Transistor de unin bipolar

El transistor de unin es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en

dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y
se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,

comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona

como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el
bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor comn est representada porF o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante
es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):

Transistores PNP Y NPN

NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
[editar]PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo

CORRIENTES DE PORTADORES
MINORITARIOS
En electrnica y especficamente en teora de semiconductores, se denominan portadores
minoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que
se encuentran en menor proporcin en un material semiconductor dopado como tipo N o
tipo P.
En un semiconductor tipo N, el cual consiste en un material semiconductor puro al cual se
le han agregado tomos de otro elemento qumico que posea al menos un electrn
adicional al que posee naturalmente dicho semiconductor
(usualmente Fsforo, Arsnico o Antimonio); hay en total mas electrones libres debido a
los tomos de las impurezas agregadas, que huecos, por lo cual en este tipo de material
semiconductor, los electrones son los portadores mayoritarios, mientras que los huecos
(carencia de un electrn), son los portadores minoritarios.
Para el caso de un semiconductor tipo P, que consisten en un material semiconductor
puro al cual se le han agregado tomos de otro elemento qumico que pertenece al grupo
III de la tabla peridica de los elementos (usualmente Aluminio, Galio, e Indio) los
portadores mayoritarios son los huecos (o carencia de electrones), mientras que los
portadores minoritarios son los electrones.

Curvas caractersticas de los transistores

De la explicacin de cmo funciona un transistor bipolar, podemos esperar que la principal
caracterstica de un transistor bipolar como su valor de ganancia actual. En la prctica, este
valor no es una "constante universal", sino que depende de varios factores: por ejemplo, la
temperatura del transistor, el tamao y la forma de su regin base, la forma en que varias
partes fueron dopados para convertirlos en semiconductores, etc

La ilustracin de arriba muestra cmo, para un "tpico" de transistor, la ganancia de

corriente vara con el nivel de corriente de colector, I C . a partir de este grfico podemos
ver que la proporcin de electrones "atrapados" por un agujero mientras trataban de cruzar
la regin de base vara un poco dependiendo del nivel actual. Tenga en cuenta que el
grfico no muestra el valor beta del transistor, que muestra a una figura relacionada llamada
la ganancia del transistor de pequea seal de corriente, h fe . Esto es similar al valor de
beta, pero se define en trminos de pequeos cambios en los niveles actuales. Este
parmetro es ms til que el valor de beta cuando se considera el uso del transistor en los
amplificadores de seal en el que estamos interesados en cmo el dispositivo responde a los
cambios en los voltajes aplicados y las corrientes. La segunda forma en que se puede
caracterizar el comportamiento de un transistor bipolar es sobre la tensin baseemisor, V BE , que se aplica a la corriente de base, que B , que produce. Como se puede
esperar de la naturaleza de diodos como de la unin base-emisor esta curva caracterstica
tensin / corriente tiene una forma exponencial, como similar a la de un diodo de unin PN
normales. Al igual que con la curva anterior, el grfico se muestra aqu slo se debe

considerado como un "tpico"

ejemplo de como el resultado
exacto puede variar un poco de
dispositivo a dispositivo y con la
temperatura, etc En la mayora de
situaciones prcticas que
podemos esperar que la corriente
de colector que se establece casi
en su totalidad por el elegido
tensin base-emisor. Sin
embargo, esto slo es cierto
cuando la tensin de la basecolector que estamos aplicando
es "lo suficientemente grande
como para llamar rpidamente a
la Collector cualquier electrones
libres que entran en la regin de
base desde el emisor.

El grfico de arriba de la curva caracterstica le da una imagen ms completa de lo que

podemos esperar de un transistor bipolar de trabajo. Cada curva muestra cmo la actual
coleccionista, I C , vara con la tensin colector-emisor, V CE , por un valor especfico fijo de
la base actual, que B . Este tipo de "familia" curva caracterstica es una de las ms tiles
cuando se trata de la construccin de amplificadores, etc, usando transistores bipolares, ya
que contiene bastante informacin. Cuando la aplicacin V CE nivel es "suficientemente
grande" (por lo general por encima de dos o tres voltios, que se muestra como la regin en
azul) el colector es capaz de eliminar los electrones libres de la base casi tan rpidamente
como emisor les inyecta. Por lo tanto, tenemos una corriente que se establece por la tensin
base-emisor y ver a un valor de ganancia actual que no altera en gran medida si se cambia o
bien la base actual o el potencial de colector aplicado. Sin embargo, cuando se reduce el
potencial de colector, para que V CE es menor que un par de voltios, nos encontramos con
que ya no es capaz de eliminar de manera eficiente los electrones de la Base. Esto produce
una especie de efecto "barrera" parcial en la que los electrones libres tienden a colgar sobre
la base de la regin. (Regin de color crema) Estos hace que la regin de base parecen "ms
negativo" de los electrones en el emisor y tiende a reducir el flujo total de corriente a travs
del dispositivo. A medida que baja el potencial de colector para convertirse en casi la
misma que la de la base y el emisor con el tiempo deja de dibujar los electrones fuera del
dispositivo y la corriente de colector cae a cero. El voltaje exacto en el que el colector deja
de ser un eficaz colector de electrones depende de la temperatura y los detalles de
fabricacin de la transisor. En general podemos esperar que la mayora de los transistores

bipolares de trabajar de forma eficaz a condicin de que disponemos para un V CEvalor de al

menos dos o tres voltios - y preferentemente de cinco voltios o ms. Tal dispositivo puede
ser utilizado como un amplificador de efectivo. Voltajes ms bajos pueden impedir que
funcione correctamente. Tenga en cuenta que los grficos mostrados en esta pgina
son slo pretende ser una gua general. Algunos transistores pueden trabajar con corrientes
mucho mayores, o mucho ms alto las ganancias actuales, etc Sin embargo, el patrn
general de comportamiento de todos los bipolares es esencialmente el mismo que el
descrito en estas pginas.