Master Microlectronique, Microtechnologies et Tlcommunications

UE S22
Complments de Micro-ondes: Les fonctions actives
Gilles DAMBRINE (Cours, TP)
Luc DUBOIS (TD, TP)

Cours (mardi 8-10h)

Bt. DESS salle 115

TD (jeudi 10h15-12h15)
Bt. DESS salle 115

TP
Bt P3 2me tage

15h

15h

20h

Emploi du temps

Plan du cours
Rappels et outils de base
Principales caractristiques dune ligne de propagation
Les structures de propagation usuelles
Les paramtres S, les conversions de matrices usuelles
Labaque de Smith, son utilisation

Notions et principes caractrisant un quadriple actif (concepts

courant/tension et ondes).
Impdance ou facteur de rflexion ramen lentre ou en sortie dun
quadriple.
Dfinition des puissances et gains usuels.
Transformations dimpdances et transfert optimal de puissance.
Cercles de gain en puissance ou de gain disponible.
Stabilit des quadriples actifs (critres, cercles de stabilit)
Facteur de bruit et cercles de bruit.
3

Plan du cours (suite)

Amplification micro-ondes faible bande un tage.
Dmarche gnrale.
Les bases de stabilisation dun quadriple actif.
Les bases des circuits de polarisation des transistors hyperfrquences.
Base de la conception dun oscillateur hyperfrquence.
Base de conception des oscillateurs par lapproche des paramtres S.
Bases des rsonateurs micro-ondes
Oscillateurs rsistance ngative
Oscillateur en contre-raction

Stages et travaux pratiques :

Initiation la CAO hyperfrquence : lamplificateur faible bande un
tage.
Initiation la CAO hyperfrquence : loscillateur rsonateur
dilectrique(approche linaire)
4

Les circuits HF: Procdure Gnrale

Cahier des Charges

Concepts, outils de base

Conception

Ralisation
5

LES OUTILS DE BASE

Rseau dadaptation /
transformation
dimpdance:
Les lignes de
propagation, Zc, ,

Les composants
localiss:
Matrices S, Y, Z etc

I. Rappels et Outils de base

Lignes de Transmission: Les bases

Zo est fonction des dimensions physiques and
z Zo est gnrallement un nombre rel (e.g. 50 or 75
ohms)
z

Guide
donde
a
w

b
bifilaire
Coaxiale
h

w1
w

w2
Coplanair

Microstrip

Impedance Caractristique de
lignes microruban
7

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation
V (0 )

V (L )
x
0

Modle des tlgraphistes

I ( x ) Rdx
V (x )

I ( x + dx )

Ldx

Cdx V ( x + dx )

Gdx

V = V0+ . e x + V0 . ex = V

+V

I = I 0+ . e x + I 0 . ex = I + + I
8

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation

Ligne standard
Zc =

R + jL
G + jC

(R + jL )(. G + jC )

= + j =
en N/m

( dB / m) =

( N / m)

8.686
(rd/m).l (m) : Longueur lectrique en rad

Ligne sans pertes

L >> R
C >> G

L
Zc =
C

Vitesse de propagation : =

=0

v=

= LC
C
1
= air
LC
reff
9

I. Rappels et Outils de base

Lignes Microruban: Zc
Pour les substrats usuels
2.5<r<10
Zo max ~100 150
Zo min ~ 25 40

Pourquoi ?
Quelques explications

Impedance Caractristique de
lignes microruban

10

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation
Matrice Chane dune ligne (Zc, ) de longueur L

[Ch ]
ligne

Ch(L) Z c Sh(L)
=

Y
Sh
(
L
)
Ch
(
L
)

Matrice [Z] & [Y] dune ligne (Zc, ) de longueur L

[Z ]
ligne

(
)
cth
L

Sh(L)
= Zc

cth(L)

Sh(L)

[Y ]
ligne

cth(L)
= Yc
1
Sh(L)

1
Sh(L)

cth(L)

11

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

ramene

Calculons limpdance vue lentre dune ligne (Zc, )

de longueur L connecte une impdance de charge ZL
Zc

Zin

ZL

Calculons ladmittance vue lentre dune ligne (Yc, )

de longueur L connecte une admittance de charge YL
Yc

Yin

YL
12

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

ramene

Calculons limpdance vue lentre dune ligne (Zc, )

de longueur L connecte une impdance de charge ZL

Z c th(l ) + Z L
jZ c tg ( l ) + Z L
Z in = Z c
Zc
Z Lth(l ) + Z c
jZ L tg ( l ) + Z c
Calculons ladmittance vue lentre dune ligne (Yc, )
de longueur L connecte une admittance de charge YL

jYc tg ( l ) + YL
Yc th(l ) + YL
Yin = Yc
Yc
jYLtg ( l ) + Yc
YL th(l ) + Yc
13

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene

Cas particulier o ZL=0 - tronon de ligne en Court Circuit

Z in jZ c tg ( l ) jL
En modifiant Zc et / ou la longueur l: on voit lentre du tronon de ligne
une inductance srie

L
L3
L=H
R=

Zc

14

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene

Cas particulier o ZL=0 - tronon de ligne en Court Circuit

Z in jZ c tg ( l ) jL

Gnralement l < g/4

Inductance_equivalente (nH)

100
75
~ Inductance

~ Inductance

50
25
0
-25
-50
-75

0.25

0.5

0.75

Zc=50
Freq=5 GHz

-100
Longueur / g

15

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene

Cas particulier o YL=0 - tronon de ligne en Circuit Ouvert

Yin jYc tg ( l ) j C
En modifiant Yc et / ou la longueur l: on voit lentre du tronon de ligne
une Capacit quivalent en parallle (shunt)

C
C3
C=pF

Yc

16

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene

Cas particulier o YL=0 - tronon de ligne en Circuit Ouvert

Yin jYc tg ( l ) j C
Capacit_equivalente (pF)

50
~ Capacit

Gnralement l < g/4

~ Capacit

25

0
0
-25

0.25

0.5

0.75

Yc=20 mS
Freq=5 GHz

-50
Longueur / g
17

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene ; Tronons de Ligne en Court Circuit
Inductance_equivalente (nH)

100
75
~ Inductance

~ Inductance

50
25
0
-25

0.25

0.5

0.75

-50
-75
-100
Longueur / g

Longueur = g/4; Zin = infinie

Longueur = g/2; Zin = 0

Zin

C
C3
C=pF

L
L3
L=nH
R=

L
L4
L=nH
R=

Zin

C
C4
C=pF

Longueur = 3g/4;
Zin = infinie

Zin

C
C3
C=pF

L
L3
L=nH
R=

18

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance

Ramene ; Tronons de Ligne en Circuit Ouvert
Capacit_equivalente (pF)

50
~ Capacit

~ Capacit

25

0
0

0.25

0.5

0.75

-25

-50
Longueur / g

Longueur = g/4; Yin = infinie

Longueur = g/2; Yin = 0
L
L4
L=nH
R=

Yin

C
C4
C=pF

Yin

C
C3
C=pF

L
L3
L=nH
R=

Longueur = 3g/4;
Yin = infinie
L
L4
L=nH
R=

Yin

C
C4
C=pF

19

I. Rappels et Outils de base

Yc

Yin

YL

Une ligne quart donde idale est un inverseur d admittance idal

un tronon de ligne g/4

[ch]UE Zc

cos
=
jYc sin

g
= 0 l =
4

j Zc 0
j / J
0

d ' o
=

0 j J
0
j Yc

avec =
2
[ch]UE Zc

jZ c sin
cos

J2
Yin =
YL
J = Yc
20

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
Justification des paramtres S
Problmes lis la mesure des paramtres H, Z ou Y
I1
V1

I2
V2

I1 Y11 Y12 V1
I = Y Y V
2 21 22 2

Les notions de courant et tension

ne sont pas mesurables en HF

21

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S

Ondes incidentes / rflchies

Matrice S

b1 S11
b = S
2 21

a1

b2

b1

a2

S12 a1
S 22 a2

b1 = S11a1 + S12 a2
b2 = S 21a1 + S 22 a2
22

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
Signification physique des paramtres S
b1
Facteur de rflexion lentre, la sortie tant adapte
S11 =
a1 a2 =0

Coefficient de rflexion lentre d un dispositif

b2
Facteur de transmission entre sortie, la sortie tant adapte
S 21 =
a1 a2 =0
Gain dun amplificateur
b2
Facteur de rflexion en sortie, lentre tant adapte
S 22 =
a2 a1 =0

b1
Facteur de transmission sortie entre, lentre tant adapte
S12 =
a2 a1 =0
23

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
Autres intrts de la matrice S
2

a1 = Puissance incidente l' entre d' un dispositif

2

a2 = Puissance incidente la sortie d' un dispositif

2

b1 = Puissance rflchie l' entre d' un dispositif

2

b2 = Puissance rflchie par la sortie d' un dispositif

24

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
2

S11 =
2

S 22 =

S 21

Puissance rflchie l' entre d' un dispositif

Puissance incidente l' entre d' un dispositif
Puissance rflchie la sortie d' un dispositif
Puissance incidente la sortie d' un dispositif

Puissance reue par une charge d' impdance Z 0

=
Puissance dlivre par une source d' impdance Z 0
= Gain en puissance pour une source et une charge d' impdance Z 0

S12 = Gain en puissance inverse avec source et charge 50

25

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
a1
b1

b2

DUT

a2

Les paramtres S mesurs ou calculs dans

une gamme de frquences

Format Usuel de stockage: Touchstone file (*.S2P); compatible avec tous les logiciels
de CAO HF
! Commentaire
! Transistor MGF 1302; Vgs=0V; Vds=3V
! Header
# Hz S RI R 50
! Freq
0.50000E+09
0.75000E+09

r11

i11

r21

i21

r12

0.99738E+00
0.99677E+00

-0.35828E-01
-0.60699E-01

-0.19139E+01
-0.19084E+01

0.90332E-01
0.13055E+00

0.64850E-04
0.36621E-03

i12
0.43337E-02
0.65374E-02

r22
0.87308E+00
0.87247E+00

i22
-0.27405E-01
-0.45074E-01

26

I. Rappels et Outils de base

Mesures des paramtres S: Analogie

avec lOptique
Incident

Rflechie

Transmise

Onde
Lumineuse

RF
27

I. Rappels et Outils de base

Mesures des paramtres S: principe

DUT

Incident

Transmise

B
Rflechie

A
TRANSMISSION

REFLEXION
Rflechie
Incident

SWR
S-Parameters
S11,S22

Reflection
Coefficient
,

Transmise

Incident

Return
Loss
Impedance,
Admittance
R+jX,
G+jB

B
R

Group
Delay

Gain / Loss
S-Parameters
S21,S12

Transmission
Coefficient
,

Insertion
Phase

28

I. Rappels et Outils de base

Abaque de Smith: Principe

.

+jX

90

Polar plane
1.0
.8

.6

+R

-jX

.4

+ 180 o
-

.2

-90 o

Rectilinear impedance
plane

Constant X
Z L = Zo

Z L = 0 (short)

= 1

Constant R

180O

Z L=

=1

(open)
0

Z-type Smith Chart

I. Rappels et Outils de base

Power Transfer Basics

+

Low frequencies
z wavelengths >> wire length
z current (I) travels down wires easily for efficient power transmission
z measured voltage and current not dependent on position along wire

High frequencies
z wavelength or << length of transmission medium
z need transmission lines for efficient power transmission
z matching to characteristic impedance (Z0) is very important for low
reflection and maximum power transfer
z measured envelope voltage dependent on position along line

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with Zo

Zs = Zo

Zo = characteristic impedance of
transmission line

Zo

V inc
Vrefl = 0! (all the incident power is
absorbed in the load)
For reflection, a transmission line terminated in Zo behaves
like an infinitely long transmission line

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with

Short, Open
Zs = Zo

V inc
Vrefl

In phase (0 o ) for open

Out of phase (180 o ) for short

For reflection, a transmission line terminated in a short or

open reflects all power back to source

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with 25

Zs = Zo
ZL = 25

V inc
Vrefl
Standing wave pattern does not go to
zero as with short or open

I. Rappels et Outils de base

Reflection Parameters
Reflection
Coefficient

Vreflected
=
=
Vincident

Return loss = -20 log(),

No reflection
(ZL = Zo)

Emax
Emin

VSWR

ZL ZO
Z L + ZO

Voltage Standing Wave Ratio

Emax
VSWR =
Emin

1+

1-

Full reflection
(ZL = open, short)

I. Rappels et Outils de base

Power Transfer Efficiency

For complex impedances, maximum power
transfer occurs when ZL = ZS* (conjugate
match)
Zs = R + jX
Rs

+jX
-jX
RL

ZL = Zs* = R - jX

At high frequencies, maximum

power transfer occurs when
RS = RL = Zo

Zo
Zo

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

Objectifs:
-1- Modifier la valeur dune impdance / admittance
-2- Synthtiser limpdance / admittance conjugue pour un transfert
optimal de puissance
Gnralement il sagit de transformer une impdance ou admittance
quelconque en 50 ou 20 mS et rciproquement.

Zin ou Yin

Zout ou Yout
OU

Zin ou Yin
Zout ou Yout
Zin* ou Yin*

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

LAbaque de Smith permet de faire lanalogie entre un paramtre de
rflexion (Sii) et un schma lectrique quivalent (R, L, C)
m3
freq=5.000GHz
m3=0.494 / 105.784
impedance = Z0 * (0.500 + j0.628)

Circuits Sries

m3

R
R1
R=25 Ohm

L
L1
L=1.0 nH
R=

S(6,6)

Term
Term7
Num=6
Z=50 Ohm

m3
freq=5.000GHz
m3=0.497 / -105.149
impedance = Z0 * (0.500 - j0.637)

L
L2

R
R3

C
C1

R
R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

C
C3

R
R6

L
L2

R
R3

S(6,6)

Term
Term7
Num=6
Z=50 Ohm

m3
C
C1

R
R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

LAbaque de Smith permet de faire lanalogie entre un paramtre de
rflexion (Sii) et un schma lectrique quivalent (R, L, C)
C
C4

Term
Term8
Num=7
Z=50 Ohm

C
C3

R
R6

R
R7

Lecture de
ladmittance

S(7,7)
S(6,6)

Circuit // (ou Shunt)

L
L3

R
R5

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

L
L4

C
C4

R
R8

R
R7

S_y
S(7,7)

Term
Term8
Num=7
Z=50 Ohm

L
L3

R
R5

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Lecture de
ladmittance

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique
Exemple: Rgler le gain dun transistoren changeant les impdances,
admittances ou facteurs de rflexion du gnrateur et / ou de la charge

g ou Zg ou Yg

L ou ZL ou YL

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique
-1- Synthse dune impdance (Zg) ou admittance (Yg) ou g de gnrateur
Impose par le systme
50

ou 20

mS

Choisie pour une application donne

Zg ou Yg ou g

-2- Synthse dune impdance (ZL) ou admittance (YL) ou L de charge

Choisie pour une application donne

ZL ou YLou L

Impose par le systme

50

ou 20

mS

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique:
atteindre des lieux particuliers de labaque de Smith

r=Ro/50 =1

S(1,1)

g=Go/0.02 =1

x=X/50 = 0 ou
b=B/0.02 = 0
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique:

Essayez de reprer toutes les solutions et imaginez qualitativement

leurs ralisations

Exemple: nous souhaitons transformer ce =0.572<-30 en =0

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

Z=50*(2 j *1.7)

-1- lments localiss (annulation de la

partie imaginaire) inductance srie ou capacit
//; inductances spirales / capacit MIM; techno
monolithique (freq < 20 GHz)

Calculer la valeur de
L srie

OK
C
C4

L
L7

R
R7

S_y
S(1,1)

L
L5
R=

C
C1

R
R2

OK

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-2- lments semi-localiss (annulation
de la partie imaginaire) inductance srie
ou capacit //; Lignes haute ou basse
impdance
Linductance en // nest pas
ralisable
C
C4

L
L7

R
R7

S_y
S(1,1)

L
L5
R=

C
C3

L
L6
R=

L
L5
R=

C
C1

R
R2

OK

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-2- lments semi-localiss (annulation
de la partie imaginaire) inductance srie
ou capacit //; Lignes haute ou basse
impdance
On choisit donc une inductance en
srie
C
C4

Zc =

Im( Z )

( rd )

S_y
S(1,1)

Zinitiale=50*(2 j *1.7)
Montrer que limpdance de la ligne
quivalente cette inductance est:

L
L7

R
R7

L
L5
R=

C
C1

R
R2

OK

A 5 GHz, Zc~270 pour l=g/20

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Impossible en technologie hybride

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-3- Tronons de ligne (annulation de la partie
imaginaire, et changement de la partie relle)
transformateur g/4
a. Rejoindre laxe rel par lajout dune ligne 50
2me solution

l=75, Zc=50

initial

l =
= 75
2

S(2,2)
S(1,1)

1re solution

Longueur croissante
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-3- Tronons de ligne (annulation de la partie
imaginaire, et changement de la partie relle)
transformateur g/4
b. Ajouter en srie un transformateur g/4

Z c = Z 2 = Z in Z out
l=g/4=90, Z2=26
l=75, Z1=50

S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)

Z2 croissant

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Zin

Zout

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire)
technique simple stub
2me solution
C
C4

in

initial

S(2,2)
S(1,1)

l, Zc=50

R
R7

L
L3

1re solution l=47.5: ligne un peu trop courte et

il faudra placer un stub en CC.
solution l=102.5: (>g/4), Longueur

possible et on peut placer un stub en CO

2me

1re solution

Longueur croissante
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

R
R5

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire)
technique simple stub

in

lstub _ CO

initial

S_y
S(2,2)
S(1,1)

l=102.5, Zc=50

m(Yin )
)
= ATAN (
Yc _ stub _ CO

Im(Yin) = -27.93 mS
si Yc_stub_CO= 20 mS
Donc lstub_CO = 54.39

L
L3

R
R5

Juste pour lire la valeur de

Im(Yin) (en Siemens)
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

l=54.39, Zc=50

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire)

technique simple stub

in

initial

S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)

final

l=102.5, Zc=50

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-5- Variantes de la technique simple stub , en changeant limpdance de la
ligne

in

initial

S(4,4)
S(3,3)
S(2,2)
S(1,1)

l, Zc>50

en modifiant Zc de la ligne, on peut obtenir

un l plus petit (< lg/4) et une longueur de
stub plus faible galement
avec une ligne, on peut synthtiser
directement 50 pour un couple de valeur
(l,Zc) (ici 52,5 et 110 )

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Z in = Z c

Z c th(l ) + Z L
jZ tg ( l ) + Z L
Zc c
Z Lth(l ) + Z c
jZ Ltg ( l ) + Z c

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

Choisie pour une application donne

Impose par le systme

Zg ou Yg ou g
on choisit un g
on transforme conj(g) en 50

50

l=75, Z1=50

Conj(initial)

S(4,4)
S(1,1)

l=90, Z2=26

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Pourquoi?

La conception dun amplificateur ncessite le rglage des impdances de
gnrateur et de charge.
Ce rglage modifie les impdances dentre et de sortie du quadriple
actif.
Cet ensemble reste-t-il toujours stable?

g ou Zg ou Yg

S11 ou Zin ou Yin

L ou ZL ou YL

S22 ou Zout ou Yout

53

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Pourquoi?

i1

Zg

v1

i2

[Z]

Z12 Z 21
v1
Z in = = Z11
i1
Z 22 + Z L

v2

Z out

ZL

v2
Z12 Z 21
= = Z 22
i2
Z11 + Z g

Pour tout ZL partie relle positive - Real(Zin)>0

et
Pour tout Zg partie relle positive - Real(Zout)>0
54

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: facteurs de rflexion ramens Sii

a1

Zg

b1

a2

[S]

a1
g =
b1

b
S S
S11 ' = 1 = S11 + 12 21 L
a1
1 S 22 L

b2

ZL

a2
L =
b2
S12 S 21 g
b2
= S 22 +
S 22 ' =
a2
1 S11 g
55

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
Stabilit inconditionnelle:
|S11| < 1 & |S22| < 1 pour toute terminaison partie relle positive (|L| et |g| < 1).
Stabilit Conditionnelle:
|S11| < 1 & |S22| < 1 pour quelques valeurs de terminaison partie relle positive
(|L| et |g| < 1).
Dans un cas rel de conception dun amplificateur, la stabilit est gnralement
conditionnelle, donc comment connatre les terminaisons (L et g) qui
entraneraient une oscillation?
-- Critre de stabilit (critre k ou de Rollet)
-- Mthode graphique: cercles de stabilit
56

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
Stabilit : quelles sont les questions que lon doit se poser ?
-1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ?
-2- Dans le plan |S11| , comment est transform le plan |L| = 1

S11 ' < 1

[S]

On peut avoir le mme raisonnement en considrant S22 et g

L < 1

ZL

57

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT

|S11| < 1 ---------

S11 DL < 1 S 22 L

(D est le dterminant de [S])

De cette ingalit, on trouve lquation dun cercle dans le plan de L

L = U L + jVL
(U L U L0 )2 + (VL VL 0 )2 = r0
avec C0 = U L 0 + jVL 0
et

r0 =

(
S
=

*
22

D* S11
2

S 22 D

S12 S 21
2

S 22 D

On peut avoir le mme raisonnement en considrant |S22| < 1, cela donnera un cercle
(autres quations) dans le plan de g.
58

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ?

L < 1

L < 1

Inconditionnellement Stable

Conditionnellement Stable

Toute la zone donnera |S11|<1

Une partie de la zone donnera |S11|<1

59

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ?

L < 1
C0
r0
Le quadriple est inconditionnellement stable si:

|C0| - r0 > 1
2

1 S11 S 22 + D 2 S12 S 21
2

1 S11 S 22 + D
k=
1
2 S12 S 21
k est le critre de stabilit (facteur de Rollet)

60

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-2- Dans le plan |S11| , comment est transform le plan |L| = 1
On dcrit galement un cercle
Pour une stabilit inconditionnelle, il faut
que r < 1 cest--dire:

S12 S 21 < 1 S 22

S11 ' < 1

Inconditionnellement Stable

S11 ' < 1

C = S11 +
et

r=

S12 S 21S 22
1 S 22

S12 S 21
1 S 22

Conditionnellement Stable
61

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Rsum

Pour avoir une stabilit inconditionnelle absolue, il est ncessaire et suffisant que
2

1 S11 S 22 + D
k=
1
2 S12 S 21

et

S12 S 21 < 1 S11

S12 S 21 < 1 S 22

et si S11 = g* et S22 = L* ;
alors les impdances de terminaison Zg, ZL sont parties relles positives

62

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Remarques Pratiques

Remarques: k > 1 est suffisant pour obtenir une stabilit inconditionnelle.
Pour concevoir un amplificateur la premire chose consiste
tracer le paramtre k en fonction de la frquence (large bande)

L < 1

1.3

L_StabCircle1

StabFact1

1.2

1.1

m1
freq= 5.100GHz
m1=0.906

1.0

m1
0.9
0

10

12

14

16

18

20

freq, GHz
indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

Mthodologie:
On cherche augmenter k > 1
Sinon on vrifie aux frquences o k < 1 si les terminaisons (L ou
g) sont dans des zones instables (cercles de stabilit).

63

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE

I(t) dpend du rseau de charge

Puissance instantane : p(t) = v(t) i(t)

si p(t)>0

Transfert d nergie du gn vers la charge

si p(t)<0

Transfert de la charge vers le gn.

1 nT
Puissance Moyenne : P= nT p dt
0

Rseau
Passif

C est gnralement la puissance mesure par un Bolomtre par exemple

Puissance Complexe : P = V I*

soit V=Va exp(j ) et I=Ia exp(j( + ))

Puissance moyenne = Real(P) = Va Ia cos()

Exemple : Calculer la puissance moyenne dissipe dans un rseaux passif G C.

Puissance moyenne = Real (vi*)

P= Va Ia (cos() - j sin ())

64

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE

Les principales units de puissance...

Puissance Absolue : le Watt

Puissance relative :

P
Pref

10 * log10(

P(W )
)
1e 3

Exemple : Pref = 1mW

le dBm :
0 dBm ----> ?W;

1W-------> ?dBm

65

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE
Puissances dlivres une charge:
2

Pdel _ ch arg e = a1 b1 = a1 1 L
bg

a1
Cest une grandeur mesurable

Zg

ZL

b1

a1 = bg + bg L g + bg L g + ... =
donc

Pdel _ ch arg e =

bg 1 L
1 L g

bg
1 L g

Remarque: si le gnrateur tait connect sur une charge non- rflective,

londe mise serait gale bg

66

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE
Puissances disponibles (dun gnrateur): Transfert de puissance optimal
Cest une grandeur calculable (mesurable dans des conditions particulires)

bg

a1

Zg

ZL=Zg*

b1

Pdel _ ch arg e =
si L = g

L = g

bg 1 L
1 L g

alors

Pa _ gene

2
*2
2
bg 1 g
b
g

=
=
2
2
*
1 g
1 g g

67

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance

Gain en puissance Transducique ):
Cest une grandeur calculable traduisant le transfert de puissance au travers
dun quadriple. (pas trs utilise mais utile la comprhension)

Pdel _ ch arg e
2
b2
2
GT =
= f ( L ; g ;[ S ]) =
(1 g )(1 L )
Pa _ gene
bg
2

Pdel _ ch arg e = b2 1 L

Pa _ gene =

bg

(1 )
2

68

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance

Gain en puissance Transducique ):

GT =

Pdel _ ch arg e
Pa _ gene

2
2
b2
2
(1 g )(1 L )
= f ( L ; g ;[ S ]) =
bg

(
1 ) S (1 )
=
2

GT

S 22

21

'

1 S11g 1 S 22 L

'

S12 S 21g
= S 22 +
1 S11g
69

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance

Gain en puissance Disponible :
Cest une grandeur calculable (trs utilise pour loptimisation des amplificateurs de
rception LNA car ce gain ne dpend que de g)

GA =

Pa _ out
Pa _ gene

= f ( g ;[ S ])

GA = GT pour L = S22*

GA =
S 22

'

(1 g ) S 21
2

2
' 2

1 g S11 (1 S 22 )

S12 S 21g
= S 22 +
1 S11g
70

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance

Gain en Puissance :
Cest une grandeur calculable (trs utilise pour loptimisation des amplificateurs
dmission ou de puissance PA car ce gain ne dpend que de L)

Pdel _ ch arg e
GP =
= f ( g ;[ S ])
Pdel _ in
GP = GT pour g = S11*

GP =

S 21 (1 L )
' 2
11

(1 S

) 1 L S 22

S12 S 21L
S = S11 +
1 S 22 L
'
11

71

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain disponible constant

g < 1
GA = GT pour L = S22*

Zg

[S]

ZL_opt

Lensemble des valeurs de g donnant un gain disponible donn dcrit un cercle

72

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain disponible constant

m7
indep(m7)=51
m7=0.882 / 140.914
gain=10.953352
impedance = Z0 * (0.071 + j0.353)

m6
indep(m6)=48
m6=0.162 / 77.815
gain=6.953352
impedance = Z0 * (1.017 + j0.331)

g < 1

SmGamma1
GaCircle1

m7

m6

cir_pts (0.000 to 51.000)

freq (14.50GHz to 14.50GHz)

73

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant

L < 1
GP = GT pour g = S11*

Zg_opt

[S]

ZL

Lensemble des valeurs de L donnant un gain en puissance donn dcrit un cercle

74

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant

m8
indep(m8)= 51
m8=0.782 / 78.039
gain=10.953352
impedance = Z0 * (0.302 + j1.188)

m5
indep(m5)= 36
m5=0.034 / 177.057
gain=8.453352
impedance = Z0 * (0.935 + j0.003)

m8

SmGamma2
GpCircle1

L < 1
m5

14.5 GHz: K>1, le

gain max peut tre
obtenu la valeur
de 10.95 dB.
cir_pts (0.000 to 51.000)
freq (14.50GHz to 14.50GHz)

75

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant

et cercles de stabilit

L_StabCircle1
GpCircle1

L < 1

cir_pts (0.000 to 51.000)

indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

Le mme transistor 8 GHz: K<1; le gain max ne peut tre atteint

76

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)

Notons que lorsque k>1; le gain maximum peut tre atteint

en plaant des terminaisons particulires Gopt et Lopt
De plus le gain maximal disponible est gal au gain maximal en puissance

Gav_max = Gp_max = MAG

Dans ce cas, il y a simultanment transfert optimal de la puissance
du gnrateur vers lentre du quadriple S11 = Gopt* et transfert optimal
de la sortie du quadriple vers la charge , S22 = Lopt*

77

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)

Pour k>1:

S 21
2
MAG =
( k k 1)
S12

78

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Exercices
Calculer le centre et le rayon des cercles gain disponible constant
pour S12 = 0

Calculons les expressions de Gopt et Lopt en fonction des Sij

79

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?

Lire dans le data sheet , la gamme de frquences dutilisation et les
principales applications
Exemple:

80

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?

Calculer les frquences caractristiques en particulier ft.

ft est la frquence de transition (gain=1 ou 0dB) du gain en courant de courtcircuit |H21|.
Choisir un transistor dans le ft est au moins suprieur ou gal 2 3 x Fampli
(cest--dire au moins 6 10 dB pour le |H21|).
|H21| peut tre calculer partir des paramtres Sij (trouvs dans les data
sheet ou dans les modles CAO (ADS)

81

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

82

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

83

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

A partir des paramtres S, on calcule 10log10(|H21|) que lon trace en fonction
du log de la frquence, on en dduit ft partir dune extrapolation -20 dB /dec
Exemple: ft=35 GHz, fampli < 17.5 GHz
25

dB(h(2,1))

20
15
10

ft=35 GHz

5
0
1E9

1E10

4E10

freq, Hz
84

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?
Il faut vrifier si les caractristiques statiques conviennent par rapport
au cahier des charges

85

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

86

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?
Il faut vrifier le type de botier est compatible avec la technologie envisage

87

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Quel est leur rle ?

Connecter le transistor une source dalimentation continue (gnralement une
source de tension)
Ne pas perturber le fonctionnement haute frquence de lamplificateur ils doivent
tre transparents en HF .
88

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Polarisation des transistors bipolaires: point de vue DC

I_DC
SRC2
Idc=Ic

I_DC
SRC3
Idc=Ib

BIP
BIP2

V_DC
SRC1
Vdc=Vcc V

R
R1
R=R1 Ohm

R
R2
R=R2 Ohm

R
R4
R=RC Ohm

BIP
BIP1

89

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Polarisation des transistors effet de champ: point de vue DC
Montage classique 2 alimentations DC
V_DC
SRC2
Vdc=Vds V

V_DC
SRC1
Vdc=Vgs V

FET
FET1

Montage 1 alimentation DC (auto polarisation)

Ids
Igs = 0

V_DC
SRC1
Vdc=Vds V

L
L1

Vgs = Rs Ids

sp_fuj_FHX30X_19920501
SNP4
R
R1
R=Rs Ohm

Ids

Vgs

90

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Source DC de tension est quivalent un CC en HF

Peut on connecter directement ces

sources pour une application haute
frquence?

Source DC de courant est quivalent un CO en HF

Peut tre raliser avec un dispositif actif

ou une alimentation en tension en srie avec une
rsistance leve.
91

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

VDD

Vgs
IN (HF)

IDS

OUT (HF)

On vient placer une impdance infinie

en // en BF mais en HF ?
On vient placer une impdance
nulle en // en HF. Impossible, il
faut intercaler un circuit
transformateur dimpdance

Rarement utilise
92

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Montage Basse Frquence jusque quelques MHz
I_AC

I_AC

C
L
C3
L1
C=Cbias uF
L=Lchoc uH
R=

I_AC
P_AC
PORT3

C
C1
C=Cin pF

I_AC

V_DC
SRC1
Vdc=Vcc V

I_AC
R
R1
R=R1 Ohm

I_DC I_DC

R
R4
R=RC Ohm

I_AC

I_AC
C
C2
C=Cout pF

I_AC+I_DC

R
R5
R=RL Ohm

BIP R
R
BIP1 R3
R2 _DC _DC
R=R2 Ohm
R=RE Ohm

I_AC
I_DC

I_AC

I_AC

I_AC

I_DC

I_AC
Courants indispensables
au bon fonctionnement

Courants Minimiser au
maximum
93

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Montage Basse Frquence jusque quelques MHz

V_DC
SRC1
Vdc=Vcc V

C
L
C3
L1
C=Cbias uF
L=Lchoc uH
R=

R
R1
R=R1 Ohm

Pont de base: son rle est

dinjecter suffisamment
de courant DC de base, mais
R1//R2 doit rester suffisamment
lev pour limiter le signal AC
remontant vers lalimentation

R
R4
R=RC Ohm

C
C2
C=Cout pF
P_AC
PORT3

C
C1
C=Cin pF

R
R2
R=R2 Ohm

R
R5
R=RL Ohm

BIP R
BIP1 R3
R=RE Ohm

Capacits de liaison: son action est double

bloque le DC vers le gnrateur ou la charge
limite la bande passante pour les basses frquences (Passe Haut)

94

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Montage Basse Frquence jusque quelques MHz
Self-Inductance de choc: son rle est
de limiter le signal AC vers lalimentation;
sa valeur doit tre choisie en fonction de la
frquence AC la plus basse.
V_DC
SRC1
Vdc=Vcc V

C
L
C3
L1
C=Cbias uF
L=Lchoc uH
R=

R
R1
R=R1 Ohm

R
R4
R=RC Ohm

C
C2
C=Cout pF
P_AC
PORT3

C
C1
C=Cin pF

R
R2
R=R2 Ohm

R
R5
R=RL Ohm

BIP R
BIP1 R3
R=RE Ohm

Capacit de dcouplage: son rle est de drainer le courant AC vers la masse

afin quil ne remonte pas vers lalimentation. sa valeur doit tre choisie en
95
fonction de la frquence AC la plus basse.

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

L
L1

C
C1

La polarisation en HF ?
il faut garder les mmes concepts quen BF mais la technologie diffre.
les lments utiliss (inductances, capacits, rsistances, lignes ) ne sont pas
ultra large bande, leur influence est souvent perturbante dans certaines zones du
spectre.
96

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

C
C1

L
L1

C
C1

C
C1

La polarisation en HF ? Cest une association d lments inductifs sries et

capacitifs // dont laction est limite une gamme de frquences restreinte.
les technologies employes sont multiples: elles correspondent aux frquences de
fonctionnement.
lignes haute impdance pour raliser une inductance srie
stub basse impdance pour raliser une capacit //
lignes couples pour raliser une capacit srie
97

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Stub basse impdance (YB , LB)

V_DC
SRC1
Vdc=Vgs V

MRSTUB
Stub1
MLIN
TL1

Gnrateur 50
P_AC
PORT2

ligne haute impdance (YH , LH)

C
C1

sp_fuj_FHX30X_19920501
SNP1

Capacit de liaison
YG vue par le
transistor

Calculons YG quand LB = LH =g/4?

98

III. Les amplificateurs microondes: La dmarche gnrale

Cahier des Charges (type damplificateur,
frquence de fonctionnement, gain, TOS etc)
Choix du transistor
1.3

L_StabCircle1
GpCircle1

StabFact1

1.2

1.1

m1
freq= 5.100GHz
m1=0.906

1.0

m1
0.9
0

10

12

14

16

18

freq, GHz
cir_pts (0.000 to 51.000)
indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

C
C1

Synthse des circuits de polarisation,

dadaptation voire de stabilisation

Optimisation

L
L1

C
C1

C
C1

99

20

III. Les amplificateurs microondes: La dmarche gnrale cas dum

ampli faible bande autour de fo entre f1 et f2

100

III. Les oscillateurs micro-ondes: leur rle

Info

Osc

Osc

Les sources micro-ondes permettent de transposer le signal en haute frquence.

Elles jouent le rle de chef dorchestre pour le systme dmission / rception
La qualit de rcupration des informations (taux derreur) dpend fortement des
caractristiques des sources HF.
Ces caractristiques sont:
la puret spectrale (bruit, taux dharmoniques)
la puissance mise
sa stabilit en amplitude et en frquence
101

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

102

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principaux types de sources microondes

Les oscillateurs frquence fixe (la stabilit dpend du type de rsonateur)

Gnralement il sagit doscillateur micro-onde de rfrence

Les VCO (Voltage Controled Oscillator)

Ils font gnralement partis dun systme boucl (PLL)
Gnrateur micro-onde ( Sweeper )

Les synthtiseurs de frquence

103

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R
Ractif

Diode
d
C
Cactif

L
C
Lresonateur
Cresonateur

R
Rcharge

L
Lcharge

Il faut:
un dispositif actif (diode, transistor, amplificateur) pour gnrer de la puissance
(effet de rsistance ngative)
un dispositif passif rsonant (quartz, bobine/capacit, cavit) pour fixer la
frquence
il faut tenir compte de la charge

104

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R
R a c tif

L
L r e s o n a te u r

D io d e
d

R
R c harg e

C
C r e s o n a te u r

C
C a c tif

L
Lcha rg e

Pulsation doscillation (A dmontrer):

o =

1
Cactif Creso
(
) ( Lreso + Lch arg e )
Cactif + Creso

Les principaux coefficients de qualit:

Qactif =
Qext =

Ractif

1
Cactif o

( Lreso + Lch arg e ) o

Rch arg e

Qext

Creso o
=
Gch arg e

105

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R
R a c tif

L
L r e s o n a te u r

D io d e
d

R
R c harg e

C
C r e s o n a te u r

C
C a c tif

L
Lcha rg e

-Ractif

R1

Xactif

X1

actif

Z1

Zactif

106

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

Condition dOscillation dans le formalisme courant - tension

Ce systme boucl dlivre une oscillation

o si:

i()
-Ractif

R1

Xactif

X1

actif

Z1

Zactif

[Z

actif

( A, o ) + Z1 ( o ) i ( o ) = 0

R1 ( o ) = Ractif ( A, o )
X 1 ( o ) = X actif ( A, o )
avec i ( o ) = TF ( A sin( ot ))
Zactif + Z1 = 0
107

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

bg

a1

Condition dOscillation dans le formalisme dondes

b1

Avec le formalisme des paramtres [S]:

2

-Ractif

R1

Xactif

X1

actif

Z1

Zactif

bg = a1 (1 1actif ) =

bg

a1 = bg + bg 1actif + bg 1 actif + ... =

i()

1 1actif

b1
(1 1actif )
1

b1
1
=
bg (1 1actif )
Ce systme se comportera comme un oscillateur
sil gnre de la puissance mme en absence de
la puissance dun gnrateur bg = 0

donc bg = 0 1 actif = 1

Montrer que cette condition est quivalente Z1 + Zactif = 0

108

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

bg

a1

Condition dOscillation dans le formalisme dondes

b1

1 actif = 1

i()
-Ractif

R1
1 < 1 car cest un diple passif

Xactif

X1

donc

actif > 1 (le diple actif dlivre de la puissance)

1

actif

Z1

Zactif

109

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

La condition doscillation est une notion valable en rgime tabli
Rgime transitoire

[Z

actif

( A, o ) + Z1 ( o ) i ( o ) = 0

R1 ( o ) = Ractif ( A, o )
X 1 ( o ) = X actif ( A, o )
avec i ( o ) = TF ( A sin( ot ))
Limpdance du diple actif Zactif dpend de lamplitude (non linaire)
|Zactif|

110

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

La condition doscillation est une notion valable en rgime tabli
Rgime transitoire
|Zactif|

t
Il est conseill de choisir actif de manire obtenir:

actif 1.2
donc
1 0.8

111

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

Condition doscillation stable
bg

( X 1 + X actif )

b1
i()
-Ractif

R1

Xactif

X1

actif

Z1

Zactif

>0
Lieu dimpdance
lorsque la pulsation
croit

112

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

Comment raliser un diple

rsistance ngative ?
Il faut dstabiliser un composant actif (transistor par exemple)

Utilisation de contre raction ngative

A partir du schma quivalent de base
dun FET calculer limpdance dentre
de ce montage
FET
FET1

C
C1
C=Cs

R
R1
R=RL Ohm

113

III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples

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III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples

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