PRCTICA TRANSISTOR BJT

OBJETIVOS
Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento depende del tipo
de configuracin de polarizacin en que se conecte.
OBJETIVOS PARTICULARES
Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)
Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.
Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lgicos.
INTRODUCCIN
El transistor est compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:

Figura1
Zonas que conforman al transistor

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El

Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector
posee una impurificacin intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser un PNP.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor y la base y
la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el
colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando est sin
polarizar se produce una "Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la zona P, se
difunden, encuentran un hueco y se recombinan.
Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos. Esta
difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial
de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin CB.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos
e inesperados. Hay 3 configuraciones:
Base comn (BC).
Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

Transistor de Unin Bipolar (BJT)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno de las
terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin, regulacin de
potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est formado por la unin de dos
semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya
que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 2 muestra la
construccin de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo
p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se identifican como
Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.

Figura 2

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Fuente de alimentacin de CD. Variable.
Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Fuente regulada de 0 a 30 V, y Multmetro digital.
Resistencias de 220, 390, 470 , 1K, 2.2 K, 220 K, 110 K, 5.1 K a 1/2 W.
2 capacitores electrolticos de 10 F
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2500 a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Protoboard

EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.

a) Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los solicitados en la
prctica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la figura.

EXPERIMENTO 2

Comprobar el efecto transistor.

Armar el circuito de la figura 1 y comprobar el "efecto transistor", en el cual se hace
evidente la inyeccin de portadores de la regin de emisor hasta la regin de colector,
debiendo estar la unin emisor-base polarizada directa, independientemente de la
polarizacin que se presente en la unin colector-base. Comprobar que el valor de la
corriente medida en el colector, prcticamente es igual a la que se tiene en el emisor.

Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la unin

colector-base de un transistor bipolar.
Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con tecnologa
planar, en ellos las regiones de emisor, base y colector presentan diferentes concentraciones
de impurezas y tamaos, debido a las caractersticas de construccin que se tienen en las
uniones emisor-base y colector-base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unin
emisor-base es menor que el que se presenta en la unin colector-base, llegndose en la
prctica a generalizar diciendo; que la unin emisor-base de un transistor bipolar de silicio
se comporta como un diodo Zener (diodo que presenta voltaje de ruptura pequeo).
Arme el circuito de la figura 2 y obtenga la curva del diodo emisor-base, posteriormente
desconecte el emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo colector base, use
seal sinodal con voltaje pico entre 10 y 12V y frecuencia entre 60 y 1KHz.

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su
valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 , a cada incremento mida las
corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del potencimetro.

c) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los parmetros de

polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote sus resultados.
d) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.

PROCEDIMIENTO
1) Analizar el siguiente circuito de polarizacin fija para calcular: IBq, Icq, VCEq, VBC,
verificar (demostrar) si el circuito amplifica, y calcular la ganancia del amplificador con los
niveles de voltaje (C.A.) obtenidos a la entrada y salida del circuito.

2) Medir experimentalmente IBq, Icq, VCEq, VBC y comparar los resultados con los datos
calculados. La medicin de estas variables son nicamente con el Vcc aplicado y sin seal
de entrada.
3) Disee un amplificador con polarizacin fija, con Vcc=12V, VCEQ=6V, ICQ=50mA,
utilice el transistor 2N2222A. Una vez diseado aplicar una seal sinodal de 3KHz y
300mV pico. Calcular la ganancia y tomar una fotografa a la seal de entrada y salida.
4) Diseo de un amplificador con polarizacin estabilizada de emisor. Calcule los valores
requeridos de Vcc, Rc, Rb y Re del siguiente circuito. Para tener un VCEQ=8V,
ICQ=100mA. Utilice el transistor 2N2222A. Una vez diseado aplicar una seal sinodal de
3KHz y 300mV pico. Calcular la ganancia y tomar una fotografa a la seal de entrada y
salida.

POLARIZACIN CON DIVISOR DE VOLTAJE

Objetivo: Analizar y disear un amplificador POLARIZADO CON DIVISOR DE
VOLTAJE utilizando un BJT y comprobar experimentalmente los resultados obtenidos.
Lista de material y equipo
1 Fuente de voltaje de CD
1 Generador de funciones
1 transistor 2N2222A
1 Ampermetro
1 Voltmetro
Resistencias de 2.2 K, 220 K, 110 K, 5.1 K y 470
2 capacitores electrolticos de 10 F
PROCEDIMIENTO
1) Analizar el siguiente amplificador polarizado con divisor de voltaje para calcular: IB, Ic,
VCE, VBC, verificar matemticamente y experimentalmente si el circuito amplifica.

2) Medir experimentalmente IB, Ic, VCE, VBC y comparar los resultados con los datos
calculados. La medicin de estas variables son nicamente con el Vcc aplicado y sin seal
de entrada.
3) Aplicar la seal de c.a. a la entrada y medir con un osciloscopio esta seal y la seal de
salida. Calcular la ganancia del amplificador con estos datos experimentales.

4) Disee un amplificador con divisor de voltaje, con las siguientes caractersticas

elctricas especificadas en el siguiente circuito. Para el diseo considere la de su
transistor.

5) Medir experimentalmente IB, Ic, VCE, VBC y comparar los resultados con los datos
calculados. La medicin de estas variables son nicamente con el Vcc aplicado y sin seal
de entrada.
3) Aplicar la seal de c.a. a la entrada (300mVp @ 1KHz) y medir con un osciloscopio esta
seal y la seal de salida. Calcular la ganancia del amplificador con estos datos
experimentales.
4) Investigar como se pueden obtener la familia de curvas IC(VCE) del BJT. Mostrar
procedimientos, circuitos elctricos detallados y explicar funcionamiento.