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Representacin en Grafica
Smbolo
Representacin en Circuito
El peso.
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo
que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is,
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rpidamente con la temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen
polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.
Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las
de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga
conectada del emisor a la tierra.
Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de
manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de
un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21.
Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn: son la
mismas que para la configuracin de emisor comn.
CONCLUSIN
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin
hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver
algn problema.
Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo
de diodo; ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.
Diodo Schockley
Un diodo Shockley es un dispositivode dos terminales que tiene dosestados estables: uno de bloqueo ode alta impedancia y de
conduccin obaja impedancia.
Este dispositivo fue desarrollado por elfsico estadounidense William BradfordShockley (1910-1989), tras
abandonar losLaboratorios Bell y fundar ShockleySemiconductor. Fueron fabricados porClevite-Shockley.
Shockley fue eldescubridor del transistor por el que obtuvoel Premio Nobel de Fsica en 1956.
El diodo de cuatro capas o diodoShockley es un dispositivo compuestopor cuatro capas semiconductoras npnp.
Esencialmente es un dispositivointerruptor.
Aplicacin del diodo Shockley
DETECTOR DE SOBRETENSION