LABORATORIO N 2

ESTADO SLIDO
1.- OBJETIVOS:
- Conocer e identificar estructuras cristalinas (celdas unitarias) del estado slido.
- Construir en el laboratorio celdas unitarias para diferentes sistemas cristalinos.

2.- FUNDAMENTO TERICO:

2.1.- Definicin:
Los slidos se caracterizan por tener forma y volumen constantes. Esto se debe a que
las partculas que los forman estn unidas por unas fuerzas de atraccin grandes de
modo que ocupan posiciones casi fijas.
En el estado slido las partculas solamente pueden moverse vibrando u oscilando
alrededor de posiciones fijas, pero no pueden moverse trasladndose libremente a lo
largo del slido.
Las partculas en el estado slido propiamente dicho, se disponen de forma ordenada,
con una regularidad espacial geomtrica, que da lugar a diversas estructuras
cristalinas.

2.2.- Estructura Cristalina:

El estado cristalino de la materia es el de mayor orden, es decir, donde las
correlaciones internas son mayores. Esto se refleja en sus propiedades antrpicas y
discontinuas. Suelen aparecer como entidades puras, homogneas y con formas
geomtricas definidas (hbito) cuando estn bien formados. No obstante, su
morfologa externa no es suficiente para evaluar la denominada cristalinidad de un
material.
A) Retculo cristalino y celda unitaria.
Supngase por simplicidad, que una sustancia slida es simple y atmica. Este es el
caso por ejemplo de los metales y de los gases nobles congelados.
Se puede entonces representar la posicin de cada partcula en el espacio por un
punto, al que se le llama punto reticular, prescindiendo as del tamao o volumen de
cada tomo. El conjunto de puntos que se obtiene cuando se hace esto es un arreglo
tridimensional de dichos puntos ordenados de alguna manera en el espacio. A esto se
le llama retculo cristalino.

Retculo cristalino: Es un arreglo tridimensional de los puntos reticulares ordenados en el

espacio
Los puntos reticulares guardan un estricto orden entre si y en cualquier direccin dentro del
retculo. Se repiten a distancias fijas y nicas en cada direccin. Se dice que se distribuyen
peridicamente en el espacio.
La menor unidad del retculo a partir de la cual se puede construir dicho retculo por repeticin
mediante la traslacin en las direcciones apropiadas se denomina celda unitaria o celda
unidad.
En la siguiente figura se muestra el esquema de un retculo cbico simple, as como la celda
unitaria correspondiente.

La celda unitaria se define por la longitud de sus lados y por los ngulos que forman
dichos lados. La longitud de los lados son las distancias de repeticin de la estructura y
se denominan distancias cristalogrficas. Los ngulos entre los lados se llaman ngulos
cristalogrficos.
Puede demostrarse que existen solamente siete clases de celdas unitarias,
correspondientes a los siete sistemas cristalinos conocidos. Teniendo en cuenta
algunas variantes de las siete celdas fundamentales se pueden tener otras hasta un
total de 14, que son conocidas como celdas y redes de Bravais.
Algunas de ellas se muestran en las siguientes figuras:

Cbica simple cbica centrada en el cuerpo

cbica centrada en las caras

3.- MATERIALES Y REACTIVOS:

- Esferas de colores de distintos tamaos.
-Conectores de plstico o alambre.
- Pistola de silicona.
- Sujetadores

5.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:

- Se construyo la celda unitaria del Li3Bi siguiendo el patrn terico.

6.- ILUSTRACIONES:

FIG.1 CONSTRUCCIN DE CELDA UNITARIA

7.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
- La celda unitaria del Li3Bi no presenta poliformismo, tiene huecos Octadrico (N) +
Tetradrico (2N).
- Presenta Empacamiento cbico y numero de coordinacin de del Bi 14 y Li 4,6. La
estructura cristalina tambin puede estar formada por BiLi14 cubos hexagonal - tapado
la cara de intercambio, tanto de canto compartir LiBi 4 tetraedros y el en el borde de
intercambio con el LiBi6 presente en los octaedros.
- Cada celda unitaria contiene 12 tomos de Litio y 4 de bismuto.

8.- CUESTIONARIO:
8.1.- Describir las similitudes y diferencias entre las disposiciones de
empaquetamiento de esferas cbico centrado en caras (CCC) y el
empaquetamiento hexagonal compacto (HC). , definiendo:
Empaquetamiento compacto de esferas es la disposicin de un nmero infinito de
celdas de esferas de forma que la mismas ocupen la mayor fraccin posible de un
espacio infinito tridimensional.

a) Nmero de coordinacin:
Tienen nmero de coordinacin 12 para ambos casos.

b) Huecos intersticiales:
En los dos casos hay un hueco rodeado por seis esferas (octadricas) y dos pequeos
huecos rodeados por cuatro esferas (tetradrico).

c) Celdas unidad:
Ambos se basan en la disposicin de las esferas en los vrtices de un tringulo
telesctado; En referencia a la disposicin de una capa A, existen dos posible
disposiciones B y C, Cada secuencia posible de A, B y C sin repeticiones da la misma
densidad de empaquetamiento para las esferas de un radio dado.
Las ms regulares son
HC = ABABABA
CCC = ABCABCA

8.2.- Establecer el nmero de coordinacin de una esfera en cada una de

las siguientes disposiciones:

Estructura

Nmero de
coordinacin

cbico
compacto
(CCP)

Hexagonal
Compacta
(HCP)

Cbica
centrada en
el cuerpo
(BBC)

12

Cbica Cbica
centrada simple
en las
caras
(FCC)
(CS)
6

8.3.- Qu se entiende por teora de banda de los metales?

La Teora de bandas considera que los orbitales atmicos de valencia de los N tomos
del litio que estarn formando enlace metlico, se combinan entre s para dar unos
orbitales moleculares, pertenecientes a todo el cristal y con energas muy semejantes
entre s. Tan cercanos se hallan energticamente estos orbitales moleculares
formados, que decimos que dan lugar a una banda. Se obtienen tantos orbitales
moleculares como orbitales atmicos se combinen.

FIG.2 Formacin de una banda electrnica en el modelo de bandas para el enlace

metlico

8.4.- Distinguir entre un semiconductor intrnseco, extrnseco y dar

ejemplos de cada uno.
a) Semiconductor intrnseco:
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o
sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su
estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres
que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor

intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo
del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y
all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de
un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Ejemplo: cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados
en el plano por simplicidad.

b) Semiconductor extrnseco:
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas
debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10
millones, logrando con ello una modificacin del material.
Ejemplo: seleniuro de zinc (ZnSe) en silicio.

8.5.- En la plata metlica, los tomos se empaquetan en forma cbica

centrada en las caras. La arista de la unidad cristalina mide 4,078.
Calcular la densidad de la plata metlica.
Datos:
a: 4,078
PMAg: 107,853 g/mol
N de tomos: 4

=
=

= ,