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Eg
Eg 10 eV
Eg
=
1.1
eV
(Si)
Eg
=
0.67
eV
(Ge)
Eg = 0
SEMICONDUCTOR INTRINSECO
Energa
4
estados/tomo
Eg=6eV
-
-
-
-
4 electrones/tomo
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
Energa
4 estados/tomo
-
-
-
-
4
electrones/tomo
Banda de conduccin
Banda
de
valencia
ATE-UO Sem 06
Energa
4
estados/tomo
Eg=0,67eV
-
-
-
-
4 electrones/tomo
Banda
de
conduccin
Banda
prohibida
Banda
de
valencia
Banda
de
conduccin
Banda
de
conduccin
Eg
Banda
de
valencia
Semiconductor
Eg=0,5-2eV
Banda
de
valencia
Conductor
No
hay
Eg
ATE-UO Sem 08
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
No
hay
enlaces
covalentes
rotos.
Esto
equivale
a
que
los
electrones
de
la
banda
de
valencia
no
pueden
saltar
a
la
banda
de
conduccin.
ATE-UO Sem 09
Ge
Ge
3
000K
K
- -
Ge
+
Sb
Sb
1 5
Ge
Ge
Ge
Ge
ATE-UO Sem 19
Energa
-
-
+
4
eest./atm.
st./atm.
3
0
eelectr./atm.
lectr./atm.
1
ESb=0,039eV
3000K
K
Eg=0,67eV
-
-
-
-
4
electr./atm.
El
Sb
genera
un
estado
permiIdo
en
la
banda
prohibida,
muy
cerca
de
la
banda
de
conduccin.
La
energa
necesaria
para
alcanzar
la
banda
de
conduccin
se
consigue
a
la
temperatura
ambiente.
ATE-UO Sem 20
Ge
Ge
0K
Ge
Al
3
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
3000K
K
4 (extra)
Ge
-
Al
Al
Ge
Ge
Ge
Ge
A
300K,
todas
las
faltas
de
electrn
de
los
tomos
de
Al
estn
cubiertas
con
un
electrn
procedente
de
un
tomo
de
Ge,
en
el
que
se
genera
un
hueco.
El
Al
es
un
aceptador
y
en
el
Ge
hay
ms
huecos
que
electrones.
Es
un
semiconductor
Ipo
P.
ATE-UO Sem 22
Energa
4
est./atom.
-
-
-
+
-
-
EAl=0,067eV
00K
03K
Eg=0,67eV
4
electr./atom.
3
electr./atom.
0
huecos/atom.
1
hueco/atom.
ATE-UO Sem 23