I.

-INTRODUCCIN:
En el presente laboratorio de se estudi a los transistores y se elabor circuitos en la cual se hizo
pruebas con la fuete y los circuitos ahora daremos a hacer una introduccin sobre los transistores.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer
resistor ("resistencia de transferencia").

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue
posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores",
televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los
transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de
30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran
consumo que tenan.

II.-FUNDAMENTOS TERICOS

Historia de los transistores

El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento realizado en el
siglo XX. Este dispositivo electrnico bsico, de tres terminales, origin los circuitos integrados y
todos los elementos de la alta escala de integracin. Son muchas las personas y los cientficos que
aseguran que la era de la comunicacin estableci una base perfecta gracias al transistor.
Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un conmutador
que reemplazara a los rels y los sistemas de barras, y que se utilizara en la telefona. El transistor
germina de la unin de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue dado por J.P Pierce. Segn Quentin
Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de cristal (que eran muy necesarios para el radar
de UHF y los microondas) no se hubiera creado estos transistores con las prestaciones que hoy en
da le caracteriza. La patente de invencin estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo
detallar de manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a
Walter Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el ao 1951 fue que
surgi

el

transistor

de

juntura

que

fue

concedida

William

Shonckley.

Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un indicador de
corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con interruptores. Las resistencias se
deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos
interruptores totalmente abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente
mostrar una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base,
solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho
mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusin, de que el
interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor
completamente.

Regiones Operativas del transistor

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor =
0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud de la corriente depende

del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar
que Ic = * Ib)
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se
destinan.
Los ms comunes y conocidos son:
Transistor Bipolar de Unin (BJT)
Transistor de efecto campo, de unin (JFET)
Transistor de efecto campo, de metal- oxido-semiconductor (MOSFET)
Fototransistor

Los transistores y su simbologa

BJT
JFET
MOSFET
FOTOTRANSISTOR

Tipos de transistores de unin bipolar

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de
los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin
emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica
externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
Transistor Bipolar de Heterounin
El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de
muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en
circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del
transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base.
Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-

base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin
de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que
resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin conocido como
transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia
la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a
que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de
portadores, su resistencia es relativamente alta.
Curva caracterstica de los BJT
El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el comportamiento de la
unin base emisor y la segunda para definir el funcionamiento entre colector y emisor.

La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los niveles de corriente
ahora son muy pequeos en el orden de los A. Por otra parte, la curva colector emisor o de salida,
nos indica que para cada valor de corriente de base existir una corriente de colector que variara
dependiendo del voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la ms importante de
todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por esto que es comn utilizar una
formula matemtica que recibe el nombre de ganancia o factor de amplificacin:
Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales
APLICACIN
Aislador o Separador
(buffer)
Amplificador de RF

PRINCIPAL VENTAJA
Impedancia de entrada alta y
de salida baja
Bajo ruido

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Amplificador con CAG

Facilidad para controlar

USOS
Uso general, equipos de
medida receptores
Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones
Receptores de FM, y TV ,
equipos para
comunicaciones
Receptores generadores de

Amplificador Cascodo

ganancia
Baja capacidad de entrada

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por voltaje

Se controla por voltaje

Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador

Capacidad pequea de
acoplamiento
Mnima variacin de
frecuencia
Pequeo tamao

Circuitos MOS Digital

seales
Instrumentos de medicin ,
equipos de prueba
Amplificadores de cc,
sistemas de control de
direccin
Amplificadores
operacionales, rganos
electrnicos, controlas de
tonos
Audfonos para sordera ,
transductores inductivos
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
Integracin a gran escala,
computadoras, memorias.

TRANSISTORES FET
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos
se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son
dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como
amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la
entrada. Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.

Se empezaron a construir en el dcada del 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo
los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto
de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los
circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N.

III.-PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

IV.-MATERIALES Y HERRAMIENTASDE LABORATORIO

Multitester Digital

Multitester anlogo

Protoboard

Resistencias

Fuente de Voltaje Digital

Protoboard con
circuito

Transistores

Transformador

Transistores bipolares

Partes de un transistor

VI.-CONCLUSIONES:
Del desarrollo de la experiencia se derivan varias conclusiones. En primer lugar, el transistor puede actuar
como un interruptor trabajando entre sus zonas de corte y saturacin, se vio tambin que las junturas del
transistor son como diodos en su caracterstica. Dentro de nuestro circuito el regulador fijo LM7812 acta
como el Vcc y el voltaje de salida del rectificador (de onda completa) acta como Vbb, mas particularmente
como la seal que controla el comportamiento del transistor.
Para la configuracin 2 se concluy que el transistor est en zona de corte. Y por lo tanto sus parmetros
quedan definidos por el resto de la red.
Resulta importante el estudio de los transistores como uno de los dispositivos de la electrnica actual, para
fines pedaggicos es interesante visualizar las caractersticas y obtener un sentimiento de cmo funcionan en
la prctica los elementos para poder comprender su funcionamiento ms all del pizarrn. En este sentido
nos gustara como grupo seguir trabajando en experiencias donde se implemente usos prcticos de transistor.

VI.-BIBLIOGRAFIA
Transistores Bsicos. Alexander Schure
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.Boylestad Nashlesky
Principios de electrnica. Malvino
Links de Noticias de inters sobre el tema tratado

Se encontr un nuevo aislante para los transistores

http://www.madrimasd.org/cienciaysociedad/entrevistas/quien-esquien/pdf/38.pdf

Transistores fotofnicos en supercomputadoras del futuro

http://www.laflecha.net/canales/ciencia/los-superordenadores-del-futurousaran-

transistores-fotonicos

Transistores Orgnicos
http://www.softwarelibre.net/transistores_org%C3%A1nicos_el_futuro

La era del transistor

http://www.pagina12.com.ar/imprimir/diario/suplementos/futuro/132086-2009-01- 31.html