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Filme fino
No-cristalino, amorfo, vtreo
ou desordenado
Filmes, blocos, pastilhas, etc.
Preparao e Caracterizao de Materiais I - 2016.1
Consideraes termodinmicas
Possibilidade da reao ocorrer
Organizao, estabilidade
Consideraes cinticas
Velocidade da reao
Miscibilidade, mobilidade dos reagentes
Temperatura
Permite a difuso de ons pelas redes cristalinas
Crescimento
Reaes topotticas e epitticas
Exigem uma relao estrutural entre as duas fases
Nas reaes epitticas (ou epitaxiais) esta relao
restrita interface entre os cristais, enquanto nas
reaes topotticas a similaridade continua no interior
de ambas as fases.
Os parmetros cristalinos das interfaces tambm
devem ser compatveis.
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Tratamento trmico
2. Sntese de Cristais
Reaes em estado slido
Produtos policristalinos
2. Sntese de Cristais
Crescimento de monocristais
Mtodo de Czochralski
Monocristais a partir do fundido
Semente progressivamente retirada do fundido, que
solidifica na superfcie da semente em forma cilndrica
Materiais semicondutores: Si, Ge, GaAs, etc
Rotao do sistema
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2. Sntese de Cristais
Crescimento de monocristais
Fuso por zonas (zone melting)
Semelhante ao mtodo de Stockbarger, mas apenas uma regio
limitada da amostra submetida fuso.
Purificao de materiais.
Fluxos
Fuso dos materiais de partida leva completa
homogeneizao; recristalizao ocorre com o resfriamento do
fundido. Fases secundrias podem ser removidas.
Conhecimento do diagrama de fases do sistema necessrio.
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2. Sntese de Cristais
Czochralski
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Utilizao:
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Exemplo:
Efeito da temperatura em rede de coordenao
60C
250C
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Vantagens
Desvantagens
Fundido
Soluo
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AB (g)
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Evaporao e sputtering
tomos metlicos ou clusters na fase gasosa so depositados
sobre substratos apropriados.
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(converso trmica)
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5. Sinterizao
Tratamento trmico em material processado, para
densificao do material, eliminando-se os poros;
No ocorre fuso (0,5-0,8 Tm);
Formao de pescoos diminuio da energia livre
superficial;
As partculas maiores tendem a crescer e as menores
a desaparecer.
Formao de pescoos:
Ni (0,33 m) 1060oC/6h
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5. Sinterizao
Densificao: os centros das partculas se movem na direo
das partculas adjacentes migrao de material dos
contornos em direo aos poros: s pode ocorrer por difuso
na partcula
Coarsening: Difuso na superfcie e evaporao/
condensao fazem com que o fluxo se d na direo dos
pescoos
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Referncias (livros):
Referncias (artigos):
PM Forster et al., Chem Comm 2004, 368
EHL Falcao et al., Carbon 45 (2007), 1367
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