Informe Puente H

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co
ELECTRONICA DE POTENCIA
PUENTE H CON MOSFET
SERGIO SANTOS VILLAMIL 1100838137

JUAN DAVID MESA COLMENARES 1057587504
YADINTON QUINTERO 1090434383
PRESENTADO A:
ING. ESP. JULIO CSAR OSPINO
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
14/05/16
Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral
OBJETIVOS:
OBJETIVO GENERAL
Mediante un circuito electrnico puente H que implementa

transistores MOSFET poder controlar el sentido de giro de un motor
de CD.
OBJETIVOS ESPECFICOS:
Hallar experimentalmente los parmetros de los Mosfet canal n y

canal p utilizados para la realizacin del montaje.
Calcular los valores de las resistencias y voltajes necesarios para
que el circuito funcione adecuadamente.
Realizar el montaje del circuito con los valores de diseo
encontrados y verificar su funcionamiento.
ESQUEMA DEL CIRCUITO
Figura 1 Esquema del circuito
En la figura 1 se representa el circuito puente H o puente en H con los

componentes, a continuacin se describen los elementos a utilizar:
Materiales:
Ma y Mb: Transistores canal P de referencia IRF9640
Mc y Md: Transistores canal N de referencia IRF740 (complementario al
IRF9640)
Q1 y Q2: Transistores BJT NPN de referencia BC548
Caractersticas del motor de corriente continua:
Corriente de arranque: 1.7 [A]
Corriente nominal: 0.75 [A]
Voltaje nominal: 18 [V]
Los valores de las resistencias sern calculados una vez obtenidos los
parmetros de los transistores MOSFETS.
Las compuertas lgicas utilizadas que se utilizarn son NAND TTL
referencia DM74LS00N Los voltajes de entrada se controlan por medio de
una entrada digital 1 o 0, y estos determinan el sentido de giro del motor
1 {2.4 [V] VoH 5[V]}
1 {0.02 [mA] Io 0.4[mA]}
0 {0 [V] Vol 0.4 [V]}

0 {0.02 [mA] Iol -8 [mA] }
Sentidos de giro
Horario
VA= 1; VB= 0; VC= 0; VD= 1
Anti horario
VA= 0; VB= 1; VC= 1; VD= 0
Medicin del voltaje umbral de los MOSFET
Medicin Vth para el canal N

Para estimar el valor del voltaje umbral de los Mosfet se debe montar el
circuito mostrado en la figura 2.
Figura 2 Medicin del Vth para canal N.
Se incrementa lentamente el valor de la fuente regulada empezando de

cero hasta que en el ampermetro se obtenga un valor de corriente de ID=
0.25 [mA]
Los valores obtenidos de los Vth para los dos transistores canal N fueron
los siguientes:
Vtha= 2.88 [V]
Vthb= 2.89 [V]
Medicin Vth para el canal P
El siguiente circuito ilustra como estimar el valor del voltaje umbral para
el canal P
Figura 3 Estimacin del Vth para el canal P
De igual forma se debe variar la fuente hasta obtener una corriente de

0.25 [mA] en el ampermetro el voltaje obtenido ser nuestro Vth buscado
los valores obtenidos fueron los siguientes:
Vthd: 3.2 [V]
Vthc: 3.18 [V]
Estimacin del Kn umbral para los Mosfet canal N
El circuito se ilustra a continuacin
Figura 4 medidas tomadas para estimacin del Kn
Para estimar los valores de Kn se toman los datos de Vgs, Vds e Id y se

tabulan en Excel posteriormente se grafican los datos de Id y Vgs y se
realiza una regresin cuadrtica.
Id
3.50E-01
3.00E-01
2.50E-01
f(x) = 0.37x^2 - 2.35x + 3.67

R = 0.99
Id
2.00E-01
Polynomial (Id)
1.50E-01
1.00E-01
5.00E-02
0.00E+00
2.8
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
Figura 5 valor de KNA obtenido con la regresin cuadrtica Kn=0.3747 [
A
V2
Id
3.50E-01
3.00E-01
2.50E-01
f(x) = 0.35x^2 - 2.17x + 3.4

R = 0.99
Id
2.00E-01
Polynomial (Id)
1.50E-01
1.00E-01
5.00E-02
0.00E+00
2.8
3.2 3.4 3.6 3.8
4.2
Figura 6 Figura 7 valor de KNB obtenido con la regresin cuadrtica Kn=0.3457

[
A
V2
Las regresiones de Excel nos arroja los siguientes valores para los Kn
KNA= 0.3747
A
]
V2
A
KNB= 0.3457 [ V 2 ]
Estimacin de las Rdon para los Mosfet
Con los datos tabulados de Id y Vds cuando el Mosfet est trabajando en
zona hmica se calcula el valor de las Rdon para cada Mosfet
Figura 8 Clculo en Excel de la Rdon.
Para hacer este clculo se divide cada valor de Vds obtenido entre cada
valor de Id (en zona hmica) y posteriormente se calcula un promedio los
valores obtenidos resultando los siguientes valores para los Mosfets.
Transistor canal N #1 Rdon= 0.512 []
Transistor canal N #2 Rdon= 0.547 []
Transistor canal P #1 Rdon= 0.554 []
Transistor canal P #2 Rdon= 0.490 []
Anlisis Trmico
Con los valores obtenidos de Rdon y valores tomados del datasheet se
procede al anlisis trmico con l determinaremos si los Mosfet necesitan
o no disipador de calor.
Anlisis trmico mosfet canal P #1

=()
=[(2)]
=(((0727[]0.69862[])622.5[])31[])
=54.0768[]
La temperatura mxima del dispositivo es de 150 entontes evaluamos en la condicin
TJ/TJmax< 0.5 <0.5 54.0768 []150[]=0.3605 ; 0.3605<0.5
Segn la condicin el dispositivo no requiere disipador de calor.

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Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Mediante un circuito electrnico puente H que implementa

Hallar experimentalmente los parmetros de los Mosfet canal n y

ESQUEMA DEL CIRCUITO

Figura 1 Esquema del circuito

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

En la figura 1 se representa el circuito puente H o puente en H con los

0 {0 [V] Vol 0.4 [V]}

Medicin del voltaje umbral de los MOSFET

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Medicin Vth para el canal N

Figura 2 Medicin del Vth para canal N.

Se incrementa lentamente el valor de la fuente regulada empezando de

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Figura 3 Estimacin del Vth para el canal P

De igual forma se debe variar la fuente hasta obtener una corriente de

Figura 4 medidas tomadas para estimacin del Kn

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

Para estimar los valores de Kn se toman los datos de Vgs, Vds e Id y se

f(x) = 0.37x^2 - 2.35x + 3.67

Figura 5 valor de KNA obtenido con la regresin cuadrtica Kn=0.3747 [

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral

f(x) = 0.35x^2 - 2.17x + 3.4

3.2 3.4 3.6 3.8

Figura 6 Figura 7 valor de KNB obtenido con la regresin cuadrtica Kn=0.3457

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Figura 8 Clculo en Excel de la Rdon.

Anlisis trmico mosfet canal P #1

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