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PREINFORME LABO N1

1.

OBJETIVOS.Los objetivos a cumplir y estudiar en el laboratorio son:

2.

La capacitancia tiene por objetivo hallar la diferencia de potencial en los bornes de un


condensador.

La autoinduccin experimenta los cambios del campo magntico que varia con respecto al tiempo.

El objetivo del circuito serie RL que la corriente se retrasa dependiendo de un ngulo de tensin.

El objetivo del circuito serie RC que la corriente se adelanta dependiendo de un ngulo de tensin

MARCO TEORICO.Cuando suministramos energa elctrica a un elemento pasivo de un circuito, este elemento se
comporta o responde de una, o ms, formas de las tres que citaremos: si la energa lo disipa el
elemento, es resistivo puro; si la almacena en un campo magntico, es una bobina pura, y si la
acumula en un campo elctrico, es un condensador puro. Los componentes en un circuito en la
prctica se comportan de ms de una de dichas formas, y muchas veces de las tres simultneamente.
2.1. RESISTENCIA.Si se tiene una diferencia de potencial v(t) en bornes o terminales de un elemento resistivo es
directamente proporcional a la intensidad de corriente i(t) que circula por el, Esta constante de
proporcionalidad ser R y se llama resistencia elctrica del elemento fig 1.
La unidad de la resistencia en el Sistema Internacional de Unidades es el ohmio (). Para su medicin
en la prctica existen diversos mtodos, entre los que se encuentra el uso de un ohmmetro. Adems,
su cantidad recproca es la conductancia, medida en Siemens.

Fig. 1 Resistencia.

Para una gran cantidad de materiales y condiciones, la resistencia elctrica no depende de la corriente
elctrica que pasa a travs de un objeto o de la tensin en los terminales de este. Esto significa que,
dada una temperatura y un material, la resistencia es un valor que se mantendr constante. Adems,
de acuerdo con la ley de Ohm la resistencia de un objeto puede definirse como la razn de la tensin y
la corriente, as:

v(t ) R i(t )

tambien

i (t )

v (t )
R

Segn sea la magnitud de esta medida, los materiales se pueden clasificar en conductores, aislantes y
semiconductores. Existen adems ciertos materiales en los que, en determinadas condiciones de
temperatura, aparece un fenmeno denominado superconductividad, en el que el valor de la resistencia
es prcticamente nulo.
En un elemento resistivo puro la intensidad de corriente y la tensin estn en fase, el modulo de la
impedancia es R.

2.2. INDUCTANCIA.-

SI variamos con respecto al tiempo la corriente que circula por un circuito el flujo magntico que lo
atraviesa experimenta los mismos cambios. Ahora bien toda variacin de flujo magntico origina una
fuerza electromotriz que se opone a dicha variacin. En estas condiciones si por una bobina circula una
corriente de intensidad variable se origina en ella una f.e.m. inducidas v que es directamente proporcional,
siempre que la permeabilidad magntica sea constante, a la variacin con respecto al tiempo de dicha
intensidad. Matemticamente se expresa de la forma:

v(t ) L

di
dt

o bien

i (t )

1
v dt
L

El coeficiente de proporcionalidad L se llama coeficiente de autoinduccin o simplemente autoinduccin de


la bobina Fig. 2.

Fig. 2 Inductor.

Si la tensin v se expresa en voltios (V) y di/dt en amperios/segundos (A/s) el coeficiente de autoinduccin


L se mide en voltios x segundo/amperios y se llama Henrio (H). Segn esto una bobina tiene un coeficiente
de autoinduccin de 1H si al circular por ella una corriente que vari a razn de 1 A/s se induce una f.e.m.
entre sus bornes de 1 voltio.
En la bobina pura la intensidad de corriente se retrasa 90 o /2 respecto de la tensin, el modulo de la
impedancia es WL
2.3. CAPACITANCIA.Un condensador fig. 3, consta de dos conductores con cargas iguales y opuestas separadas una distancia
muy pequea comparada con sus dimensiones, con una diferencia de potencial V entre ellos. La
capacitancia C de cualquier condensador, se define como la razn de la magnitud de la carga Q en
cualquiera de los conductores y la magnitud de la diferencia de potencial V:

q(t ) C v(t ) ,

dq
dv
C
dt
dt ,

v (t )

1
i dt
C

La unidad SI de la capacitancia es el coulomb por voltio, o faradio (F), y 1 F = 1 C/V.

Figura 3 Capacitor.

En un condensador puro, la intensidad de corriente adelanta 90 o /2 a la tensin, el modulo de la


impedancia es 1 / WC.
2.4 FORMAS CONSTRUCTIVAS.RESISTENCIA.
La clasificacin de estas resistencias se puede hacer en base a los materiales utilizados para su
construccin, bsicamente mezclas de carbn o grafitos y materiales o aleaciones metlicas. Tambin se
pueden distinguir distintos tipos atendiendo a caractersticas constructivas y geomtricas. Una clasificacin
sera la siguiente:

DE CARBN: Aglomeradas y de capa.


METLICAS: De capa, de pelcula y bobinadas.
Resistencias De Carbn.

Figura 4 Resistencia de carbn.

Es el tipo ms utilizado y el material base en su construccin es el carbn o grafito. Son de pequeo


tamao y baja disipacin de potencia Fig. 4. Segn el proceso de fabricacin y su constitucin interna,
podemos distinguir:
Resistencias Aglomeradas: Tambin se conocen con el nombre de "composicin", debido a su
constitucin: una mezcla de carbn, materia aislante, y resina aglomerante. Variando el porcentaje de
estos componentes se obtienen los distintos valores de resistencias. Entre sus caractersticas se puede
destacar: Robustez mecnica y elctrica (sobrecarga), Bajos coeficientes de tensin y temperatura,
Elevado nivel de ruido, Considerables derivas.
Resistencias de Capa de Carbn. En este tipo de resistencias, la fabricacin est basada en el depsito
de la composicin resistiva sobre un cuerpo tubular formado por materiales vtreos cermicos. Como
caractersticas ms importantes: Elevado coeficiente de temperatura, Soportan mal las sobrecargas, Ruido
y coeficiente de tensiones prcticamente nulas, Mayor precisin y menores derivas que las aglomeradas.
Resistencias Metlicas.
Estas resistencias estn constituidas por metales, xidos y aleaciones metlicas como material base.
Segn el proceso de fabricacin y aplicacin a la que se destinan podemos distinguir:
Resistencias De Capa Metlica. Estn constituidas por un soporte que puede ser de pirex, vidrio, cuarzo
o porcelana, sobre el que se depositan capas por reduccin qumica para el caso de xidos metlicos o
por vaporizacin al vaco para metales o aleaciones metlicas. Los xidos ms utilizados son de estao,
antimonio e indio, como metales y aleaciones de oro, platino, indio y paladio dentro del grupo de metales
preciosos.
Estos componentes tienen una gran estabilidad y precisin y un bajo nivel de ruido por lo que suelen ser
utilizadas en aplicaciones exigentes.
Entre sus caractersticas ms importantes: Rangos reducidos de potencia y tensin, estrechas tolerancias
y elevada estabilidad, bajo coeficiente de temperatura y altas temperaturas de funcionamiento, reducido
nivel de ruido.
Resistencias De Pelcula Metlica. La diferencia fundamental con las anteriores est en las tcnicas de
fabricacin utilizadas, mediante las cuales se han conseguido integrar redes de resistencias. Los
materiales base usados en su fabricacin y los cuerpos soporte son los caractersticos de las resistencias
metlicas, a excepcin de los xidos metlicos. Dentro de este tipo tambin podemos diferenciar dos tipos:
de pelcula delgada y de pelcula gruesa, diferencindose en las caractersticas constructivas.
Las principales ventajas de estas resistencias radican en su reducido tamao, y sobre todo en la
disponibilidad de redes de resistencias como componente integrado. A pesar de su reducido margen de
potencia, inferior a 1/2 W, las ventajas respecto a las resistencias discretas se pueden resumir en:
-

Coste menor para un mismo nmero de resistencias.

Reduccin del cableado, peso y espacio en el circuito.

Tolerancias ms ajustadas.

Caractersticas generales de las unidades integradas muy similares y valores nominales


prcticamente idnticos.

Posibilidad de obtencin de valores hmicos distintos en funcin de la configuracin interna y el


nmero de resistencias integradas.

Esta ltima posibilidad est ligada al tipo de encapsulado en que se presenta la red. En la prctica los ms
comunes que se nos presentan son:
Tipo SIL, disposicin de terminales en una lnea, usada tambin para algunos tipos de conectores.
Tipo DIL, caracterstica de los encapsulados de circuitos integrados.
Resistencias Metlicas Bobinadas.

Figura 5. Resistencias Metlicas Bobinadas.

En este tipo se emplean como soportes ncleos cermicos y vtreos, y como materiales resistivos metales
o aleaciones en forma de hilos o cintas de una determinada resistividad, que son bobinados sobre los
ncleos soporte.
Generalmente se suele hacer una subdivisin de este tipo en bobinadas de potencia y bobinadas de
precisin, segn la aplicacin a la que se destinan.
Como caractersticas generales se pueden destacar las siguientes:
-

Gran disipacin de potencias y elevadas temperaturas de trabajo.

Elevada precisin, variacin con la temperatura y baja tensin de ruido.

Considerables efectos inductivos.

Construccin robusta.

para reducir el ruido.

En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas para filtrar componentes de corriente
alterna, y solo obtener corriente continua en la salida.

Los transformadores se utilizan principalmente para convertir una tensin a otra.

Integran circuitos de filtrado para salidas de fuentes rectificadoras tanto pequeas como de
potencia.

Bobinado de electroimanes con CD.

Los motores de CD poseen inductores para generar los campos magnticos necesarios para
funcionar.

Calentamiento por induccin electromagntica

CAPACITOR.
De cierta forma un capacitor, tambin llamado condensador, es como una batera ya que aunque trabajan
de forma diferente, ambos sirven para almacenar energa elctrica.
Dentro de un capacitor hay dos terminales que estn conectadas a unas placas metlicas, las cuales a su
vez estn separadas por un material no conductivo que se le conoce como dielctrico.

Figura 7. Capacitor.

La unidad en la cual se mide la capacidad de almacenamiento de un capacitor es el faradio.

Para explicar de forma sencilla como trabaja, consideremos que tenemos un capacitor conectado a una
fuente de voltaje como una batera. Al hacer esto el capacitor empieza a cargarse porque se presenta un
flujo de electrones hacia y desde las placas internas del condensador. Cuando los electrones llegan a la
placa negativa del capacitor, lentamente se empieza a cargar el electrodo hasta que este alcanza la
capacidad mxima del dielctrico.
Cuando quitamos la fuente de voltaje del capacitor y cerramos el circuito entre sus terminales con una
carga, los electrones almacenados empiezan a fluir hasta que el capacitor se descarga completamente
Fig. 7.

Figura 7. Tiempos de carga y descarga del capacitor.

Vin = Voltaje de alimentacin.


El tiempo de descarga va ha depender de la carga del circuito.
Existen diferentes tipos de capacitores, entre los cuales se encuentran:
Capacitor elctrico de aluminio.
Capacitor de Tantalio.
Capacitor elctrico de cermica.
Capacitores de papel y plstico.
Micas y vidrios.
Donde:
I: intensidad eficaz en A
V: tensin eficaz en V.
Z: impedancia en .
y definimos el fasor I de tal forma que tengamos las ecuaciones anteriores expresadas con fasores:

i(t ) Re( Ie j )
Z

V j V
e (cos jsen )
I
I

La impedancia puede representarse como la suma de una parte real y una parte imaginaria:

Z R jX
Mdulo:

Z R2 X 2

VR R I
VC

1
I
j C

V L j L I

R es la parte resistiva o real de la impedancia y es la parte reactiva o imaginaria de la impedancia.


Bsicamente hay dos clases o tipos de reactancias:

Reactancia inductiva o XL: Debida a la existencia de inductores.

Reactancia capacitiva o XC: Debida a la existencia de capacitores.

Impedancia en elementos bsicos.


La impedancia de una resistencia ideal, solo contiene una componente real impedancia resistiva:

ZR R
En este caso, el voltaje y corriente son proporcionales y estn en fase.
La impedancia en un inductancia ideal o en un condensador ideal tiene una componente puramente
imaginaria:
La impedancia en una inductancia se incrementa con la frecuencia;

Z L jL ,

X L L

La impedancia de un condensador decrece cuando la frecuencia crece;

ZC

1
jC ,

XC

1
C

Resumen del valor de impedancia de cada tipo de receptor en AC.


2.4. CIRCUITOS RL.Consideremos al circuito serie RL al que se le aplica una tensin v(t) = Vm ejwt segn la formula de
Euler esta funcin se descompone en un termino en seno y otro en coseno, Vm cos wt + jVm sen wt
Aplicando la segunda ley de Kirchhoff a la malla:
Ri (t) + L di (t) = Vm ejwt
dt
Esta ecuacin diferencial lineal es de primer orden y su solucin particular es de la forma i(t) = Kejwt
Sustituyendo esta funcin de corriente resulta
RKejwt + jwLKe jwt = Vm ejwt
De donde K =

Vm
R + jwL

i(t) =

Vm ejwt La relacin entre las funciones de tensin e


R + jwL

Intensidad de corriente pone de manifiesto que la impedancia es un numero complejo cuya parte real es el
valor de R y cuya parte imaginaria es wL
Z = v(t)
I(t)

Vm ejwt
Vm ejwt
R + jwL

R + jwL

La intensidad de corriente se retrasa respecto de la tensin un ngulo igual a

arctg

( wLR )

R 2+(wL )2

, el modulo de la impedancia es

2.5. CIRCUITOS RC.Consideremos un circuito serie RC con la misma tensin aplicada Vmejwt En este caso
Ri(t) + 1/C i(t) dt = Vm ejwt
Haciendo

i(t) = Kejwt

y sustituyendo
RK ejwt + 1 Kejwt = Vm ejwt
jwC

de donde K =

Vm
R + 1/jwC

Vm
R - j(1/ wC)
Z =

y i(t) =

Vm ejwt
Vm
ejwt
R - j(1/wC)

Vm ejwt
R - j(1/wC)
R - j(1/wC)

La intensidad de corriente adelanta a la tensin en un ngulo igual a


impedancia es

Por tanto

( 1/wC
R )

, el modulo de la

R 2+(1/wL )2

3. CIRCUITOS Y CALCULOS.Circuito 1. Circuito resistivo en C.C.

V 50V

0.625 A
R 80

P I V 0.625 A 50V 31.25W

Circuito 2. Circuito inductivo en C.C.

V1
50V

L1
60mH

V 50V

A
R 0

P I V A 50V W

Circuito 3. Circuito capacitivo en C.C.

V1
50V

C1
500uF

V 50V

0A
R

P I V 0 A 50V 0W

Circuito 4. Circuito RL serie en C.C.

R3
V3

L3
31.831mH

24 V

XWM1
v

24.000

0.159p

V 24 V
I= =
=4.8 A
R 5

I
R2

V1
24V

L1
31.831mH

+
-

4.800

PR 3 =IV R 3=4.8 A24 V =115.2W


PL 3=IV L3=4.8 A0V =0 W

Circuito 5. Circuito RC serie en C.C.


C3

R3
V3

265.26uF

24 V

XWM1
v

0.120m

I
R2

V1
24V

24.000

V 24 V
I= =
=0 A
R

C1

PR 3 =IV R 3=0 A0 V =0 W
265.26uF
+
-

Circuito 6. Circuito Resistivo en C.A.

0.024m

PC 3=IV C 3=0 A5 V =0W

V1
220V 50Hz 0Deg

R1
80ohm

Z 80 0 j 50 0 o
o

V 155.56 0 V
I
1.94 0 o A
o
Z
80 0

S I V 1.94 0 o A 155.56 0 o V

S 301.79 0 o V
fp cos cos 0 o 1

Circuito 7. Circuito Inductivo en C.A.


V1

L1
60mH

220V 50Hz 0Deg

Z 0 18.85 j 18.85 90 o
220 0 o V
V
I
11.67 90 o A
o
Z 18.85 90

S I V 11.67 90 o A 220 0 o V

S 0 2567.4 j
fp cos cos 90 o 0

Circuito 8. Circuito capacitivo en C.A.

V1
220V 50Hz 0Deg

C1
500uF

Z 0 15.71 j 15.71 90 o
220 0 o V
V
I
14.00 90 o A
Z 15.71 90 o

S I V 14.00 90 o A 220 0 o V

S 0 3080 j
fp cos cos( 90 o ) 0

Circuito 9. Circuito RL serie en C.A.


R4
V4
220 V
60 Hz
0Deg

L4
31.831mH

Z =5+12 j=13|67.38

XWM2
+
v

84.589

203.018 V

R3

L2
31.831mH

5
V2
311.13V 60Hz 0Deg

16.918

R1
G

+
-

XSC1

220|0 V
V
I= =
=16.92|67.38 A
R 13|67.38

1u

S=IV C =16.92|67.38 A220|0 V =1431.73436.1 j


fp=cos 67.38=0.385

V R 4=IR 4=16.92 67.38 A5 0 =84.6 67.38 V


S R 4=1431.40 j

V L 4=I L 4=16.92 67.38 A12 90 =203 22.62V


S R 4=03434.8 j
Circuito 10. Circuito RC serie en C.A.
C4

R4
V4
220 V
60 Hz
0Deg

265.26uF

XWM2
+
v

98.388
R3

5
V2
311.13V 60Hz 0Deg

196.775 V

Z =510 j=11.18|63.43

C2

265.26uF
+

19.678

R1
G

XSC1

1u

220|0 V
V
I= =
=19.68|63.43 A
R 11.18|63.43

S=IV C =19.68|63.43 A220|0 V =1936.59+ 3872.34 j

fp=cos63.43=0.447

V R 4=IR 4=19.68 63.43 A5 0 =98.4 63.43 V


S R 4=1936.51+0 j

V C 4 =I C 4=19.68 63.43 A10 90 =196.8 26.57 V


S C 4 =0+3873 j

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