1

EL DIODO
Leonardo Ormaza, lormaza@est.ups.edu.ec,
Universidad Politecnica Salesiana, Cuenca-Ecuador Ingenieria Electronica

ResumenEn el siguiente informe vamos a estudiar y analizar

el comportamiento y el rendimiento de los diodos de silicio y
establecer las ventajas y aplicaciones de los mismos

I.

O BJETIVOS

1. Obtener la curva caracterstica del diodo de silicio.

II.
II-A.

M ARCO T ERICO

Los DIODOS,

Componente electrnico que permite el paso de la corriente

en un solo sentido. La flecha de la representacin simblica
muestra la direccin en la que fluye la corriente.

Figura 1. Electrodos de los Diodos.

Los Diodos constan de la unin de dos tipos de material

semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados por una
juntura llamada barrera o unin.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios
en el germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo
de silicio.
II-A1. Diodos de Silicio: La forma de funcionamiento de
un diodo comn de silicio se puede apreciar observando la
curva caracterstica que se crea cuando se polariza, bien de
forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la
curva grfica (representada en color verde en el siguiente
grfico) muestra la relacin existente entre la corriente y la
tensin o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

Figura 2. Curva Caracterstica de un Diodo de Silicio

En este grfico correspondiente a la curva caracterstica de

un diodo de silicio, se puede observar un eje horizontal x y
otro vertical y que se intersectan en el centro. En ese punto el
valor del voltaje y de la intensidad de la corriente es igual a 0
volt. El eje vertical y muestra hacia arriba su parte positiva
(+y) correspondiente al valor que puede alcanzar la intensidad
de la corriente (Id) que atraviesa al diodo cuando se polariza
directamente, mientras que hacia abajo su parte negativa (y) muestra cul ser su comportamiento cuando se polariza
de forma inversa (Ii). El eje horizontal x muestra hacia la
derecha, en su parte positiva (+x), el incremento del valor de
la tensin o voltaje que se aplicada al diodo en polarizacin
directa (Vd). Hacia la izquierda del propio eje se encuentra
la parte negativa (x), correspondiente al incremento tambin
del valor de la tensin o voltaje, pero en polarizacin inversa
(Vi). Si a un diodo comn de silicio le aplicamos una tensin
o voltaje (Vd) para polarizarlo directamente, partiendo de 0
volt (punto de interseccin de los ejes de las coordenadas), se
puede observar en el grfico que hasta tanto no se alcanzan
los 0,7 volt sobre el eje +x, el valor de la corriente (Id)
no indica ninguna variacin debido a la resistencia que, por
debajo de ese voltaje, ofrece la barrera de potencial al flujo
de los electrones en el punto de unin "p-n". Sin embargo, a
partir de los 0,7 volt un pequeo incremento en el valor de la
tensin, originar un enorme flujo de intensidad de corriente,
tal como se puede apreciar en el grfico, representado por
la curva de color verde (paralela al eje +y), en la parte
correspondiente a la regin de polarizacin directa del diodo.
(Como ya se mencion anteriormente, a diferencia del diodo
de silicio (Si), un diodo de germanio (Ge) slo requiere 0,3
volt de polarizacin directa para que comience a conducir la
corriente).

Figura 3. Polarizacin Directa

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Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa aplicndole una tensin o voltaje inverso a partir de0 volt y
siguiendo el eje x, vemos que aunque incrementemos el valor
de esa tensin, la corriente (Ii) no muestra variacin alguna,
excepto en un punto donde se produce una pequesima
corriente de fuga de unos pocos microamper. A partir de
ese momento si continuamos incrementando el valor de la
tensin se llega al punto de ruptura inversa, (codo de la

curva de color verde), donde el aislamiento de la unin "p-n"

se rompe originndose un flujo de corriente, de valor tan alto,
que destruye el diodo y lo hace inservible.

Figura 4. Polarizacin Inversa

II-A2. Diodos de germanio : Los diodos de germanio

se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio.
Los diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y
se implantan con las mismas impurezas que los diodos de
silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin
de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un
material poco comn que se encuentra generalmente junto con
depsitos de cobre, de plomo o de plata.

III.
III-A.

Figura 6. Curva caracterstica del Diodo

III-B.
DOS

COMPOSICION Y TEMPERATURA DE LOS DIO-

La temperatura puede tener un marcado efecto en las

caractersticas de un diodo semiconductor como lo demuestran
las caractersticas de un diodo de silicio mostradas en la figura

DIODO

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Figura 5. Circuito del Diodo

V IN
-5
-2
-1
0.1
0.5
0.7
1
2
3
4
5

Vd OUT Id
-5
0
-2
0
-1
0
105.2 mV
0
460 mV
0.07 uA
525 mV
0.17 mA
566 mV
0.53 mA
616 mV
1.51 mA
640 mV
2.41 mA
652 mV
3.34 mA
663 mV
4.52 mA

Cuadro I
VALORES DE VOLTAJE DEL D IODO

En la regin de polarizacin en directa las caractersticas de

un diodo de silicio se desplazan a la izquierda a razn de 2.5
mV por grado centgrado de incremento de temperatura.
Un incremento desde la temperatura ambiente (20C) hasta
100 C (el punto de ebullicin del agua) produce una cada
de 80(2.5 mV ) 200 mV o 0.2 V, lo cual es significativo
en una grfica graduada en dcimas de volts. Una reduccin
de la temperatura tiene el efecto inverso, como tambin se
muestra en la figura. En la regin de polarizacin en inversa
la corriente de saturacin en inversa de un diodo de silicio se
duplica por cada 10C de aumento de la temperatura. Con un
cambio de 20C a 100C, el nivel de Is se incrementa desde
10 nA hasta un valor de 2.56 mA, el cual es un incremento
significativo de 256 veces. Continuando hasta 200C se tendra
una corriente de saturacin en inversa monstruosa de 2.62 mA.
En aplicaciones a alta temperatura se tendran que buscar por

consiguiente diodos con Is a temperatura ambiente de cerca

de 10 pA, un nivel comnmente disponible en la actualidad,
el cual limitara la corriente a 2.62 mA. En realidad, es
una fortuna que tanto Si como GaAs tengan corrientes de
saturacin en inversa relativamente pequeas a temperatura
ambiente. Hay dispositivos de GaAs disponibles que funcionan
muy bien en el intervalo de temperatura de 200C a 200C,
y algunos tienen temperaturas mximas que se aproximan
a 400C. Considere, por un momento, qu tan grande sera
la corriente de saturacin en inversa si iniciramos con un
diodo de Ge con una corriente de saturacin de 1 mA y
aplicramos el mismo factor de duplicacin. Por ltimo, es
importante sealar, de acuerdo con la figura 1.19, que: El
voltaje de saturacin en inversa de un diodo semiconductor se
incrementar o reducir con la temperatura segn el potencial
Zener.

III-C. COMO FUNCIONA UNA RECTIFICACION DE MEDIA ONDA CON TRANSFORMADOR DE TOMA MEDIA

Durante los semiciclos positivos de la tensin de entrada,

V2a es positiva y V2b es negativa. Por tanto, conduce el
diodo D1. Durante los semiciclos negativos, V2a es negativa
y V2b es positiva. Por tanto conduce el diodo D2. De este
modo la carga recibe corriente unidireccional durante ambos
semiciclos.
El voltaje de CD, obtenido a la salida del rectificador de
onda completa anterior (VL), tiene una frecuencia (f) igual al
doble de la tensin de la red, es decir 100 Hz 120 Hz, y una
amplitud igual al valor pico (Vp) de la tensin del secundario.
Si se conecta un voltmetro de CD entre los extremos de la
carga, el mismo proporcionara una lectura (Vdc) igual al valor
medio de la tensin de salida.
Para una seal de onda completa, este valor dado por:

III-D.

DISEE EL CIRCUITO CON

III-D1.
III-D2.

Im=2.5A VR=12 V:
Im=0.5 A VR=5 V:
IV.

F IRST APPENDIX

Citation: [1]
Figura 7. Circuito Rectificador

V.

S ECOND APPENDIX
ACKNOWLEGMENT

Esta ltima es la tierra o lnea comn de referencia de

los voltajes de entrada o lnea comn de referencia de los
voltajes de entrada y salida del rectificador, figura b. Debido
a este modo de conexin, el circuito es equivalente a dos
rectificadores de media onda, excepto que utiliza un solo
transformador.
En la figura siguiente se muestran las formas de onda de los
voltajes producidos en el circuito. Todos ellos estn referidos
a tierra. Desde este punto de vista, las tensiones producidas
en el secundario son idnticas, pero estn desfasadas 180.

bla bla
R EFERENCIAS
[1] N. H. F. Beebe. (2008, Jul.) TEX user group bibliography archive.
[Online]. Available: http://www.math.utah.edu/pub/tex/bib/index-table.
html

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