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Como se puede ver en la entrada del circuito, ahora hay dos resistencia, las
cuales sern de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto es para no
perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de
amplificacin, entre las dos forman un divisor de tensin, por lo cual la tensin
de la compuerta VG tendr un valor positivo.
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
JFET
(VGSQ = 0 V)
VGSQ = 0 v
IDQ = Iss
JFET (RD = 0 )
VGSQ = -IDRS
VD = VDD
VS = IDRS
VDS =VDD - IDRS
CONTACTOS
METALICOS
MATERIAL
AISLANTE
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS =0
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS >0
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS >o
MODULACION DE ANCHURA
DEL CANAL
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
CON VGS PODEMOS MODULAR LA ANCHURA DEL CANAL CON UNA TENSION (+)
PERO DEBE SUPERAR UN DETERMINADO NIVEL DE TENSION VT (TENSION DE THRESHOLD)
VALOR MINIMO DE TENSION PARA QUE EL CANAL EXISTEN PERMITA LA CIRCULACION DE ID
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VDS VDS =VGS - VGD
AL SER VDS > 0
VGS > VGD
Para valores VGS > V T la corriente de drenaje est relacionada a VGS mediante
la siguiente relacin no lineal:
ZONA DE RUPTURA
VGS(TH) = V T
SIMBOLO
CIRCUITO DE POLARIZACION
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
CURVAS CARACTERSTICAS
PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores
JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en
configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0).
En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor.
Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias
dispersiones en este valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual
que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este
valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de
estrangulamiento.
BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre fuente y
drenaje. Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la unin
entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores
mayores de BVGS provocan una conduccin por avalancha de la unin.