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 （新材料及在高技術中的應用叢書）序言

《新材料及在高技術中的應用叢書》序言

材料、資訊技術與能源稱為現代人類文明的三大支柱。國民經濟的各部門和高技術
領域的發展都不可避免地受到材料發展的制約或推動。材料科學技術為建設現代工業和
現代農業提供基礎物質，為傳統產業的更新改造和高技術產業的興起提供關鍵性技術，
也為國防建設提供重要的物資保證。實際上，新材料的發展水準已經成為衡量一個國家
高技術水準高低和綜合國力強弱的重要指標。
在此同時，人類已進入蓬勃發展的高技術時代。電腦、多媒體、手機、網際網路、
核能、航太和太空探索、雷射、基因工程、克隆技術（複製技術）、電動汽車和高速鐵
路等，其中不少已經或即將影響我們的日常生活。
當前一些已開發國家正集中人力與物力，尋求在新材料方面的突破。美國、歐盟、
日本和韓國等在其最新國家計畫中，都把新材料及其製備技術列為國家關鍵技術之一，
加以重點支持。例如，美國國家研究理事會（National Research Council, NRC）確定的
「未來 30 年十大研究方向」中與材料直接和間接相關的就有 8 項；美國國家關鍵技術
委員會把新材料列為影響經濟繁榮和國家安全的 6 大類關鍵技術的首位。20 世紀 90 年
代初確定的 22 項關鍵技術中，材料占了 5 項。
新材料及在高技術中的應用叢書，正是在這種背景下出版的。
何謂「新材料」？簡單地說，就是那些新出現或已在發展中的，在成分、組織、結
構、形態等方面不同於普通材料，具有傳統材料所不具備的優異性能和特殊功能的材
料。目前比較活躍的領域包括：電子資訊、光電、超導材料，生物功能材料能源材料和
生態環境材料；高性能陶瓷材料及新型工程塑膠，粉體、奈米、微孔材料和高純金屬及
高純材料，表面技術與塗層和薄膜材料，複合材料、智慧材料；新結構功能助劑材料、
優異性能的新型結構材料等。
何謂「高技術」？簡單地說，就是採用新材料，新技術，產生更高效益，能促進人
類物質文明和精神文明更快進步的技術。有人認為，高技術就是「尖端技術」、「先進
技術」、「生物環境技術」等。以這類技術形成的產業具有高成長率、高利潤、高風

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 薄膜技術與薄膜材料

險、高變化率、高知識水準等特點，也有人把知識密集型產業稱為高技術產業。
新材料、高技術的發展具有下述特徵：
新材料與高技術相互促進，二者相結合可轉化為巨大的生產力
從科技發展史看，重大的技術革新往往起始於材料的革新。例如，20 世紀 50 年代
鎳基超級合金的出現，將材料使用溫度由原來的 700 ℃提高到 900 ℃，從而導致超音速
飛機問世；高溫陶瓷的出現促進了表面溫度高達 1000 ℃的航太飛機的發展。半導體材
料及超大積體電路技術的不斷突破，使電腦的體積越來越小、能力卻成千上萬倍地提
高：電晶體（1947 年）、積體電路（1959 年）和微處理器（1970 年）的發明提高了資
訊資料運行速度；硬碟（1956 年）、調製解調器（1980 年）和滑鼠（1983 年）的發明
又大大提高了獲取資訊數據的能力；Internet（1989 年）的廣泛應用打破了傳統的資訊
的藩籬，使人們廉價地獲取各種知識成為可能；未來還會出現一些「智慧」型裝置，例
如手錶型對講機、「智慧型」冰箱、「智慧型」公寓等。
新材料與高技術領域是科學與技術創新的主戰場
在資訊社會飛速發展的今天，作為人機對話窗口的顯示器已成為世界電子資訊工業
的又一大支柱產業。2005 年韓國三星電子分別展示出 102 吋的 PDP 和 82 吋的 TFT-
LCD，這顯示該領域的技術壁壘已被打破，平面顯示元件（FPD）已進入快速增長時
期。1998─2005 年 FPD 的年均增長率高達 21.5% ， 2006 年全球 FPD 市場占整個顯示
器市場（1018 億美元）的近 60%，從 1998 年的 110 億美元增加到 2006 年的 610 億美
元。FPD 中，2004 年全球 TFT-LCD 產值約 476 億美元，占 80% 以上的市場份額，專
家預計 2010 年將增長為 1350 億美元；近三年全球 PDP 市場年均增長率近 80%，預計
2010 年 PDP 銷量將達 3120 萬台。
除了 TFT-LCD 和 PDP 之外，有機發光二極體顯示器（OLED 和 PLED）、發光二
極 體﹙LED﹚、無 機 電 致 發 光﹙無 機 EL﹚、場 效 發 光﹙FED﹚、真 空 螢 光 顯 示 管
﹙VFD﹚、電子紙、數字式光處理器﹙DLP﹚等平面顯示領域也有長足進展。許多跨國
公司無一不在這一新材料、高技術領域展現其創新實力。值得注意的是，日本、韓國及
台灣在控制 FPD 關鍵技術的同時，正將勞動力密集型的模塊組裝工序轉移到中國。利
用勞動力便宜的優勢，賺取超額利潤。中國企業應當機立斷，打入 FPD 的產業鏈，儘

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 （新材料及在高技術中的應用叢書）序言

快掌握關鍵技術，特別是提高關鍵材料生產比例。
高技術的快速發展對新材料提出更高的要求
小型、輕量、薄型、高性能是數字網路時代電子設備的發展趨勢。攜帶式資訊機器
正以迅雷不及掩耳之趨勢發展，這種新機器將個人電腦的資訊處理能力、Internet 的通
訊網路、電視栩栩如生的圖像和電話的便利性融為一體。人們預想這種攜帶式資訊機器
將成為電話、電子郵件、Internet、攝錄影機甚至電視機的替代品。不久的將來，隨身
秘書、移動型辦公室、隨身電影院將不再是天方夜譚。
隨著電子元件向輕、薄、短、小、高性能方向發展，晶片向高密度、高頻率、超多
I/O 端子數方向發展，迫切需要提高構裝密度，其中包括：構裝的端子﹙引腳﹚數越來
越多；端子節距越來越小；構裝厚度越來越薄；構裝體在基材上所占的面積越來越大。
為滿足這些要求，一是不斷採用新的構裝形式，二是採用三維立體佈線的多層基材及三
維立體構裝。電子構裝工程的這種發展趨勢對其四大基礎技術，即薄厚膜技術、微互連
技術、基材技術、封接與構裝技術等提出許多新的要求。因此，許多新結構、新技術、
新材料將應運而生。特別是構裝材料，對它的介電常數、熱膨脹係數、熱導率、耐熱特
性、阻燃特性、防潮及抗裂紋特性、放射性元素含量及環保特性等都提出越來越高的要
求。
發展新材料和高技術需要雄厚基礎和長期積累
2003 年 2 月 13 日歐盟正式頒佈的 WEEE 和 RoHS 兩法令將於 2006 年 7 月 1 日執
行。WEEE 是指廢棄電器電子設備回收法令，RoHS 是指在電器電子設備中限制使用某
些有害物質﹙Pb、Hg、六價 Cr、Cd、PBB 和 PBDE 等 6 種﹚的法令。WEEE 和 RoHS
的正式實施將對各國以機電產品為代表的外向型產業產生重大影響。面對兩個法令，業
界真正遇到的挑戰是，由於基礎薄弱、缺乏積累，在技術準備、代用材料、相關技術及
專利等方面都有些措手不及，相當被動。看來，在新材料高技術領域，只有靠雄厚的基
礎和長期的積累才能「處變不驚」，以不變應萬變。
發展新材料和高技術產業應以企業為核心，市場為導向
在新材料和高技術的產業化競爭中，先進工業化國家和地區以跨國公司為龍頭，以
大量中小型企業為後盾，採取集團作戰方式，參與全球競爭。這些跨國公司具有長期經

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 薄膜技術與薄膜材料

營的基礎，實力雄厚，由於享有良好的信譽和知名度，再加上名牌效應，在資金、人
才、設備、市場等方面都有得天獨厚的優勢。在產業化發展過程中，這些跨國公司左右
方向、制定戰略、控制市場、掌握標準，再加上彼此之間的合縱連橫、分工合作，具有
極強的市場競爭力。
在總體戰略目標下，由跨國公司將任務分解，其中不少由中小型企業來承擔，再進
行「組裝」，依靠先進產品的高價格，大家共同賺取超額利潤。這些中小型企業都掌握
獨特的技術並具有很強的生產能力，且科研力量、開發能力都很強。許多重大科研及攻
關項目都在公司間進行，廠家、用戶之間聯繫密切，技術交流頻繁，所涉及的都是新
的、活的、尖端的內容。這些中小型企業是技術創新的主力軍，作為產業化基礎是必不
可少的。
在如火如荼，發展迅速的新材料與高技術產業化過程中，採取孤立分散、小打小
鬧、各自為政的方針，再多的「專家評審」、再高的「鑑定會」評價水準，不經市場檢
驗也於事無補。
發展新材料和高技術產業必須以企業為核心，市場為導向。當年美國和歐洲在 LCD
方面也做了大量的工作，但由於投資力度不夠，終於未形成氣候，許多研究成果倒被日
本所利用。他們所做的一切工作都迅速地為日本，而後是韓國與台灣。此三個國家所營
造的規模效應所吸收，變成了投資者的財富。這其中的經驗和教訓，足以為新興市場為
戒。
在新材料及高技術產業化發展過程中，只有以企業為創新主體，才能增強核心競爭
力；只有企業做大做強，增強自主創新能力，新興市場才能進入創新型國家的行列。
核心競爭力源於體制創新
在新材料和高技術產業的發展過程中，新興市場經常遇到體制方面的障礙：資訊閉
塞，決策慢；害怕風險，不敢為天下先；資源難以集中，不能形成合力；投資規模小，
不能形成競爭力；科研與產業化脫節，成果很難轉化為生產力；企業間惡性競爭，喪失
創新能力等。這些問題不解決，很難在高手如雲的世界新材料和高技術產業中，脫穎而
出，占據一席之地。
新材料應用於高技術領域，有先後、難易、週期長短、所需基礎及投入資金多少的
不同。國民經濟發展對其要求應有輕重緩急之分，因此科學決策極為重要。在新材料、

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 （新材料及在高技術中的應用叢書）序言

高技術等新經濟中不是大魚吃小魚，而是快的吃慢的，反應最快的總是占據最佳位置，
速度是新經濟的自然淘汰方式。
發展新材料和高技術產業不能急功近利，更不能著重政績工程的炫耀，需要的是科
學決策，而不是官僚式意志。多晶矽材料是矽產品工業鏈中的一個重要的中間產品。是
製造矽拋光片、太陽能電池的主要原材料，也是發展資訊產業和新能源產業的重要基
石。
台灣在微機電生產和晶片製造﹙晶圓代工廠﹚取得成功之後，選中 TFT-LCD 的產
業方向，從日本引進生產技術，高強度集中投資，科研與產業化緊密結合，集中力量開
發前瞻產品，在短短四五年後，根據 2004 年的統計數據，TFT-LCD 的全球市場占有率
達 33.5%，居世界第一。此外，台灣的 IC 構裝業占全球市場的 36%，光碟占全球市場
的 72%，均排名世界第一等。
本叢書力求全方位地反映新材料及高技術應用的各個方面，包括涉及的範圍、水
準、目前狀況及發展趨勢等。重點是討論新材料與高技術應用之間的關係，更注重產業
化的發展和市場動向。以此奉獻給該領域的決策者、參與者、相關者、關心者以及在校
的大學生、研究生等。其內容齊全、涉及面廣，力求做到通俗易懂、深入淺出。叢書中
的每一部又自成體系，可作為相關專業的教材及教學參考書。
已經獻給讀者的是本叢書的前四部：《磁性材料》、《電子顯示》、《半導體電子
元件構裝技術》、《高密度構裝基材》。除了即將出版的《薄膜技術與薄膜材料》之
外，正在撰寫和組織的還有《晶圓和晶片》、《平面顯示器入門》、《平面顯示器的產
業化》、《液晶顯示器》、《電池─材料、技術及應用》、《結構材料科學》、《功能
材料科學》、《固態電子材料》等，將陸續出版。
當代材料科學技術正面臨新的突破，諸如高溫超導體、奈米材料、先進複合材料、
生物醫用材料、先進電子材料、智慧型材料、生態環境材料、光電資訊材料、C60，以
及分子、原子尺度設計材料等領域正處於日新月異的發展之中，充滿了挑戰和機遇。新
材料的出現總是連帶著高技術的突破，由此必將帶來重大的技術經濟效益和社會效益。
新材料及在高技術中的應用叢書若能對讀者在「眼觀四面、耳聽八方」方面有所裨益，
在建設創新型社會中有所貢獻，我們將不勝榮幸。

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薄膜技術與薄膜材料

作者才學有限，不妥或謬誤之處在所難免，懇請讀者批評指正。

田民波

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 前 言

前 言

20 世紀 90 年代初，作者與劉德令先生等共同編譯了《薄膜科學與技術手冊》
（上、下冊）。該書內容包括薄膜基礎、薄膜製備技術、薄膜性能檢測、薄膜技術的應
用等，涉及薄膜科學與技術的各個方面。該書內容廣泛，取材新穎，論述全面，在華人
地區廣為流傳，產生了較大影響。
近 20 年來，薄膜技術與薄膜材料獲得迅速發展，其主要表現在下述幾個方面。
首先，各類新型薄膜材料大量湧現。其中包括奈米薄膜、量子線、量子點等低維材
料，高 K 值和低 K 值介質薄膜材料，大規模積體電路用 Cu 佈線材料，巨磁電阻、PN
磁電阻等磁致電阻薄膜材料，大導帶能階的「應用電子學」半導體薄膜材料，藍光的光
電半導體材料，高透明性低電阻率的透明導電材料，以鑽石薄膜為代表的各類超硬薄膜
材料等。這些新型薄膜材料的出現，為探索材料在奈米尺度內的新現象、新規律，開發
材料的新特性、新功能，提高超大規模積體電路的積體度，提高資訊儲存記錄密度，擴
大半導體材料的應用範圍，提高電子元件的可靠性，提高材料的耐磨抗蝕性等，提供了
實質基礎。
再者，薄膜製作和微細加工技術不斷創新。其中包括用於產業化的 MBE 和 MOCVD
技術，脈衝雷射熔射，高真空濺鍍，高密度離子束加工，氣體離化團束﹙GCIB﹚加工，
反應性離子束蝕刻，大規模積體電路用 Cu 佈線的電鍍，以 CMP 為代表的平坦化，原
子、分子量級的人工組裝等。這些為製備高質量磊晶膜，獲得良好的成膜階梯覆蓋度，
製作線寬 0.1 微米的超大規模積體電路，實現 MEMS 和 NEMS 等，提供了可靠保證。
特別是，各種薄膜在高新技術中的應用更加普及。Internet 中採集、處理資訊及通
訊網路設備中，都需要數量巨大的元件、電子迴路、積體電路等，製造這些都要採用薄
膜技術；在平面顯示器產業中，為製作 TFT-LCD 的薄膜電晶體及各種電極，為製作
PDP 中的原極、汲極及 MgO 保護膜，為製作有機 EL 中的電子注入層﹙EIL﹚、電子輸
運層﹙ETL﹚、電洞注入層﹙HIL﹚、發光層﹙EML﹚等，也需要採用薄膜技術；在機
器人各種感測器、生物晶片、CIGS 太陽能電池中都離不開薄膜技術。可以說，薄膜技

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 薄膜技術與薄膜材料

術和薄膜材料已成為構築高新技術產業的基本要素。
薄膜技術與薄膜材料之所以受到人們的關注，主要基於下面幾個理由。
薄膜很薄﹙膜厚從微米到奈米量級，後者甚至薄到幾個原子層﹚，可以看成是物
質的二維形態。薄膜技術是實現元件輕薄短小化和系統立體化的有效製程。
元件的微小型化，不僅可以保持元件的原有功能並使之強化，而且，隨著元件的
尺寸減小乃至接近電子或其他粒子量子化運動的尺度，薄膜材料或其元件將顯示出許多
全新的物理現象。薄膜﹙以及目前正大力開發的量子線、量子點等﹚技術是製備這類新
型功能元件的有效手段。
薄膜氣相沉積涉及從氣相到固相的超急冷過程，易於形成非穩態物質及非化學計
量的化合物膜層。因此，薄膜技術是探索物質秘密，製備及分析特異成分、組織及晶體
結構的物質的有力手段。
由於源材的氣化方式很多﹙如電子束蒸發、濺鍍、氣體源等﹚，藉由控制氣氛還
可以進行反應沉積，因此，可以得到各種材料的膜層；可以較方便地採用光、電漿等激
發手段，在一般條件下，即可獲得在高溫、高壓、高能量密度下才能獲得的物質。
藉由基材、源材、反應氣氛、沉積條件的選擇，可以對界面結構、結晶狀態、膜
厚等進行控制，還可製取多層膜、複合膜及特殊界面結構的膜層等；由於膜層表面精細
光潔，故便於透過微影照像製取電路圖形；由於在 LSI 技術中薄膜沉積及微影照像圖形
等已有成熟的經驗，故易於在其他應用領域中推廣。
易於在成膜過程中在線檢測，監測動態過程並可按要求控制生長過程，便於實現
自動化。
本書正是基於上述背景和理由編寫的。全書共分 5 部分。第 1 部分﹙第 2～8 章﹚
為薄膜沉積基礎，包括真空技術基礎、真空泵與真空計、真空裝置的實際問題、氣體放
電和電漿、薄膜生長與薄膜結構、表面結構與薄膜的磊晶生長、薄膜沉積的共性問題等
7 章；第 2 部分﹙第 9～12 章﹚為薄膜製備技術，包括真空蒸鍍、離子鍍和離子束沉
積、濺鍍鍍膜、化學氣相沉積等 4 章；第 3 部分﹙第 13～14 章﹚為薄膜的微細加工，
包括乾式蝕刻、平坦化技術等 2 章；第 4 部分﹙第 15～16 章﹚為薄膜材料及薄膜材料
的應用；第 5 部分﹙第 17 章﹚為薄膜的評價表徵及物性測定。作為全書的引言與入門，
第 1 章以近乎動﹙畫﹚漫﹙畫﹚的形式，介紹了薄膜在高新技術中的應用。

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 前 言

本書內容廣泛，取材新穎，敘述通俗易懂，緊密聯繫實際，特別是針對薄膜技術與
薄膜材料的最新進展和前瞻應用，結合大量實例進行論述。在內容組織上，儘量做到
淺、寬、新，避免針對過窄的領域，進行過深、過細的探討。本書重點討論有關薄膜技
術與薄膜材料的基本原理、基本方法、基本技術過程和基本應用。藉由本書的學習，有
助於讀者掌握薄膜製備及微細加工方法，認識與微觀結構相關的各種特性，了解薄膜材
料及微細加工技術的最新應用。
在本書編寫過程中參閱了大量國內外文獻，特別是書中第 5、6、7、9 章的部分內
容較多地引用了文獻 [56]、[59]、[96]、[97] 等。在此向王福貞、唐偉忠、朱履冰、楊
邦朝教授及有關作者表示感謝。
作者才學有限，不妥或謬誤之處在所難免，懇請讀者批評指正。

作者

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 校訂序

校訂序

台灣在世界電子元件的舞台上獨領風騷，其中薄膜技術扮演非常重要的關鍵角色。
舉凡從上游的積體電路與平面顯示器製造，到下游的印刷電路板與電子構裝產業，都需
要引入薄膜技術，賦予各種電子產品更新穎與更強大之功能。
本書「薄膜技術與薄膜材料」內容包羅萬象，舉凡從基礎的真空原理，至薄膜製程
技術—物理氣相沈積、化學氣相沈積，與厚膜技術都一一詳列於書中。此外，對於薄膜
技術的應用，例如蝕刻技術、平坦化技術也都有詳盡的介紹與說明。最後也針對現今薄
膜技術與產品之應用作專章介紹，更讓讀者清楚的認識薄膜技術對於人類世界的重要
性。
本書除了原理的說明之外，也以現今產業製程與技術做為實例，實在是非常的難能
可貴；而書後所附之參考文獻更提供有志對此技術欲深入了解的讀者，一條便捷的查詢
管道。此書的付梓對於有志從事半導體、平面顯示器與電子構裝領域的人員而言，是一
本不可獲缺的工具書。而對於國內教授薄膜製程與材料的專業學者而言，此書內容詳盡
也是一本非常適合的教科書。期盼此書在國內出版之後，能對國內的相關產業做出最有
利的貢獻，確保台灣在世界電子產業中繼續保有領先的地位。

顏怡文

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 目 錄

目 錄

《新材料及在高技術中的應用叢書》序言

前 言

第1章 薄膜與新科技技術 …………………… 1

1.1. Internet 與薄膜技術／

1.2. PDP─電漿電視／
1.3. 發展迅速的 TFT-LCD ／
1.4. 生物電腦與薄膜技術／
1.5. 正在進展中的人造大腦／
1.6. 微機械使重症患者起死回生／
1.7. 加速度感應器／
1.8. 實現 MEMS 的薄膜與微細加工技術／
1.9. 薄膜製作簡介／
1.10. 氣化源種種／
1.11. 薄膜加工簡介／
1.12. 原子的人工組裝／
1.13. 碳奈米管和富勒烯／

第2章 真空技術基礎 ………………………… 27

2.1. 真空的基本知識／
2.1.1. 真空定義 28
2.1.2. 真空度量單位 30

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薄膜技術與薄膜材料

2.1.3. 真空區域劃分 33
2.1.4. 氣體與蒸氣 35
2.2. 真空的表徵／
2.2.1. 氣體分子運動論 37
2.2.2. 分子運動的平均自由程 41
2.2.3. 氣流與流導 45
2.3. 氣體分子與表面的相互作用／
2.3.1. 碰撞於表面的分子數 48
2.3.2. 分子從表面的反射 49
2.3.3. 蒸發速率 52
2.3.4. 真空在薄膜製備中的作用 53

第3章 真空泵與真空計 ……………………… 55

3.1. 真空泵／
3.1.1. 油封機械泵 58
3.1.2. 擴散泵 64
3.1.3. 吸附泵 71
3.1.4. 濺鍍離子泵 73
3.1.5. 昇華泵 76
3.1.6. 低溫冷凝泵 77
3.1.7. 渦輪分子泵和複合渦輪泵 79
3.1.8. 乾式機械泵 81
3.2. 真空測量儀器─總壓力計／
3.2.1. 麥克勞真空計 84
3.2.2. 熱傳導真空計 87
3.2.3. 離子化真空計─離子化計 90
3.2.4. 蓋斯勒管 99
3.2.5. 隔膜真空計 100
3.2.6. 真空計的安裝方法 101
3.3. 真空測量儀器─分壓力計／
3.3.1. 磁偏轉型質譜計 102
3.3.2. 四極濾質器（四極質譜計） 103

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 目 錄

第4章 真空裝置的實際問題 ……………… 107

4.1. 排氣的基礎知識／
4.2. 材料的放氣／
4.3. 排氣時間的估算／
4.4. 實用的排氣系統／
4.4.1. 離子泵系統 116
4.4.2. 擴散泵系統 116
4.4.3. 低溫冷凝泵／分子泵系統 118
4.4.4. 殘留氣體 120
4.5. 檢 漏／
4.5.1. 檢漏方法 122
4.5.2. 檢漏的實際操作 124
4.6. 大氣溫度與濕度對裝置的影響／
4.7. 烘烤用的內部加熱器／
4.8. 化學活性氣體的排氣／
4.8.1. 主要裝置及存在的問題 129
4.8.2. 排氣系統及其零件 131

第5章 氣體放電和低溫電漿 ……………… 135

5.1. 帶電粒子在電磁場中的運動／
5.1.1. 帶電粒子在電場中的運動 136
5.1.2. 帶電粒子在磁場中的運動 138
5.1.3. 帶電粒子在電磁場中的運動 140
5.1.4. 磁控管和電子回旋共振 142
5.2. 氣體原子的離子化和激發／
5.2.1. 碰撞─能量傳遞過程 145
5.2.2. 離子化─正離子的形成 150
5.2.3. 激發─介穩原子的形成 155
5.2.4. 回復─退激發光 159

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薄膜技術與薄膜材料

5.2.5. 解離─分解為單個原子或離子 163

5.2.6. 附著─負離子的產生 164
5.2.7. 複合─中性原子或原子團的形成 164
5.2.8. 離子化學─活性粒子間的化學反應 168
5.3. 氣體放電發展過程／
5.3.1. 由非自持放電過渡到自持放電的條件 171
5.3.2. 離子化係數 和二次電子發射係數 175
5.3.3. 帕邢定律及點燃電壓的確定 177
5.3.4. 氣體放電伏安特性曲線 180
5.4. 低溫電漿概述／
5.4.1. 電漿的定義 182
5.4.2. 電漿的溫度 183
5.4.3. 帶電粒子的遷移運動和擴散運動 186
5.4.4. 電漿的導電性 189
5.4.5. 電漿的集體特性 190
5.4.6. 電漿電位 192
5.4.7. 離子鞘層 193
5.5. 輝光放電／
5.5.1. 輝光放電外貌及兩極間各種特性的分佈 196
5.5.2. 陰極位降區 198
5.5.3. 正常輝光放電和異常輝光放電 200
5.5.4. 其他類型的輝光放電 202
5.6. 弧光放電／
5.6.1. 弧光放電類型 204
5.6.2. 弧光放電的基本特性 206
5.6.3. 自持熱陰極弧光放電 207
5.6.4. 自持冷陰極弧光放電 213
5.7. 高頻放電／
5.7.1. 高頻功率的輸入方法 215
5.7.2. 離子捕集和電子捕集 217
5.7.3. 自偏壓 218
5.8. 磁控放電／

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5.9. 低壓力、高密度電漿放電／
5.9.1. 微波的傳輸及微波放電 221
5.9.2. 微波 ECR 放電 222
5.9.3. 螺旋波電漿放電 224
5.9.4. 感應偶合電漿放電 227

第6章 薄膜生長與薄膜結構 ……………… 229

6.1. 薄膜生長概述／
6.2. 吸附、表面擴散與凝結／
6.2.1. 吸附 231
6.2.2. 表面擴散 239
6.2.3. 凝結 241
6.3. 薄膜的成核與生長／
6.3.1. 成核與生長簡介 244
6.3.2. 毛細理論（熱力學介面能理論） 248
6.3.3. 統計或原子聚集理論 258
6.4. 連續薄膜的形成／
6.4.1. 奧斯瓦爾多（Ostwald）吞併過程 263
6.4.2. 熔結過程 264
6.4.3. 原子團的遷移 264
6.4.4. 決定表面取向的 Wullf 理論 265
6.5. 薄膜的生長過程與薄膜結構／
6.5.1. 薄膜生長的晶帶模型 268
6.5.2. 纖維狀生長模型 270
6.5.3. 薄膜的缺陷 273
6.5.4. 薄膜形成過程的電腦模擬 274
6.6. 非晶態薄膜／
6.7. 薄膜的基本性質／
6.7.1. 導電性 282
6.7.2. 電阻溫度係數（TCR） 282
6.7.3. 薄膜的密度 284

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6.7.4. 時校變化 284

6.7.5. 介電質膜 285
6.8. 薄膜的黏附力和內應力／
6.8.1. 薄膜的黏附力 287
6.8.2. 薄膜的內應力 288
6.8.3. 提高黏附力的途徑 290
6.9. 電遷移／

第7章 表面結構與薄膜的磊晶生長 ……… 295

7.1. 理想表面結構／
7.1.1. 二維結晶學基本概念 297
7.1.2. 二維倒置晶格 303
7.2. 潔淨表面結構／
7.2.1. 表面結構的表述方法 311
7.2.2. 重構表面及其倒置晶格晶格的矩陣元素 314
7.2.3. 表面原子鬆弛 318
7.2.4. 表面重構模型 321
7.3. 實際表面結構／
7.3.1. 表面吸附類型 328
7.3.2. 吸附覆蓋層 329
7.3.3. 吸附表面層結構 330
7.3.4. 半導體材料的表面吸附 333
7.4. 薄膜的磊晶生長／
7.4.1. 液相磊晶 335
7.4.2. 氣相磊晶 336
7.4.3. 分子束磊晶 337
7.4.4. 有機金屬化學氣相沉積 338
7.4.5. 同質磊晶和異質磊晶 339
7.5. 影響薄膜磊晶的因素／
7.5.1. 磊晶溫度 343
7.5.2. 基材晶體的解離 346

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7.5.3. 壓力的影響 346

7.5.4. 殘留氣體的影響 347
7.5.5. 蒸鍍速率的影響 347
7.5.6. 基材表面的缺陷─電子束照射的影響 348
7.5.7. 電場的影響 348
7.5.8. 離子的影響 349
7.5.9. 膜厚的影響 349
7.5.10. 失配度的影響 349

第8章 薄膜沉積的共性問題 ……………… 351

8.1. 成膜與膜材料簡介／
8.1.1. 薄膜與厚膜 352
8.1.2. 各種成膜方法的比較 353
8.1.3. 薄膜的氣相沉積法 356
8.1.4. 薄膜的液相沉積法 362
8.1.5. 厚膜技術和電子漿料 369
8.1.6. 電路圖形的形成方法 378
8.1.7. 膜材料簡介 380
8.2. 靶和膜的成分─如何得到所需要的膜成分／
8.2.1. 真空蒸鍍和離子鍍 383
8.2.2. 濺鍍鍍膜 384
8.3. 附著強度─如何提高膜層的附著強度／
8.3.1. 預處理 387
8.3.2. 蒸鍍技術參數的影響 390
8.3.3. 蒸鍍與濺鍍鍍膜的比較─基材不加熱的情況 393
8.3.4. 真空蒸鍍、離子鍍、濺鍍鍍膜的比較－基材加熱、
離子轟擊都可進行的情況 394
8.4. 階梯塗佈，繞射著膜率，孔底塗佈－如何在大凹
凸表面沉積厚度均勻的膜層／
8.5. 電漿及其在薄膜沉積中的作用－膜質的改善、新
技術的開發／

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8.5.1. 電漿 399
8.5.2. 電漿的形成方法 402
8.5.3. 電將基本形成方式的主要應用 404
8.6. 基材的傳輸機構／
8.7. 膜層中的針孔和超淨工作間／
8.7.1. 關於人體污染 413
8.7.2. 無塵室標準的發展 413
8.7.3. 無塵室級別的公制定義 414

第9章 真空蒸鍍 …………………………… 417

9.1. 概 述／
9.2. 源材的蒸發／
9.2.1. 飽和蒸氣壓 420
9.2.2. 蒸發粒子的速度和能量 426
9.2.3. 蒸發速率和沉積速率 427
9.3. 蒸發源／
9.3.1. 電阻加熱蒸發源 430
9.3.2. 電子束蒸發源 437
9.3.3. 高頻感應蒸發源 441
9.4. 蒸發源的蒸氣發射特性與基材配置／
9.4.1. 點蒸發源 443
9.4.2. 小平面蒸發源 445
9.4.3. 實際蒸發源的發射特性及基材配置 447
9.5. 蒸鍍裝置及操作／
9.6. 合金膜的蒸鍍／
9.6.1. 合金蒸發分餾現象 456
9.6.2. 瞬時蒸發（閃爍蒸發）法 458
9.6.3. 雙源或多源蒸發法 459
9.7. 化合物膜的蒸鍍／
9.7.1. 透明導電膜（ITO）─In2O3-SnO2 系薄膜 460

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9.7.2. 反應蒸鍍法 461

9.7.3. 三溫度法 464
9.7.4. 熱壁法 464
9.8. 脈衝雷射熔射（PLA）／
9.8.1. 脈衝雷射熔射原理 465
9.8.2. 脈衝雷射熔射設備 467
9.8.3. 脈衝雷射熔射製作氧化物超導膜 469
9.9. 分子束磊晶技術／
9.9.2. 分子束磊晶設備 472
9.9.3. 分子束磊晶技術的發展動向 475
9.9.4. 分子束磊晶的應用 477

第 10 章 離子鍍和離子束沉積 …………… 479

10.1. 離子鍍的原理／
10.1.1. 不同的離子鍍方式 481
10.1.2. 離子轟擊在離子鍍過程中的作用 485
10.1.3. 離子鍍過程中的離化率問題 491
10.1.4. 離子鍍的蒸發源 494
10.2. 離子鍍的類型及特點／
10.2.1. 直流二極型 495
10.2.2. 三極型和多陰極方式的離子鍍 497
10.2.3. 活性反應蒸鍍（ARE） 499
10.2.4. 空心陰極放離子化子鍍（HCD） 507
10.2.5. 射頻放離子化子鍍（RFIP） 517
10.2.6. 多弧離子鍍 521
10.2.7. 電弧放電型高真空離子鍍 529
10.3. 離子束沉積／
10.3.1. 離子束沉積的原理 531
10.3.2. 直接引出式和質量分離式 533
10.3.3. 離化團束沉積 538
10.3.4. 離子束輔助沉積 544
10.4. 離子束混合／

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10.4.1. 離子束混合原理 549

10.4.2. 靜態混合 550
10.4.3. 動態混合 550

第 11 章 濺鍍鍍膜 ………………………… 555

11.1. 離子濺鍍／
11.1.1. 荷能粒子與表面的相互作用 557
11.1.2. 濺鍍產額及其影響因素 560
11.1.3. 選擇濺鍍現象 573
11.1.4. 濺鍍原子的能量分布和角分布 581
11.2. 濺鍍鍍膜方式／
11.2.1. 直流二極濺鍍 594
11.2.2. 三極和四極濺鍍 602
11.2.3. 射頻濺鍍 604
11.2.4. 磁控濺鍍─低溫高速濺鍍 607
11.2.5. 濺鍍氣壓接近零的零氣壓濺鍍 623
11.2.6. 自濺鍍─深且超微細孔中的埋入 627
11.2.7. RF-DC 結合型偏壓濺鍍 636
11.2.8. ECR 濺鍍 637
11.2.9. 對向靶濺鍍 638
11.2.10. 離子束濺鍍沉積 640
11.3. 磁控濺鍍源／
11.3.1. 磁控濺鍍源簡介 645
11.3.2. 內圓柱狀和外圓柱狀磁控濺鍍源 647
11.3.3. 濺鍍槍（S-槍）磁控濺鍍源 650
11.3.4. 平面磁控濺鍍源 653
11.3.5. 合金靶、複合靶及多靶濺鍍 654
11.4. 濺鍍鍍膜的實例／
11.4.1. Ta 及其化合物膜的濺鍍沉積 659
11.4.2. Al 及 Al 合金膜的濺鍍沉積 664
11.4.3. 氧化物的濺鍍沉積：超導膜和 ITO 透明導電膜 668
11.4.4. 濺鍍鍍膜的應用 673

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第 12 章 化學氣相沉積（CVD） …………… 677

12.1. 熱氧化、氮化／
12.1.1. 反應方式 680
12.1.2. 熱氧化裝置 681
12.1.3. 其他氧化裝置 684
12.1.4. 氮化、碳化表面改性 685
12.2. 熱 CVD ／
12.2.1. 主要的生成反應 687
12.2.2. 熱 CVD 的特徵 693
12.2.3. 熱 CVD 裝置 697
12.2.4. 反應器 698
12.2.5. 常壓 CVD（NPCVD） 698
12.2.6. 低壓 CVD（LPCVD） 700
12.3. 電漿輔助 CVD（PECVD）／
12.3.1. PECVD 的特徵及應用 703
12.3.2. PECVD 裝置 708
12.3.3. 高密度電漿（HDP）CVD 714
12.4. 光 CVD（photo CVD）／
12.4.1. 雷射化學氣相沉積 717
12.4.2. 光化學氣相沉積 718
12.5. 有機金屬 CVD（MOCVD）／
12.6. 金屬 CVD ／
12.6.1. W-CVD 727
12.6.2. Al-CVD 728
12.6.3. Cu-CVD 731
12.6.4. 阻障層─TiN-CVD 732
12.7. 半球形晶粒多晶 Si-CVD（HSG-CVD）／
12.8. 鐵電體的 CVD ／
12.9. 低介電常數薄膜的 CVD ／

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第 13 章 乾式蝕刻 ………………………… 739

13.1. 乾式蝕刻與濕式蝕刻／
13.1.1. 蝕刻技術簡介 740
13.1.2. 濕式蝕刻 745
13.1.3. 乾式蝕刻 748
13.2. 電漿蝕刻─激發反應氣體蝕刻／
13.2.1. 原理 753
13.2.2. 裝置 755
13.3. 反應性離子蝕刻（RIE）／
13.3.1. 原理及特徵 757
13.3.2. 各種反應性離子蝕刻方法 760
13.3.3. 裝置 768
13.3.4. 軟體 769
13.3.5. Cu 的蝕刻 775
13.4. 反應性離子束蝕刻（RIBE）／
13.4.1. 聚焦離子束（FIB）設備及蝕刻加工 777
13.4.2. 束徑 1 mm 左右的離子束設備及 RIBE 781
13.4.3. 大束徑離子束設備及 RIBE 784
13.5. 氣體離化團束（GCIB）加工技術／
13.5.1. GCIB 加工原理 787
13.5.2. GCIB 設備 789
13.5.3. GCIB 加工的優點 790
13.5.4. GCIB 在微細加工中的應用 792
13.6. 微機械加工／
13.7. 乾式法蝕刻用離子源的開發／

第 14 章 平坦化技術 ……………………… 803

14.1. 平坦化技術的必要性／
14.2. 平坦化技術概要／

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14.3. 不發生凹凸的薄膜生長／
14.3.1. 選擇生長 807
14.3.2. 迴流埋孔（濺鍍平坦化） 807
14.3.3. 通過埋入氧化物實現平坦化 809
14.4. 沉積同時進行加工防止凹凸發生的薄膜生長／
14.4.1. 偏壓濺鍍 811
14.4.2. 去除法（lift-off） 812
14.5. 薄膜生長後經再加工實現平坦化／
14.5.1. 塗佈平坦化 812
14.5.2. 雷射平坦化 813
14.5.3. 迴流平坦化 813
14.5.4. 蝕刻平坦化 813
14.5.5. 陽極氧化與離子注入 814
14.6. 埋入技術實例／
14.7. 化學機械研磨拋光（CMP）技術／
14.8. 氣體離化團束（GCIB）加工平坦化／
14.9. 鑲嵌法（damascene）佈線及平坦化／
14.10. 平坦化技術與光蝕刻法／

第 15 章 薄膜材料 ………………………… 827

15.1. 金屬薄膜材料／
15.1.1. 結構性金屬薄膜材料 828
15.1.2. 功能性金屬薄膜材料 833
15.2. 無機、陶瓷薄膜材料／
15.2.1. 無機、陶瓷薄膜簡介 845
15.2.2. 陶瓷薄膜的形成方法 846
15.2.3. 結構性陶瓷薄膜材料 854
15.2.4. 功能性陶瓷薄膜材料 866
15.3. 有機、聚合物薄膜材料／
15.3.1. 有機、聚合物薄膜材料的形成方法 886

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15.3.2. 有機、聚合物薄膜材料 893

15.4. 半導體薄膜材料／
15.4.1. 半導體材料與薄膜 905
15.4.2. 各種功能的半導體薄膜材料 913
15.4.3. 大導帶寬度半導體薄膜材料：在「應用電子學」
中的應用 939

第 16 章 薄膜材料的應用 ………………… 949

16.1. 表面改性／
16.1.1. 何謂表面改性 950
16.1.2. 表面改性的手段 952
16.1.3. 表面改性的應用 956
16.2. 超硬膜用於切削刀具／
16.2.1. 超硬膜的獲得及應用 962
16.2.2. 如何選擇鍍層－基材系統 967
16.2.3. 超硬鍍層改善刀具切削性能的機制 971
16.2.4 TiN 鍍層對各種刀具切削性能的改善 976
16.3. 能量變換薄膜與元件／
16.3.1. 光電變換薄膜材料 984
16.3.2. 光熱變換薄膜材料 987
16.3.3. 熱電變換薄膜材料 990
16.3.4. 熱電子發射薄膜材料 993
16.3.5. 固體電解質薄膜材料 994
16.3.6. 超導薄膜元件 995
16.4. 感測器／
16.4.1. 感測器的種類及材料 997
16.4.2. 薄膜感測器舉例 1003
16.5. 半導體元件／
16.5.1. MOS 元件及晶圓的大型化 1008
16.5.2. 化合物半導體元件 1014
16.6. 記錄與存儲／

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16.6.1. 光盤 1017
16.6.2. 磁碟 1020
16.6.3. 磁頭 1021
16.7. 平面顯示器／
16.7.1. 液晶顯示器 1027
16.7.2. 電漿平面顯示器 1045
16.7.3. 有機電致發光顯示器 1054
16.8. 金剛石薄膜的應用／
16.8.1. 金剛石薄膜的開發現狀 1061
16.8.2. 電晶體及二極體 1063
16.8.3. 感測器 1063
16.8.4. 聲表面波元件 1065
16.8.5. 場發射平面顯示器 1066
16.9. 太陽能電池／
16.9.1. 太陽能電池的原理及材料 1070
16.9.2. 矽系薄膜太陽能電池 1074
16.9.3. 化合物薄膜太陽能電池（CIS 和 CIGS） 1078
16.10. 發光元件／
16.10.1. 發光元件的基礎─發光過程 1083
16.10.2. 發光二極體 1084
16.10.3. 雷射二極體 1086

第 17 章 薄膜材料的評價特徵及物性測定 1091

17.1. 薄膜材料評價特徵的特殊性／
17.2. 薄膜材料評價特徵方法及其選擇／
17.2.1. 評價特徵目的 1093
17.2.2. 評價特徵內容 1093
17.2.3. 評價特徵手段選擇 1094
17.3. 薄膜材料的評價特徵／
17.3.1. 表面形貌 1104
17.3.2. 結晶狀態和晶體結構 1105

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17.3.3. 微觀組織和結構 1107

17.3.4. 元素分析 1108
17.3.5. 化學結合狀態分析 1114
17.4. 相關技術和裝置／
17.4.1. 輸出資訊及顯示 1115
17.4.2. 裝置的複合化 1115
17.4.3. 成膜後測試和線上測試 1117
17.4.4. 關聯技術要素 1118
17.5. 薄膜材料評價特徵舉例／
17.5.1. TiN 薄膜的評價特徵 1121
17.5.2. 磁性多層膜的評價特徵 1126
17.6. 薄膜材料的物性測定／

附錄 A 各種元素的溫度─蒸氣壓特性 …… 1135

附錄 B 元素的離子化電位 ………………… 1141

附錄 C 物理常數表 ………………………… 1145

附錄 D （新舊）常用計量單位對照與換算 1147

附錄 E 能量換算表、壓力換算表及氣體的性質表

……………………………………… 1151

附錄 F 半導體大規模積體電路的發展預測 1155

附錄 G 顯示屏的圖像解析度等級、圖像解析度

（像素數）和寬高比 ……………… 1157

附錄 H 元素週期表 ………………………… 1159

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 目 錄

附錄 I 薄膜技術與薄膜材料領域常用縮略語註釋

……………………………………… 1163

參考文獻 ……………………………………… 1179

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 薄膜與新科技技術
第 章

1.1. Internet 與薄膜技術

1.2. PDP─電漿電視
1.3. 發展迅速的 TFT-LCD
1.4. 生物電腦與薄膜技術
1.5. 正在進展中的人造大腦
1.6. 微機械使重症患者起死回生
1.7. 加速度感應器
1.8. 實現 MEMS 的薄膜與微細加工技術
1.9. 薄膜製作簡介
1.10. 氣化源種種
1.11. 薄膜加工簡介
1.12. 原子的人工組裝
1.13. 碳奈米管和富勒烯

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 薄膜技術與薄膜材料

1.1. Internet 與薄膜技術

當今資訊社會，人們藉由電視機、收音機、手機、Internet 等，可即時看到或聽到世
界上所發生的「鮮」、「活」新聞，如同人們長上了千里眼、順風耳一樣。
之所以能做到這一點，首先需要攝影機、數位相機、錄音機、儲存裝置等採集圖像
及聲音資訊，並對其進行編輯加工。更重要的是，需要由微波、光纖、通訊衛星、電腦
等構成的 Internet，並藉由天線及光纖等將這些 Internet 與一般家庭、辦公室、車輛等交
通工具相連接，構成通訊網路（圖 1-1）。在上述採集、處理資訊及通訊網路設備中，
都需要數量巨大的電子元件、電子迴路、積體電路等。而薄膜技術是製作這些電子元
件、電子迴路、積體電路的基礎。
經過通訊網進入家庭、辦公室乃至車輛之類交通工具等的資訊，再由收音機、電視
機、電腦、錄放影機、傳真機、電話機、手機等多媒體終端等傳遞到用戶。所有這些機
器的心臟部分，也都離不開以薄膜技術為基礎而製作的電子元件、電子迴路、積體電路
等。
此外，現在電視機、空調、電子爐、洗衣機都具有遙控功能，採用筆記型電腦及手
機等可攜終端設備，從出差或上班地點也能操作上述家電設備，這種系統有些已達到實
用化。今後，隨著 Internet 的進展擴充以及數位家電價格的持續下降，這種遠距離控制
系統會逐漸普及。按計畫、遠距離、隨心所欲地操縱自宅家電已不是遙遠的事情。

網路中心
手機

照明系統
互聯網
空調

電冰箱
電視機 音響
GPS
定位
系統
門庭

圖 1-1 通過互聯網可以按計畫、遠距離、隨心所欲地操作自宅家電

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 第1章 薄膜與新科技技術

圖 1-2 可代替人工作的機器人將出現在我們面前

如果著眼於未來，那麼接近人類步行方式的機器人、能表現感情的機器人也將紛紛
登場。不久的將來，隨著具有更優秀的控制能力，具有與人類相同五官能力的機器人開
發成功，它們可以從事家務及車間勞動，從而大大減輕人類的負擔。屆時，可代替人工
作的機器人將出現在我們面前（圖 1-2）。為實現這些夢想，薄膜也產生舉足輕重的作用。

1.2. PDP─電漿電視

人們天生喜愛圖像。藉由作為人─機界面的顯示器，人們可以獲得資訊，交流情
報，參與社會，享受生活樂趣。在資訊社會飛速發展的今天，顯示器行業充滿活力，並
已成為世界電子資訊工業的一大支柱產業。
21 世紀進入了以電漿顯示器（plasma display panel, PDP）、液晶顯示器（liquid crystal
display, LCD）為代表的平面顯示器（flat panel display, FPD）時代。畫面對角線超過 1 m
（到 2005 年已有超過 2.5 m 的產品），厚度僅有幾公分，圖像清晰、逼真的壁掛式 PDP
（圖 1-3）已在機場、車站、會議室乃至家庭中廣泛採用。目前，可折疊捲曲的顯示器
正在研究中，而且人們欣賞立體畫面的時代已為期不遠。與此同時，發光二極體顯示器
（light emitting diode, LED）、有 機 電 致 發 光 顯 示 器（organic electroluminescent display,
OELD，又稱有機 EL）等也在急速發展之中。
21 世紀將是平面顯示器的春天，在電子顯示器的百花園裡，各種類型的平面顯示器
將大放異彩。要進行影像逼真的動態顯示，都需要數以百萬計的顯示單元─像素；要製
作這些像素並實現每個像素的開斷，需要採用厚度在數微米以下的金屬電極、透明電極、

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 薄膜技術與薄膜材料

圖 1-3 畫面對角線 106 cm（42 型）的電漿壁掛彩色電視

（2005 年已有 102 型產品問世）

半導體膜及絕緣膜等。而這些都離不開薄膜技術和超微細加工技術。
讀者在體育場、繁華街道也許都見過數十米寬的巨大電視牆。過去，這類電視牆一
般是以 1～2 平方公分的小型布勞恩管或映像管構成一個個的像素，總計要用近百萬個，
藉由畫面組合，實現動態圖像顯示，但其重量要達數噸以上。目前這種巨型電視牆多由
一個個發光二極體（LED）組合而成。但上述這些電視牆的圖像解析度不高，難以精細
顯示。今後，PDP 和 LCD 也有可能在該領域大顯身手。
圖 1-4 表示 PDP 截面結構的實例。這種顯示器的工作原理如下。藉由顯示電極（匯
流電極）和選址電極（數據電極）上施加的電壓（脈衝形電壓），在二者交點處引起氣
體放電；藉由控制放電位置和放電的強弱，實現豐富多彩的動態顯示。由上述氣體放電
產生的電漿中射出紫外線，該紫外線照射塗佈於放電胞壁的螢光層（發射 R（紅）、G
（綠）、B（藍）三原色光的螢光層），發出相應彩色的光，由此實現全色壁掛電視。
實際上，室內照明用的日光燈也利用了氣體放電的原理，只是其玻璃管內壁上塗佈
的是發白光的螢光體，在放電電漿產生的紫外線刺激下發白光而已。
製作 PDP 的關鍵是在對角線 1 m 以上大尺寸玻璃板表面形成數以百萬計的放電胞。
放電胞的節距一般為 200～400 m，胞間障壁寬度為 50 m，高 150 m。匯流電極由透明
導電膜作成，選址電極由 Cr-Cu-Cr，Cr-Al，Ag 膜作成。為保證電極壽命，需要在前玻
璃基材表面塗佈 MgO 保護膜。要製作這些電極及各種膜層，顯然離不開薄膜技術及微
細加工技術。

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 第1章 薄膜與新科技技術

顯示電極
光 （ITO）
放電
（電漿）
前玻璃基材（前基材）

保護膜 透明介電體膜 後玻璃基材（後基材）

（MgO）

選址電極
（數據電極）
螢光體 障壁 匯流電極
螢光體(R) 螢光體(B) 介電質層
(G)
螢光體(G) 螢光體(R) 螢光體(B) 玻璃基材

圖 1-4 PDP 斷面結構的實例

（電漿顯示器，各示出 RGB 兩個像素，實際產品中有數十萬至數百萬個像素）

1.3. 發展迅速的 TFT-LCD

一般認為，PDP 在大螢幕彩色電視機領域沒有競爭對手。正當 PDP 天馬行空、獨來

獨往，準備在大螢幕彩色電視機領域大顯身手時，近一兩年卻突然殺出大螢幕 TFT-LCD
彩色電視機。先是 Sharp 推出 37 吋液晶彩色電視機，Sony 在 30 以上型奮起直追。正當
Sharp 發表「 50 吋液晶彩色電視機也能製造」時 ，LG 在 2004 年推出 57 吋，韓國三星
卻在 2005 年 10 月展出 82 型液晶彩色電視機試製品。目前大螢幕 TFT-LCD 顯示器發展
迅速，預計從現在起 30 型以上液晶彩色電視機的年平均增長率將超過 200%。韓國三星
和 LG 公司的第八代生產線（2300 mm×2600 mm）將於 2007 年第 3 季運行。
我們對液晶顯示器並不陌生，電腦電視牆、電子錶等早已成功應用。TFT-LCD（thin
film transistor liguid crystal display）即薄膜電晶體液晶顯示器。所謂液晶是指在某一溫度

2004 年 10 月，Sharp 公司在日本橫濱舉行的展覽會上，展出 65 吋產品。

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 薄膜技術與薄膜材料

範圍內，從外觀看屬於具有流動性的液體，但同時又是具有光學雙折射性的晶體。液晶
的流動性和各異方性正好為圖像顯示所利用。
在液晶顯示裝置中，需要組合利用兩塊偏光板。如圖 1-5 所示，偏光板具有僅使
沿光的透過軸（偏光軸）方向振動的光透過，而阻斷沿其他方向振動的光透過的功能。
因此，若佈置兩塊偏光板，使其偏光軸垂直，則光不能透過兩塊偏光板。在液晶顯示器
中，如圖 1-5 所示，液晶灌入如上佈置的兩塊偏光板之間的空間中。液晶分子依靠與
其接觸的取向膜（見後面的圖 1-7 ）呈定向排列。取向膜一般由聚亞醯胺製作，在其表
面藉由定向摩擦等形成縱向劃傷，液晶分子趨向平行於此劃傷定向排列。若使兩塊這樣
的取向膜正交佈置，如圖 1-5 中心部位棒狀液晶分子排列的那樣，液晶分子取向逐漸
發生 90° 旋轉。如圖 1-5 所示，藉由第一塊偏光板的偏光，在沿液晶分子傳輸的過程
中，其偏光軸會發生 90° 的旋轉，所以該偏光也能藉由第二塊偏光板。
那麼，當在電極上外加電壓，情況又將如何呢？如圖 1-5 四周的四根垂直棒所示
意，液晶分子呈垂直排列。在這種情況下，由於光的透射軸不發生旋轉，因此光不能透
過。換句話說，藉由外加電壓的有和無，就可以實現光的透過與截止，即由電開關實現
光開關。
上述外加電壓的控制，是藉由圖 1-6 所示的薄膜電晶體（thin film transistor, TFT）
完成的。圖 1-6 表示與液晶分子運動相關的 4 個像素的實例。

第1 光的 第1
偏光板 吸收軸 偏光板
縱向
振動的光 第1
液晶層
第
2 第2
偏 液晶層
光
板 顯示
橫向 電極
振動的光 光的透過軸 第2
（光的偏光軸） 偏光板 最後
液晶層
（光不能透過偏光軸相互垂直的
兩塊偏光板）

光通過偏光板的情況 液晶分子的排列與外加電壓的關係

圖 1-5 液晶顯示器的工作原理

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 第1章 薄膜與新科技技術

公用電極

非晶（或低溫多晶、 漏電極 顯示電極（ITO）

連續晶界）矽電晶體 顯示電極

柵電極 TFT
源電極 漏電極

絕緣膜 柵電極

TFT-LCD 的一個像素 TFT-LCD 的 4 個像素

圖 1-6 薄膜電晶體（TFT）與顯示像素

圖 1-6 所示一個像素的大小大致在數十微米，薄膜電晶體的特徵尺寸一般為 3～5

m。製作薄膜電晶體需要在玻璃基材上形成非晶矽或多晶矽半導體膜，還要形成源極、
柵極、汲極，每個像素都要有共用電極和顯示電極（ITO 膜）。此外還需要產生 RGB 三
原色的濾色膜等。所有這些都離不開薄膜技術和微細加工技術。
圖 1-7 表示實用化液晶顯示裝置的實例。偏光板、取向膜及電極等都要做在上、下
兩塊玻璃板上。兩塊玻璃板由塑膠或玻璃微球（或棒）隔離子隔開，隔離子的尺寸決定
兩塊玻璃板的間隙。由背光源發出的光經導光板遍佈整個顯示裝置，最後由圖 1-7 中所
示的正面射出。這種光在液晶開關的控制下，藉由濾色膜可顯示出全色動態畫面。

隔離子 黑色矩陣 濾色膜 偏光板 玻璃基材

保護膜
密封材料 液晶
顯示屏
源電極
控制 IC 柵電極 液晶
公用電極
PCB 板 取向膜
擴散板
顯示電極
存儲電容
驅動 LSI 密封材料
TCP 背光源 玻璃基材 導光板 散光板
薄膜電晶體 反射板

圖 1-7 TFT-LCD 製成品中的一個顯示像素

（每一個顯示器中有數萬至數百萬個像素）

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 薄膜技術與薄膜材料

近年來，TFT-LCD 在提高亮度、擴大視角、提高圖像解析度、響應速度及增大畫面
尺寸等方面都獲得突破。作為平面顯示器的代表，液晶顯示器在可攜式產品（包括手
機、數位相機等），筆記型電腦、監視器、家用電視及超大螢幕顯示器等領域的應用正
迅速擴展。

1.4. 生物電腦與薄膜技術

科學技術的前瞻課題之一，是製作與人類大腦相近的記憶（儲存）系統，實現人工
智慧。
關於記憶，已由矽半導體等構成的儲存器來實現。但到目前為止，還未達到具有創
造能力和人工智能的水準。目前，科學工作者正藉由小老鼠及兔子的小腦等神經細胞的
培養，以實現神經網路功能。進行這項研究，離不開薄膜技術。
如圖 1-8 所示，先利用薄膜技術在石英板上製作 150 m 見方的阱（well）以及連
接阱的 10 m 深的溝槽，再在阱中放置大白鼠腦的海馬神經細胞。圖中表示經過 7 天培
養後，這些神經細胞的生長情況。可以看出，若在平面上（阱中）培養，神經纖維（syn-
apse，突觸，神經腱）會向四面八方伸出，而在設有溝槽的位置，神經纖維會在溝槽中
生長。這樣，隨著神經纖維沿溝槽生長，神經細胞與神經細胞之間實現接觸、連接，進
而形成迴路網路。
這些神經是否具有生命活動呢？為了回答這一問題，用螢光顯微鏡對細胞內的鈣離
子濃度進行了觀察（圖 1-8 ）。發現細胞中標有 1～4 位置的亮度，大致以 10 s 左右為
週期，發生週期性變化，這說明細胞是有生命活動的。
上述明暗的變化是藉由電氣信號實現的。如圖 1-8 所示，阱中僅神經細胞的尖端
露出，藉由設置由氧化鋁或聚亞醯胺等絕緣膜覆蓋的電極，可將其產生的電氣信號取
出。探測結果如圖 1-8 所示，40÷(100×104 ) V（= 40 V）的極微小電氣信號，大約以
3
10 s 為週期，以 10 s 的時間延遲進行傳輸。這說明細胞與細胞之間確實構成了迴路網
路。相反，若在電極 1 上輸入 1 mA 的電流脈衝，其他電極上的脈衝也會同步出現。
隨著這種生物電腦技術研究的進展，實現相當高度的智能化已不是夢想。

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 第1章 薄膜與新科技技術

在表面形成阱及連接阱的溝槽的基材上， 細胞 1、2、3、4 內的鈣離子濃度（如右邊

透過掩模在阱中放置細胞。經過 7 天培養， 的圖所示），以大約 10 s 為周期同步振動。
由這些細胞生長出簡單的神經迴路 表明這些細胞間通過神經纖維傳遞訊息

100 m

100 m

通過人工培養，由大白鼠腦的海馬神經 在簡單神經迴路中的細胞中，由螢光顯
細胞，生長出簡單的神經迴路 微鏡觀察到鈣離子濃度的變化

由圖 所示的培養神經細胞的基材上
的 8 個不同位置的電極上接收到的短脈
衝群狀信號。圖中的信號是由圖 所
照片中黑點部位為神經細胞。大部分電
示電極 1、2、3、4 記錄的信號。各電
極上大概有 10 個左右的神經細胞
極的信號都以 10 s 為周期，彼此同步

電極 1 440
電極 1
10s

電極 2

電極 3 電極 3
電極 2

電極 4
電極 4

200 m

在帶有微小電極陣列的基材上培養的大白鼠 由微小電極陣列記錄的電氣信號
大腦皮質神經元（neurone）的顯微鏡照片

圖 1-8 利用薄膜技術進行生物電腦研究

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 薄膜技術與薄膜材料

1.5. 正在進展中的人造大腦

人的腦細胞大約有 150 億個，而其中的 10%，即 10～15 億個腦細胞時常工作的人，

據說屬於天才之列。一個電晶體是否與一個腦細胞產生相同的作用，目前尚沒有定論。
但是，就目前的水準而言，在積體電路中，1 cm2 的矽片之上已經成功地製作出 2.5 億個
電晶體，並已實現製品化。10 億個電晶體的試製品也已經出現（圖 1-9 ）。10 億個電
晶體的積體電路，可以儲存 4000 張報紙的資訊。進一步，儲存容量為 16 倍，即 160 億
個的積體電路也在人們的計畫中，估計到 2010 年即可實現（圖 1-9 ）。
如果將這樣的積體電路放入人的大腦那樣大小的容器中（大約 1 L），其可收容而
且能工作的電晶體的數量與人的腦細胞相比，已達到僅有一個數量級的差別。
在記憶、計算速度和容量等方面，人還比不上電腦。近年來機器人進展很快，不僅
能兩條腿走路，而且能表現出感情，其智力達到 1 歲兒童的水準，越來越接近人的程
度。原來機器人所不具有的創造能力也正在逐步攻克中。看來，製成各種各樣形式的人
造大腦已不是遙遠的事情。

電容器的上部電極

HSG 電容器絕緣膜
電容器的下部電極

位線（發白的部位）

電容接點
柵極（字線）

電晶體的源極、汲極

Si 基材 金屬填塞 電晶體的柵極（字線）

1GB-DRAM 中電晶體及存儲電容器部位的斷面放大圖

圖 1-9 正在進展中的人造大腦

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 第1章 薄膜與新科技技術

1011 16 GB
1010 4 GB
1 GB
109 DRAM
64 M 256 M
108 × 1.6 / 年
每晶片上的元件數

最小加工尺寸／ m
107 4 M 16 M
6
每晶片上的元件數
10 256 k 1M
105 64 k
16 k
104 100
1k 4k
103 10
最小加工尺寸
102 1
× 0.7/3 年
101 0.1
1 0.01
1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000 2010
年份
每晶片元件的對數增加及最小加工尺寸隨年代的變化

圖 1-9 正在進展中的人造大腦（續）

如同圖 1-9 所表示的那樣，目前正試製容量為 4 GB 的積體電路（實際上，韓國 LG

公司於 2004 年已將 16 GB 積體電路推向市場）。這需要在大約 1.5 平方公分晶片上，
製作 40 億個電晶體及其他元件，決定其最小加工尺寸的電晶體柵長為 0.1 m。若將其
擴大 1 萬倍，相當於在 150 平方公尺，即足球場那麼大的廣場上，佈置 40 億個 1 平方
毫米的電晶體，且其定位精度要保證在 0.3 mm 以下，可以想像難度有多大。然而，採
用薄膜技術就能勝任。

1.6. 微機械使重症患者起死回生

6 3 9 6
薄膜技術能實現材料的微米（1 m = 10 m = 10 mm）、奈米（1nm = 10 m = 10
3
mm=10 m）超微細加工，由此實現的微機械具有無限的應用前景。
目前已實用化的馬達，最小尺寸的已成功實用於手錶等機構中。圖 1-10 所示為直
徑 1 mm，長 2 mm，比鑷子端頭還要小的微型馬達，其中還刻有表盤等。

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 薄膜技術與薄膜材料

用鑷子夾住的手錶用微型馬達 超微型馬達的實例

血管

微機械有可能挽救重症患者的生命 可進入血管的微機器人

圖 1-10 薄膜技術與微機械

如果利用薄膜技術，可以製作更小型馬達，圖 1-10 是其一例。圖中所示是中心轉

軸直徑為 5÷100 mm （50 m），整體為 0.1 平方毫米的超微型馬達。隨著技術的進一步
發展，不久會製作出以微米為單位的馬達。
目前人們正在研究開發中的，是在這種超微型馬達中加上各種各樣的執行機構，感
測器，流量計，泵，x、y、z 三維方向的微動系統，計測器等，由多種零件構成極微小
型的微電子機械系統（microelectronics mechanical system, MEMS）。
隨著這種技術的進展，可以開創各種各樣的應用領域。
圖 1-10 、 表示微機械應用的一例。利用薄膜技術等製作出各種各樣的超小型手
術微機械，將其置於顯微封艙（capsule）中。將該顯微封艙送入人的血管及內臟中，靠
外部監控導入患部，完成手術並返回。在顯微封艙中，裝有與外部通訊聯絡，相當於人
的眼睛和耳朵的感測器等。當然還裝有十分完善的手術系統。這為完成動脈硬化，腦血
栓等手術開闢了光明的前景。將來，說不定這種微機械會挽救重症患者的生命。

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 第1章 薄膜與新科技技術

由於微機電應用廣泛，故對其研究開發正加緊進行中。

1.7. 加速度感應器

加速度（力）的檢測極為重要，其應用也非常廣泛。例如，汽車防撞系統的安全氣
囊，在發生事故前充氣膨脹，從而避免人員傷亡。安全氣囊即時充氣膨脹，就是靠檢測
汽車的加速度，並由此獲得觸發信號。機器人雙腳行走，也是靠檢測步行過程中因傾斜
而產生的力（加速度）來控制，由此還能調整步行姿勢。此外，在血壓測量中所測量的
也同樣是力。
為測量上述加速度，離不開由薄膜技術及超微細加工技術製作的感應器。其典型代
表是圖 1-11 所示的靜電電容式加速度感測器。這種加速度感應器的工作原理如圖 1-11
所示，當可動片受加速度（力）作用時，系統將從定常狀態（上圖）變化到與加速度對
應的狀態（下圖）。其結果是，可動電極與左邊固定電極間的靜電電容 Cs1 ，以及可動
電極與右邊固定電極間的靜電電容 Cs2 都會發生變化。藉由檢出上述靜電電容的變化
量，就可檢測與之對應的加速度（力）。由此獲得的信號既可觸發汽車防撞安全氣囊動
作，也可控制機器人的步行姿勢。
圖 1-11 表示加速度感應器可動部分的結構示意，處於中心部位的可動片（約 2
mm×2 mm, 0.7 g）在箭頭所指向上加速度作用下，處於稍微向下的狀態（與彈簧的彈
力相平衡）。利用這種感應器，既可檢測上下方向的加速度，也能檢測左右方向的加速度。
在這種加速度感應器中，可動片處於空間浮動狀態，藉由彈簧固定於基座上（圖
1-11 ）。可動片與基座之間的間隙大約為 2 m。該間隙的形成方法如下。先在間隙對
應位置沉積必要厚度的膜層，而後將不需要的部分（犧牲層）溶解掉，以形成所需要的
間隙。在圖 1-11 所示的可動片上留有許多小通孔，這也是為了將可動片下方的犧牲層
迅速溶解掉所設。顯然，這些技術都離不開薄膜技術及超微細加工技術。
加速度感測器的外觀如圖 1-11 所示，其大小 3 mm×3 mm，厚度 2 mm，輕薄短小
且價格適中。這種感應器在汽車、機器人、電梯等領域需求量很大，每年大概為數億支。

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 薄膜技術與薄膜材料

可動片 彈簧 彈簧
可動片（0.7 m） （在加速度狀態
下發生變形）
（四角位置）
可動電極
固定電極
加
速
加速度的方向 度

彈簧

電容器部位
Cs1 < Cs2 （電容量） （見圖 ） 共計 15 組

工作原理 加速度感測器的可動部分

可動片 基材
0.7 m
可動

寬 1.3 m

空間（約 2 m）
（犧牲層）
厚3 m
12.5 m

靜電電容器部分的尺寸 加速度感測器的外觀

圖 1-11 加速度感測器

1.8. 實現 MEMS 的薄膜與微細加工技術

薄膜與微細加工，特別是奈米技術為實現 MEMS（micro electro-mechanical system，

微電子機械系統）和 NEMS（nano electro-mechanical system，奈米電子機械系統）創造了
良好條件。MEMS 表示百萬分之一公尺尺寸量級的電子機械系統，NEMS 表示十億分之
一公尺尺寸量級的電子機械系統。圖 1-12 表示 MEMS 的幾個實例。

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 第1章 薄膜與新科技技術

靜電型二維掃描儀

反應容器
Si
0.5～1 mm
Si3N4

聚亞醯胺
（加熱器、感測器）

微型多反應器（溫度梯度型）

32 m 10 m

供墨口 噴嘴
10 m

構造
噴嘴 100 m

加熱器 供墨口 噴嘴
50 m

高精細噴墨印表機

圖 1-12 MEMS 的幾個實例

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 薄膜技術與薄膜材料

靜電型二維掃描儀（圖 1-12 ）。其大小為 1.3 mm×1.3 mm，中間為直徑 500 m

的小圓鏡。小圓鏡背面設有電極，當電極上加有正、負電壓時，小圓鏡發生相應
的左、右傾斜（靜電驅動）。小圓鏡的傾斜頻率極快，可達每秒 3000 次。藉由
該鏡可使雷射等反射，對目標物表面進行快速掃描，進行表面計量等。雷射加工
機中也採用這種靜電型二維掃描儀。
微型多反應器（圖 1-12 ）。在 45 mm×28 mm 的小型匹配箱中，設置 96 個大小
為 2 mm×2 mm，深 0.5 mm 的小型生化反應器。各個反應器可以在室溫到 100 ℃
範圍進行溫度調節，總體上可以設定數百種反應條件。其溫度監測也採用的是薄
膜溫度感測器。這種小型反應器可廣泛應用於生化反應研究。例如，為了解細胞
分裂等生化反應的動態過程，可在透射光照射下進行在線觀測。
高精細噴墨印表機（圖 1-12 ）。這種高精細噴墨印表機可對數位相機等拍攝的
照片等進行高解析度打樣。打樣的製品清晰光潔，完全沒有一般報紙照片那樣粗
糙模糊的感覺。這種印表機的關鍵是噴頭，如圖 1-12 所示，在每一毫米的長度
上，大約分佈有 30 個噴嘴。製作這種噴頭離不開薄膜及超微細加工技術。噴頭
的結構如圖 1-12 的左下方所示。墨水由供噴口進入，由噴墨口噴出，並在紙上
印刷。高質量印刷的關鍵是噴頭孔的大小。噴嘴直徑大約為 10 m（而人頭髮直
徑為 50 m）。墨水由這樣細的噴嘴噴出，印出的圖形自然清晰光潔。

1.9. 薄膜製作簡介

薄膜的製作方法多種多樣，而且各種新的成膜方法層出不窮。
那麼，薄膜是如何製作的呢？圖 1-13 是匯總薄膜各種製作方法的模式圖。沉積薄
膜的載體稱為基材，沉積的薄膜（如鋁等金屬膜）物質為薄膜材料。首先，將基材及含
有薄膜材料的源（氣化源）置於真空容器（鐘罩）中，抽真空，達到所需要的真空度
（圖 1-13 ）。在真空室中，由氣源發出的靶材，以原子或分子狀隨機運動狀態，以音
速到數千倍音速的高速度，向著基材飛行。對於這種成膜過程來說，真空環境是不可缺
少的。否則，成膜室內部或基材表面存在的空氣，會以雜質的形式混入薄膜中，或在飛
行過程中發生氧化或氮化，使成膜材料變質。

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 第1章 薄膜與新科技技術

薄膜
基材 鐘罩
基材 薄膜
真空容器 主閥 放氣閥
（鐘罩等）
預抽閥
靶材氣化靶
真空蒸鍍，離子鍍濺鍍
鍍膜，化學氣相沉積
密封環
輔助閥

2400 L/s 靶材氣化源

供電或供氣 油擴散泵 650 L/min
真空排氣系統 端子 油旋轉泵

真空薄膜製作裝置 真空系統
（基材及靶材氣化源周圍
的空間應處於真空狀態）

圖 1-13 薄膜製作裝置及真空系統

到達基材的靶材氣體，在基材上急速冷卻，經擴散、凝聚變為固體。若欲製作的薄
膜為金屬，其熔點、沸點各異（見表 1-1），但從靶材原子落到基材上算起，到變為固
體，所 用 的 時 間 極 短（小 於 數 秒）。例 如，採 用 真 空 蒸 鍍 法（參 照 圖 1-14 ）製 作 鋁
膜，設源材蒸氣溫度比其熔點略高，比如 1100 ℃，一般說來這種入射到基材上的蒸氣只
需要 1 s 就能冷卻到室溫至 300 ℃。但是，這種急冷的結果往往會在膜層中混入大量的
缺陷。對此，後面還要專門論述。
作為薄膜沉積的氣源有多種形式。圖 1-13 方框中列出了靶材的主要氣化源方式。
其中，真空蒸鍍法被氣化金屬粒子的直徑一般在 300 nm 以下，這些微細的顆粒沉積在
玻璃等表面之上，可獲得極為平滑的薄膜。由於平滑如鏡，當光照射時，會閃閃發光
（當沉積的顆粒較大時，膜層會變成乳白色或暗紅色）。雖然感覺不到膜層的厚度，但

表 1-1 用於薄膜製作的金屬的沸點熔點及通常的基材溫度

金屬 沸點／℃ 熔點／℃ 通常的基材溫度／℃

鋁（Al） 1800 660 常溫～300
金（Au） 2680 1063 常溫～300
鎢（W） 4000 3600 常溫～300
（水） （100） （0） （常溫）

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 薄膜技術與薄膜材料

其具有的性能卻能為我所用。儘管膜層極薄，但仍能保證金屬膜具有金屬特性，絕緣膜
具有絕緣特性。正是由於利用了這種極薄的薄膜，人們才得以製作高密度電子迴路系
統。隨著薄膜厚度進一步降低，例如達到奈米量級，薄膜會顯示出新的功能，與此相關
的各種應用正在開發進展之中。

1.10. 氣化源種種

為製作薄膜，氣化源必不可少。氣化源方式多種多樣，但常見的共有四種（圖 1-13 ）。
真空蒸鍍法。如同在密閉的房間中，加熱壺中的水使之沸騰，水蒸發附著在較冷
的窗玻璃上。如圖 1-14 所示，將被蒸發材料（源材）置於坩堝中，藉由加熱使
源材熔化蒸發，蒸發的源材則以分子或原子狀態飛出，沉積在溫度相對較低的基
材上，形成薄膜。
離子鍍（ion plating）法（圖 1-14 ）。在坩堝和基材之間，藉由不同方式（圖中
所示為直流二極方式）產生電漿，源材蒸氣藉由該電漿時被部分離化。在基材上
加有負電壓，這樣，在薄膜沉積的同時伴隨有加速離子的碰撞轟擊。離子鍍中源
材蒸氣射入基材時所帶的能量可以達到真空蒸鍍時的數萬倍，由此為改善膜層的
各種特性提供了可能性。
濺鍍鍍膜法（圖 1-14 ）。利用氣體放電電漿中產生的離子（通常為氬離子），
轟擊靶材的表面，產生濺鍍現象，使靶表面的原子或分子被碰撞飛出。飛出的原
子或分子沉積在與靶對向放置的基材上，形成薄膜。通常，由靶表面飛出的被濺
鍍原子或分子的速度是蒸鍍原子的 50 倍左右。平常我們看到的螢光燈管兩端變
黑的現象，即歸因於濺鍍。作為靶的平面尺寸可以做得很大，靶的壽命長，成膜
效率高，膜厚均勻，特別適合於連續性生產。
化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法（圖 1-14 ）。將含有欲成膜元
素的氣體，例如，若希望製作矽（Si）的薄膜，可採用矽烷（SiH4），輸運至被
加熱到幾百度高溫的基材表面，藉由熱分解、氧化、還原、置換等化學反應，析
出所需要的成分並沉積成薄膜。由於是高溫下的反應，雖然能形成質地良好的薄
膜，但不能採用耐熱性差的塑膠等基材材料。由於 CVD 利用的是基材表面發生

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 第1章 薄膜與新科技技術

基材
薄膜
電漿

加熱器
靶材
真空蒸鍍 離子鍍

基材
薄膜
電漿
反應氣體
靶
磁體
濺鍍鍍膜（雙點畫線） 化學氣相沉積（CVD）

圖 1-14 薄膜沉積的氣化源種種

的反應，反應氣體也能浸透到深孔等內部，因此，在表面形狀複雜的工件上也能
均勻成膜。
真空蒸鍍和離子鍍主要用於研究開發和小批量生產，而濺鍍鍍膜和化學氣相沉積法
更適用於大批量生產和技術研究。

1.11. 薄膜加工簡介

薄膜製成後，還需要對其進行各種各樣的加工，以便製作電晶體、電子元件以及佈
線等。這種加工不止進行一次，一次加工完成後，還要在其上製膜，進行第二次加工；
再在其上製膜，進行第三次加工等。按不同電子元件的要求，多次重複上述過程，直至完
成製品。目前，為對在 1 cm2 面積上製成的數十億個電晶體進行佈線，需要製作寬 0.1 m，
深度為其數十倍的「深孔」，並在孔中埋入連接用的金屬。這真有點像微型超高層建

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 薄膜技術與薄膜材料

築。一般稱此種加工為超微細加工（圖 1-9 ）。
薄膜一般說來是厚度均勻的膜層，如同地面上的積雪，地面的凹凸不平會在積雪表
面顯示出來。如果在凹凸不平的表面再形成凹凸，則一方面增加了技術的難度，另一方
面在二次凹凸的表面沉積薄膜，薄膜的表面形貌會變得更為複雜。如果多次重複上述薄
膜沉積、表面加工，再次薄膜沉積、再次表面加工的過程，則可以想像表面的形貌有多
麼複雜。要想在這種複雜的表面完成一次又一次的超精細加工，顯然是不可能的。為了
解決這一問題，每層薄膜表面的平坦化是至關重要的。為此，人們發明了各種方法，開
發出各種設備，並成功在技術中採用，以使超大規模積體電路的水準越來越高。
超微細加工涉及許多技術，但主要是照相微影照像技術和摻雜技術。所謂蝕刻是利
用腐蝕方法（超微細加工需採用乾式蝕刻）進行加工的技術，而摻雜是在單晶體中摻入
其他元素的雜質，以形成 p 型或 n 型半導體。圖 1-15 表示薄膜加工的概要。其中，圖
表示製作基材的材料，若用於摻雜加工，則為單晶體；圖 若採用微影照像技術，
需要在基材上形成薄膜；圖 被稱為微影光阻的感光劑滴落在高速旋轉的基材上；圖
形成光阻，這相當於照相用的相紙；圖 在光阻上放置電路圖形掩膜（相當於照相
底片），並進行曝光；圖 接著用專用藥液對曝光後的光阻進行沖洗，殘留的微影光
阻轉寫電路圖形；圖 而後進行蝕刻，將微影光阻轉寫的電路圖形再轉寫到薄膜上；
圖 微影光阻採用耐蝕刻及耐摻雜的材料，完成薄膜的蝕刻加工後，要設法將殘留的
微影光阻去除。

1.12. 原子的人工組裝

薄膜技術的未來目標之一是，在物體上所希望的位置，去除不需要的原子，或安裝
所希望的原子，藉由原子的人工組裝實現超高密度元件。
原子的人工組裝絕非容易。由於原子的尺寸只有大約 0.3 nm 那麼大，用鑷子操作單
個原子猶如汽車挖土機搬運一粒砂糖，因為鑷子端部就是大的原子集團，有億萬個原子。
為實現原子的人工組裝，研究中經常使用的裝置是掃描隧道顯微鏡 （scanning tunnelling
microscope, STM）。STM 的工作原理如圖 1-16 所示。採用金屬尖探針（tip），使其與
樣品接近到 1～2 nm 的程度。這一距離是探針與樣品原子的電子雲（圍繞原子核旋轉的

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 國家圖書館出版品預行編目資料
薄膜技術與薄膜材料／田民波編著
—初版 —臺北市：五南 民
面； 公分
（平裝）
薄膜 工程材料

5E46

薄膜技術與薄膜材料
編 著 者 － 田民波

校 訂 － 顏怡文
發 行 人 － 楊榮川
總 編 輯 － 龐君豪
主 編 － 穆文娟
責任編輯 － 蔡曉雯

文字編輯 － 施榮華
封面設計 － 鄭依依

出 版 者 － 五南圖書出版股份有限公司
地 址：106 台北市大安區和平東路二段 339 號 4 樓
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法律顧問 得力商務律師事務所 張澤平律師

出版日期 2007 年 8 月初版一刷

定 價 新臺幣 1200 元
版權聲明
本書中文繁體字由清華大學出版社授權，五南圖書出版股份
有限公司在台灣地區發行。
本書原版由清華大學出版社出版。尊重著作 翻印必究。

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