Diodo Ideal.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente

entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario. Se representa por el smbolo y posee las caractersticas que se muestran a
continuacin:

Diodo Ideal: (a) smbolo; (b) caractersticas.

Estados de Conduccin de un Diodo Ideal:

De forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha
que se muestra en el smbolo y actuar como un circuito abierto ante cualquier intento por
establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia: Las caractersticas de un diodo
ideal son las mismas que las de un interruptor que slo permite la conduccin de corriente
en una sola direccin.
En general, es relativamente fcil determinar si el diodo se encuentra en la regin de
conduccin o en la de no conduccin mediante la simple observacin de la direccin de la
corriente que establece el voltaje aplicado. Para el caso del flujo convencional (opuesto al
del flujo de electrones), si la corriente resultante del diodo tiene la misma direccin que la
punta de flecha del smbolo del diodo, ste se encontrar operando en la regin de

conduccin (figura a). Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta (figura b), ser
apropiado considerarlo el equivalente de un circuito abierto.

Material Semiconductor:
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. Un semiconductor, por lo tanto,
es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un
dielctrico y de un conductor.

Aislante o Dielctrico:
Un aislante o dielctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de
conductividad cuando se encuentra bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada.
Material Conductor:
El trmino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo generoso de
carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus
terminales.
Cmo se dopan los diodos de Silicio y Germanio?
Las caractersticas de un material semiconductor se pueden modificar de manera
significativa con la adicin de tomos de impureza especficos al material semiconductor
relativamente puro. Estas impurezas pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente
para cambiar del todo las propiedades elctricas del material.

Qu es dopado?

El dopado o impurificacin, es la capacidad de cambiar las caractersticas de un

material, algo que el germanio, el silicio y el arseniuro de galio aceptan con facilidad y
rapidez. Es decir, el dopaje es el proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. Un semiconductor
altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.

Qu es potencial de ionizacin?
El potencial de ionizacin es el potencial requerido para remover cualquiera de estos
electrones de la estructura atmica es significativamente ms bajo que el requerido para
cualquier otro electrn en la estructura. En sntesis, es la cantidad mnima de energa que se
necesita para separar al electrn menos fuertemente unido de un tomo gaseoso aislado
para formar un in con carga 1+.

Qu caractersticas electrnicas tienen el Germanio y Silicio?

El germanio es un ejemplo de semiconductor. En el centro se halla un ncleo con 32
protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera
rbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita
exterior o de valencia. El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio.
Un tomo aislado de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. La primera rbita contiene 2
electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la rbita
exterior.

Qu es un enlace covalente y cuantos electrones de valencia tiene el Silicio y el

Germanio?
Se denomina enlace covalente al enlace de tomos, reforzado por compartir
electrones entre dos tomos o grupos de tomos para alcanzar el octeto estable,
comparten electrones del ltimo nivel.

El silicio y el germanio son denominados

tetravalentes porque ambos poseen cuatro electrones en su capa ms externa.

Qu son materiales intrnsecos y cules son?

Los materiales intrnsecos son cualquier semiconductor que haya sido

cuidadosamente refinada para reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo; es
decir, lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando la tecnologa. Los materiales
intrnsecos ms utilizados son: el germanio (Ge), el silicio (Si), el arseniuro de galio
(GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), entre otros.
Por qu se dice que el Si y el Ge tienen coeficiente de temperatura negativo?
El Si y el Ge son materiales semiconductores, los cuales presentan un incremento de
la conductividad con la aplicacin de calor. Conforme se eleva la temperatura, un mayor
nmero de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el enlace
covalente y as contribuir al nmero de portadores libres. Los materiales semiconductores
tienen un coeficiente de temperatura negativo.
Qu son materiales extrnsecos y cules son?
Los materiales extrnsecos son semiconductores que han sido sometidos al proceso
de dopado; es decir, se le ha aadido impurezas a un materia extremadamente puro para que
cambie sus propiedades. Estos se dividen en materiales tipo n y en materiales tipo p.
Qu son impurezas?
Las impurezas son materiales o sustancias externas que no pertenecen al material
inicial; es decir, contaminndolo e impidiendo alcanzar altos niveles de pureza.
Cmo se aaden impurezas al Si y al Ge?
Las impurezas a estos materiales solo se le pueden aadir en 1 parte en 10millones
con el proceso de dopado. Esto altera la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar
del todo las propiedades elctricas del material.

Cules son los elementos qumicos que se utilizan para formar materiales de
tipo P y tipo N? y Cules son sus valencias?

Para formar materiales del tipo N, se utilizan los elementos: silicio y germanio,
ambos de valencia (-4) o tambin denominados tetravalentes, a estos se le aaden
impurezas de tomos de los elementos del grupo nro. 15 de la tabla peridica, los cuales
son: antimonio, arsnico y fosforo, todos de valencia (-5) tambin llamados pentavalentes.
Esto debido a que el resultado que se desea obtener con ese proceso es aumentar los
portadores de cargas libres(en este caso negativos), esto se logra ya que los tomos de
silicio y germanio admiten 4 enlaces covalentes y al ser aadidas impurezas de tomos de
pentavalentes, obtenemos 4 enlaces covalentes, pero nos resulta que tenemos un electrn
extra, este electrn se mueve libremente dentro del nuevo material tipo N, y l es el que se
encuentra denominado como portador de carga libre o para este caso tambin: electrn
libre.
Para formar materiales del tipo Pse utilizan el silicio y el germanio,ambos de
valencia (-4) (tetravalentes), y en su mayora junto a los elementos pertenecientes al grupo
13 de la tabla peridica, los cuales son: boro, galio e indio de valencia(-3) (tambin
denominados trivalentes).El objetivo de su obtencin tambin es elevar el nmero de
portadores de carga libre, pero esta vez con cargas positivas(protones).Para obtenerlos se
realiza un proceso sobre un cristal de silicio o de germanio al cual se le aaden las
impurezas de cualquier elemento del grupo 13.
Qu son tomos donores o donadores?
Se les denomina tomos donores a las impurezas infundidas pentavalentes.
Qu son huecos y como se forman en un semiconductor?
Se forma durante el proceso de dopado del semiconductor donde los electrones de
ambos elementos empiezan a enlazarse, pero al haber un tomo de 4 electrones y uno de 3
solo se forman 3 enlaces covalentes, al vacante restante se le conoce como hueco el cual
aceptara con facilidad cualquier electrn libre.Cabe a destacar que este es el proceso de
produccin de los materiales de tipo P.
A qu se denomina portador mayoritario y portador minoritario?

Se le da el nombre de portador mayoritario a las partculas que transportan corriente

cuyas cantidades son excesivas dentro de un semiconductor dopado, y portador minoritario
a partculas que tambin transportan corriente pero que se encuentran en menor proporcin
dentro del semiconductor dopado. Por ejemplo: en un material de tipo P el protn es el
portador mayoritario y el electrn es el portador minoritario.
A qu se denomina regiones de agotamiento?
Se le denomina regin de agotamiento al espacio o zona donde se une un material
de tipo P con uno de tipo N, al estos unirse los electrones y los huecos que se encuentran en
la propia regin donde ambos materiales hacen contacto se difunden o se combinan
provocando as una carencia de portadores de carga libres.
Tabla de comparacin entre el silicio y el germanio.

Silicio (Si)
La corriente de saturacin en inversa es por lo general de

Germanio (Ge)
La corriente de saturacin en inversa es 1 mA para Ge.

aproximadamente de 10 pA para SI.

Tiene voltajes de ruptura que por lo general oscilan entre

El germanio suele tener voltajes de ruptura de menos de

50 V y 1 kV.

100 V, con mximos alrededor de 400 V.

Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito

Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos

general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos

elctricos de baja potencia. Las polarizaciones de voltaje

elctricos que requieran de un diodo.

ms bajas resultan en prdidas de potencia ms pequeas,

lo que permite que el circuito sea ms eficiente
elctricamente.

Si: Sin duda el semiconductor ms frecuentemente

El germanio se encuentra en produccin limitada debido a

utilizado en todo tipo de dispositivos electrnicos.

su sensibilidad a la temperatura y alta corriente de

saturacin en inversa.

Tiene la ventaja de su disponibilidad a bajo costo, tiene

Sigue estando comercialmente disponible aunque est

buenas caractersticas ante la temperatura y excelentes

limitado a algunas aplicaciones de alta velocidad (debido

niveles de voltaje de ruptura. Tambin se ha beneficiado

a su factor de movilidad relativamente alto) y a

de las dcadas de enorme atencin al diseo de circuitos

aplicaciones que utilizan su sensibilidad a la luz y al calor,

integrados a gran escala y a la tecnologa de

tales como fotodetectores y sistemas de seguridad.

procesamiento.

Efectos de la temperatura en los diodos.

La temperatura puede tener un marcado efecto en las caractersticas de un diodo
semiconductor, ya que conforme aumente la temperatura, disminuye la tensin de
encendido V. Por otra parte un descenso en la temperatura provoca un incremento en V.
En la regin de polarizacin en directa las caractersticas de un diodo de silicio se
desplazan a la izquierda a razn de 2.5 mV por grado centgrado de incremento de
temperatura. Un incremento desde la temperatura ambiente (20C) hasta 100 C (el punto
de ebullicin del agua) produce una cada de 80(2.5 mV ) - 200 mV o 0.2 V, lo cual es
significativo en una grfica graduada en dcimas de volts. Una reduccin de la temperatura
tiene el efecto inverso.
En la regin de polarizacin en inversa la corriente de saturacin en inversa de un
diodo de silicio se duplica por cada 10C de aumento de la temperatura. Con un cambio de
20C a 100C, el nivel de intensidad de saturacin se incrementa desde 10 nA hasta un
valor de 2.56 mA, el cual es un incremento significativo de 256 veces. Continuando hasta
200C se tendra una corriente de saturacin en inversa monstruosa de 2.62 mA.
En aplicaciones a alta temperatura se tendran que buscar por consiguiente diodos
con intensidad de saturacin

a temperatura ambiente de cerca de 10 pA, un nivel

comnmente disponible en la actualidad, el cual limitara la corriente a 2.62mA.

Las Tres Posibilidades:

En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en
la regin de la unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin
prxima a la unin. Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama regin de
empobrecimiento, debido a la disminucin de portadores libres en la regin. Si se
conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo de
dos terminales, se dispone entonces de tres opciones: sin polarizacin, polarizacin en
directa y polarizacin en inversa. El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de un
voltaje externo a travs de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta.

Sin polarizacin: en condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos)

del material tipo n localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier razn
pasarn de inmediato al material p. Cuanto ms cerca de la unin est el portador
minoritario, mayor ser la atraccin de la capa de iones negativos y menor la oposicin
ofrecida por los iones positivos en la regin de empobrecimiento del material tipo n. En
sntesis los portadores minoritarios del material tipo n localizados en la regin de
empobrecimiento pasarn directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atraccin de la capa de iones
positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos en el material tipo p para
que emigren al rea ms all de la regin de empobrecimiento del material tipo p. Sin
embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que
invariablemente habr un menor nmero de portadores mayoritarios con suficiente
energa cintica para que atraviesen la regin de empobrecimiento hacia el material p.
De nueva cuenta, se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los portadores
mayoritarios (huecos) del material tipo p. Las lneas transversales indican esta
cancelacin de los vectores de cada tipo de flujo de portadores. La longitud del vector
que representa el flujo de huecos se traza ms larga que la del flujo de electrones para
demostrar que las dos magnitudes no tienen que ser iguales para la cancelacin, y que
los niveles de dopado de cada material pueden producir un flujo desigual de huecos y
electrones. En suma: Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un diodo
semiconductor, el flujo neto de carga en una direccin es cero.

Polarizacin directa: Con la polarizacin directa, la unin p-n impulsa los huecos
desde el material tipo p a la unin y los electrones desde el material tipo n a la unin.
En la unin, los electrones y huecos se combinan de modo que se mantiene una
corriente continua.

Polarizacin inversa de un diodo, desde el punto de vista de los electrones y los

huecos: La aplicacin de un voltaje inverso a la unin p-n produce un flujo de corriente
transitoria y ambos electrones y huecos se separan de la unin. Cuando el potencial
formado por la capa de deplecin ensanchada, se iguala al voltaje aplicado, cesa la
corriente excepto una pequea cantidad de corriente trmica.
Cules son los voltajes de polarizacin del silicio y el germanio y cules son los

efectos de temperatura que se producen en estos?

Voltajes de polarizacin del silicio: Los diodos de silicio tienen un voltaje de

polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo
y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a
travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la
unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar
como una va elctrica.

Voltajes de polarizacin del germanio: tienen una tensin de polarizacin directa de

0,3 voltios. Como la corriente del diodo se relaciona con la temperatura, la curva
caracterstica del diodo se modifica por un aumento o disminucin de sta. El factor TK
afecta la corriente del diodoA temperatura ambiente (25 0C), el diodo de silicio est en
el rango de 1/100 a 1/1000 de los de germanio. Existe una mejor estabilidad en IS
contra cambios en la temperatura en un diodo de silicio que en uno de germanio. Por
ejemplo, si la temperatura sube hasta 1000 C, el diodo de germanio experimentar un
cambio mayor en Is respecto al de silicio, por lo tanto, el diodo de silicio es ms estable
contra cambios en la temperatura que el diodo de germanio.