Absorci

on
optica en semiconductores
por Francisco Domnguez-Adame
En un proceso de absorcion de un foton se puede excitar un electron desde la banda de
valencia a la banda de conduccion de un semiconductor, creando un par electron-hueco.
El tratamiento del campo electromagnetico que vamos a presentar es clasico, mientras
que los estados de electrones y huecos se determinan cuanticamente.
Consideremos una onda electromagnetica que incide sobre el material semiconductor,
cuyo campo electrico se puede escribir como
E(r, t) = E0 cos(t q r)

q = nr /c

E=

1 A
c t

donde nr es el ndice de refraccion y el potencial vector es

A(r, t) =

o
E0 c n i(tqr)
e
ei(tqr)
2i

Para determinar los estados accesibles para los electrones debemos reemplazar p p +
(e/c)A en el Hamiltoniano de una partcula H0 . Despreciando el termino A2 resulta
entonces
e
(p A + A p)
H = H0 +
2m0 c
La regla de oro de Fermi nos permite determinar la probabilidad de transicion entre
estados por unidad de tiempo debidas a la presencia del campo externo
2
Peif =
|hf |V |ii|2 (Ef Ei h
)
h

Aqu i denota el estado inicial, f el estado final y

V

ieF
ieF
p
peiqr + eiqr p
4m0
2m0

Este u
ltimo paso se conoce como aproximaci
on dipolar, y es valida siempre que la longitud
de onda del campo sea mayor que la distancia interatomica.
A continuacion debemos considerar la estadstica de portadores puesto que para que
exista una transicion el estado inicial debe estar ocupado, mientras que el estado final
debe estar desocupado. Para ello introducimos las cantidades
Pif = Peif f (Ei )[1 f (Ef )]

donde la distribucion de Fermi-Dirac es

f (E) =

1
1 + exp[(E )]
1

Durante el proceso de interaccion de la onda electromagnetica con el semiconductor no

solo se pueden excitar los electrones, sino que estos tamben pueden desexcitarse mediante
la emision de fotones. Dichos fotones deben ser incluidos en el balance final. En el proceso
de emision las expresiones analogas a las ya comentadas son
2
Pef i =
|hi|V |f i|2 (Ef Ei h
) Pf i = Pef i f (Ef )[1 f (Ei )]
h

Una vez conocidas dichas magnitudes, podemos evaluar la absorcion de energa por
unidad de tiempo como P () = h
(Pif Pf i ), esto es,
P () =

X
2 e2 F 2
h

|hf | p|ii|2 [f (Ei ) f (Ef )](Ef Ei h

)
h
4m20 2
i,f

La teora electromagnetica clasica nos permite relacionar la absorcion de energa con el

coeficiente de absorcion
1
P () = VF 2
2
donde
X
| pif |2 [f (Ei ) f (Ef )](Ef Ei h
)
() =
i,f
y hemos definido

e2
m20 V

pif hi|p|f i

Esta expresion es general, dentro de las hipotesis que hemos formulado. A continuacion
la vamos a aplicar al caso de un semiconductor que se encuentra a T = 0, por lo que la
banda de valencia esta llena y la banda conduccion se encuentra vaca. Esto simplifica
enormemente el tratamiento estadstico, pues f (Ei ) f (Ef ) = 1

Por otra parte, sabemos que tanto los posibles estados iniciales como finales son estados
de Bloch, que representamos explcitamente como
|f i |c i

|ii |vi

es decir, pueden etiquetarse por dos ndices: banda y momento cristalino. Por consiguiente
() =
siendo

e2 X
|hc | p|vi|2 Ec ( ) Ev () h

2
m0 V ,

1
|hc | p|vi| = ,

d3 r Uc (r, ) pUv (r, )

Cuando estemos cerca de los bordes de las bandas (la energa de los fotones no es mucho
mayor que EG ) podemos realizar la siguiente aproximacion
Un (r, ) Un (r, 0)
Con todo ello, la expresion final del coeficiente de absrocion es
() =
siendo

1
pcv =

y
nopt (h) =

e2
|pcv |2 nopt (h)
m20

d3 r Uc (r, 0) pUv (r, 0)


1 X 
Eg h
h
2 k 2 /2mr
V

Aqu mr es la masa efectiva reducida del par electron-hueco.

Como vemos, la densidad optica nopt es la densidad de estados para una partcula libre
que se mueve en todo el espacio.