♦ Inyección de potencia procedente de fuentes de energías alternativas en la red.
Comparador ♦ Tenga un desfase en adelanto o retraso con la tensión de la red. La red toma o
B
cede energía activa o reactiva. Esto permite su uso como compensador de
iAMedida C energía reactiva.
♦ Se pueden introducir desequilibrios entre las corrientes de las fases. Esto
permite compensar las corrientes que están circulando por otra carga
Vtri iB/C desequilibrada.
Banda iC/C
de Histé- ♦ Se pueden incorporar armónicos en las corrientes. Esto permite compensar los
resis armónicos de las corrientes que están inyectando las cargas conectadas a la red.
CC CA
16.1. INTRODUCCIÓN
16.1.1. Armónicos (a) Inversor Monofásico.
16.1.2. Conexión de un Convertidor CC/AC CC CA
16.1.3. Clasificación
16.2. INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA
ELEMENTAL
16.3. INVERSOR MONOFÁSICO EN PUENTE
COMPLETO
16.4. INVERSOR TRIFÁSICO (b) Inversor Trifásico
16.4.1. Tensión en el Neutro
16.4.2. Armónicos
16.4.3. Espacio de Estados APLICACIONES:
16.5. OTROS INVERSORES
• Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la
16.5.1. Inversor con Fuente de Corriente tensión y la frecuencia de estos motores.
16.5.2. Inversores de tres niveles • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Genera una tensión
16.5.3. Inversores Multinivel senoidal a partir de una batería con el fin de sustituir a la red
cuando se ha producido un corte en el suministro eléctrico.
• Generación fotovoltáica. Genera la tensión senoidal de 50Hz a
partir de una tensión continua producida por una serie de paneles
fotovoltaicos.
Vd /2
1 A iA
0
0
SA
Vd /2 VZ Z
-Vd /2
Circuito Inversor Simple
SA
Posición 0 Posición 1 Posición 0
t
Vz
Vd
2 Armónicos de ondas cuadrada y triangular
0
V t
− d
2
iA
Carga resistiva Armónico
Vd fundamental
de valor R
2R
0
Vd t
−
2R
iA
Carga inductiva
Vd T de valor L
2L
0
t0 t1
Vd T t
−
2L
T T
0.5
0.5
D
Armónico núm.
D
1
Armónicos en una Onda Cuadrada de amplitud ± en función de D 1
2
Armónicos 0 a 5 de una Onda Cuadrada de amplitud ± en función de D
2
Tema 16. Inversores I. 5 de 35 Tema 16. Inversores I. 6 de 35
Flujo de Potencia
I,P
BOBINA
FILTRO CONVERT.
DE
FILTRO VC
O INVERSOR DE CARGA
RED CA/CC CARGA
CONDENSAD.
a)
s1 ( t )
RED s2 ( t )
+ I,P
sn ( t )
Batería
Control
-
VC
Diagrama de Bloques del Sistema Inversor
b)
L R VAC
Vd /2 TA- DA-
VC
• Inversores no resonantes. VA
• Inversores resonantes. Vd
2
0
Vd t
• Medio puente o batería con toma media. −
2
• Transformador con toma medio o Push-Pull.
• Puente completo monofásico.
• Puente trifásico. Formas de Onda del Inversor Medio Puente con Carga Resistiva
INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
O A O A
Vd Vd
TA− DA− TA− DA−
2 Z 2 Z
a) b)
O A O A
Vd Vd
TA− D A− TA− DA−
2 Z 2 Z
t
c) d)
Formas de Onda de Tensión y Corriente de un Inversor Medio
Puente con Carga Inductiva considerando tiempos muertos y tiempos
de almacenamiento de los interruptores
Circuitos Equivalentes durante los Intervalos de Funcionamiento del Inversor
en Medio Puente
Vd
2
A
iA
V pulso iA
1 A
0
0 SA Z
Vz Z
V
− d
2
a) b)
t c − t alm
∆V A = −Vd sig (i A )
TS
Vd TA+ DA+ TB+ DB+ Vd TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
2
iA iB 2
iA iB iC
O A B O A B C
Vd Vd
TA− DA− TB− DB− DA− DB− DC−
2 TA− TB− TC−
2
Vd
2
sA i VZ sB
A
O
A Z B
Vd
2
Vd /2
iA iB iC
0
A B C
SA SB SC
Vd /2 t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinación de la tensión del
neutro de la carga:
Vd Vd
VA0 2 2
VAN Z VBN Z VCN Z Z Z Z
N
N
VN0
Z Z Z
Vd
N Vd −
− 2
2
Circuito Equivalente del Inversor Trifásico
(a) (b)
Circuitos Equivalentes para Determinar la Tensión del Neutro de la carga
Interruptores Estados:
Z V
Estado SA SB SC 2 Z Vd Vd Vd Vd
a) VNO = 3 − = − =−
d
S1, S3 y S5
2 3 Z 2 6 3 6
S0 0 0 0 2Z 2
S1 1 0 0 Z V
Z Vd V V V
b) VNO = 3 − 2 d = d − d = d S2, S4 y S6
S2 1 1 0 Z 2 3 Z 2 3 6 6
2 2
S3 0 1 0
Luego:
S4 0 1 1
S5 0 0 1 t
S6 1 0 1
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
S7 1 1 1
V AN = V AO − VNO ; VBN = VBO − VNO ; VCN = VCO − VNO
Estados de un Inversor Trifásico.
t
Tensiones en un puente trifásico
= 2
Im 3 3 3
B
0 − V
2 C
S0, S7
2
S5 S6 A
I
B
Z
2Vd V V
Por ejemplo, para S1: VA = ; VB = − d ; VC = − d , resulta:
3 3 3
2Vd 2Vd
Re = ; Im = 0 , cuyo módulo es: Modelo Equivalente del Inversor Monofásico con Fuente de Corriente
3 3
OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
Corriente
L
TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
Vd
T1 T2 T3
2
D1 D2 D3
T1 D1 T2 D2 T3 D3
I A B C
A iA B iB C iC
T4 T5 T6
O
D4 D5 D6
T4 D4 T5 D5 T6 D6
Vd
Inversor Trifásico con Fuente de Corriente 2
Z Z Z
D1 D1
T1 T1
Io>0 Io<0 T1 D1
Io>0
T1 D1
Io<0
T4 D4 Vo=-Vd/2 T4
D4 Vo=-Vd/2 D4 Vo=-Vd/2 D4 Vo=-Vd/2
T4 T4
Vd/ Vd/
2 Vd/ Vd/
2
D- D- 2 2
D- D-
DA DA
TA- - TA- DA DA
- TA- TA-
- -
DA DA
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2 TA+
DA
TA+
DA
+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
T1 D1
T1
D1 2 2
Io>0 Io<0
T1 D1 T1 D1
Io>0 Io<0
T4 D4
Vo=0 T4 D4
Vo=Vd/2
Vd/ Vd/ T4 D4
Vo=0 T4 D4 Vo=0
2 2
D- D-
DA DA Vd/ Vd/
TA- TA-
- - 2 2
D- D-
TA- DA DA
TA-
- -
DA DA
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2
DA DA
D1 D1 TA+ + TA+ +
T1 T1
Io>0 Io<0 Vd/
D+
Vd/
D+
2 2
Vo=-Vd/2 D4 Vo=0 T1 D1 T1 D1
T4 D4 T4
Io>0 Io<0
Vd/ Vd/
2 2
D-
DA
D-
D4 Vo=Vd/2 D4
Vo=Vd/2
DA T4 T4
TA- - TA- -
Vd/ Vd/
2 2
D- D-
DA DA
TA- TA-
DA DA - -
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2
D1 D1
T1 T1
Io>0 Io<0 Estados de una rama de inversor a tres niveles
D4 Vo=Vd/2 D4
Vo=Vd/2
T4 T4
Vd/ Vd/
2 2
D- D-
DA DA
TA- - TA- -
OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12
Tensiones entre Fase y Tensiones fase-neutro
Vd /2
iA iB iC
0
A B C
SA SB SC
Vd /2
Punto medio de la batería
VA0
VN0
Circuito Equivalente del Inversor Trifásico de tres niveles VAN VBN VCN VN0 SA SB SC
S1 1/2 -1/2 0 0 + - 0
La tensión VN0 se puede calcular aplicando el Teorema de Superposición: S2 2/3 -1/3 -1/3 -1/6 + - -
S3 1/2 0 -1/2 0 + 0 -
Z Z Z S4 1/3 1/3 -2/3 1/6 + + -
V N 0 = V A0 2 +V 2 +V 2 =
Z + Z
B 0
Z + Z
C 0
Z + Z S5 0 1/2 -1/2 0 0 + -
2 2 2 S6 -1/3 2/3 -1/3 -1/6 - + -
(V A0 + V B 0 + VC 0 )
VN 0 = S7 -1/2 1/2 0 0 - + 0
3
S8 -2/3 1/3 1/3 1/6 - + +
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0. S9 -1/2 0 1/2 0 - 0 +
S10 -1/3 -1/3 2/3 -1/6 - - +
Luego los posibles valores de VN0 serán: 0, ±Vd /6 , ±Vd /3 y ±Vd /2 S11 0 -1/2 1/2 0 0 - +
S12 1/3 -2/3 1/3 1/6 + - +
Tensiones y estados en un inversor de tres niveles
0.8
S9 -1/2 0 1/2 - 0 +
S10 -1/3 -1/3 2/3 - - + -0.4
S7 S3
S2
S8
Re
S9 S1
D2
T2+ +
D+ D+
D3
T3+ + Tensión de Salida
Vd
D+ D+ D+
Vo=k*Vd
/5
D4
k= 1 4/5 3/5 2/5 1/5 0
Re
T4+ +
T1+ 1 0 0 0 0 0
Estado de interruptores
D+ D+ D+ D+
T2+ 1 1 0 0 0 0
T5+
D5 T3+ 1 1 1 0 0 0
Vd
+
Vo T4+ 1 1 1 1 0 0
/5
T5+ 1 1 1 1 1 0
T1- D1
-
T1- 0 1 1 1 1 1
T2- 0 0 1 1 1 1
Estados (27) en un inversor trifásico de tres niveles D- D- D- D- T3- 0 0 0 1 1 1
D2
ESTADO VA0 VB0 VC0 VN0 VAN VBN VCN =
T2-
- T4- 0 0 0 0 1 1
S0 -0,5 -0,5 -0,5 -0,50 0,00 0,00 0,00 S13,S26 T5- 0 0 0 0 0 1
Vd
S1 -0,5 -0,5 0 -0,33 -0,17 -0,17 0,33 S14 /5 D- D- D-
D3
S2 -0,5 -0,5 0,5 -0,17 -0,33 -0,33 0,67 T3- -
S3 -0,5 0 -0,5 -0,33 -0,17 0,33 -0,17 S16
S4 -0,5 0 0 -0,17 -0,33 0,17 0,17 S17
D- D-
S5 -0,5 0 0,5 0,00 -0,50 0,00 0,50 D4
T4-
S6 -0,5 0,5 -0,5 -0,17 -0,33 0,67 -0,33 -
S7 -0,5 0,5 0 0,00 -0,50 0,50 0,00
S8 -0,5 0,5 0,5 0,17 -0,67 0,33 0,33 Vd
D-
/5
S9 0 -0,5 -0,5 -0,33 0,33 -0,17 -0,17 S22 T5- D5
-
S10 0 -0,5 0 -0,17 0,17 -0,33 0,17 S23
S11 0 -0,5 0,5 0,00 0,00 -0,50 0,50
Vd
S12 0 0 -0,5 -0,17 0,17 0,17 -0,33 S25
S13 0 0 0 0,00 0,00 0,00 0,00 S0,S26
S14 0 0 0,5 0,17 -0,17 -0,17 0,33 S1 4/5Vd
S15 0 0,5 -0,5 0,00 0,00 0,50 -0,50
S16 0 0,5 0 0,17 -0,17 0,33 -0,17 S3
Inversor de 6 niveles. Tensión
S17 0 0,5 0,5 0,33 -0,33 0,17 0,17 S4 3/5Vd
entre una rama y el terminal
S18 0,5 -0,5 -0,5 -0,17 0,67 -0,33 -0,33
1/2Vd
negativo de la batería
S19 0,5 -0,5 0 0,00 0,50 -0,50 0,00
S20 0,5 -0,5 0,5 0,17 0,33 -0,67 0,33 2/5Vd
S21 0,5 0 -0,5 0,00 0,50 0,00 -0,50
S22 0,5 0 0 0,17 0,33 -0,17 -0,17 S9
S23 0,5 0 0,5 0,33 0,17 -0,33 0,17 S10 1/5Vd
S24 0,5 0,5 -0,5 0,17 0,33 0,33 -0,67
S25 0,5 0,5 0 0,33 0,17 0,17 -0,33 S12
0
S26 0,5 0,5 0,5 0,50 0,00 0,00 0,00 S0,S13 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
4/5 Vd
3/5 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
-1/5 Vd
-2/5 Vd
-3/5 Vd
-4/5 Vd
-Vd
t 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Armónicos
Vd Armónicos y Distorsión Armónica Total de VA0 en inversores Multinivel
4/5 Vd
3/5 Vd
1/2 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
0
t
3 5 7 9 11 13 15
Número de Niveles
Inversor de seis niveles: tensiones fase-neutro y fase-fase
Tema 16. Inversores I. 33 de 35 Tema 16. Inversores I. 34 de 35
0,35
3 5 7 9
0,3
Armónicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
0
2 3 4 5 6 7
Vd
2 Niveles
3 Niveles
4 Niveles
5 Niveles
6 Niveles
7 Niveles
Vd/2
0
t
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 1 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 2 de 39
Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetría se pueden encontrar
otros ejemplos.
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 3 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 4 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
CONVERTIDOR PUENTE
Puede estar iO Conducen
abierto o cerrado
D1 y D4
io>0 io<0
S1 D1 Vd Vd
Vd A B
A A
iO<0
S2 VO=Vd S4 ⇒ VA =Vd
D4 ⇒ VA =Vd
Circulación de Corriente por dos Diodos aplicando una tensión nula. (Si io>0, En la rama B se puede obtener de la misma forma: V B = Vd ⋅ DB
la corriente circularía por D2 y S4).
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 5 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 6 de 39
- N
- N
Convertidor Puente alimentando una carga de continua con filtro LC
)
Vcontrol + Vtri t on
) = =D⇒
2 Vtri TS
)
Vcontrol = Vtri ( 2 D-1 )
1
Vo = [Vd ⋅ t on − Vd (TS − t on )]
Vd TS
Vd
V
Ts
Vo = )d ⋅Vcontrol = k ⋅Vcontrol
2Vtri Vtri
Vd
toff ton
Vd
Convertidor Puente: Control Bipolar Ts
2Vtri
toff ton
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 7 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 8 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vd
Vo<0, Io>0 (D2,D3) Vo<0, Io<0 (S2,S3)
-Vd
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vd
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 9 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 10 de 39
Vd
Vd
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 11 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 12 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Vd Vo=Van-Vbn
Van se genera
Vd comparando
Vtri con Vcon
Vbn se genera
comparando
Vd
Vtri con -Vcon
2Vtri
Ts
Convertidor Puente: Control Unipolar
t on Vcont + Vˆtri ) )
Dispositivos conduciendo: Io siempre negativa DA = = Vcont + Vtri − Vtri + Vcont Vcont
TS 2 Vˆtri ⇒ D A − DB = )
2Vtri
= )
Vtri
t' ˆ
V − Vcont
D B= on = tri
TS 2 Vˆtri
Vo = V d ⋅ D A − V d ⋅ D B = V
Vo = Vd (D A − D B )
⇒ Vo = )d ⋅ Vcont = k ⋅ Vcont
V tri
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 13 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 14 de 39
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Convertidor Puente: Circulación de la corriente por los dispositivos con
Vd Vd
Vo=0 Vo=0 control unipolar. Corriente media negativa pero con valores positivos y
S2 D2 S4 D4 S2 D2 S4 D4 negativos. Tensión de salida positiva
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 15 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 16 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Ts
Vd
Ts
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 17 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 18 de 39
Tensión DC Tensión DC
no regulada regulada Controlador Tensión DC
regulada
Objetivos:
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 19 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 20 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO
GALVÁNICO GALVÁNICO. Convertidor Flyback
i1 Transformador Ideal Ld 2 Convertidor +Vd
+ Vd
Reductor-Elevador L
S C R
Ld 1 +
i2 L C R
Lm V1 V2 + S
N1 ÷ N 2
+ Vd + Vd
+ C
Circuito Equivalente de un Transformador L C R L R
+
V1 V2
¾ Relación de transformación: N = N
1 2 Convertidor Flyback
¾ Igualdad de potencias: P = V1 ⋅ i1 = V2 ⋅ i 2 ⇒
Vd N2
i1 i N1 C R
¾ Relación de corrientes: = 2
N 2 N1
S
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 21 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 22 de 39
N1: N 2 N1: N 2
Vd
N1: N 2 iL(t) = iSW (t) = I Lmin + ⋅t ( 0<t<t on = DTS )
Lm
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Abierto
Vd ⋅ DTS
I Lmax = I Lmin +
Lm
Integrando en un ciclo la tensión aplicada a la inductancia de magnetización:
N1
V d DTS − V o (1 − D )TS = 0 ⇒
N2
Vo N D
= 2
Vd N1 1 − D
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 23 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 24 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO
GALVÁNICO. Convertidor Flyback GALVÁNICO. Convertidor Flyback
iD Io
N1
− Vo im Vo
N2 C
N1: N 2
Io = I =
Dmax (1 − D )T S −
TS 2 Lm N 2
V (1 − D )TS N 1
2
D1 VL io
L iL
V2 Vo
D2 C
V1
Vd N1 N2
Esta tensión debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este
intervalo i L aumenta.
Cuando el interruptor se abre, i L circula por D2 y
V L = −Vo (t on < t < TS ) ⇒ i L disminuye.
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5 Igualando la integral de V L dt en los dos períodos queda:
N
Vd ⋅ 2 − Vo ⋅ t on = Vo ⋅ (TS − t on )
N Vo N 2
1
⇒ = ⋅D
N Vd N1
Vd ⋅ 2 − Vo ⋅ D = Vo ⋅ (1 − D)
N 1
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 27 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 28 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO. CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO.
Convertidor Forward Convertidor Forward
i3=0
Vd isw= iLM+ i1 D3
isw D3
Convertidor Forward: Intervalo de conducción
i3=iLM(N1/N3)
i2 = 0 iL
io
N2
Convertidor Forward Real: i1=-iLM N1 N3
D1
Se añade un tercer devanado que permite que la energía almacenada en Lm iLM Lm
VL= - Vo Vo
V1 V2 C
cuando el interruptor está cerrado, se devuelva a la batería al abrirlo. D2
V1= -VdN1/N3
Vd
isw= 0 D3
i2 = 0 iL
io
i1=0 N1 N3 N2
D1 VL= - Vo Vo
iLM Lm
=0 V1 V2 C
D2
V1= 0
Vd
isw= 0 D3
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 29 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 30 de 39
tm N ton
= 3 ⋅D
TS N1
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 31 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 32 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO. CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO
Convertidor Forward GALVÁNICO.
Convertidor Puente
D3 iD1 VL
T1 D1 T3 D1 L
N2 Vo1 iL R Vo
A
Vd C
V1 iLm Lm
B N2
N1
T2 T4
D2 D4 iD2 D2
ton
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 33 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 34 de 39
iL Vo iL Vo
A N2 R A N2 Vo1=0 R
Vd io=iL(N2/N1) V1=Vd C Vd io= iLm C
iLm Lm V1=-Vd iLm Lm
+iLm B B
N2 Vo1=Vd(N2/N1) N2
N1 N1
D2 T4 T4
T2
D4 iD2=0 D2 T2
D2 D4 iD2=iL/2 D2
Funcionamiento del Convertidor Puente: T1 y T4 conduciendo Funcionamiento del Convertidor Puente: D2 y D3 conduciendo
D3 iD1=0 VL
T1 D1 T3 D1 L D3 VL
i1=0 iD1=iL/2
T1 D1 T3 D1 L
iL R Vo
A N2 iL
Vd io=iL(N2/N1) V1=-Vd iLm C R Vo
Lm A N2 Vo1=0
+iLm B Vd io=- iLm C
N2 V1=Vd iLm Lm
N1 Vo1=Vd(N2/N1) B N2
N1
T2 T4
D2 D4 iD2= iL D2
T4
T2
D2 D4 iD2=iL/2 D2
N2 N2 V N
VL = ⋅ V − Vo ⋅ Vd − Vo ⋅ D ⋅ TS = Vo ⋅ TS ⋅ (0.5 − D) ⇒ o = 2 2 ⋅ D
La tensión en la bobina es: N1 d N
1 Vd N1
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 35 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 36 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO.
Convertidor Puente CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES
EAOUT 2
GND 6
CVCC 10µF
4 VCC CS 3
C 3VREF
100nF
8 3VREF
CRAMP UC 1573
ton/2 ton/2 680pF
7 RAMP
CBULK
10µF
1 EAINV
RCOMP CCOMP OUT 5 MSWITCH
2 EAOUT
LBUCK VOUT
RVSENSE2 6 GND
39k COUT +5V
GND DBUCK
100µF GND OUT
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 37 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 38 de 39
MIN OFF-TIME
1 .2 5 V GENERATOR
REF
R EF
POLARITY TRIG
START-UP Q
E R R OR
AM P
F /F LX
S Q
FB R
S TA R T- U P
C O M PA R AT OR
ISET
T R IG
M AX O N -T IM E
1V G E N E R AT O R
(10µs) Q
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
REF GND
C4
0.1µ F
Fuente DC:
TEMA 14. CONVERTIDORES CONMUTADOS -Batería-FC
-Panel Solar
CC-CC. TOPOLOGÍAS BÁSICAS CON UN SOLO
INTERRUPTOR SIN AISLAMIENTO Red Electrica
(Monofásica o
Rectificador Tensión no
regulada
Condensador Tensión no
regulada Vd
no Controlado de Filtrado
GALVÁNICO Trifásica)
14.1 INTRODUCCIÓN
14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC Convertidor Tensión
14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR CC/CC regulada Vo Carga
ton ^
Vst vst
vcont
vcont
vcont>vst vcont<vst
Vo=
vo,med
a) D=0.3 b) D=0.8 vo(t) Vd
t on
Para TS = t on + t off , se define: D = TS
L
L
Vd C R Vo =vo (t)
Vi C Vo
Filtro
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, será: vo(t) ≈ Vo
iL
Función de transferencia del io
filtro (L=1mH, C=1mF ⇒
fr=159Hz)
L
f=1MHz
Atenuación (dB)
Vd Vo =vo (t)
f=3MHz C R
DC
Armónicos para
D=0.5, fs=1MHz Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conducción)
iL
io
fr=159Hz log10(f) L
Vd Vo =vo (t)
Empleo de un filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas C R
en el convertidor.
0.5
0.4
a) b)
0.3
0.2
VL = Vd − Vo 0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
D
Ic>0
Armónicos de una onda cuadrada en función de D
VL = −Vo
Ic<0 0.7
1 2 3 4
Armónico:
0.6 5 6 7
0.5
0.4
Análisis del Convertidor Reductor por Intervalos. (a) Intervalo
de Conducción. (b) Intervalo de no Conducción 0.3
TS ton TS
∫ v (t )dt = ∫ (V
0
L
0
d − V0 )dt + ∫ (− V )dt = 0
ton
0
0.2
0.1
Vo t on
(Vd − Vo )t on = Vo (TS − t on ) ⇒ = =D 0
Vd TS 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
D
I 1
Si se desprecian las pérdidas:
Pot = Vo I o = Vd I d ⇒ o = Armónicos de una onda triangular en función de D
Id D
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 7 de 37 Tema 14. Convertidores DC/DC I. 8 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR. CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conducción Discontinua con Vd Constante Modo de Conducción Discontinua con Vd Constante
intervalo 1 int. 2 int. 3
Intervalo de
conducción
Diodo No Si No
DLimTS
Ejemplo, control de motores DC: Se genera una tensión de salida variable Vo Ejemplo: fuente de alimentación con Vo constante, a partir de Vd
que se aplica al motor DC a partir de una tensión de entrada sustancialmente no regulada
constante Vd.
Si Vo es constante Vd=Vo/D, en el límite:
Vo D2
= I LB =
1
i L,pico =
DTS TV
(V d − Vo ) = S o ( 1 − D) ;
Vd 1 I
D2 + o 2 2L 2L
4 I LB,max
TS Vo
Sea: I LB,max = , (Para D = 0) ⇒ I LB = ( 1 − D)I LB,max
Zona de conducción 2L
Vo discontinua
Vd En conducción discontinua:
Vo D V
= ⇒ ∆ 1 = D ⋅ d − 1
Vd D + ∆ 1 Vo
Vo D + ∆1 Vo
iL , pico = ∆1TS ; I o = iL , pico = TS ⋅ ∆1 ( D + ∆1 )
L 2 2L
Como:
TS Vo V DVd
Io I LB,max = ⇒ I o = I LB ,max ∆1 ( D + ∆1 ) = I LB ,max D d − 1
I LB ,max 2L Vo Vo
Despejando D, se obtiene:
Relación de transformación de un convertidor reductor, en Modos Continuo y
Discontinuo con Vd Constante 1
Io 2
Vo I LB,max
D=
Vd 1 − Vo
Vd
1
Io 2
Vo I LB,max
D=
Vd 1 − Vo
Vd
Zona de conducción
discontinua
ton
I o
I LB , max
∆Q 1 1 ∆I L TS
∆V o = =
C C 2 2 2 ; (Area del triángulo sombreada)
Vo
∆I L = (1 − D )TS ; (Durante toff )
L
2
TS Vo ∆Vo TS (1 − D) π 2 f
∆Vo = (1 − D )TS ⇒ = = (1 − D) c
8C L Vo 8 LC 2 fs
1 1
Dónde: f s = f =
TS y c 2π LC
Es decir, el rizado de la tensión de salida se puede acotar eligiendo el valor de C
vL
Vd Vo =vo(t)
C R
IC,pico
IC Convertidor Conmutado Elevador
0 iL
L io
vL
Vd Vo =vo(t)
C R
ton
iL io
L
Suponiendo como en el caso anterior variaciones de Vo pequeñas (p.ej. 1% de Vo),
se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de vL
salida C: Vd
C R Vo =vo(t)
La corriente de pico por el condensador será (Calculándola durante toff ):
1 V
I C , Pico = ∆I L = o (1 − D )TS ;
2 2L
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conducción)
El valor eficaz de la corriente por el condensador será (onda triangular):
I V
C , Pico
I = = o (1 − D )T
C ( RMS ) 3 2 3L S
⇒ Los condensadores de salida deben elegirse con una ESR lo menor posible.
vL vL
Vd Vo Vd Vo
C R C R
a) b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Límite:
1 TV
I LB = i L,pico = S 0 D(1 − D )
2 2L
TS Vo
D(1 − D )
Io 2
Como: = 1 − D , será: I oB =
Id 2L
TS Vo 2 TS Vo
Modo de Conducción Continua. (a) Intervalo de Conducción. (b) Intervalo de Haciendo: I LB,max = e
I oB,max =
no Conducción 8L 27 L
Vd t on + (Vd − Vo )t off = 0 ⇒ Vd D + (Vd − Vo ) ⋅ ( 1-D) = 0 I LB = 4 D( 1 − D)I LB,max
V o TS 1
= = Resulta:
I oB =
27
D( 1 − D)2 I oB,max
Vd t off 1 − D 4
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 17 de 37 Tema 14. Convertidores DC/DC I. 18 de 37
1
4 Vo Vo I 2
D = − 1 o
27 Vd V
d I oB,max
Zona de conducción
discontinua
DTS
Vo ∆ 1 + D
Vd DTS + (Vd − Vo )∆ 1TS = 0 ⇒ =
Vd ∆1
Relación de transformación de un convertidor elevador,
El valor medio de la corriente por la bobina (=corriente por la En modos de funcionamiento continuo y discontinuo
TV
fuente), resulta aplicando: i L,pico = S 0 D(1 − D ) y calculando el
L
Vd
área del triángulo: Id = DTS (D + ∆ 1 )
2L
Io ∆1 T V
Si no hay pérdidas: = I o = S d D∆ 1
I d ∆ 1 + D y resulta: 2L
De las expresiones anteriores, se obtiene:
1
4 Vo Vo I 2
D = − 1 o
27 Vd V
d I oB,max
Vo/Vd Ideal:
1/(1-D)
Real
ton
1
0
0 1 D
Relación de transformación teniendo en cuenta las pérdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
∆Q I o DTS Vo DTS
∆Vo = = = ; (Area del rectángulo sombreada)
C C RC
L L
L
Vd Vo Vd Vo
vL iL C R vL iL C R
Vd vL Vo =vo
iL C R
io io
io a) b)
Convertidor Reductor-Elevador
L
Vd vL Vo =vo
iL C R
io
L ton
Vd vL iL C R Vo =vo
io io
a) b)
ton
En el Límite:
1 TV TV
ton I LB = iL,pico = S d D ⇒ I LB = S o (1 − D ) ,
2 2L 2L
Io 1− D
= TV
Id D ⇒ I o = I L (1 − D ) ⇒ I oB = S o (1 − D )2
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de I = I + I 2L
Conducción Continua: D=0.6 L d o
Definiendo:
TS Vo TS V o
I LB,max = e I oB,max = , resulta:
2L 2L
I LB = (1 − D )I LB,max I oB = (1 − D ) I oB,max
2
e
TS
ton=DTS ∆1TS
ton
Vo D I o ∆1
V d DTS + (− V o )∆ 1T S = 0 ⇒ = ⇒ =
Vd ∆ 1 Id D
Vd
IL = DTS (D + ∆1 )
2L
1
V I 2
D= o o
Vd I oB ,max
Vo I o 2
D=
Vd I oB ,max
ton
Zona de conducción
discontinua
∆Q I o DTS Vo DTS
∆Vo = = = ; (Area del rectángulo sombreada)
C C RC
Relación de transformación de un convertidor reductor-elevador, en modos
de funcionamiento continuo y discontinuo ∆Vo DTS DTS
= = Dónde: τ = RC
Vo RC τ
vL1 vL2 C2
Vd Vo
Vo/Vd Ideal: R
D/(1-D)
io
vL1 vL2
0 C2
0 1 D Vd
R Vo
vL1 vL2 C2
Vd Vo
R
io
vL1 vL2
vC1 C2
Vd Vo
R
io
a)
iL1 iL2
L1 L2
vL1 vL2 C2
vC1
Vd Vo
R
io
b)
a) Tensión y Corriente por L1
Circuitos equivalentes en el funcionamiento por intervalos del
Convertidor Cúk. (a) Intervalo de no Conducción. (b)
Intervalo de Conducción
VC1 1
L1: Vd DTS + (Vd − VC1 )(1 − D )TS = 0 ⇒ =
Vd 1 − D
Convertidor de Cúk: Modo de conducción Continua. D=0.66 Convertidor de Cúk: Límite conducción Continua-Discontinua. D=0.66
Id id iL
io
L
iC
IC Vd C R Vo
Id
id iL
L io
vL iC
Vd Vo
IC C R
Id id
L
Vd
IC vL iL C R Vo
0
iC io
id vL1 vL2 C2
Vd Vo
R
IC
iC
0 io
Flujo de Potencia
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 1 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 2 de 30
VS i(t) R Ud i(t)
VS Ud R UR
El área gris es la
integral de VL.
Las dos áreas
deben ser iguales
Tensiones negativas
aplicadas a la carga
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 3 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 4 de 30
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO. RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO.
Carga Inductiva y Fuente de Tensión Carga Resistiva e Inductiva y Diodo de Libre Circulación
L
L
i(t)
VS Ud R UR
i(t)
VS Ud E
VL
VL
VL
αmax= VL
π-αmin
1er Int 2º Intervalo
αmin=
E 1er Intervalo
arsen( )
2VS
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulación
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 5 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 6 de 30
L +
iS
Carga
i(t)
VS Ud E VS Vd
VL di/dt constante
iS
VL
α=0
In. 1 In. 2 In. 1
In. 3
iS
Carga inductiva y fuente de alimentación con Diodo de libre circulación
α α
Puente Monofásico Controlado
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 7 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 8 de 30
RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO. RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO.
Valor Medio de la Tensión Rectificada Efecto de α sobre la Componente Fundamental de IS
α α
1 π +α 2 2
π ∫α
Vd α = 2VS ⋅ sin (ω t ) ⋅ d (ω t ) = ⋅ VS ⋅ cos α =
π α
Vdα = 0.9 ⋅ VS cosα
Para distintos valores de α:
Valor Medio de la Tensión
α
1 T
P = Id
T
∫
0
vd dt = 0.9 ⋅ I d ⋅ VS ⋅ cos α
α
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 9 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 10 de 30
VS Vd VS
- VS /a
1
t
α
2
t
µ
3
ωt=α t
Puente Monofásico con conmutación no instantánea
ωt=α
4
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 11 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 12 de 30
RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES
Valor Medio de la Tensión Rectificada
Área A
u1
u2
+
um
2π/m
π +α
A 1 m
2π
2π π∫ M
Uα = = U ⋅ cos ω t - − U M ⋅ cos ω t dω t =
2π/m 2π m
m
m m
U ⋅m π π π π
Uα = M sen α − − sen − − sen + α + sen =
2π m m m m
U M ⋅m π π π
Uα = 2 sen + sen α − − sen + α
2π m m m
1
Aplicando sen p − sen q = 2 cos
2
( p + q ) ⋅ sen 21 ( p − q ) , resulta:
UM ⋅ m π π m π
Uα = 2 sen + 2 cosα ⋅ sen - = U M ⋅ ⋅ sen (1 − cosα ) =
2π m m π m
Uα = U ov (1 − cosα )
α La tensión media a la salida del rectificador controlado será:
U o = U ov − U α = U ov ⋅ cos α
1 m 2π
La Tensión Eficaz: U rms = U M + ⋅ sen ⋅ cosα
2 4π m
2
Los Armónicos: U ok = U o ⋅ ⋅ 1 + k 2 ⋅ m 2 ⋅ tg 2 α
k 2 ⋅ m2 − 1
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 13 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 14 de 30
Vo/VM
0.25
0.2
m
α
0.15
Tensión media rectificada en función del ángulo de disparo α y del
número de fases m
0.1
1
3
5
VRMS/VM
7
9
11
0.05
13
15
17
19
Núm. armónico
21
23
0
25
27
0º
30º
60º
29
Alfa
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 15 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 16 de 30
RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES
Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador
Según el valor de α:
π π
0 <α < − ⇒ Ud siempre > 0 ⇒ U o > 0
2 m α=150º; Uo=-222V
α=120º; Uo=-129V
π π π
− <α < ⇒ Ud <> 0 ⇒ Uo > 0
2 m 2
π
α= ⇒ Ud = 0
2
π π π
<α < + ⇒ Ud <> 0 ⇒ Uo < 0
2 2 m
π π
+ <α <π ⇒ Ud siempre < 0 ⇒ U o < 0 α=180º; Uo=-257V
2 m
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 17 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 18 de 30
u1
LS
ic
+
Uc =u1 +u2
α id =i1 +i2
2LS
i2 LS
u2
Uc =u1 -u2 ic
Ud
um
LS
Tensión no
α aplicada a) b)
a) Corrientes durante la conmutación no instantánea. b) Circuito
La fórmula antes calculada: equivalente.
π
U c = u2 − u1 ; Uc = 2 ⋅ U c ⋅ sen ω t ; U c = 2 ⋅ sen ⋅U f
U o = U ov − U α = U ov ⋅ cos α m
dic
2 Ls ⋅ = 2 ⋅ U c ⋅ sen ω t
No es válida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre dt
circulación, ya que no se podrán aplicar tensiones negativas a la carga, ωt
2 ⋅Uc
sen ω t ⋅ dω t = Îc (cosα − cosω t )
2ω ⋅ Ls α∫
en este caso, solo será aplicable si como vimos antes α está en el ic =
intervalo:
2 ⋅Uc
π π Dónde Îc =
0 <α < − ⇒ Ud siempre > 0 2ω ⋅ Ls
2 m i1 = I d − i2 = I d − ic i1 (ω t = α + µ ) = 0 .
, para ω t = α + µ ,
Como: ic (α + µ ) = I d será:
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 19 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 20 de 30
RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES
Conmutación no Instantánea Conmutación no Instantánea
i1
ic=ÎC(cosα-cosωt)
u1
LS
ic
+
Uc =u1 +u2
i id =i1 +i2
ÎC i2 LS
u2
Ud =(u1 +u2 )/2
i1 i2 um
ÎC⋅cosα LS
Id
ωt
Circuito equivalente durante la conmutación no instantánea.
u1 u2 u3
αµ
0 A
C
Representación gráfica de la ecuación que rige la conmutación no
B
instantánea de un rectificador polifásico:
2 ⋅U c ωt
sen ω t ⋅ dω t = Î c (cos α − cos ω t )
u1 + u2
∫α
α µ
ic = 2
2ω ⋅ L s de la figura, se deduce que las áreas A y B son iguales y que:
Válida para: α ≤ ωt ≤ α + µ A + B + C = U α + 2U x donde:
U α = U ov ⋅ (1− cosα ) ≡ Área C
[
U α + 2U x = U ov 1 − cos(α + µ ) ≡ Áreas A+B+C ]
2U x = U ov [cosα − cos(α + µ )]
U o = U ov − U α − U x =
1
U o = U ov 1 − (1 − cosα ) − (cosα − cos(α + µ )) =
2
1
U o = U ov [cos α + cos(α + µ )]
2
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 21 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 22 de 30
Ud
R
Carga
S Ud
T
-
Puente Trifásico
ωt=2π
π π
α+ α+
m m
1 m
Ud =
2π ∫U d (ωt ) = π α∫U d (ωt )
c c
α
2m
π π
U c = 2U M sen( ) cos(ωt − )
m 2m
π
α+
m π m
π
U d = 2U M sen( )
π m ∫
α
cos(ωt −
2m
)d (ωt )
3 3
Si m=3, Ud = U M cos(α ) = 1.65 U M cos(α )
π
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 23 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 24 de 30
RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO
Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador Conmutación no Instantánea
+
Uo
LS
R
Carga
S Ud
T
-
α=45º; Uo=363V
α µ
A B C
Uo
α=90º; Uo=0V
1
Uo U o = U ov [cos α + cos(α + µ )]
2
Para el puente trifásico será:
α=112º; Uo=-192V
3 3
U ov = U M cos(α ) = 1.65 U M cos(α )
π
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 25 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 26 de 30
Vo/VM
+
T1 T2
iS
Carga
VS Vd
Rectificador Trifásico
Simple
D1 D2
-
Puente Rectificador Id
α µ
+
T1 D1
iS
Carga
VS Vd
Vo/VM
T2 D2
-
Rectificador Trifásico
Puente
α µ
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 27 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 28 de 30
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Monofásico Puente Polifásico
iS T1 +
M
+ R
Id
Carga
VS/2 S Ud
T
D1
Carga
0 Ud
T2 -
VS/2
T
α
- N
D2
D2 D2 D1 D1 D2 D2
T2 T1 T1 T2 T2 T1
α α
Puente Monofásico Semi-controlado α>αLim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifásico semicontrolado con Ángulo
de Disparo α
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 29 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 30 de 30
INTRODUCCIÓN
En este tema se estudiará el diseño de inductores y transformadores así como
la selección de condensadores.
TEMA 11. COMPONENTES REACTIVOS.
CONSIDERACIONES PRÁCTICAS ¾ En los años iniciales de la electrotecnia se empleaban para la fabricación
de inductores y transformadores núcleos de acero y sus aleaciones.
¾ En los circuitos electrónicos modernos trabajando a altas frecuencias
11.1.INTRODUCCIÓN esto ocasionaría demasiadas pérdidas “eddy”.
11.2.DISEÑO DE INDUCTORES ¾ Uso de láminas o polvos sinterizados de acero inicialmente y a partir de
11.2.1. Tipos de Núcleo Magnético los años 30-40 se comenzaron a usar ferritas, especialmente a partir de
11.2.2. Carrete los años 50 con la introducción de los televisores.
11.2.3. Conductores ¾ Las ferritas están formadas por óxidos magnéticos con alta resistividad
11.2.4. Entrehierro eléctrica y buenas características magnéticas.
11.3.DISEÑO DE TRANSFORMADORES ¾ Se emplean dos grandes grupos:
11.3.1. Núcleo Magnético • Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de
11.3.2. Conductores óxidos de hierro, manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO).
11.4.SELECCIÓN DE CONDENSADORES • Ferritas de Niquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de
óxidos de hierro, niquel y zinc.
11.4.1. Electrolíticos
11.4.2. Plásticos y Cerámicos • Las ferritas de NiZn tienen una resistividad muy alta por lo que se
usan para frecuencias muy elevadas (desde 1÷2 MHz a varios
cientos de MHz) mientras que las MnZn se emplean hasta 2MHz.
• La permeabilidad magnética de las ferritas MnZn es del orden de
100 veces mayor que en las NiZn.
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 1 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 2 de 13
t
g (mm)
0
Sección de un núcleo magnético
Definición de Densidad de Flujo Máximo AC. a) Flujo Bipolar. b) Flujo
Unipolar
P = k f a ∆B b
k, a y b son constantes dadas por los fabricantes para cada tipo de material
magnético. a) POT b) RM
3
Estas pérdidas se limitan típicamente a unos 10 mW/cm para núcleos de baja
potencia.
e) EI f) EE
g) EC h) EPC
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 5 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 6 de 13
Columna lw
interior g
Gap
Vista Externa del Núcleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap) Conductores
hw Gap (g) N espiras
Área de ventana (Aw=lw⋅hw) Sección Transversal de los Núcleos POT, Cuadrados y en E
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 7 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 8 de 13
DISEÑO DE INDUCTORES DISEÑO DE INDUCTORES
El número máximo de espiras que puede alojar el núcleo se k J
N = Aw cu Entrehierro (gap)
puede deducir de las dos ecuaciones anteriores: (A) I rms
Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magnético. Se realiza en la
Aplicando la definición de densidad de flujo para la sección
φ = BAc mayoría de los inductores para aumentar la corriente máxima por la bobina
media del núcleo magnético: para una misma densidad de flujo (evitar saturación). ⇒ L↓ pero se compensa
Nφ aumentando N ya que L∝N2.
La inductancia de una bobina formada por N espiras: L=
I
Nφ max NBmax Ac La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando
Su valor máximo será: Lmax =
Ip
=
Ip la ley de Ampere al nuevo circuito magnético, ∫ H ⋅dl = NI
Este será el valor de la inductancia máxima que puede obtenerse para un La densidad de flujo en el aire, Bg puede relacionarse
núcleo dado. Debe ser mayor que el valor de inductancia deseado. En caso con la densidad de flujo en el circuito magnético, Bmax,
contrario se selecciona un núcleo más grande. Para este nuevo núcleo se Bg Ag = Bmax Ac
sin más que tener en cuenta que el flujo permanece
determina la nueva inductancia máxima y así sucesivamente hasta que la constante a lo largo del circuito magnético:
inductancia máxima supere o iguale el valor deseado.
LI p Donde Ag es la sección equivalente del entrehierro (esta sección es ligeramente
El número de espiras necesario para construir una bobina de
N= superior a la del núcleo).
valor L, será: (B) Bmax Ac
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la La intensidad del campo magnético en el entrehierro Bg φ max
Hg = =
ecuación del producto de áreas del núcleo vista anteriormente: (Hg) viene dada por: µ0 µ 0 Ag
L I p I rms Debido a que la permeabilidad del núcleo magnético (µ)
Aw Ac = es mucho mayor que la del aire (µo), la intensidad del Bg B
kcu JBmax Hg = >> c = H c
campo en el núcleo (Hc) será mucho menor que en µ0 µ
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada núcleo, de forma que una entrehierro (Hg).
vez evaluada la parte derecha de la expresión anterior, debe elegirse un núcleo
Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el
con un producto de áreas mayor o igual que el valor calculado. H g g = NI p
material magnético frente a la intensidad de campo en
el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar
para una corriente máxima Ip:
LI p
Ip
NI p φmax µ 0 Ag L µ 0 Ag L
g= = = 2 I p2 = 2 2 I p2
Hg φmax φ max Bmax Ac
µ 0 Ag
Donde g es la longitud del entrehierro.
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 9 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 10 de 13
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 11 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 12 de 13
SELECCIÓN DE CONDENSADORES
¾ Capacidad.
¾ Tensión máxima.
¾ Corriente eficaz.
¾ Frecuencia.
¾ Resistencia Serie Equivalente (ESR).
¾ Autoinducción Serie Equivalente (ESL).
¾ Volumen (tamaño).
¾ Electrolíticos.
• Alta capacidad.
• Altas ESR y ERL (Fuertes pérdidas I2R).
• Tensión máxima de unos 450÷500 V. Necesidad de conexión serie.
• Tienen polaridad (peligro de explosión si se cambia la polaridad).
¾ Plásticos y Cerámicos.
• Muy baja capacidad.
• Muy bajas ESR y ERL.
• Tensiones máximas muy elevadas.
• No tienen polaridad.
12.1.INTRODUCCIÓN
12.2.RECTIFICADOR MONOFÁSICO
12.2.1. Rectificador Media Onda
12.2.2. Puente Completo
12.2.2.1. Conmutación Instantánea
12.2.2.2. Conmutación no Instantánea AC, 3Φ
12.2.2.3. Carga Tipo Tensión Constante AC,3Φ DC DC
12.2.3. Conexión en Redes Trifásicas. Corrientes por el
Neutro
12.3.RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS
12.3.1. Montajes Simples
Símbolos de Convertidores AC/DC
12.3.2. Conexión Serie
12.3.2.1. Conexión en Fase ¾ Entrada AC, monofásica o polifásica.
12.3.2.2. Conexión en Oposición de Fases ¾ Salida DC no controlada, su valor depende de:
12.3.3. Conexión Puente Completo ¾ La tensión de entrada
¾ La corriente por la carga
12.3.4. Conexión Paralelo ¾ Topología del convertidor
12.3.5. Tensiones y Corrientes Rectificadas ¾ Flujo de potencia desde la entrada a la salida
12.3.5.1. Valor Medio de la Tensión Rectificada ¾ Aplicaciones:
12.3.5.2. Valor Eficaz VRMS ¾ Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes características:
¾ De coste mínimo
12.3.5.3. Factor de Ondulación ¾ No sensibles al valor de la tensión de salida
12.3.5.4. Desarrollo en Serie ¾ No problema con el factor de potencia
12.3.5.5. Factor de Potencia del Secundario ¾ Algunos ejemplos:
¾ Entrada de fuentes de alimentación
12.3.5.6. Corriente Para Carga Altamente Inductiva ¾ Alimentación de motores DC
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 1 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 2 de 32
+
Carga
D
Carga
-
iR R VS
VS
-
a) b)
Rectificador no Controlado con Carga Resistiva
+
Primer Segundo
intervalo: intervalo:
Carga
VR=VS VR=0
IR=VS/R IR=0
VAK=0 VAK= VS
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 3 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 4 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda
di Area A
D VS = V L + V R ; V L = L ⋅ ;
dt
iR R VR 1
di = ⋅ V L ⋅ dt
L D
VS Area B
i (t2 ) 1 t2
L VL
∫i (0) di = L ⋅ ∫0 VL ⋅ dt = 0 ⇒ iL
L VL
0 = Area( A) − Area( B) VS
E
Area A
Primer Intervalo
Area B
Primer Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 5 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 6 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda
D D
iR R VR iL VL
L
VS VS
L VL E
Area A
Area A
Area B
Area B
1er 2o
Intervalo Interv
1er Intervalo 2o Intervalo
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 7 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 8 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo
Conmutación Instantánea
Inductancia Puente Rectificador id
Puente Rectificador id
parásita LS
+
D1 D3 +
D1 D3
iS iS
Carga
Carga
VS Vd
VS Vd
D2 D4
- D2 D4
-
Rectificador en Puente Completo Monofásico Rectificador en Puente Completo Monofásico con conmutación ideal y carga
resistiva:
Se estudiarán los siguientes casos:
id
Puente Rectificador
¾ Para LS despreciable.
+
D1 VS D3
¾ Con carga resistiva
iS
¾ Con carga fuertemente inductiva.
Carga
Vd = VS
VS >0
¾ Teniendo en cuenta el efecto de LS.
Carga
Vd = -VS
VS <0
D2 VS D4
-
a) Vs<0
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 9 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 10 de 32
DPF DPF = 1
PF = ⇒
1 + THD 2 PF = 0.875
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 11 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 12 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conmutación no RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conmutación no
Instantánea Instantánea
Carga
VS Vd
2V S sen(ωt ) ⋅ d (ωt ) = ωL S di S ( 0 ≤ ωt ≤ µ )
µ Id
Aµ = ∫ 2V S sen(ωt ) ⋅ d (ωt ) = ωL S ∫ di S = 2ωL S I d
0 −Id
t Aµ = 2V S (1 − cos µ ) = 2ωL S I d ;
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 13 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 14 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Carga Tensión Constante RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Carga Tensión Constante
Inductancia de VL
Línea y
Transformador Puente Rectificador Id
LS Carga
+
D1 D3
iS
VS Vd
Puente Rectificador Monofásico con Carga a Tensión Constante (Carga
D2 D4 capacitiva, Motor DC o Batería)
- V
θ 1 = ar sen d ; θ p = π − θ 1
2V S
a) Circuito
La ecuación que rige el funcionamiento del circuito es:
dI d
VL VL = LS = 2VS sen(ωt ) − Vd ;
dt
integrando esta ecuación, se obtiene:
i
ωL S ∫ dI S = ∫
0
θ
θ1
( )
2V S sen(ωt ) − V d d (ωt ) ⇒
∫θ ( )
b) Formas de Onda θ2
2VS sen(ωt ) − Vd d (ωt ) = 0
Puente Rectificador Monofásico con Carga a Tensión Constante (Carga 1
1 θ
π ∫θ
Id = iS (t ) d (ωt )
2
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 15 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 16 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conexión en redes RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS.
trifásicas. Corrientes por el neutro. Montajes Simples
iR
UR
Rect. 1
iN=iR+iS+iT N N
N
+ -
Rect. 2
Vd >0 Vd <0
UT N US i S - +
Rect. 3
a) Montaje Simple Polianódico b) Montaje Simple Policatódico
iT
Polianódico
h = 2 k +1
∞
iS = 2 I S 1 sen (ωt − Φ1 − 120º ) + 2 I Sh sen (hωt − Φ h − 120º h )
En esta suma todos los armónicos no triples suman cero, luego la corriente
por el neutro será:
∞
iN = 3 ∑ 2 I Sh sen (hωt − Φ h ), k = 1, 2, 3 L
Policatódico
h =3( 2 k −1)
∞
IN = 3 ∑I 2
Sh
h =3( 2 k −1)
≈ 3I S 3 Vd
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 17 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 18 de 32
- -
-
u1 S T
Uc=u1+u2 R
u1
Comparación con un solo Uc=u1-u2
+ rectificador:
Uc + Comparación con un solo
¾ Tensión de pico doble. rectificador:
- ¾ Frecuencia de rizado
+ ¾ Tensión de pico menor que
igual.
¾ Tensión de rizado doble. - el doble (en trifásica 3 ).
u2 ¾ Frecuencia de rizado doble.
R’ S’ T’ Uc ¾ Tensión de rizado menor.
u2
+ +
+ -
Vd
Uc
Uc
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 19 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 20 de 32
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. Puente RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. Puente
Trifásico Trifásico
+
1
- TS
R
Carga
S Uc
T
R S T +
u1
R
Carga
+
S Uc 2
+ T R
Carga
S Uc
+ ⇔ -
T
-
+
R’ S’ T’ Uc 3
u2 El montaje puente es equivalente al
montaje serie en oposición de fase, TS R
Carga
pero se ahorran devanados de S
T
Uc
+ - transformadores.
+
4
Carga
S Uc
T
+
5
Uc
R
TS
Carga
S Uc
T
Uc
+
6
Carga
S Uc
T
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 21 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 22 de 32
TS +
LS
R Carga
S Uc
T
-
Conmutación no instantánea en un puente trifásico
TS/6
Armónico
Rectificador A
+ + +
u1 Uc= u1 u1
R S T = u2 R S T
N t
- -
- +
Uc=( u1+ u2)/2 +
Vd
- - - -
R’ S’ T’
R’ S’ T’
u2 u2
m π
Vo = ⋅ V ⋅ sen
Sólo conduce un diodo en cada Conducen un diodo de cada rectificador π M m
instante en cada instante
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 25 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 26 de 32
Montajes:
-Puente
1 m 2π
-Simple
En el caso trifásico: m=3, VRMS = V M ⋅ + ⋅ sen
2 4π m
3 3
Vo = V f = 1.652V f
π Para el caso trifásico: VRMS(m=3)=1.189VS
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 27 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 28 de 32
TENSIÓN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de TENSIÓN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de
Ondulación. Desarrollo en Serie. Factor de Potencia del Potencia del Secundario
Secundario
Factor de Potencia Secundario:
Ss AC,3Φ DC
AC,3Φ
DC
T
1
La potencia activa suministrada por el rectificador es: Pd = T v d ⋅ i d ⋅ dt ,
o
∫
t v d e i d son la tensión y la corriente a la salida del rectificador.
donde
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 29 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 30 de 32
TENSIÓN RECTIFICADA. Factor de Ondulación. . Factor de CORRIENTE PARA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA.
Potencia del Secundario. Desarrollo en Serie Puente Trifásico
Gráficamente:
2
I S = Id
3
0.25
3
0.2
6 Id 6
9 I S1 =
0.15
12
Para m=3: π
I S1
0.1
I Sh = h
(h = 5,7,11L)
0.05
0
Al estar los armónicos en fase, DPF=1.
1 2 3 4
I S 1 DPF 3
5 6
7
8
PF = = = 0.955
9
10
11
12
El factor de potencia es:
π
13
14
15
16
17
18
IS
19
20
21
22
23 3
24 6
25
26 9
27 12
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 31 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 32 de 32
INTRODUCCIÓN
ACCIONES A TOMAR:
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 1 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 2 de 22
Pconv=1.34 A(∆T)1.25/d0.25
Ejemplo de Encapsulado: IGCT
donde:
1 d
Rθsa ,conv =
¾ Radiadores con 1.34 A ∆T
ventilación forzada.
En algunos manuales se suele aproximar por: Pconv=h A ∆T
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 5 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 6 de 22
Aislamiento
j c s a
Disipador Ts
+ Rθjc + Rθcs + Rθsa +
PD Tj Tc Ts Ta
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 7 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 8 de 22
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIÓN. TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIÓN.
Modelo Térmico Dinámico Modelo Térmico Dinámico
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 9 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 10 de 22
TS Po Tfn
T5 T4 T3 T2 T1
T0n
PD a) Sistema térmico
aproximado por cinco
trozos. 0 t 0 t
a) Escalón de Potencia b) Evolución de la Temperatura
en el trozo n
Zθ Zθ (t ) = Zθ 0 (1 − e −t / τθ )
T5 T4 T3 T2 T1
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 11 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 12 de 22
Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones
Transitorias Transitorias
En otros casos, los fabricantes dan únicamente una curva que representa la
Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia térmica impedancia térmica transitoria para una potencia disipada tipo escalón:
transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escalón
o ondas cuadradas periódicas, por ejemplo:
10
log(Zθ(t)/Zθ(t=∞))
Impedancia Térmica Transitoria
Unión-Cápsula ZthJC (ºC/W)
0.1
log(t/τθ ))
0.1 0.05
Para formas de ondas diferentes de escalones y ondas cuadradas, se puede
PD
0.02 aproximar por ondas de duraciones comparables que inyecten la misma energía
0.01 Pulso único, T=∞
t1
(área) que la onda cuadrada, así por ejemplo:
Notas: T Tj
1-D=t1/T 0.318T P0
2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
Potencia
0.01
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t
t1 (seg)
P0u(t1)
Curvas de la Impedancia Térmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330 P0
donde la Impedancia Térmica Transitoria está parametrizada en función del Tj
ciclo de trabajo del MOSFET 0.318T
t
-P0u(t2)
temperatura de la unión no varíe y por tanto estas curvas no sirven. En general, t P0
para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la característica 0.09T 0.41T T/2
estática. t1=0.09T t2=0.41T
El pulso se descompone en dos escalones:
Se hace equivalente un arco de
senoide a una onda cuadrada de P(t)=P0u(t1)-P0u(t2)=P0(u(t1)-u(t2))
la misma amplitud y duración y la temperatura puede calcularse de:
0.318T
Tj(t)=Tj0+P0(Zθ(t1)- Zθ(t2))
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 13 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 14 de 22
n n
n =1, 3, 5....
P0
t
P0u(t0)
P0
t
(P1-P0)u(t1)
P1-P0 t
t0 t1
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 15 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 16 de 22
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Radiadores DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.
PD Convección Forzada
d
Tj
Definida por el fabricante,
puede haber varios tipos de
Rθjc cápsula para un mismo
dispositivo H
Tc
Depende del encapsulado,
Rθcs disipador y de la forma
como se conecten.
Ts
Elegida (de un catálogo de
Rθsa fabricantes de disipadores)
por el diseñador del Tipos de Superficies (secciones): Las secciones de tipo corrugadas se usan
Ta convertidor Recta Serrada Corrugada en aplicaciones de convección natural
porque son mas delgadas y permiten una
separación mayor entre láminas.
La resistencia Rθcs depende mucho de la forma como se conecten la cápsula y el Las secciones de tipo serradas se usan en
disipador, le afecta especialmente el acabado superficial de ambos: H aplicaciones de convección forzada, ya
que aumentan la turbulencia del flujo y
Cápsula Uso de materiales intermedios por tanto el flujo de calor entre el
Superficies “blandos” que llenen los disipador y el fluido.
Rugosas huecos, por ejemplo: d d d Las secciones rectas no se recomiendan
Disipador típico: 1.6µm • Mica 100% 102% 107% en aplicaciones de gran potencia debido a
• Grasa de Silicona Áreas relativas para su menor capacidad de transferencia de
tamaños iguales calor.
Cápsula
Superficies
Pandeadas Uso de tornillos que acerquen
Disipador típico: 0.1% las superficies por presión
Entrada En el segundo caso, al ser la
de Salida superficie atravesada por el flujo de
aire aire el doble, las pérdidas de presión
son la mitad y por tanto se necesita un
esfuerzo menor (ventilador de menos
potencia) para conseguir el mismo
Salida 1 Salida 2 flujo. O bien con el mismo ventilador
se puede conseguir una velocidad del
Entrada de aire en el centro aire mayor, bajando la resistencia
Flujo 1 = Flujo 2 térmica equivalente.
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 17 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 18 de 22
Convección Natural
Incremento de Temperatura de la
90
80
70
60
50
a) A1 b) A2
40
10 Acon=2 A2 + n A1
0 donde:
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250
Potencia Disipada (W) • A1 es la superficie frontal del disipador.
• A2 es la superficie lateral del disipador.
1.0
• n es el número de superficies laterales generadas por las aletas que
0.9
componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
0.8 Convección Forzada
0.7 1 d 1/ 4
Rθsa ,conv =
. Acon Fred ∆T 1/ 4
134
RθSA (ºC/W)
0.6
0.5
donde d es el lado vertical de las superficies A1 o A2.
0.4
1
0.3
0.2
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 19 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 20 de 22
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Cálculo de DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.
la Resistencia Térmica Refrigeradores por líquidos
Superficie de
contacto con Mediante estos dispositivos,
la cápsula del se puede evacuar una gran
dispositivo a cantidad de calor con un
refrigerar tamaño de disipador mucho
más reducido si se compara
con los refrigerados por aire.
Normalmente se empleará un
circuito cerrado, y se forzará
mediante una bomba la
A1 A2 circulación del líquido.
Para calcular la resistencia térmica debida a la radiación: Suele utilizarse como líquido
Salida de refrigerante agua (a veces con
Arad=2 A1 + 2 A2 Entrada
Líquido aditivos).
de Líquido
donde:
El circuito completo será:
• A1 es la superficie frontal del disipador.
• A2 es la superficie lateral del disipador.
Refrigerador
por líquido Protección
∆T por presión
Rθsa ,rad = baja
5.7 × 10 −8 EArad (Ts4 − Tas )
La Resistencia Térmica del Disipador será la resistencia equivalente a
conectar en paralelo las dos resistencias térmicas calculadas anteriormente: Protección
por caudal
bajo
Rθsa ,rad Rθsa ,con
Rθsa =
Rθsa ,rad + Rθsa ,con
Enfriador del Bomba
líquido por aire
forzado Depósito
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 21 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 22 de 22
Flujo de calor
Condensación
Retorno del
líquido
condensado
El vapor sube
Evaporación
Flujo de Potencia
Circuito de Mando
9.2.1.2. Salida Bipolar de potencia
9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Eléctrico
Aislamiento
9.2.3. Alimentación en los Circuitos de Disparo galvánico de
9.2.3.1. Alimentación con circuitos de Bombeo de las señales
Elementos de
(deseable)
Carga por Condensador cálculo
9.2.3.2. Alimentación con circuitos “Bootstrap”
9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs
Esquema de un convertidor de potencia.
9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
SERIE En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (“Drivers”) con las
9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE siguientes características:
POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE ¾ Toman señales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las
CONTROL amplifican a niveles adecuados para la conmutación de dispositivos de
9.4.1. Protección contra Sobrecorriente potencia.
9.4.2. Protección contra Cortocircuitos en Montajes ¾ Dependiendo de las características del dispositivo a controlar, podrán ser
de baja o media potencia.
Tipo Puente ¾ Deben generar señales adecuadas para garantizar:
9.4.3. Conmutación sin Snubbers ¾ La conmutación rápida con pérdidas mínimas.
¾ La entrada en conducción segura del dispositivo, con pérdidas en
conducción mínimas.
¾ El corte seguro evitando que entre en conducción espontáneamente.
¾ Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destrucción
del dispositivo que controlan:
¾ Sobrecorriente.
¾ Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tb+
- A TA
Circuito + Tb−
de control
BJT ó
MOS
Divisor de tensión
capacitivo
Circuito de Vcc
Disparo
VBB
VBB
Tb+ 2
A TA
− IB
La tensión Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la Tb−
tensión VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso −VBB
Unipolar y a –20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre 2
Resto del circuito
ambos casos es de unos 35nS. de Potencia
VBB
+15 V
Circuito
de
Potencia
DA
Circuito RG
Integrado CMOS
−VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de
Control Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de
Control
El diodo DA sirve para evitar la saturación completa del BJT de potencia y
así acelerar su conmutación.
¾ Este circuito es útil para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades
bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de
salida alta).
Entrada al driver o
señal de disparo
Q
Circuito de control Oscilador
Entrada al
de alta
driver
frecuencia /Q Vd
Vo
Referencia del Referencia del
circuito de control interruptor de potencia Señal digital de Vc
control (baja
Inductancia de frecuencia)
Magnetización
Modulador Demodulador
Señal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso
¾ El transformador de pulsos permite transportar una señal de cierta Señal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso
potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentación La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
auxiliar. rectificadores serán de alta frecuencia, pero de señal.
Vo
Vd
ip≈VBB/Rp.
Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, Circuito de Puerta con Señal de Control Aislada con Transformador de
y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 será: Pulso. Aplicación para Bajas Frecuencias de Trabajo
Si Vcontrol=1, aparece una señal de AF en el transformador, cargando una
ib=icN3/N2. vez rectificada los condensadores C1 y C2 ⇒ Vi=”0” y el CI está
alimentado, al ser inversor dará una salida Vo=”1” , haciendo que el MOS
Además, durante el tiempo que está cortado T1 Cp se descargará por Rp. Si en de potencia conduzca.
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensión aplicada al devanado 1 es VBB Si Vcontrol=”0”, no hay tensión de AF en el transformador y C2 se descarga
y la corriente ip por el transformador podrá ser muy alta, de forma que: por R2 ⇒ Vi=”1”, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se
descargue), luego Vo=”0”.
ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener
cargado C1 hasta el próximo disparo.
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformación, podrá hacerse la
corriente de base negativa y se cortará el transistor de potencia.
VBB VCC
Vcc 2 C2
Circuito de
disparo
VBB1 Carga C1
D2
Circuito de
Vcc 2 CD-1
disparo Osc.
VBB2 D1
VBB
VBB
VBB CD-2
Montaje Semipuente
D D VCC D
Driver
Driver
Tierra de Potencia
RG
Inversor Trifásico con Circuitos “Bootstrap”
VGK
+
-
VGGH
¾ El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones
VGGL
requeridas con un diodo y un condensador.
¾ Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior
de cada rama deben ser de alta tensión.
¾ El régimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que
no se descarguen los condensadores.
¾ Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la
mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.
D1
15v
VGK
D2
RG
VD
Vcontrol
VGS=20V (máx.
ic permitido por la
log iD
tecnología)
V BB RBSO VGS=15V
(recomendado)
4*iDnom
Señal
Conmutación
de iDnom
Control
v CE vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes
a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello
Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el debe realizarse la protección desde el circuito de disparo, así en los
corte anulando IE el área de operación segura será la correspondiente al IGBTs:
diodo C-B (no avalancha secundaria) luego será cuadrada y con un valor
límite de VCE casi el doble (BVCB0≈2*BVCE0). ¾ Al aplicar la tensión VGS de 15 voltios (recomendada por los
fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por
El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensión. cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 µs para quitar la
tensión de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125ºC).
¾ Si se aplicase la tensión máxima permitida por el espesor del óxido
(20V), la corriente de cortocircuito subiría mucho más y el
fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo.
¾ En un cortocircuito, pueden darse dos casos:
a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un
cortocircuito
b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo está
conduciendo.
vDS iD
RG
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
4*iDnom
VGG
iD
vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensión de drenador,
t se acopla la subida a través de la capacidad Miller y se polariza la puerta
con una tensión mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensión VDS cae ligeramente, hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la
pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de tensión de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al
CGD
dispositivo.
iD VGG
vDS
4*iDnom
También es necesario emplear para cortar el IGBT una tensión de puerta
iD negativa (al menos –5V, mejor –15V), porque:
iDnom
¾ Se acelera el corte disminuyendo las enormes pérdidas debidas a las
vDScc vDS elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito.
t
¾ Se asegura el corte, ya que la tensión umbral de corte disminuye en
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT está conduciendo, la unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de
corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la la unión, de forma que durante un cortocircuito dicha tensión puede
tensión sube hasta prácticamente el valor de corte. Se produce una valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25ºC.
subida muy rápida de la corriente y de la tensión. ¾ Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta,
aparecen caídas de tensión extra en las inductancias parásitas internas
y del cableado externo, la tensión que ve la puerta es menor que la
esperada.
VCC Interr.
Generación de retrasos Interr.
Cerrado
Abierto
V1
Control T+ Entrada de
T+ D+ Control
t
Control a)
t
T- D-
Control T- b)
V2
t
Control
∆tmin ∆tmin ∆tmin
T+
Si algún pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es
demasiado estrecho, el circuito de disparo deberá evitar que dicho pulso
T−
llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones:
tc tc
Circuito de Control con Generación de Tiempos Muertos ¾ Un pulso estrecho no conseguirá que el interruptor entre en conducción o
se corte totalmente por lo que las pérdidas subirán innecesariamente.
¾ Muchos circuitos incluirán circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que
Si está circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la necesitan de un tiempo mínimo para disipar la energía almacenada.
orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de
cierre a T- para que dé tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda
entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de generadas.
almacenamiento de T+.
Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo
debiendo retrasarse el cierre de T+.
¾ Sobretensiones:
¾ Redes Amortiguadoras.
¾ Limitadores de tensión.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 1 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 2 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN SERIE
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor Debido a los problemas antes mencionados, se prefiere emplear resistencias
en el que soporten tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo. iguales que eviten un desequilibrio exagerado entre las tensiones soportadas
¾ Optimo ⇒ deberían soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos. por los dispositivos, así para el caso de dos dispositivos el efecto de conectar
¾ Problema ⇒ reparto desigual de las caídas de tensión entre los dos una resistencia igual a cada dispositivo es (sólo se considera bloqueo directo, el
dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie). efecto sobre el bloqueo inverso es análogo):
¾ Ejemplo con SCR ⇒ Cubre los casos de bloqueo directo e inverso.
IA IT IA
IA VAK1 V’AK2
SCR1 R1
SCR1 VAK2 V’AK1
VT
VAK1 VAK2
VT
SCR2 VAK2 R2
VAK2 VAK1 VAK
SCR2 VAK1
VT= VAK1+VAK2 VAK1 VAK2 VAK
I= IA1=IA2 Reparto de Tensiones en una Asociación Serie de Tiristores
Restricciones:
Reparto de Tensiones en una Asociación Serie de Tiristores
¾ Ninguna de las tensiones anódicas deberá ser mayor que la máxima
Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma soportable por cada dispositivo (Ep).
que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2
IT tengan la curva característica ¾ La tensión total máxima será la suma de las dos tensiones ánodo-cátodo,
compuesta muy parecida.
VAK1 cuando la mayor de las dos alcance su valor máximo (Ep). ⇒
SCR1 R1
Problemas:
¾ El mayor valor posible será cuando las dos tensiones ánodo-cátodo
VT ¾ Si en vez de dos son un número sean iguales entre sí y al valor máximo (Ep).
elevado es imposible ajustarlo.
¾ Cuanto menor sea R más parecidas serán las dos tensiones ánodo-
¾ Al cambiar la temperatura
SCR2 VAK2 R2 cátodo.
cambian las curvas.
¾ Cuanto menor sea R tendremos más disipación de potencia en R, para
¾ Cada vez que se sustituya un SCR
n resistencias las pérdidas totales serán:
por mantenimiento hay que
reajustar todas las resistencias
P≈n.(Ep)2/R
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 3 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 4 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN SERIE
En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse
I=IAmin I1 problemas debido a la diferencia de velocidad de cada dispositivo:
VAK1=
SCR1 Ep=I1R R
¾ Cebado: Si se retrasa uno de los dispositivos ⇒ Soportará toda la tensión.
¾ En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que
I=IAmax la tensión cae a unos pocos voltios (Debe evitarse, porque a la larga se
I2
dañará).
SCR2 VAK2 R ¾ La solución es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los
dispositivos entren en conducción a la vez.
¾ Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras ópticas, caminos
VT=Em I=IAmax I2 iguales).
¾ Debe ser lo más escarpado posible.
SCR3 VAK3 R
¾ Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo ⇒ Soportará toda la tensión
entrando en ruptura.
M ¾ En el caso del SCR es más grave que en otros dispositivos, ya que la
tensión cae a unos pocos voltios y no se consigue que se bloquee.
M ¾ Una posible solución es retrasar todos los SCR añadiendo una
I=IAmax capacidad en paralelo:
I2
SCRn VAKn R
RD
C
Ecualización Estática de una asociación serie de SCR’s (Ep será la
C
máxima tensión que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso)
I 1 > I 2 ⇒ V AK > V AK = V AK L = V AK
1 2 3 n
V AK1 = I1 ⋅ R = E P ; Em = E p + (n − 1) ⋅ R ⋅ I 2 RD
C
n ⋅ E p − Em C
Como: I 2 = I 1 − I Amax resulta: R≤
(n − 1) ⋅ I Amax M M
Esta solución tiene el problema de
Esta solución tiene el
Se ha de repetir para bloqueo directo e inverso y elegir el menor valor que al cebar los SCR hay unas
problema de no ser capaz de
que resulte para R. elevadas corrientes anódicas y
retrasar los SCR el tiempo
sobre todo una elevada derivada
requerido.
de dicha corriente
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 5 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 6 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN PARALELO
Al conectar en paralelo dos dispositivos se trata de poder realizar un
La solución pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una convertidor en el que soporten corrientes mayores que las que soporta un
descarga lenta del condensador a través de RD pero al bloquear, conecte C solo dispositivo.
directamente a la tensión ánodo-cátodo. El circuito completo para la conexión
serie de un grupo de SCRs será por tanto:
¾ Óptimo ⇒ deberían soportar una corriente el doble de lo que soporta
cada uno de ellos.
¾ Problema ⇒ reparto desigual de las corrientes entre los dos dispositivos
(aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie).
¾ Ejemplo con SCR
RD D
IA
IA1
RS IA
C IA1 IA2
VAK
SCR1 SCR2
IA2
RD D
RS VAK
C Reparto de Corrientes en una Asociación Paralelo de Tiristores
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 7 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 8 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN PARALELO CONEXIÓN EN PARALELO
VAK V’AK
V´AK VAK VAK V´AK
a) b) Uso de resistencias ecualizadoras. Problema: La Potencia crece con el
cuadrado de la corriente ⇒ No se puede usar para corrientes elevadas.
Conexión en paralelo de dos dispositivos de potencia: a) Con coeficiente de
temperatura negativo y b) Con coeficiente positivo.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 9 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 10 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN PARALELO CONEXIÓN EN PARALELO
Aunque los dispositivos tengan coeficiente de temperatura negativo, se
Conexión de tres dispositivos en paralelo pueden conectar si te tienen en cuenta las siguientes recomendaciones:
Puerta
Cátodo
Conexión de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras:
Conjunto de Varios Tiristores en Paralelo en un mismo Encapsulado
¾ Ventaja: No pérdida de potencia en resistencias incluyendo un SCR auxiliar para el disparo.
¾ Desventajas: Demasiada complejidad al subir el número de dispositivos en En el encapsulado de estos módulos, los fabricantes tienen en cuenta
paralelo: coste, peso y volumen. las recomendaciones anteriores, por lo que pueden usarse sin
problemas.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 11 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 12 de 25
PROTECCIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES
Sobreintensidades: Corriente
¾ Posibles causas: sin el fusible
Sobrecargas.
Cortocircuitos.
¾ Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento,
debe detenerse la operación del dispositivo, hasta que un operador Imax
repare la causa. Corriente
Fusibles. sin el fusible
Interruptores.
Sobretensiones:
¾ Posibles causas:
Causas externas al circuito: tm ta t
• Perturbaciones atmosféricas
• Conexiones y desconexiones de equipos en la red.
tc
Causas internas al circuito:
• Variaciones bruscas de corrientes por bobinas. Efecto Limitador de Corriente en un Fusible
¾ Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deberá
evitarse que se superen los límites de tensión de cada dispositivo y sus Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en
derivadas. Por tanto, se limitará el efecto de las sobretensiones dejando cuenta lo siguiente:
el circuito en servicio.
Redes RC. 1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del
Dispositivos auxiliares limitadores de tensión. dispositivo.
2
2. El valor de la energía permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensión una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensión que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensión
de pico del dispositivo.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 13 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 14 de 25
PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES
I(RMS) Característica
del dispositivo
Rectificador
Característica
T1 T2
del fusible
F1
Carga
Red AC F2
T4 T3
dispositivo
I(RMS) F1 F2
fusible
T1 T2
Carga
disyuntor
magnético
Red AC
T4 T3
F4 F3
disyuntor
térmico
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 15 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 16 de 25
PROTECCIÓN CONTRA DERIVADA MÁXIMA DE PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
INTENSIDAD
IA IA
Amortiguador dIA /dt=VR /LS ta
LS tb
de encendido
Ron
t t
Lon IA Carga
VAK VAK almacenada
Don VR t VR t
VP
Sobretensión
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 17 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 18 de 25
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES.
USO DE REDES RC DESCONEXIÓN DE LA RED
IA
Red AC Transformador Amorti-
ta S1
tb=0 guador
LS
Amortiguador
t
Convertidor
de Potencia
de apagado
VAC R Vo
IA VAK Lm
R
VR t C
VP
C
Circuito
Resonante
Lm R Vo
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 19 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 20 de 25
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS
DESCONEXIÓN DE LA CARGA SVS: Silicon Surge Voltage Supressor:
Convertidor Amorti- Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en
guador conducción si se supera la tensión
de Potencia IL Límite, protegiendo los dispositivos
S2 contra sobretensiones.
LS
R
Carga
VS Vo
C
Estructura, símbolo de circuito y fotografía de SVS
Se conectarán en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser protegido, así
a) Carga Conectada para proteger a un SCR, se elegirá un SVS de forma que teniendo en cuenta las
tolerancias de fabricación del SVS para la corriente máxima prevista por el
SVS no se alcance la tensión VDRM o VRRM del SCR.
Circuito
Resonante
LS
Carga
VS R
C
b) Desconexión de la Carga
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 21 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 22 de 25
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
OTROS DISPOSITIVOS: Diodos de Selenio y MOVs COMPARACIÓN ENTRE SVS Y MOV
Además de los SVS, se utilizan Diodos de Selenio y MOV (Metal Óxido Varistor):
Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo
sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipación de energía.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 23 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 24 de 25
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
Dispositivo
a Proteger
SVS ó R
MOV
C
El SCR tiene una caída en conducción muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente anódica. ⇒ Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutación por ciclo).
Desde los primeros años del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta ⇒ A principios de los años 80
aparecen los primeros GTOs.
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR
PUERTA Porqué no puede cortarse un SCR desde puerta?
CÁTODO (K)
7.1. INTRODUCCIÓN PUERTA (G)
7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO VGK<0
7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO
7.4. CONMUTACIÓN DEL GTO
Unión
7.4.1. Encendido del GTO Catódica
7.4.2. Apagado del GTO
7.5. MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE n+ n+ Capa Catódica
p
POR CORRIENTE DE PUERTA - + + - - + Capa de
Control
7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA Unión de
Control
PUERTA. n-
Capa de
7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. Unión Bloqueo
7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT Anódica
DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Al aplicar una tensión negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente
saliente por la puerta. Aparece una focalización de la corriente anódo-cátodo
hacia el centro de la difusión n+ catódica debido a la tensión lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unión catódica,
manteniendo al SCR en conducción.
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 2 de 23
ESTRUCTURA DEL GTO
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL GTO
Cátodo iA
BV≈20÷30 V
p
VAK
n-
p+ n+ p+ n+ p+
Ánodo Ánodo
Ánodo
Sección de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
• Interconexión de capas de control (más delgada) y catódicas,
Puerta Puerta
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catódicas y
aumentando el perímetro de las regiones de puerta.
• Ataque químico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catódicas.
Cátodo Cátodo
• Regiones n+ que cortocircuitan regiones anódicas:
• Acelerar el apagado Característica estática y símbolos de GTO’s
• Tensión inversa de ruptura muy baja
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 3 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 4 de 23
FUNCIONAMIENTO DEL GTO FUNCIONAMIENTO DEL GTO
A A A Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la
α2
IA = IE1 puerta, debe ser β off =
p1 J1
p1 IB1 α 1 + α 2 − 1 lo mayor posible, para ello
J1
n1 T1 debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).
n1 n1 IC2
J2
J2 J2 IC1 ⇒ α2 ≈1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
p2 G p2
G p2 G T2 poco dopada y que su emisor (capa catódica) esté muy dopado.
J3 J3
Estas condiciones son las normales en los SCR.
n2 IG IB2
n2 IK = -IE2
⇒ α1 ≈0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
K tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera
K K
condición es normal en SCRs de alta tensión, la segunda no,
porque ocasiona un aumento de las pérdidas en conducción.
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo Para conseguir una buena ganancia βoff será necesario asumir
proceso que en el SCR normal. unas pérdidas en conducción algo mayores.
Los cortocircuitos anódicos evitan estas pérdidas extras, al quitar
Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que
una corriente de puerta negativa: disminuir la vida media.
- Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los
IB2=α1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-α1) IA huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo
pueden eliminarse por recombinación al no poder difundirse
La no saturación de T2 ⇒ IB2< IC2 /β2 dónde β2= α2 /(1-α2) hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los
sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos: cortocircuitos anódicos aceleran la conmutación de T1 al poder
extraerlos (a costa de no soportar tensión inversa).
I C 2 ⋅ (1 − α 2 ) (1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 )
I B2 < = ⋅ I A;
α2 α2
I B 2 = α 1 ⋅ I A − I G− <
(1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 ) ⋅ I A
α2
IA
luego: I G− > α2
β off ,
βoff =
dónde β off es la ganancia de corriente en el α1 +α2 −1
momento del corte y vendrá expresada por:
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 5 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 6 de 23
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO CIRCUITO DE EXCITACIÓN DE PUERTA DEL GTO
IGM
dIG /dt
IGON
-
I GM
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 7 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 8 de 23
CONMUTACIÓN DEL GTO CONMUTACIÓN DEL GTO. ENCENDIDO POR
CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA
AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
Carga + Limita la velocidad de subida de la
+ DLC corriente anódica en el encendido,
evitando que IA alcance valores muy ∂IG /∂t, Limitada por las
Df Io altos cuando aún no puede circular por inductancias parásitas
todo el cristal (podría subir mucho
debido a la recuperación inversa de Df ) IG
IGM I GON
Turn-on
snubber AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la t
tensión anódica en el apagado, I A : Sin amortiguador de encendido
Lon evitando que al subir VAK las
Lon corrientes por las capacidades de las IA
uniones lo ceben de nuevo
td
-
Circuito para el Estudio de la Conmutación del GTO:
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 9 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 10 de 23
CONMUTACIÓN DEL GTO. APAGADO POR MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE
CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Cátodo
IGON
IG
t +
Puerta n Puerta n+ Puerta
IA p
ts tcola
Focalización de la IA
n- debido al potencial
lateral⇒ Aumento
t de la resistividad
VAK
Resonancia de Cs
y Lσ (Pérdidas) ⇒ Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo
lateral, que provoca que la corriente anódica se concentre en los puntos mas
alejados de las metalizaciones de puerta.
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO ⇒ Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 11 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 12 de 23
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA: FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
IGCT
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 13 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 14 de 23
ZONA DE OPERACIÓN SEGURA DEL IGCT MODULO CON UN IGCT
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 15 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 16 de 23
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA
Conductor
A
G G
A
Doff n +
n+ Doff Son
Soff p Son p G G
+
p off-FET on-FET
Soff Don
n
p-
K
n+
a) b)
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 17 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 18 de 23
COMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS
IMAX (kA) 7
6 GTO
5
4
3
2
1
1 2 3 4 5 6 7
VMAX (kV)
1
3 IGBT
log(f) 10 5
(kHz)
20 ¾ Consiguen que la resistencia en conducción crezca casi linealmente con
100 50 la tensión de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
MOS 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
¾ Existen comercialmente (Infineon).
Máximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS,
IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT
Injection Enhanced Gate Thyristor:
IEGT
¾ La razón por la que la caída en
conducción de un SCR o GTO es Sección de una Sección de una
ánodo). n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+ n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+
capa de fuente tenga una Región de arrastre del Drenador Región de arrastre del Drenador
los perfiles de los dopados) p+ (oblea) Capa de Inyección p+ (oblea) Capa de Inyección
Drenador Drenador
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 21 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 22 de 23
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIÓN
ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS
CONSOLIDADOS
Fuente Puerta
óxido de puerta
AISLADA (IGBT) n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3
p
(sustrato)
6.1. INTRODUCCIÓN n-
L
CARACTERÍSTICA I-V iD iD
log(Ω⋅cm2)
BVDSS
Transistor D-MOS
SiO2
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendrá un
valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. óxido de puerta
n+ n+ n+ n+
Transistor n-MOS
La caída en conducción será: iD⋅RON Donde RON será la suma de las p canal
resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo p
la de canal). (sustrato)
L Región de arrastre
Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la n -
del Drenador
capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal. WD
RD
Sólo en PT-IGBT
iD iD
iD iD
n+ Capa de almacenamiento
Drenador
Transistor IGBT
VDS VDS
a) MOS de alta tensión b) MOS de baja tensión
p p p
VRRM, Muy
bajo si es un
Canal PT-IGBT
Corte
n-epitaxial
Corte VDS
VDSon, Menor si BVDSS
+
n -epitaxial Avalancha es un PT-IGBT
C D
iC iD
VGE E VGS S
Microfotografía de una sección
de la puerta de un transistor a) b)
IGBT tipo Trenched
Rarrastre n-
n+
n+ p+
p+
D
D Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado
de Conducción D
Rarrastre
J1
Varrastre
ID Rcanal
G
Rarrastre D G
J1 S
Varrastre
ID Rcanal IC≈ 0.1 ID n+
n+
G
p
Rdispersión
S -
n
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS n+
p+
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
Vj1=0.7÷1Volt.
Rcanal =Rcanal (MOS) D
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
+
Debido a la inyección de huecos desde p
Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Esta resistencia es menor aún si es PT-IGBT, ya que para soportar la
Estructura del IGBT
misma tensión puede ser casi la mitad de ancha.
(además en los PT-IGBT la tensión VJ1 es menor al estar más
dopadas las capas que forman la unión) D
J1
• La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V
para 1.200 Voltios) J2
• En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
• Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios J3
G
Resistencia de
dispersión del
sustrato
S
A) El usuario: D
A.1) Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante. Técnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificación del
A.2) Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el Dopado y Profundidad del Sustrato
fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo).
B) El fabricante: En general intentará disminuir la resistencia de dispersión
de sustrato del dispositivo:
B.1) Hacer L lo menor posible
B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado
B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.
G VGS(t)
S VT
-VGG
n+
p+ iD(t)
td(off) Corriente
p de cola
n- tfi1 tfi2
trv
n+ VDS(t)
+ VD
p
D
Técnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un
bypass de la Corriente de Huecos
Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
• Es un procedimiento muy eficaz. que no sube completamente Vd)
• Disminuye la transconductancia del dispositivo.
La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la región n-).
• Provoca pérdidas importantes (corriente relativamente alta y tensión muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
• La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersión, es la causa del “latch up” dinámico.
• Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinación). Tiene el
inconveniente de producir más pérdidas en conducción. ⇒ Es necesario un
compromiso.
• En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n-
con una vida media larga, así el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa
n+ dónde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo más rápido la
corriente.
Tema 6. IGBT Transparencia 13 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 14 de 20
ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
3000V/µs
b) VDS
Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente
Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)
G Cds
a) VGS Cgs
ID S
Tj=25ºC Las capacidades que aparecen en los catálogos suelen ser:
• Cre o Cmiller : es la Cgd.
Tj=125ºC Análogo al • Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida
transistor manteniendo VDS a tensión constante).
∂ VDS/∂ t=0 ∂ VDS/∂ t>0 MOS • Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida
manteniendo VGS a tensión constante).
Análogo al 105 pF
∂ VDS/∂ t<0 transistor
BJT Ci
b) VDS
Efecto de la tensión VDS sobre
104 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la caída en conducción las capacidades medidas en un
(Pérdidas en conducción). ⇒ Uso de VGS máximo (normalmente=15V). transistor IGBT.
Co
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la caída en
conducción respecto a la temperatura. 103 pF Puede observarse que cuando
Cre está cortado son mucho
• Derivadas positivas permiten conexión en paralelo.
menores que cuando está
• Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada
conduciendo
negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la
caída de potencial (suben menos las pérdidas). 102 pF
• En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del límite 0.1 V 1V 10 V 100 V
(siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de VDS (V)
derivada positiva.
p+ 1017÷1019,
Capa Anódica
30÷50µ
ÁNODO (A)
Conducción
Ánodo
Ruptura
Sección de un SCR para potencias muy elevadas
VCC RC
RC Ánodo
n- n- RC
VCC VCC
VAK
Puerta + Unión
Inversamente
Cátodo Polarizada
VCC VCC
G G
p p h+
RG h+ RG
+
n + n
e- e- e-
VGG VGG
K K
K K K
IH
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente
Como: IK = − IE 2 = I A + IG (c)
I A = I E1 (d)
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene:
I C1 = −α1 ⋅ I A − I CO1 (e)
t
I C 2 = α 2 ⋅ ( I A + I G ) + I CO 2 (f) VAKon
Y, sustituyendo I C1 e I C2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas Circuito Simple de SCR con Bloqueo Estático. Frecuencias Bajas
expresiones (e) y (f), se obtiene:
I A − α1 I A − I CO1 = α2 ( I A + I G ) + I CO 2 (h)
I G α1 + I CO1 + I CO 2
IA =
1 − α1 − α 2
L1
VS
L2
IL
T2
IG
1. Corriente de Puerta.
td tr VAK
VFRM
Irr
VAK1 trr dV AK
dt max
t
td >tq Uso de redes RC (Snubbers)
dVF 5. Temperatura elevada
< max
dt Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinación de
varias causas, podría provocarse la entrada en conducción
tps t
6. Radiación luminosa
Sólo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para
funcionar de esta forma (LASCR)
Ánodo / T1
Puerta
VAK
Puerta
Cátodo / T2
VBD
Cátodo
Combinación de dos SCR para formar un TRIAC. Símbolo del TRIAC
VBD VT1T2
T1
N4
P1
J1
J2
P2 vG
N3 N2
G
T2
D Saturación G
S S
iD
VGS n+ e- n+
G VDS e-
p p
VGS S
Canal
Corte VBV VDS n
a) Símbolo VBD
b) Curva Característica
Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
2 L
k W D
sustituir VGS- VT =VDS , en la fórmula anterior, es decir: i D = ⋅ ⋅ (V DS ) ,
2
n+ n+ n+ n+
SiO2
p p p
óxido de puerta
n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
- L 10 …
14
n-epitaxial
n 1015 cm-3
n+ iD iD
1019 cm-3 n+-oblea
(oblea)
D
Drenador
n+
límite de la zona
de deplexión
-
n
VGS2
-
n
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)
n+
límite de la zona n+
límite de la zona
de inversión
de inversión
límite de la zona límite de la zona
p de deplexión de deplexión
p
-
n
n−
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
n+
límite de la zona
de inversión
límite de la zona
p de deplexión
-
n
E T1
n+
D1 IDiodo VDD
B
p
IL
Carga inductiva
n- C
T2
D2
D
VDD
IDrenador
C
G
B
E
DA
DB
RG =20Ω
Cambio de
RG CDS tensión debido a
G
la conmutación de
otro dispositivo
VG =0V CGS
⇓ S
Transistor cortado
Efecto de la conmutación de otros dispositivos sobre la tensión de puerta
con distintos valores de RG .
El efecto de la conmutación de otros dispositivos puede provocar
RG =200Ω
variaciones importantes en la tensión de puerta debido al acoplamiento
capacitivo CGD –CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas:
a) Se supere la tensión máxima que el óxido puede soportar.
b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca.
Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitirá a la puerta, con
lo que si se supera la tensión umbral, el MOS entra en conducción.
Esto tiene el efecto de que baje la tensión VDS con lo que el efecto se
RG =2000Ω
compensa, cortándose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes
pérdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitirá igualmente a la
◊ Vcom
◊ ID
puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la
tensión máxima del óxido.
ο VDS
ο VGS
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la
fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos
se notará este efecto.
Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta, Efecto de la conmutación de otros dispositivos sobre la tensión de puerta
porque cualquier inductancia parásita presente dará una impedancia con distintos valores de RG .
equivalente muy alta ante cambios bruscos.
Saturación Cuasi-Saturación
3.1. INTRODUCCIÓN 1/Rd
Ruptura Secundaria C
3.2. CONSTITUCIÓN DEL BJT IC(A)
Ruptura Primaria IC
3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT IB
Activa B
3.3.1. Zona Activa
Corte IE
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturación E
0
3.3.3. Zona de Saturación BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
3.3.4. Ganancia Característica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17
CONSTITUCIÓN DEL BJT CONSTITUCIÓN DEL BJT
n+
B B
p B E B
n+
+
WE=10µm 1019 cm-3 n
C WB=5÷20µm p
1016 cm-3
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
Zona de
• La anchura de la base y su dopado serán lo menores posibles para conseguir expansión
una ganancia lo mayor posible (baja recombinación de los electrones que 1014 cm-3 n-
atraviesan la base). 50÷200µm
• Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un
dopado pequeño.
WC=250µm
1019 cm-3 n+
¾ El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona
de deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por
tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.
¾ Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
típica de corriente entre 5 y 10. (muy baja). C
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Típico
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 3 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 4 de 17
CONSTITUCIÓN DEL BJT FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa
Base Emisor
Vbb R
Vcc
B
+
E n p n- n+ C
Carga
n+ n+ n+ n+
Activa
p (Exceso de
electrones
n- en la Base)
n+
Unión
Zona Activa: Colector-Base
Colector (inversamente
VCE Elevada polarizada)
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
Ventajas de la estructura multiemisor: potencia típico en activa.
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 5 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 6 de 17
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturación FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturación
Vbb R Vbb R
Vcc Vcc
B B
+ +
E n p n- n+ C E n p n- n+ C
Carga Carga en
(Exceso de exceso
Saturación
Saturación
electrones
Cuasi-
en la Base)
Q2
Q1
Base Virtual Base Virtual
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
potencia típico, en Cuasi-Saturación. potencia típico, en saturación.
Cuasi-Saturación:
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 7 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 8 de 17
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia TRANSISTOR DARLINGTON
VCE-Saturación
IcTA n- IcTB
ICmax log(IC)
≈ICmax /10
n+
Variación de β en Función de IC
Colector
Colector
Base
TA
D2 β=βBβA+βB+βA
TB
D1
Emisor
Estructura de un Par Darlington Monolítico
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 9 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 10 de 17
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
ZL ZL
VBE VBE
IC
IL
IC IBon
dI B
IB
IB −
IBon dt IBoff
t
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
t
t=0 tdon tri tfv1 tfv2
VCE t
Proceso de conmutación: Saturación
t=0 ts trv1 trv2 tfi
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EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EXCITACIÓN DEL BJT
Aislamiento galvánico
4 5 Potencia entre circuitos de
IC disipada control y potencia VCC Amplificador
muy alta
Fotoacoplador
1 Potencia disipada Acoplamiento
2 muy baja λ BJT de potencia
Cb
3 Señal digital
6 de control
IL
IC Circuito Típico de Excitación de Base para BJTs de Potencia
IC 1 2 3 4 IBon
IB −
dI B 5 6 IB
IBon dt 6 5 4 1
IBoff
t t
IBoff
VCE
VBE
VBE
VCE t t
t=0 ts trv1 trv2 tfi t=0 tdon tri tfv1 tfv2
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CONSIDERACIONES TÉRMICAS AVALANCHA SECUNDARIA
VBE Vcontrol
Caída de tensión Concentración Caída de tensión
VBE de corriente
Vcc Las pérdidas en corte
suelen despreciarse al ser
t la corriente muy baja. B E B B E B
Vcc
IC 90%
Las pérdidas en n+ + - n+ -
+
VCE
10% RC conducción pueden ser - - + +
td tr tf t IC aproximadas por:
ts IB
VCE
T p e- e- e- p e- e- e-
VBE Pon = I c ⋅ VCEsat ⋅ ON
Pd T
t
n n
t
T=1/f C C
a) b)
Las pérdidas en conmutación pueden estimarse suponiendo que la corriente y la
Concentración o Focalización de Corriente en un BJT. a) En la Conmutación a
tensión siguen una línea recta durante la conmutación:
Saturación (IB >0) y b) en la Conmutación a Corte (IB <0)
t t
dWr = VCE ⋅ I c ⋅ dt + VBE ⋅ I B ⋅ dt ≅ VCE ⋅ I c ⋅ dt = (Vcc − Rc ⋅ I cmax ⋅ ) ⋅ I cmax ⋅ ⋅ dt
tr tr
t t
Rc ⋅ Icmax = Vcc − VCEsat ≅ Vcc (VCE Saturacion ≅ 0 ) ⇒ dWr = Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt
tr tr
tr t t 1
Wr = ∫ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ tr ;
0 tr tr 6
1
análogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (t r + t f ) ;
6
Wcom 1
Pcom = = ⋅Vcc ⋅ I c max ⋅ f ⋅ (tr + t f )
T 6
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ZONA DE OPERACIÓN SEGURA
IC Límite
f3 térmico
ICM
f1 f2
dc
Avalancha
Secundaria
β VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC
ICM
VBEoff <0
VBEoff =0
2.1. INTRODUCCIÓN. ni
Concentración Intrínseca:
2.1.1. Física de semiconductores. qE G 0
−
2.1.2. Unión p-n. n = A0 ⋅ T ⋅ e
2
i
3 kT
0.3÷1 mm
Espesor=
NA ND unión p-n:
kT N A N D
Φc = ln
q ni2
p n
Gráficamente:
Tamaños aproximados de un diodo típico de alta tensión y alta corriente
W0 W0 : Anchura de la Ánodo
zona de deplexión
El campo eléctrico máximo que 10µm
soporta el Silicio es teóricamente p+ NA=1019imp/cm3
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la práctica
es de 200.000 V/cm.
n- dRD
ND=1014imp/cm3
Fuertemente Dopado iD
Ligeramente dopado 1/Ron
Diodo Ideal 250µm
n + ND=1019imp/cm3
1/Ron
Cátodo
VBD VBD
dRD : Es función de la tensión inversa a soportar
iD E E
-
n
1/Ron n-
VBD
Emax
n+
Vγ ≅ 1V vD Emax
x x
a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado
Límites de la zona de deplexión y distribución del campo eléctrico en diodos.
Curva característica estática del diodo de potencia.
El valor Emax es la máxima intensidad de campo eléctrico que puede soportar el
Máxima Velocidad silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm.
Máxima Caída en
Tipo de Diodo tensión de de Aplicaciones
corriente conducción Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b
ruptura conmutación
Rectificadores Circuitos de (perforado), el área bajo la curva de la distribución del campo eléctrico es casi el
30kV ~500mA ~10V ~100nS doble que en el caso a. Por tanto, la tensión inversa que se puede aplicar es
de alta tensión alta tensión
Propósito Rectificadores prácticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos,
~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25µS sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
general 50 Hz
Rápidos Circuitos
~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5µS
(fast recovery) conmutados
Diodos Rectificadores
~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS
Schottky de BT y AF
~300 V
Referencias y
Diodos Zener (funciona
~75 W - - fijación de
de potencia en
tensiones
ruptura)
Anillo de
SiO2 SiO2 guarda a
V1
da db (V1 − V2 ) > (V1 − V2 ) p+
p+ p+ potencial
flotante
V2 da db
Segundo
Primer subíndice Tercer subíndice Características de catálogo en Polarización Directa:
subíndice
T=Dir. Polarizado y conduce W=De trabajo M=Valor Máximo • Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la máxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
D=Dir. Polarizado y no conduce R=Repetitivo (AV)=Valor Medio continuada con la cápsula mantenida a una determinada temperatura
(típicamente 100º C).
R=Inversamente Polarizado S=No Repetitivo (RMS)=Valor Eficaz
• Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente máxima que puede ser
soportada cada 20ms con duración de pico 1ms.
F=Directamente Polarizado
• Corriente de pico único, IFSM : Corriente máxima que puede ser
Subíndices empleados por los fabricantes de semiconductores. soportada por una sola vez cada 10 ó más minutos siempre que la
duración del pico sea inferior a 10ms.
Unión
PD θ PD Rectificadora:
n- Zona deplexión
θ=60º θ=120º θ=180º muy estrecha
180º situada en la
soldadura: VBD
muy baja
n+
Unión Óhmica:
Efecto Túnel.
CÁTODO
IAV Tc
25ºC 125ºC Diodo Schottky de potencia
Curvas típicas suministradas por un fabricante para el cálculo de las pérdidas en Diodo Schottky iD
conducción de un diodo Diodo Normal
Las pérdidas aumentan con: 1/RON
1/RON
• La intensidad directa.
• La pendiente de la intensidad.
• La frecuencia de conmutación. VBD
VBD
• La tensión inversa aplicada.
• La temperatura de la unión.
Vγ Vγ vD
Este circuito es válido hasta que la tensión de la fuente se hace positiva en t=2π/ω.
A partir de este instante, vuelve a ser válido el circuito del intervalo 1.
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REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Resumen POTENCIA. Resumen
Los circuitos de potencia son circuitos no lineales dado que tienen componentes En el circuito no lineal del ejemplo, puede representarse por el circuito lineal
no lineales. No obstante, considerando sus componentes como elementos de de la figura (intervalo 1) durante el intervalo (0,t1 ) y por el circuito lineal de la
conmutación ideales, el análisis en régimen permanente de los circuitos de figura (intervalo2) durante el intervalo (t1 ,2π/ω).
potencia puede realizarse mediante la resolución de una sucesión de circuitos
lineales en régimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez durante El paso de un intervalo a otro es debido a la conmutación del diodo al pasar
periodos de tiempo denominados intervalos. Los limites de estos intervalos por cero su corriente.
vienen fijados por los denominados parámetros de control.
La condición de contorno que liga ambos intervalos es el valor de la corriente
Estos parámetros de control tienen, principalmente, dos causas: en la bobina.
1. Excitaciones externas, tales como fuentes que varían su valor, disparo de Nótese que si, en el ejemplo anterior, t1 >2π/ω, el diodo nunca se cortaría y el
tiristores o variaciones en la polarización de base de los transistores y circuito de la figura (intervalo 1) sería una adecuada representación del
circuito original en todos los instantes de su funcionamiento en régimen
2. Condiciones umbrales de los dispositivos de potencia, las cuales, si se permanente.
alcanzan, provocan un cambio de estado del dispositivo. Consideremos, por
ejemplo, una tensión ánodo-cátodo negativa en un diodo en conducción o una no podemos saber a priori cuantos intervalos habrá y
Por ello,
tensión superior a la de ruptura en dispositivos de avalancha.
cual será su duración, ya que dependerá de los parámetros del circuito e
En todo circuito se puede escoger un conjunto de variables (normalmente incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.
tensión en condensadores y corriente o flujo en bobinas) representativas de una
energía almacenada, cuyo valor no puede alterarse bruscamente. Estas
variables, cuyo conjunto recibe el nombre de condiciones de contorno, nos
permiten relacionar cada intervalo con el siguiente. El valor de estas
condiciones de contorno al finalizar un intervalo constituyen, precisamente, las
condiciones iniciales para el cálculo del intervalo siguiente.
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DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos
Es usual que en la resolución de un circuito de potencia se obtengan Dado que es conveniente en muchos casos conocer las componentes armónicas
expresiones muy complejas para las variables de interés, con términos de una forma de onda, vamos a recordar en que consiste el desarrollo en
exponenciales y términos senoidales de distinta fase y frecuencia. serie de Fourier. Toda función periódica que cumple ciertas propiedades
puede ser descompuesta en una suma de senos y cosenos denominada
En la mayor parte de los casos nuestro interés se centrará exclusivamente en desarrollo en serie de Fourier de la función:
una determinada componente de frecuencia de la señal (típicamente su valor
medio y su primer armónico) o en su valor eficaz (a efectos térmicos). En
muchos casos, incluso, el resto de las componentes serán indeseables,
debiéndose estimar su magnitud a efectos de diseño de filtros que eliminen su
i (t ) =
A0
2 k =1 k
(
+ ∑ A ⋅ cos( kω 0 t ) + Bk ⋅ sen( kω 0 t ) )
presencia. donde:
2π
En general, dada una señal periódica, de periodo T, se definen los siguientes ω0 =
parámetros que caracterizan la señal: T
2 t0 + T
i (t ) ⋅ cos( kω 0 t ) ⋅ dt ,
T ∫t0
Ak = k = 0,1,2K
- Valor de pico I p = max i (t ) , 0 ≤ t ≤ T
Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para
2
i (t ) ⋅ sen( kω 0 t ) ⋅ dt ,
considerar los casos de polarización directa e inversa. t0 + T
Bk =
T ∫
t0
k = 1,2,3K
1 T
T ∫0
- Valor Medio Im = i (t ) ⋅ dt , También se le representa como I AV A0
Para el cálculo de la corriente media empleada para dimensionar un El término 2 es el valor medio de la función. Al término
Ak ⋅ cos( kω 0 t ) + Bk ⋅ sen( kω 0 t ) se le denomina armónico de orden k. Al
dispositivo, se calcula el valor medio del valor absoluto de la señal.
i (t ) = I m + ∑ 2 ⋅ I k ⋅ sen( kω 0 t − Φ k )
k =1
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DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos DESARROLLO EN SERIE. Potencia
En determinados casos el desarrollo en serie de la función se puede simplificar: La potencia media se define como:
1 T
T ∫0
¾ para el caso en que la función sea par, f ( t ) = f ( − t ) los términos en seno P= v (t ) ⋅ i (t ) ⋅ dt
desaparecen, por tanto Bk = 0 .
Si se sustituye i(t) por su desarrollo en serie de Fourier y la tensión por
¾ para el caso en que la función sea impar, f (t ) = − f ( − t ) los términos en
2 ⋅ V ⋅ sen(ω 0 t ) , (tensión rígida) y teniendo en cuenta que las integrales en
coseno desaparecen, por tanto Ak = 0 .
un período de un seno, o de los productos cruzados de senos y cosenos o
productos de razones trigonométricas de diferente frecuencia son nulas,
¾ para el caso de función alternada, f (t ) = − f (t + T 2 ) los armónicos de quedará:
orden par desaparecen, por tanto, A2 k = B2 k = 0 .
1 T
P= ∫ 2 ⋅ V ⋅ sen(ω0 t ) ⋅ 2 ⋅ I 1 ⋅ sen(ω0 t − Φ1 ) dt = V ⋅ I 1 ⋅ cos Φ1
T 0
El valor eficaz de la señal vendrá dado por:
donde Φ 1 es el ángulo de desfase entre v ( t ) y el primer armónico de i(t ) .
(A2
1 +B 2
1 ) (A 2
2 +B 2
2 )
I= I m2 + + +L = I m2 + I 12 + I 22 +L (A) ⇒ los armónicos no contribuyen a la potencia media (real o activa).
2 2
Ik La potencia aparente, se define como el producto de los valores eficaces de la
Se define la distorsión del armónico k como la relación Dk = I
I 1 donde k es el tensión y la corriente (cuyo valor como se ha visto depende de los armónicos
valor eficaz del k-ésimo armónico. presentes).
S =V ⋅I
I + I +L
2
2
2
3 El factor de potencia (PF) se define como:
Se define la distorsión total como: Dt = = D22 + D32 +L
I1
Al parámetro Dt se le llama también THD (Distorsión Armónica Total). P V ⋅ I 1 ⋅ cos Φ 1 I 1 I
PF = = = ⋅ cos Φ 1 = 1 ⋅ DPF
S V ⋅I I I
De la definición anterior y de (A), se deduce: I = I m2 + I 12 ⋅ (1 + Dt2 )
donde DPF es el factor de potencia debido al desfase, la ecuación anterior puede
reescribirse (para ondas cuyo valor medio sea cero, como es habitual en
De la misma forma, pueden definirse magnitudes análogas para las tensiones, sistemas de alimentación alterna):
con la salvedad de que en el caso de la red eléctrica los armónicos en tensión no
suelen ser significativos.
1 la existencia de armónicos hace que
PF = ⋅ DPF ⇒
1+ D t
2
disminuya el factor de potencia
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DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de valores eficaces DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de valores eficaces
La expresión que permite calcular el valor eficaz de una Algunas formas de onda usuales y sus valores eficaces son:
señal puede obligar a realizar complejos cálculos, por
lo que en algunos casos conviene simplificarla, de forma 1 T 2 Ip
T ∫0
Onda completa senoidal:
que en un período, la señal se descompone en N I= i (t )dt
intervalos de tiempo consecutivos, con tal de que no Ip
coincidan en un instante dos o más con valor no nulo.
I=
t
2
T=τ
En general, si se conocen los valores eficaces de
cada intervalo, puede aplicarse la fórmula:
I = I12 + I 22 + I 32 + L I N2 Ip
Onda senoidal recortada por nivel:
D τ
Se puede hacer por ejemplo: τ t I = Ip , con D =
2 T
Si se aproxima por N intervalos T
Pulso a aproximar Onda senoidal recortada por ángulo de fase:
cuadrados de igual duración, el
I5 I6 I7 valor eficaz es:
i(t) I4 Aproximación Ip
D sen(α (1 − D ))cos(π (1 − D ))
I3
δt
I8
t i =δ t I 12 + I 22 + I 32 + L + I N2 I = Ip +
I1
I2 I9
N=10 I= 2 2π
I10 N θ
θ
t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 t10 t D = 1− ; (α,θ en radianes)
α
t
α
En general se podría hacer una aproximación como la siguiente:
i1(t)
Ip
Onda rectangular:
I = Ip D con D=τ
T=t1+t2+t3+t4 i2(t) τ t T
i(t) T
Ib
Ia
Onda trapezoidal:
⇒
I = D(I + I a I b + I a2 ) D=τ
2 3
con
i3(t) τ t b T
T
t
t1 t2 t3 t4
i4(t)
Ip Onda triangular:
D
I = Ip con D=τ
t1 t2 t3 t4 t
τ t
3 T
T
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FORMULACIÓN SISTEMÁTICA UTILIZANDO
VARIABLES DE ESTADO
El comportamiento de cualquier sistema dinámico puede representarse por un
conjunto de ecuaciones diferenciales de la forma:
dx1
= f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) )
dt
dx 2
= f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
M
dx n
= f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
Los circuitos de potencia no son circuitos LTI, pero ya hemos visto que,
asumiendo sus componentes como dispositivos de conmutación ideales, su
análisis se reduce a una secuencia de circuitos LTI .
•
Para cada intervalo resulta un sistema de ecuaciones x = A ⋅ x + B ⋅ u ;
y = C ⋅ x + D ⋅ u ; con un vector de entradas u(t) conocido y un valor inicial de
las variables de estado x(0) (estas últimas pueden no ser conocidas). La solución
del sistema es de la forma:
t
x (t ) = e At ⋅ x (0) + ∫ e A( t −τ ) ) ⋅ B ⋅ u(τ ) ⋅ dτ siendo e At una integral matricial.
0
Al no conocer los valores iniciales de los intervalos, normalmente será
necesario iterar.