CAPÍTULO IV - Os Semicondutores em Equilíbrio - Semiconductor Physics and Devices 3rd Ed. - J. Neamen PDF

CAPÍTULO
4
Os Semicondutores
em Equilíbrio
PRÉ-VISUALIZAÇÃO
A té agora, consideramos um cristal geral e aplicamos os conceitos da mecânica

quântica, a fim de determinar algumas das características dos elétrons em uma
estrutura de cristal único. Neste capítulo, vamos aplicar esses conceitos
especificamente a um material semicondutor. Em particular, vamos usar a densidade de
estados quânticos na banda de condução e a densidade de estados quânticos na banda de
valência, juntamente com a função de probabilidade de Fermi-Dirac para determinar a
concentração de elétrons e buracos nas bandas de condução e de valência,
respectivamente. Também vamos aplicar o conceito da energia Fermi ao material
semicondutor.
Este capítulo trata de semicondutores em equilíbrio. Equilíbrio, ou o equilíbrio
térmico, implica que não há forças externas, tais como as tensões, os campos eléctricos,
campos magnéticos, ou gradientes de temperatura estão agindo sobre o semicondutor.
Todas as propriedades do semicondutor serão independentes do tempo neste caso.
Equilíbrio é o nosso ponto de partida para o desenvolvimento da física de
semicondutores. Teremos então ser capaz de determinar as características que resultam
quando os desvios de equilíbrio ocorrer, por exemplo, quando uma voltagem é aplicada
a um dispositivo semicondutor.
Iremos considerar, inicialmente, as propriedades de um semicondutor intrínseco,
que é, um cristal puro, sem átomos de impureza ou defeitos. Veremos que as
propriedades elétricas de um semicondutor podem ser alteradas de forma desejáveis por
adição de quantidades controladas de átomos de impureza específicos, chamado átomos
dopantes, para o cristal. Dependendo do tipo de átomo dopante adicional, o portador de
carga dominante no semicondutor será tanto electrões da banda de condução ou orifícios
na banda de valência. A adição de átomos dopantes altera a distribuição de electrões
entre os estados de energia disponíveis, de modo que a energia de Fermi torna-se uma
função do tipo e concentração de átomos de impureza.
Finalmente, como parte desta discussão, vamos tentar adicionar mais conhecimento
sobre o significado da energia de Fermi.
4.1 | PORTADORES DE CARGA EM SEMICONDUTORES
A taxa de fluxos de carga é atual. Em um semicondutor, dois tipos de portadores de

carga, o elétron eo buraco, pode contribuir para uma corrente. Uma vez que a corrente
de um semicondutor é determinada em grande parte, por o número de electrões da
banda de condução e o número de orifícios no lado de valência, uma característica
importante do semicondutor é a densidade destes portadores de carga. A densidade de
electrões e lacunas estão relacionadas com a densidade de estados de função e a função
de distribuição de Fermi, ambos os quais temos considerado. A discussão qualitativa
dessas relações vai: ser seguida por uma derivação matemática mais rigorosa da
concentração de equilíbrio térmico de elétrons e buracos.
4.1.1 Equilíbrio Distribuição de Elétrons E Buracos

A distribuição (no que diz respeito à energia) de electrões na banda de condução é dada
pela densidade de estados quânticos permitidos vezes a probabilidade de que um estado
é ocupada por um electrão. Esta declaração é escrito em forma de equação como
onde fF(E) é a função de Fermi-Dirac probabilidade e gc(E) é a densidade de estados

quânticos na banda de condução. A concentração total de electrões por unidade de
volume na banda de condução é, então, encontrada por meio da integração A equação
(4.1) ao longo de toda a energia da banda de condução.
Da mesma forma, a distribuição (em relação à energia) de furos na curva de
valência é a densidade de estados de quantum permitidos no lado de valência
multiplicado pela probabilidade de que um estado nem é ocupada por um electrão.
Podemos expressar isso como
A concentração total buraco por unidade de volume é encontrado integrando esta função
ao longo de toda a energia valência-band.
Para encontrar as concentrações de elétrons e buracos equilíbrio térmico,
precisamos determinar a posição da energia Fermi EF, com relação ao fundo da energia
da banda de condução Ec, e na parte superior da energia valência-band Ev. Para resolver
esta questão, vamos inicialmente considerar um semicondutor intrínseco. Um
semicondutor intrínseco ideal é um semicondutor puro, sem átomos de impureza e não
há defeitos de rede do cristal (por exemplo, silício puro). Nós argumentamos no capítulo
anterior que, para um semicondutor intrínseco a T = 0 K, todos os estados de energia na
banda de valência são preenchidos com elétrons e todos os estados de energia na banda
de condução são vazios de elétrons. A energia Fermi deve, portanto, estar em algum
lugar entre Ec e Ev.(A energia Fermi não precisa corresponder a uma energia permitida.)
À medida que a temperatura começa a subir acima de 0 K, os electrões de
valência vai ganhar energia térmica. A poucos elétrons na banda de valência pode
ganhar energia suficiente para saltar para a banda de condução. Como um elétron salta
da banda de valência para a banda de condução, um estado vazio, ou um buraco, é
criado na banda de valência.
Em um semicondutor intrínseco, em seguida, os electrões e os furos são criados
em pares pela energia térmica, de modo que o número de electrões da banda de
condução é igual ao número de orifícios na banda de valência.
Figura 4.1 | (a) Densidade de funções estados, função de probabilidade de Fermi-Dirac,

e áreas que representam as concentrações de elétrons e buracos para o caso em que EF,
está perto da energia midgap; (b) visão expandida perto da energia da banda de
condução; e (c) vista expandida perto da energia da banda de valência.
A Figura 4.la mostra um gráfico da densidade de estados funcionais na banda de

condução gc(E), a densidade de estados de funcionar na banda de valência gv(E), e a
função de probabilidade de Fermi-Dirdc para T > 0 K quando EF é aproximadamente a
meio caminho entre Ec e Ev, Se partirmos do princípio, para o momento, que os elétrons
e buracos eficaz massas são iguais, então gc(E) e gv(E) são funções simétricas sobre a
energia midgap (a meio caminho de energia entre Ec e Ev). Observamos anteriormente
que a função, fF(E) para E > EF é simétrica para a função 1 - fF(E) para E < EF sobre a
energia E = EF. Isto também significa que a função fF (E) para E = EF + dE é igual à
função. 1 - fF(E) para E = EF - dE.
A Figura 4.1b é uma visão ampliada da trama na Figura 4.la mostrando fF(E) e
gc(E) acima da banda de condução de energia Ec. O produto de gc(E) e fF(E) é a
distribuição de electrões n(E) na banda de condução dada pela Equação (4.1). Este
produto está representada na Figura 4.la. A Figura 4.lc é uma visão ampliada da trama
na Figura 4.la mostrando [1 - fF(E)] e gv(E) abaixo da energia banda de valência Ev. O
produto de gv(E) e [l - fF(E)] é a distribuição de furos p(E) na banda de valência dada
pela Equação (4.2). Este produto também está representada graficamente na Figura 4. la.
As áreas sob as curvas são, então, a densidade total de elétrons na banda de condução e
a densidade total de buracos na banda de valência.
Daí se vê que, se gc(E) e gv(E) são simétricas, a energia Fermi deve estar na
energia midgap, a fim de obter concentrações iguais de elétrons e buracos. Se as massas
eficazes do electrão e buracos não são exatamente iguais, então a densidade efetiva de
funções estados gc(E) e gv(E) não será exatamente simétrica sobre a energia midgap. O
nível de Fermi para o semicondutor intrínseco vai então deslocar ligeiramente a partir
da energia midgap, a fim de obter concentrações iguais de electrões e buracos.
4.1.2 As Equações n0 e p0
Argumentamos que a energia de Fermi para um semicondutor intrínseco está perto
midgap. Ao determinarem as equações para a concentração, o equilíbrio térmico dos
elétrons n0 ea concentração de equilíbrio térmico de buracos p0, não vamos ser tão
restritivo. Veremos mais tarde que, em determinadas situações, a energia de Fermi pode
desviar-se desta energia midgap. Vamos supor inicialmente, no entanto, que o nível de
Fermi permanece dentro da energia da banda proibida.
A equação para a concentração de equilíbrio térmico de electrões pode ser
encontrado através da integração da equação (4.1) através da banda de condução de
energia, ou
O limite inferior de integração é Ec, e o limite superior da integração deve ser o topo da
energia da banda de condução permitida. No entanto, uma vez que a probabilidade da
função Fermi rapidamente se aproxima de zero com o aumento da energia, como
indicado na figura 4.la, podemos tomar o limite superior de integração a ser infinito.
Estamos assumindo que a energia de Fermi está dentro da zona proibida de
energia bandgap Para os elétrons na banda de condução, temos E > Ec. Se (Ec - EF) >>
kT, em seguida (E - EF) >> kT, de modo que a função de probabilidade de Fermi reduz
a aproximação de Boltzman,1 que é
________
1
As funções de distribuição de Maxwell-Boltzrmann e Fermi-Dirac estão dentro de 5 por cento do outro
quando E - EF =/ 3kT (veja a Figura 3.33). O >> notação é, então, um pouco enganador para indicar
quando a aproximação Boltzrmann é válida, embora seja comumente usado.
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Aplicando a aproximação de Boltzmann a equação (4.3), a densidade de equilíbrio
O integrante da equação (4.5) pode ser resolvido mais facilmente fazendo uma
mudança de variável. Se deixarmos
em seguida, a equação (4.5) se torna:
A integral é a função gama, com um valor de:
Em seguida, a equação (4.7) se torna:
Podemos definir um parâmetro como Nc:
de modo que a concentração de elétrons em equilíbrio térmico na banda de condução

pode ser escrito como:
O parâmetro Nc é chamado função densidade efetiva dos Estados na banda de

condução. Se fôssemos supor que mn*= m0, então o valor da função densidade efetiva
dos estados em T = 300k é Nc = 2.5x1019cm-3, que é a ordem de grandeza de Nc para a
maioria dos semicondutores. Se a massa efetiva dos elétrons é maior ou menor do que
m0, em seguida, o valor da função densidade efetiva dos Estados se altera conforme a
variação sofrida pela massa, mas ainda é a mesma ordem de grandeza.
Exemplo 4.1 | Objetivo
Calcule a probabilidade de que um estado na banda de condução é ocupado por um

elétron e calcular a concentração de elétrons equilíbrio térmico em silício a T = 300k.
Assumindo que a energia de Fermi é 0.25eV abaixo da banda de condução. O
valor de Nc para o silício em T = 300K é Nc = 2.8x1019cm-3.
 Solução
A probabilidade de que um estado de energia de E = Ec seja ocupada por elétrons é

dada por
ou
A concentração de elétrons é dada por
ou
 Comentário
A probabilidade de um estado ser ocupado pode ser bastante pequena, mas o fato de que
há um grande número de estados significa que a concentração elétrons é um valor
razoável.
A concentração de equilíbrio térmico de orifícios na banda de valência é

encontrada através da integração da equação (4.2) sobre a energia da banda de valência,
ou:
Podemos notar que:
Para os estados de energia na banda de valência, E < Ev. Se (Ef-Ev) >> kT (a função de
Fermi ainda é considerado dentro da banda proibida), em seguida, temos uma forma
ligeiramente diferente da aproximação de Boltzmann. Equação (4.13a) pode ser escrita
como:
Aplicando a aproximação de Boltzmann da equação (4.13b) à equação (4.12),

encontramos a concentração de equilíbrio térmico de buracos na banda de valência é:
em que o limite inferior de integração é tomado como infinito negativo, em vez da parte
inferior da banda de valência. O termo exponencial decai rápido o suficiente para que
esta aproximação seja válida.
A equação (4.14) pode ser resolvida mais facilmente novamente fazendo uma
mudança de variável. Se deixarmos:
Então a equação (4.14) se torna:
onde o sinal negativo vem do diferencial dE=-kTdn'. Note-se que o limite inferior de n'
tornar-se quando E = . Se mudarmos a ordem de integração, nós
introduzimos outro sinal de menos. A partir da Equação (4.8). A equação (4.16) se
torna:
Podemos definir um parâmetro como Nv:
o qual é chamado a função densidade efetiva dos Estados na banda de valência. A

concentração de equilíbrio térmico de orifícios na banda de valência pode agora ser
escrita como:
A magnitude de Nv também é da ordem de 1019cm-3, a T = 300 K para a maioria dos

semicondutores.
Calcular a concentração de furos em equilíbrio térmico no silício a T = 400K.

Suponha que a energia de Fermi é 0.27eV acima da energia da banda de
valência. O valor de Nv para silício a T = 300K é Nv = 1.04x1019cm-3.
 Solução
Os valores de parâmetros em T = 400K são encontrados como:
a concentração de furos é então
ou
 Comentário
Os valores dos parâmetros a qualquer temperatura pode ser facilmente encontrado

usando os valores de 300K e a dependência da temperatura.
A densidade efetiva dos estados de funções, Nc e Nv, são constantes para um

determinado material semicondutor em uma temperatura fixada. A tabela 4.1, mostra os
valores da densidades dos estados de função e as massas efetivas do silício, arsenato de
gálio e germânio. Note que o valor de Nc para o arsenato de gálio é menor do que o
valor típico 10^19 cm^-3. Esta diferença é devido a pequena massa efetiva do elétron no
arsenato de gálio.
As concentrações de equilíbrio térmico de elétrons na banda de condução e de
buracos na banda de valência estão diretamente relacionados a densidade efetiva de
estados constantes e do nível de energia de Fermi.
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TESTE SUA COMPREENSÃO
E4.1: Calcular o equilíbrio térmico do elétron e a concentração de buracos no silício

para T=300K para o caso em que o nível da energia de Fermi é 0,22 eV, abaixo da
banda de condução de energia Ec. O valor de Eg é dado no apêndice B.4.
E4.2: Determine o equilíbrio térmico do elétron e a concentração de buracos no GaAs

em T=300 K para o caso quando o nível de energia de Fermi é 0,30 eV acima da energia
da banda de valência Ev. O valor de Eg é dado no apêndice B.4.
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4.1.3 A Concentração De Portadores Intrínsecos
Para um semicondutor intrínseco, a concentração de elétrons na banda de condução é

igual a concentração de buracos na banda de valência. Nós podemos denotar Ni e Pi
como as concentrações de elétrons e buracos, respectivamente, em um semicondutor
intrínseco. Estes parâmetros são usualmente referidos como a concentração intrínseca
do elétron e concentração intrínseca do buraco. Como as concentrações de elétrons e
buracos, respectivamente, em um semicondutor intrínseco. Estes parâmetros são
usualmente referidos como a concentração intrínseca do elétron e concentração
intrínseca do buraco. Contudo, Ni = Pi, então normalmente nós simplificamos usando o
parâmetro Ni como uma concentração de portador intrínseco, que se refere ou a
concentração de de elétrons intrínsecos ou a concentração de buracos.
Tabela 4.1| Densidade efetiva de estados de função e valores de massa efetiva
O nível de energia de Fermi para os semicondutores intrínsecos é chamado de

energia de Fermi intrínseco, ou Ef=Efi. Se nós aplicarmos as equações (4.11) e (4.19)
para o semicondutor intrínseco, então nós podemos escrever
e
se pegarmos o produto das equações (4.20) e (4.21), nós obtemos
ou
onde Eg é a energia de banda proibida. Para obter um material semicondutor numa

temperatura constante, o valor de Ni é uma constante, e independente da energia de
Fermi.
A concentração do portador intrínseco para o silício em T=300 K pode ser
calculada pelo uso da densidade efetiva dos valores da função de estados na tabela 4.1.
O valor comumente aceito de Ni para o silício em T=300 K é aproximadamente
1,5x10^10 cm^-3. Esta discrepância pode surgir por diversas fontes. Primeiro, os
valores das massas efetivas são determinados numa baixa temperatura onde as
experiências de ressonância cyclotron são realizadas. Uma vez que a massa efetiva é um
parâmetro determinado experimentalmente, e uma vez que a massa efetiva é uma
medida do quão bem uma partícula se movimenta em um cristal, este parâmetro pode
ser uma leve função da temperatura. A densidade dos estados de função para um
semicondutor são obtidos por uma generalização do modelo de um elétron em um
potencial infinito tridimensional. Esta função teórica pode não concordar exatamente
com a experiência. Contudo, a diferença entre o valor teórico e o valor experimental de
Ni é aproximadamente um fator de 2, que, em muitos casos, não é significante. A tabela
4.2 lista os valores comumente aceitos de Ni para o silício, arsenato de gálio e germânio
em T=300 K.
Tabela 4.2| Valores comumente aceitos de Ni em T=300 K.
A concentração dos portadores intrínsecos é muito forte em função da temperatura.

________
2
Várias referências podem listar valores ligeiramente diferentes da concentração de silício intrínseca à
temperatura ambiente. Em geral, eles são todos entre 1x10^10 e 1,5x10^10 cm^-3. Esta diferença é, em
muitos casos, não significante.
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Para calcular a concentração de portador intrínseco no arsenato de gálio em T=300 K e

em T=450 K.
Os valores de Ne e Nv em 300K para o arsenato de gálio são 4,7x10^17 cm^3 e
7,0x10^18 cm^-3, respectivamente. Tanto Ne e Nv variam conforme T^3/2. Assume-se
que a energia de banda proibida do arsenato de gálio é 1,42 eV e não varia com a
temperatura dentro deste intervalo. O valor de kT em 450 K é
 Solução
Usando a equação (4.23), nós encontramos para T=300 K
de modo que
em T = 450 K, nós encontramos
de modo que
 Comentário
Podemos observar a partir deste exemplo que a concentração dos portadores intrínsecos
aumentou mais de quatro ordens de grandeza e que a temperatura aumentou de 150 °C.
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A figura 4.2 é um gráfico de Ni da equação (4.23) para o silício, arsenato de gálio e

germânio em função da temperatura. Como pode ser visto na figura, o valor de Ni para
estes semicondutores pode muito facilmente ao longo de várias ordens de grandeza ter
mudanças de temperatura ao longo de um intervalo razoável.
Figura 4.2 | Concentração intrínseca de portadores de condução do Ge, Si e GaAs como
uma função da temperatura.
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E4.3: Encontrar a concentração de portadores de cargas no silício a (a) T=200K e (b)

T=400K
E4.4: Repetir o mesmo exercício para o GaAs
E4.5: Repetir o mesmo exercício para o Ge

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4.1.4 A Posição Intrínseca De Nível Fermi
Temos qualitativamente argumentos para afirmar que a energia de Fermi está localizada
perto do centro da banda proibida (GAP) para o semicondutor conduzir. Podemos
especificamente calcular a posição da energia de Fermi. Uma vez que as concentrações
de elétrons e buracos são iguais, Equações de ajuste (4,20) e (4,21) iguais entre si,
temos:
Se tomarmos o log natural de ambos os lados desta equação e resolver para EFi,
obtemos:
A partir das definições para Nc e N0 dadas pelas equações (4.10) e (4.18),

respectivamente Equação (4.25) pode ser escrita como:
O primeiro termo, 1/2 (Ec + Ev), é a energia a meio caminho exatamente entre Ec e Ev,
ou a energia média do GAP. Podemos definir:
Assim :
Se a quantidade de elétrons e buracos são iguais para que mp* = mn*, então a energia
intrínseca de Fermi é exatamente no centro do GAP. Se mp *> mn *, a energia
intrínseca de Fermi é um pouco acima do centro, e se mp * <mn *, é um pouco abaixo
do centro do GAP. A função densidade de estados está diretamente relacionada com o
transporte de massa efetiva; assim uma massa efetiva maior significa uma maior
densidade de estados. A energia intrínseca de Fermi deve se afastar da banda com a
maior densidade de estados, a fim de manter o mesmo número de elétrons e buracos.
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Para calcular a posição do nível de Fermi em relação ao centro da banda proibida no

silício a T = 300K.
A densidade dos portadores eficazes no silício são mn = 1.08m0 e mp = 0,56m0
 Solução
O nível de Fermi em relação ao centro da banda proibida é:
ou
 Comentário
O nível de Fermi em silício é 12,8 meV abaixo da energia da banda proibida. Se
compararmos 12,8 meV a 560 meV, que é a metade da energia da banda proibida do
silício, em muitas aplicações, basta aproximar o nível de Fermi para estar no centro da
banda proibida.
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E4.6: Determine a posição do nível Fermi com respeito ao centro da banda proibida no
GaAs a T=300K.
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4.2 |DOPAMENTO DE ÁTOMOS E OS NÍVEIS DE

ENERGIA
O semicondutor pode ser um material interessante, mas o poder real de semicondutores

é realizado por adição de quantidades pequenas, controladas de dopante específico, ou
impureza. Este processo de dopagem, brevemente descrito no capítulo 1, pode alterar
muito as características elétricas do semicondutor. O semicondutor dopado, é a principal
razão de nós podermos fabricar os vários dispositivos semicondutores que
consideraremos em capítulos posteriores.
4.2.1 Descrição Qualitativa

No capítulo 3, discutimos a ligação covalente de silício e considerando a simples
representação bidimensional do reticulado de silício de cristal único como mostrado na
figura 4.3. Agora consideraremos adicionando um elemento do grupo 5 (com cinco
elétrons de valência). Quatro destes irá contribuir para a ligação covalente com os
átomos de silício, deixando o quinto mais fracamente ligado ao átomo de fósforo. Este
efeito é mostrado esquematicamente na figura 4.4. Referimo-nos ao quinto elétron de
valência como um elétron doador.
Figura 4.3 | Representação Figura 4.4 | Representação

bidimensional do reticulado de silício bidimensional do reticulado de silício
intrínseco. dopado com um átomo de fósforo.
O átomo de fósforo, sendo o doador de elétrons é carregado positivamente. Em

temperaturas muito baixas, o doador de elétrons é ligado ao átomo de fósforo. No
entanto, por intuição, que deve parecer evidente que a energia necessária para elevar o
doador de elétrons na banda de condução é consideravelmente menor do que para os
elétrons envolvidos na ligação covalente.
A figura 4.5 mostra o diagrama de banda de energia que seria de se esperar. O
nível de energia, Ed, é o estado de energia do elétron doador.
Se uma pequena quantidade de energia, tais como energia térmica, é adicionada
ao doador de elétrons, que pode ser elevado para a banda de condução, deixando para
trás um íon de fósforo de carga positiva. O elétron na banda de conduções, pode agora
mover-se através da geração de uma corrente no cristal, enquanto o íon carregado
positivamente é fixado no cristal. Este tipo de átomo de impureza doa um elétron para a
banda de condução e por isso é chamado de átomo doador de impureza. Os átomos de
doador de impureza adicionam elétrons para a banda de condução sem criar buracos na
banda de valência. O material resultante é referido como um semicondutor do tipo n (n
para o elétron carregado negativamente).
Agora, considere a adição de um elemento do grupo 3, tal como o boro, como
uma impureza de substituição de silício. O elemento grupo 3 tem três elétrons de
valência, que são todos retomados na ligação covalente.
Figura 4.5 | O diagrama de energia à mão mostra (a) o estado de energia doador
discreto e (b) o efeito de um estado doador a ser ionizado.
Figura 4.6 | Representação bidimensional de uma estrutura de silício (a) dopado com
um átomo de boro e (b) mostrando a ionização do átomo de boro, resultando num
buraco.
Figura 4.7 | Mostrando o diagrama de banda energia (a) o estado de energia discreto
aceitante e (b) o efeito de um aceitador de estado a ser ionizado.
Como mostrado na Figura 4.6a, uma posição de ligação covalente parece estar
vazio, se um elétron ocupar essa posição, sua energia teria que ser maior do que o dos
elétrons de valência, uma vez que o estado de carga líquida do átomo de boro agora
seria negativo. No entanto, o elétron ocupando esta posição "vazia" não tem energia
suficiente para estar na banda de condução, de modo que sua energia é muito menor do
que a energia da banda de condução. A figura 4.6b mostra como elétrons de valência
podem ganhar uma pequena quantidade de energia térmica e mover-se no cristal. A
posição "vazia" associada ao átomo de boro torna-se ocupada, e outras posições de
elétrons de valência se tornam desocupadas. Estas outras posições desocupadas por
electrons podem ser pensados como furos no material semicondutor.
Figura 4.7 mostra o estado de energia esperado da posição "vazia" e também a
formação de um buraco na banda de valência. O papel pode mover-se através da
geração de uma corrente de cristal, enquanto que o átomo de boro está carregado
negativamente fixado no cristal. O átomo de grupo 3 aceita um electro n da banda de
valência e por isso é referido como um átomo aceitador de impureza. O átomo receptor
pode gerar buracos na banda de valência sem gerar elétrons em banda de condução.este
tipo de material semicondutor, é referida como um material do tipo p (p para o buraco
carregado positivamente).
O material semicondutor de cristal único puro é chamado um material intrínseco.
Adição de quantidades controladas de átomos dopantes, quer doadores ou aceitadores,
cria um material chamado um semicondutor extrínseco. Um semicondutor extrínseco ou
terá uma preponderância de eletrons (tipo n) ou uma preponderância de orifícios (tipo
p).
4.2.2 Energia de ionização

Pode-se calcular a distância aproximada do doador de eletrons a partir do doador
de íons de impureza, e também a energia aproximada necessária para elevar o doador de
electrons na banda de condução. Esta energia é referida como a energia de ionização. A
justificativa para a utilização deste modelo é que a distância mais provável de um
eletron a partir do núcleo de um átomo de hidrogénio, determinada a partir de mecânica
quântica, é o mesmo que o raio de Bohr. Os níveis de energia do átomo de hidrogénio,
determinados pela mecânica quântica, também são os mesmos tal como obtido a partir
da teoria Bohr.
No caso do átomo doador de impureza, podemos visualizar o doador de eletrons
em órbita ao doador de ions, que é incorporado no material semicondutor. Teremos que
usar a permitividade do material semicondutor nos calculos em vez da permissividade
do vácuo, como é utilizado no caso do átomo de hidrogénio. Vamos todos usar a massa
efetiva do elétron nos cálculos.
A análise começa por definir a força de Coulomb de atração entre o elétron e o
íon igual a força centrípeta do electron que o orbita. Esta condição nos da uma orbita
estável. Temos
(4.27)
Em que v é a magnitude da velocidade e rn é o raio da órbita.se assumirmos que o

momento angular também é quantificado, então podemos escrever.
(4.28)
Onde n é um número inteiro positivo, resolvendo para v a partir da equação (4.28),

substituindo na equação (4.27), e resolvendo para o raio, obtemos.
(4.29)
O pressuposto de que o momento angular pode ser quantizado conduz para que o raio
também possa ser quantizado
O raio de Bohr é definido como
(4.30)
Podemos normalizar o raio do orbital doador para o do raio de Borh, que da
(4.31)
Onde Єr é a constante dielétrica relativa do material semicondutor, m0 é a massa em

repouso de um electrão, e m* representa a condutividade da massa eficaz do elettron do
semicondutor.
Se levarmos em conta o estado de mais baixa energia, em que E = 11,7 e a
massa efetiva condutividade é m* / mo = 0,26, segue que
(4.32)
ou r1 = 23.9 Å. Este raio corresponde a aproximadamente quatro estruturas constantes

de silício. Recordamos que uma célula unitária de silício contém, efetivamente, oito
átomos, de modo que o raio do eletron doador orbitando, engloba diversos átomos de
silício. O eletron doador não está fortemente ligado ao átomo doador.
A energia total do elétron que orbita é dada por
(4.33)
em que T é a energia cinética e V é a energia potencial do elétron. a energia cinética é
(4.34)
Utilizando a velocidade v a partir da equação (4.28) e o raio Rn partir da equação

(4.29),a energia cinética torna-se
(4.35)
A energia potencial é
(4.36)
A energia total é a soma das energias cinéticas e potenciais, de modo que a

energia total é a soma das energias cinéticas e potenciais, de modo que
(4.37)
Para o átomo de hidrogênio, m* = m0 e E=Eo.a energia de ionização do átomo de

hidrogênio no estado de menor energia é então E = -13,6 eV. se considerarmos silício, a
energia de ionização é E = -25,8 MeV, muito menor do que a energia da banda proibida
do silício. Essa energia é a energia aproximada de ionização do átomo doador, ou a
energia necessária para elevar o doador de eletrons na banda de condução.
Para impurezas doadoras comuns tal como fósforo ou arsénico em silício ou
germânio, este modelo hidrogenóide funciona muito bem e dá alguma indicação das
magnitudes das energias de ionização envolvidas. Tabela 4.3 lista as energias de
ionização medidas experimentalmente reais para algumas impurezas no silício e
germânio. Germânio e silício têm diferentes constantes dielétricas relativas e massas
eficazes; assim, esperamos que as energias de ionização sejam diferentes.
4.2.3 Grupos III-V Semicondutores

Nas seções anteriores, temos discutido sobre as impurezas doador e receptor em um
grupo IV de semicondutores, como o silício. a situação do grupo III-V.
Tabela 4.3| Energias de ionização de impurezas em silício e germânio

Tabela 4.4| Energias de Ionização de impurezas em arseneto de gálio
Compostos semicondutores, tais como arseneto de galio, é mais complicado. Os grupos

de elementos como o: zinco e cadmio podem ser inseridos como rede de impureza
substitucional, fazendo o elemento gálio do grupo III tornar-se um receptor de
impurezas. Igualmente, os elementos do grupo VI, selênio e o telúrio, podem ser
inseridos como rede de impureza substitucional, substituindo o grupo V elemento
arsênio tornando-o doador de impurezas.
As energias de ionização dessas impurezas são tão pequenas quantos as
impurezas do silício. A energia de ionização para doadores no arseneto de galio são
também tão pequenas quanto as energias de ionização dos receptores, por conta da
massa efetiva do elétron comparada com a do buraco.
O grupo IV, elementos como silício e germânio, também podem ser átomos de
impureza no arseneto de gálio. Se o átomo de silício substituir o de gálio, a impureza do
silício agirá como doadora, mas, se o silício for substituído por átomos de arsênio, essa
impureza agirá como receptora. Isso também vale para átomos de impureza como o
germânio. Cada impureza é chamada de anfótero (possuem característica tanto de ácido
como de base). Experimentalmente, o arseneto de gálio, é encontrado que o germânio é
predominantemente um Receptor e o silício é um doador. A tabela 4.4 mostra as várias
energias de ionização para as impurezas no arseneto de gálio.
______________________________________________________________________
E.47: Calcule o raio (normalizado para o raio de Bohr) de um elétron doador no

estado de energia mais baixo no GaAs (Resposta: 195,5)
______________________________________________________________________
4.3 | OS SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS
Nós definimos os semicondutores intrínsecos como um material sem nenhum átomo de

impureza no cristal. Um semicondutor extrínseco é definido como um semicondutor que
possui quantidades controladas de átomos dopantes ou impurezas específicas
adicionadas assim que o equilíbrio térmico dos elétrons e os buracos de concentração
sejam diferentes dos portadores intrínsecos. Um tipo de portador será predominante no
semicondutor extrínseco.
4.3.1 Equilíbrio de Distribuição de Elétrons e Buracos
Adicionar átomos impurezas doadoras ou receptoras em um semicondutor, mudará a

distribuição de elétrons e buracos no material. Ainda que a energia de Fermi esteja
relacionada com a função de distribuição, a cada átomo dopante adicionado, a energia
de Fermi mudará. Se a energia de Fermi for mudada perto de meio valor da energia do
gap, a densidade de elétrons na banda de condução e a densidade de buracos na banda
de valência serão modificadas. Esses efeitos são mostrados nas figuras 4.8 e 4.9. Figura
4.8 mostra o caso de 𝐸𝐹 > 𝐸𝐹𝑖 e a figura 4.9 mostra o caso para 𝐸𝐹 < 𝐸𝐹𝑖 . Quando
𝐸𝐹 > 𝐸𝐹𝑖 , a concentração de elétrons é mais larga que a concentração de buracos, e
quando 𝐸𝐹 < 𝐸𝐹𝑖 , a concentração de buracos é mais larga que a concentração de
elétrons.
Figura 4.8| Densidade de funções de Figura 4.9| Funções densidade de

estado. Fermi-Dirac função de Estado, Fermi-Dirac função
probabilidade, e áreas representando probabilidade, e áreas representando
elétron e buracos de concentração para elétron e concentração de buracos para
o caso quando Ef acima da energia de o caso quando Ef abaixo da energia de
Fermi intrínseca. Fermi intrínseca.
Quando a densidade de elétrons for muito maior que a densidade de buracos, o

semicondutor é do tipo n; átomo de impurezas do tipo doador tem de serem adicionadas.
Quando a densidade de buracos for muito maior que a densidade de elétrons, o
semicondutor é do tipo p; átomo de impureza do tipo receptor tem de serem
adicionadas. O nível de energia de Fermi em um semicondutor mudam à medida em que
as concentrações de elétrons e de buracos mudam e, novamente, a energia de Fermi é
modificada quando impurezas doadoras ou receptoras são adicionadas. A mudança no
nível de Fermi como a função de concentração de impureza, serão consideradas na
seção 4.6.
As expressões anteriormente derivadas para o equilíbrio térmico de concentração
de elétrons e buracos, dadas pelas expressões (4.11) e (4.19) são equações gerais para
𝑛0 e 𝑝0 em termos da energia de Fermi. Essas equações podem ser expressas por
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 )
𝑛0 = 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ]
𝑘𝑇
e
−(𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 )
𝑝0 = 𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝 [ ]
𝑘𝑇
Como foi discutida, a energia de Fermi deve variar de acordo com a energia do gap, que
mudarão os valores de 𝑛0 e 𝑝0 .
______________________________________________________________________
Calcular o equilíbrio térmico de concentrações de elétrons para uma dada energia de

Fermi.
Considere o silício a 𝑇 = 300𝐾, e 𝑁𝑐 = 2,8.1019 𝑐𝑚−3 e 𝑁𝑣 = 1,04.1019 𝑐𝑚−3.
Assumindo que a energia de Fermi é 0,25 𝑒𝑉 abaixo da banda de condução. Se nós
assumirmos que a energia de banda de gap do silício é de 1,12 𝑒𝑉, e que a energia de
Fermi será 0,87 𝑒𝑉 abaixo da banda de valência.
∎Solução
Usando a equação (4.11), nós temos
−0,25
𝑛0 = (2,8.1019 )𝑒𝑥𝑝 [ ] = 1,8.10−15 𝑐𝑚−3
0,0259
Da equação (4.19), podemos escrever
−0,87
𝑝0 = (1,04.1019 )𝑒𝑥𝑝 [ ] = 2,7.104 𝑐𝑚−3
0,0259
∎Comentário
A mudança no nível de Fermi é na realidade uma função de doador ou de receptor de

impurezas que são adicionadas no semicondutor. Contudo, este exemplo mostra que o
elétron e a concentração de buracos mudam de acordo com a magnitude do portador
intrínseco como a energia de Fermi muda com alguns décimos de elétron-volt.
______________________________________________________________________
Neste exemplo, desde que 𝑛0 > 𝑝0 , o semicondutor é do tipo n. Neste tipo de

semicondutor, são referidos como a maioria e os buracos como a minoria. Em
comparação relativa entre os valores de 𝑛0 e 𝑝0 no exemplo, é fácil ver motivo dessa
denominação. Igualmente, para o semicondutor do tipo p, onde 𝑝0 > 𝑛0 , buracos
possuem maiores portadores e elétrons menos portadores.
Disso, nós derivamos outra forma para as equações para o equilíbrio térmico de
concentrações de elétrons e buracos. Se somarmos e subtrairmos a energia intrínseca de
Fermi a exponencial da equação (4.11), podemos escrevê-la
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹𝑖 ) + (𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 )

𝑛0 = 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟑𝟖𝐚)
𝑘𝑇
ou
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹𝑖 )) (𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 ))
𝑛0 = 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ] 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟑𝟖𝒃)
𝑘𝑇 𝑘𝑇
O portador intrínseco é dado pela equação (4.20)
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹𝑖 )
𝑛𝑖 = 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ]
𝑘𝑇
Assim a equação para o equilíbrio térmico, pode ser escrita como
−(𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 )
𝑛0 = 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟑𝟗)
𝑘𝑇
Igualmente, se somarmos e subtrairmos uma intrínseca energia de Fermi na exponencial

da equação (4.19) obtemos
−(𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 )
𝑝0 = 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟒𝟎)
𝑘𝑇
Como veremos, o nível da energia de Fermi muda quando os doadores e

receptores são adicionados, mas as equações (4.39) e (4.40) mostram que, como os
níveis de energia mudam de um nível intrínseco de Fermi, 𝑛0 e 𝑝0 de acordo com o
valor de 𝑛𝑖 . Se 𝐸𝐹 > 𝐸𝐹𝑖 , então nós teremos 𝑛0 > 𝑛𝑖 e 𝑝0 < 𝑛𝑖 . Uma característica do
semicondutor do tipo n é que 𝐸𝐹 > 𝐸𝐹𝑖 sempre que 𝑛0 > 𝑝0 . Para semicondutores do
tipo p, 𝐸𝐹 < 𝐸𝐹𝑖 , assim que 𝑝0 > 𝑛𝑖 e 𝑛0 < 𝑛𝑖 ; assim 𝑝0 > 𝑛0 .
Nós podemos ver a dependência de 𝑛0 e 𝑝0 com 𝐸𝑅 na figura 4.8 e 4.9. Como a
energia está acima de 𝐸𝐹 ou abaixo de 𝐸𝐹𝑖 , a superposição das funções de probabilidade
com a função densidade de estados na banda de condução e na banda de valência
modificadas. Como 𝐸𝐹 move abaixo da 𝐸𝐹𝑖 , a função de probabilidade na banda de
condução aumenta, enquanto a probabilidade, 1 – 𝑓𝐹 (𝐸), do estado vazio (buraco) na
banda de valência diminui. Se 𝐸𝐹 move abaixo de 𝐸𝐹𝑖 , o oposto ocorre.
4.3.2 O Produto de 𝒏𝟎 𝒑𝟎
Multiplicando as expressões de 𝑛0 por 𝑝0 dadas pelas expressões (4.11) e (4.19),

respectivamente. Resulta em
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 ) −(𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 )
𝑝0 𝑛0 = 𝑁𝑣 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ] 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟒𝟏)
𝑘𝑇 𝑘𝑇
Que pode ser escrito como

−𝐸𝑔
𝑝0 𝑛0 = 𝑁𝑣 𝑁𝑐 𝑒𝑥𝑝 [ ] (𝟒. 𝟒𝟐)
𝑘𝑇
A equação (4.42) foi derivada para o valor geral da energia de Fermi, os valores de 𝑛0 e
𝑝0 não são necessariamente iguais. Contudo, a equação (4.42) é exatamente o mesmo da
equação (4.43), que veio do caso para um semicondutor intrínseco.
Temos então que, para o semicondutor em equilíbrio térmico
A equação (4.43) indica que o produto de n0 e p0 é sempre uma constante para

um dado material de semicondutor a uma dada temperatura. Embora esta equação
pareça muito simples, é um dos princípios fundamentais de semicondutores em
equilíbrio térmico. A importância dessa relação se tornará mais evidente nos capítulos
que a frente. É importante ter em mente que a equação (4.43) foi calculado utilizando a
aproximação de Boltzmann. Se a aproximação de Boltzmann não for válida, então, do
mesmo modo, a equação (4.43) não é válida.
Um semicondutor extrínseco em equilíbrio térmico ,não tem a rigor que conter
uma concentração de portadores intrínseca, embora alguns portadores (gerados
termicamente) estão presentes. As concentrações de elétrons e buracos transportadores
intrínsecos são modificados pelo doador ou aceitador de impurezas. No entanto,
podemos pensar no ni a concentração intrínseca na equação (4.43) simplesmente como
um parâmetro do material semicondutor.
*4.3.3 A integral de Fermi-Dirac

Na derivação das equações (4.11) e (4.19) para as concentrações de elétrons e buracos
em equilíbrio térmico, assumimos a aproximação Boltzmann como válido. Se a
aproximação de Boltzmann não se sustenta, a concentração de elétrons equilíbrio
térmico é escrito a partir da equação (4.3)
Se voltamos a fazer uma mudança de variável
E também definir
Então, podemos reescrever a equação (4.44) como

A integral é definida por
Figura 4.10 | O Fermi-Dirac integral F1/2 a partir da energia de Fermi.
Esta função, chamada de Fermi-Dirac integral, é uma função tabulada com nf variável.
Figura 4.10 é um gráfico da Fermi-Dirac integral. Observe que, se nf> 0, então Ef> Ec;
assim, a energia Fermi esta realmente na banda de condução.
______________________________________________________________________
Calcular a concentração de elétrons utilizando a integral Fermi-Dirac.

Deixe nF = 2, de modo que a energia de Fermi está acima da banda de condução
por aproximadamente 52 meV e T = 300 K;
∎Solução
A equação (4.46) pode ser escrita como
Para o silício a 300K, Nc = 2,8x1019 cm ³ e, a partir da Figura 4.10, o integrante de

Fermi tem um valor de F1 / 2 (2) = 2,3. Em seguida
∎Comentário
Observe que se nós tivéssemos usado a Equação (4.11), o valor de equilíbrio térmico de
𝑛0 seria 𝑛0 = 2.08𝑥1020 𝑐𝑚−3, que é incorreto já que a aproximação de Boltzmann
não é válida para esse caso.
Podemos usamos o mesmo método geral para calcular o termo de equilíbrio de
concentração de orifícios. Nós obtemos
3 1
2𝑚𝑝∗ 𝑘𝑇 2 ∞ (𝑛′ )2 𝑑 𝑛′
𝑝0 = 4𝜋 ( ) ∫ ′ (𝟒. 𝟒𝟖)
ℎ2 0 1 + exp(𝑛 − 𝑛𝐹 )
′
Onde
𝐸𝑣 − 𝐸
𝑛′ = (𝟒. 𝟒𝟗𝒂)
𝑘𝑇
𝐸𝑣 − 𝐸𝐹
𝑛𝐹′ = (𝟒. 𝟒𝟗𝒃)
𝑘𝑇
A integral na Equação (4.48) é a mesma integral de Fermi-Dirac definida pela Equação

(4.47), muito embora as variáveis tenham pequenas diferenças de definição. Podemos
notar que se 𝑛𝐹′ > 0, então o nível de Fermi é na banda de valência.
______________________________________________________________________
E4.8: Calcule o equilíbrio térmico da concentração de elétrons do silício para quando
𝐸𝐹 = 𝐸, e 𝑇 = 300 𝐾. (Res. 1.9𝑥1019 𝑐𝑚−3 )
______________________________________________________________________
4.3.4 Degeneração e Não-Degeneração De Semicondutores
Na nossa discussão de adição de átomos dopantes a um semicondutor, de forma

implícita, considerando que a concentração de átomos dopantes adicionados é pequena
quando comparada com a densidade de átomos do hospedeiro ou semicondutor. Os
pequenos números de átomos de impureza estão distribuídos suficientemente afastados
de modo que não existe qualquer interação entre elétrons doadores, por exemplo, em um
material do tipo n. Partimos do princípio de que as impurezas introduzem diferenças,
não interagem com estados de energia dos doadores no semicondutor do tipo 𝑛 e
discreta. Não interagem com estados receptores no semicondutor do tipo 𝑝. Estes tipos
de semicondutores são referidos como semicondutores não degenerados.
Se a concentração de impurezas aumenta, a distância entre os átomos de impureza
diminui a um ponto em que os elétrons doadores, por exemplo, começarão a interagir
entre si. Quando isto ocorre, o único doador de energias discretas será dividido em uma
banda de energias. À medida que aumenta a concentração de doador ainda mais, a
banda dos estados doadores alarga-se e pode se sobrepor a parte inferior da banda de
condução. Essa sobreposição ocorre quando a concentração do doador se torna
comparável com a densidade efetiva dos estados. Quando a concentração de elétrons na
banda de condução excede a densidade de estados N, a energia de Fermi encontra-se
dentro do botão de condução. Este tipo de semicondutor é chamado um semicondutor
degenerado tipo 𝑛.
Figura 4.11 | Diagrama de energia de banda simplificado para o degeneramento de
semicondutores contaminados do (a) tipo-n e do (b) tipo-p.
De modo similar, como um receptor contaminante a concentração aumenta em

um semicondutor do tipo-p, um receptor discreto de estados de energia será divido em
uma banda de energia e pode sobrepor a banda de valência superior. Uma energia Fermi
se encontrará dentro da banda de valência quando a concentração de buracos excederem
a densidade dos Nf estados. Esse tipo de semicondutor é chamado de semicondutor
degenerado do tipo-p.
Modelos esquemáticos de um diagrama de bandas de energia para o
degeneramento de semicondutores contaminados do tipo-n e do tipo-p é mostrado na
Figura 4.11. Os estados de energia abaixo de Ef são preenchidos principalmente com
elétrons e os estados de energia acima de Ef são quase vazios. Na degeneração dos
semicondutores do tipo-n, os estados entre Ef e Ec são principalmente preenchidos com
elétrons; então, a concentração dos elétrons em uma banda de condução é muito larga.
Analogamente, na degeneração dos semicondutores do tipo-p, os estados de energia
entre Ev e Ef são quase vazios; então, a concentração vazia na banda de valência é
bastante larga.
4.4 | ESTATÍSTICAS DOS DOADORES E RECEPTORES

No capítulo anterior, nós discutimos a função de distribuição Fermi-Dirac, no qual foi
dada a probabilidade que um particular estado de energia será ocupado por um elétron.
Nós precisamos considerar essa função e aplicar a probabilidade estatística para os
doadores e receptores de estados de energia.
4.4.1 Função Probabilidade

Um postulado usado na derivação da função de probabilidade Fermi-Dirac era o
princípio de exclusão de Pauli, que afirma que somente uma partícula é permitida em
cada estado quântico. O princípio de exclusão de Pauli também se aplica aos estados
doadores e receptores.
Suponha que nós temos Ni elétrons e gi estados quânticos, onde o subscrito i
significa o número de leveis de energia. Há maneiras de escolher gi onde colocar a
primeira partícula. Cada nível doador tem duas possibilidades da orientação do spin
para um elétron doador; então, cada nível doador tem dois estados quânticos. A inserção
de um elétron em um estado quântico, contudo, se opões a colocar um elétron em um
segundo estado quântico.
Adicionando um elétron, o requerimento de vaga do átomo é satisfeita, e um
adicionamento de um segundo elétron em um nível doador não é possível.
A função de distribuição de um elétron doador em um estado de energia de
doadores é então ligeiramente diferente que a função Fermi-Dirac.
A função de probabilidade de elétrons ocupa o estado de energia do doador é
onde Nd é a densidade de elétrons que ocupam o nível doador e Ed é a energia de um

nível doador. O fator multiplicante ½ é um resultado direto do fator spin já mencionado.
O fator ½ é as vezes escrito 1/g, onde g é chamado de fator degenerante.
A equação (4.50) pode ser escrita também da seguinte forma,
onde Nd+ é a concentração dos doadores ionizados. Em muitas aplicações, nós iremos
nos interessar mais nas concentrações dos doadores ionizados que nas concentrações
dos elétrons restantes (remanescentes, que sobraram) do estado dos doadores.
Se nos fizermos o mesmo tipo de análise para os átomos receptores, nós
obteremos a expressão,
onde Na é a concentração dos átomos receptores, Ea é o nível de energia dos átomos

receptores, Pa é a concentração dos espaços vazios dos estados dos receptores, e Na- é a
concentração do receptores ionizados. Um buraco em um estado receptor corresponde a
um átomo receptor com uma carga e ainda tem uma ligação de posição “vazia” como
nós discutimos na secção 4.2.1. O parâmetro g é, mais uma vez, o fator degenerante. O
fator degenerante no estado fundamental g é normalmente tomado como nível quatro
dos receptores no Silício e no Arsênio de Gálio por causa da estrutura detalhada da
banda.
4.2.2 Ionização completa e Freeze-out “Fuga do frio”

A função de probabilidade para elétrons em estados de energia de doadores eram
apenas dado pela equação (4.50). Se nós assumirmos que então
Se então a aproximação de Boltzmann é também válida somente para os

elétrons da banda de condução de modo que, dado a equação (4.11)
Nós podemos determinar o número relativo de elétrons do estado de doadores
comparado com o número total de elétrons; portanto, nós podemos considerar a
proporção de elétrons do estado dos doadores com o número total de elétrons em uma
banda de condução de mais baixo estado. Usando as expressões (4.53) e (4.11), nós
escrevemos
(4.54)
A energia Fermi cancela essa expressão. Dividindo pelo termo do numerador, nós
obtemos
(4.55)
O fator (Ec – Ed) é justamente a energia de ionização dos elétrons doadores.

______________________________________________________________________
Determinar a fração dos elétrons totais que ainda estão no estado dos doadores em T =
300 K, em uma concentração Nd = 10^16 cm^-3.
∎Solução
Usando a equação (4.55), nós encontramos
∎Comentário
Esse exemplo mostra que existem muitos poucos elétrons do estado de doadores com a
condução de banda. Essencialmente, todos os elétrons do estado dos doadores são da
banda de condução e, desde somente 0,4% dos estados doadores contém elétrons, o
estado dos doadores diz-se ser completamente ionizados.
À temperatura ambiente, então, o estado dos doadores são essencial e

completamente ionizados e para uma típica impureza de 10^16 cm^-3, quase todas os
átomos doadores impuros tem doado um elétron à banda de condução.
À temperatura ambiente, há também essencial e completamente ionização dos
átomos receptores.
Isso significa que cada átomo receptor tem aceitado um elétron da banda de
valência de modo que Pa é zero. Em concentrações típicas de receptor impuro, um
buraco é criado na banda de valência para cada átomo receptor. Esse efeito de ionização
e a criação de elétrons e buracos na banda de condução e valência, respectivamente, são
mostrados na Figura 4.12.
Figura 4.12 | Diagrama de banda de energias mostrando a completa ionização dos (a)
estados doadores e (b) dos estados receptores.
Figura 4.13 | Diagrama de banda de energias em T= 0 K para semicondutores do (a)

tipo-n e (b) tipo-p.
O oposto da ionização completa ocorre em T = 0 K. Em absoluto grau zero,

todos os elétrons estão em seus mínimos estados possíveis de energia; que é, para um
semicondutor tipo-n, cada estado doador deve conter um eletro, portanto nd = Nd ou
Nd+ = 0. Nós devemos ter em mente, então, que a equação (4.50) que exp[(Ed – Ef)/kT]
= 0. Desde que T = 0 K, isso ocorrerá para o que significa Ef > Ed. O
nível de energia Fermi deve está sobre o nível de energia doador em zero absoluto.
Nesse caso, o semicondutor do tipo-p em temperatura de zero absoluto, os átomos
impuros não conterão qualquer elétron, de modo que o nível de energia Fermi deve ser
abaixo do estado de energia receptor. A distribuição dos elétrons em diferentes estados
de energia, e, portanto, a energia Fermi, é uma função de temperatura.
Uma detalhada análise, não é dada nesse texto, mostra que em T = 0 K, a energia
Fermi está no meio do caminho entre Ec e Ed para o material do tipo-n e metade do
caminho entre Ea e Ev material do tipo-p. A Figura 4.13 mostra esses efeitos. Sem
elétrons do estado doador são termicamente elevado em uma banda de condução; esse
efeito é chamado de freeze-out “fuga do frio”.
Entre T = 0 K, quando não compensado, e T = 300 K, de ionização completa,
temos ionização parcial dos átomos doadores ou aceitadores.
______________________________________________________________________
Para determinar a temperatura à qual 90 por cento de átomos de aceitadores são

ionizados.
Considere p-type de silício dopado com boro a uma concentração de Na = 1016 cm-3.
∎Solução
Localizar a proporção de furos no estado aceitador para o número total de orifícios na

banda de valência mais estado aceitador. Levando em conta a aproximação Boltzmann e
assumindo o fator de degenerescência g = 4, escrevemos:
Para 90 por cento de ionização,
Usando tentativa e erro, descobrimos que T = 193 K.
∎Comentário
Este exemplo mostra que a cerca de 100 ° C abaixo da temperatura ambiente, ainda tem
90 por cento dos átomos ionizados aceitadores, em outras palavras, 90 por cento dos
átomos aceitadores têm "doado" um buraco para a banda de valência.
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
E4.9: Determine a fração do total de buracos ainda nos estados aceitadores de silício em
T = 300 K para uma concentração de boro com impureza de Na = 1017 cm-3
E4.10: Considere o silício com uma concentração de impurezas de fósforo de Nd = 5 x

1015 cm-3. Plot a percentagem de átomos de impureza ionizados em função da
temperatura ao longo do intervalo
______________________________________________________________________
4.5 | CARGA NEUTRALIZADA
Em equilíbrio térmico, o cristal semi-condutor é eletricamente neutro. Os elétrons são

distribuídos entre os diversos estados de energia, criando cargas negativas e positivas,
mas a densidade de carga líquida é zero. Esta condição de carga-neutralidade é utilizada
para determinar o equilíbrio do eletron térmico e buraco de concentrações como uma
função da concentração de impureza dopagem. Vamos definir um semicondutor
compensados e, em seguida, determinar os elétrons e buracos concentrarions em função
do doador e receptor concentrataions.
4.5.1 Semicondutores Compensados

Um semicondutor compensado é aquele que contém ambos os átomos de dadores e
aceitador de impurezas na mesma região. Um semicondutor compensada pode ser
formado, por exemplo, por difusão de impurezas aceitadoras em um material do tipo n,
ou por difusão de impurezas doadoras em um material do tipo p. Um semicondutor do
tipo n compensado ocorre quando Nd > Na, e semicondutor do tipo p ocorre quando Na
> Nd. Se Na = Nd, temos um semicondutor completamente compensado, que tem as
características de um material intrínseco. Semicondutores compensados são criados
naturalmente durante a fabricação de dispositivos, como veremos mais tarde.
4.5.2 Eletrons em Equilibrio e Concentrações no Buraco

A figura 4.14 mostra o diagrama da banda de energia de um semicondutor em que
ambos os átomos, dador e aceitador de impurezas são adicionados à mesma região para
formar uma compensação do semicondutor.
Figura 4.14 | Diagrama de banda de energia de um semicondutor compensado,

mostrando doadores e receptores de ionizado e não ionizado.
A figura mostra como os elétrons e buracos podem ser distribuídos entre os vários
estados.
A condição de neutralidade de carga é expressa pela equação da densidade de
cargas negativas para a densidade de cargas positivas. Temos, então,
(4.56)
ou
(4.57)
Onde n0 e p0 são as concentrações-equilíbrio térmico de elétrons e buracos na banda de

banda de condução e de valência, respectivamente. O parâmetro Nd é a concentração de
elétrons na energia dono, assim Nd+ = Nd – nd é a concentração de estados doadores
carregados positivamente. Da mesma forma, pa é a concentração de estados aceitadores
netatively carregadas. Temos expressões para n0, p0, n0 e pa em termos de energia Fermi
e temperatura.
Se partirmos do princípio de ionização completa, na e pa são ambos zero, e a
Equação (4.57) torna-se
(4.58)
Se expressarmos p0 como ni²/n0, a Equação (4.58) pode ser escrita como:
(4.59a)
Que por sua vez pode ser escrita como:
(4.59b)
A concentração de eletron n0 pode ser determinada usando a fórmula quadrática, ou
(4.60)
O sinal positivo na fórmula quadrática deve ser utilizado, uma vez que, no limite de um
semicondutor intrínseco quando Na = Nd = 0, a concentração de elétrons deve ser uma
quantidade positiva, ou n0 = ni.
A equação (4,60) é usada para calcular a concentração de electrons num
semicondutor do tipo n, ou quando Nd > Na. Embora a equação (4.60) seja derivada por
um semicondutor compensada, é válida também para Na =
______________________________________________________________________
Determinar o equilíbrio térmico das concentrações de eletrons e buraco para uma

concentração de dopagem.
Considere um semicondutor de silício do tipo n, quando T = 300 K, em que Nd =
10 cm-3, e Na = 0. A concentração de portadores intrínseca é assumida como sendo ni =
16
1.5 x 1010 cm-3.
∎Solução
A partir da Equação (4,60), a maioria da concentração de eletrons é:
A minoria da concentração do buraco é encontrada como:
∎Comentário
Neste exemplo, Nd >> ni, de modo que a maioria do equilíbrio de concentração dos
eletrons portadores térmicos é essencialmente igual à concentração do doador da
impureza. A maioria dos portadores minoritários e concentrações de equilíbrio térmico
pode ser diferente por várias ordens de magnitude.
______________________________________________________________________
Nós argumentamos em nossa discussão e podemos observar a partir dos

resultados do Exemplo 4.9 que a concentração de elétrons na banda de condução
aumenta acima da concentração de portadores intrínsicos à medida que acrescentamos
átomos doadores de impureza. Ao mesmo tempo, a concentração de buracos portadores
minoritários diminui abaixo da concentração transportadora intrínsica para adicionar
átomos doadores. Devemos ter em mente que à medida que acrescentamos átomos de
impureza dos doadores e os elétrons doadores correspondentes, há uma redistribuição de
elétrons entre os estados de energia disponíveis. A Figura 4.15 apresenta um esquema
desta redistribuição física.
Figura 4.15 | Diagrama de Energia-banda mostrando a redistribuição dos elétrons

quando os doadores são adicionados.
Alguns dos elétrons doadores vai cair em estados vazios na banda de valência e, ao
fazê-lo, vai aniquilar alguns dos buracos intrínsecos. A minoria da concentração de
buracos portadores, vai diminuir como vimos no Exemplo 4.9. Ao mesmo tempo, por
causa desta redistribuição, a concentração de líquida de elétrons na banda de condução
não é simplesmente igual à concentração do doador de elétrons mais a concentração
intrínseca.
______________________________________________________________________
Para calcular o equilíbrio térmico das concentrações de elétrons e buracos em uma

amostra de germânio para uma determinada densidade de doping.
Considere-se uma amostra de germânio em T = 300K em que Nd = 5x1013 cm-3.
Suponha que ni = 2,4x10 13 cm-3
∎Solução
Mais uma vez, a partir da Equação (4,60), a maioria da concentração de elétrons é

portador
5𝑥1013
𝑛₀ = + √(5𝑥1013 )2 + +(2,4𝑥1013 )2 = 5,97 × 1013 𝑐𝑚⁻³
2
A minoria da concentração é buracos portadores

𝑛ᵢ2 (2,4 × 1013 )2
𝑝₀ = = = 9,65 × 1012
𝑛₀ 5,97 × 1013
∎Comentário
Se a concentração do doador de impureza não é muito diferente em magnitude da

concentração intrínseca do transportador, então o equilíbrio térmico da concentração da
maioria dos elétrons transportador é influenciado pela concentração intrínseca.
Vimos que q concentração de portadores intrínseca ni é uma função fortemente

relacionada com a temperatura. Como a temperatura aumenta, os pares de elétrons-
buracos adicionais são geradas termicamente de modo que o ni2 termo na equação (4.60)
pode começar a dominar. O semicondutor acabará por perder suas características
extrínsecas. Figura 4.16 mostra a concentração de elétrons em função da temperatura
em silício dopado com 5x1014 doadores por cm3. Como a temperatura aumenta,
podemos ver onde a concentração intrínseca começa dominar. Também é mostrada a
ionização parcial, ou o aparecimento de congelamento fora, com a baixa temperatura.
Se reconsiderar equação (4.58) e expressar n0 como ni2/p0, então temos
𝑛𝑖 2
+ 𝑁a = 𝑝₀ + 𝑁d (4.61a)
𝑝₀
Que podemos escrever como

𝑝₀2 − (𝑁𝑎 − 𝑁d)𝑝₀ − 𝑛𝑖 2 = 0 (4.61b)
Figura 14.16 | Concentração de elétrons em função da temperatura que mostra as três
regiões: ionização parcial, extrínsecos e intrínsecos.
Usando a fórmula quadrática, a concentração dos buracos é dada pela
𝑁𝑎−𝑁𝑑 (𝑁𝑎−𝑁𝑑)2
𝑝₀ = +√ + 𝑁𝑖 2 (4.62)
2 2
em que o sinal de posição, de novo, deve ser utilizado. A equação (4.62) é usada para
calcular o equilíbrio térmico da concentração majoritária de buracos em um
semicondutor do tipo p, ou quando Na> Nd. Esta equação também se aplica para Nd = 0.
A calcular o equilíbrio térmico da concentração de elétrons e buracos em um

semicondutor do tipo p compensado.
Considere-se um semicondutor de silício em T = 300K em que Na = 1016 ... e Nd
= 3x10 cm-3. Supor que ni = 1.5x1010 cm-3.
15
∎Solução
Desde Na > Nd, o semicondutor compensado é p-type e o equilíbrio térmico da

concentração majoritária de buracos portadores é a dada pela equação (4.62) como
1016 −3×1015 (1016 −3×1015 )2

𝑝₀ = +√ + (1,5 × 1010 )2
2 2
De modo que
𝑝₀ = 7 × 1015 𝑐𝑚⁻³
A concentração de elétrons portadores minoritários é
𝑛ᵢ2 (1.5 × 1010 )2

𝑛₀ = = ≈ 3.21 × 104 𝑐𝑚⁻³
𝑝₀ 7 × 1015
∎Comentário
Se assumirmos ionização completa e se (Na - Nd) >> ni, em seguida a parte majoritária
de buraco transportadores é, para uma aproximação muito boa, apenas a diferença entre
a concentração do aceitador e do doador.
Podemos notar que, para um semicondutor do tipo p compensado, a minoria da

concentração de elétrons transportadores é determinada a partir
𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑛₀ = =
𝑝₀ 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑
Projeto – Exemplo 4.12 | Objetivo
Para determinar a concentração de impurezas na dopagem necessário em um material

semicondutor.
Um dispositivo de silício com o material do tipo n é para ser operado em T =
500K. A esta temperatura a concentração de portador intrínseca não deve contribuir
mais do que 5 por cento da concentração total de elétrons. Determinar a concentração
mínima de doadores necessários para atender a essa especificação.
∎Solução
Na T = 500K, a concentração intrínseca de portadores é encontrado a partir da Equação

(4.23) como
−𝐸𝑔 550 −1.12 300

𝑛𝑖 2 = 𝑁𝑐𝑁𝑒 exp ( ) = ( 2.8 × 101 ⁹)(1.04 × 1019 )( )³exp[ ( )]
𝑘𝑇 300 0.0259 550
ou
𝑛𝑖 2 = 1.02 × 1029
de modo que
𝑛𝑖 = 3.20 × 1014 𝑐𝑚−3
Para a concentração intrínseca de portadores que contribui com apenas 5 por cento da
concentração total de elétrons, definido n0 = 1.05Nd.
A partir da equação (4.60), temos
𝑁𝑑 𝑁𝑑 2
𝑛= + √[( ) + (3.20 × 1014 )2 ]
2 2
ou
𝑁𝑑 𝑁𝑑 2
1.05𝑁𝑑 = + √[( ) + (3.20 × 1014 )2 ]
2 2
que resulta
𝑁𝑑 = 1.39𝑥1015 𝑐𝑚−3
 Comentário
Se a temperatura se mantiver inferior a T = 550 K, então a concentração intrínseca de
portadores irá contribuir com menos do que 5 por cento da concentração total de
elétrons para esta concentração do doador de impureza.
As equações (4.60) e (4.62) são utilizados para calcular a concentração de elétrons

portadores majoritários numa concentração de lacunas no semicondutor do tipo n e dos
transportadores majoritários em um semicondutor do tipo p, respectivamente. A
concentração dos portadores minoritários de lacunas em um semicondutor do tipo n
poderia, teoricamente, ser calculada a partir da Equação (4.62). No entanto, seria como
subtrair dois números na ordem de 1016 cm-3, por exemplo, para obter um número da
ordem de 104 cm-3, que a partir de um ponto de vista prático não é possível. As
concentrações de portadores minoritários são calculadas a partir 𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖2 uma vez
que a concentração de portadores majoritários tenha sido determinada.
E4.11: Considerar um compensado semicondutor GaAs a T = 300K dopado em Nd =

5x1015cm-3. Calcular a concentração de elétrons e lacunas no equilíbrio térmico. (Resp.
𝑝0 = 1,5𝑥1016 𝑐𝑚3 , 𝑛0 = 2,16𝑥10−4 𝑐𝑚−3)
E4.12: Silício é dopado em N𝑑 = 1015 𝑐𝑚−3 e Nd = 0. (a) Traçar a concentração de

elétrons em função da temperatura ao longo da gama 300 ≤ T ≤ 600K. (b) Calcular a
temperatura a que a concentração de elétrons é igual a 1,1𝑥10−15 𝑐𝑚−3. (Resp.
T≈552K)
4.6 | POSIÇÃO DO NÍVEL DE ENERGIA DE FERMI
Discutimos qualitativamente na Seção 4.3.1 como as concentrações de elétrons e

lacunas alteram o nível de energia de Fermi e se movem através da energia bandgap
(energia da banda proibida). Em seguida, na seção 4.5, foi calculada e concentração de
elétron e lacunas em função das concentrações de doador e receptor de impureza.
Podemos agora determinar a posição do nível de energia de Fermi em função das
concentrações de dopagem e como uma função da temperatura. A relevância do nível de
energia Fermi será discutida após as derivações matemáticas.
4.6.1 Derivação Matemática
A posição do nível de energia de Fermi dentro da banda proibida pode ser determinada
usando as equações já desenvolvidos para a concentração de elétrons e lacunas no
equilíbrio térmico. Se assumirmos a aproximação de Boltzmann para ser válido, em
seguida, a partir da Equação (4.11), temos n0 = Nc exp [- (Ec-EF) / kT]. Podemos
resolver para Ec-EF a partir desta equação e obtemos
𝑁
𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛 ( 𝑐 ) (4.63)
𝑛 0
onde n0 é dado pela Equação (4.60). Se considerarmos um semicondutor tipo n em que

Nd>> ni, então n0≈Nd, de modo que
𝑁
𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛 ( 𝑐 ) (4.64)
𝑁 𝑑
A distância entre a parte inferior da banda de condução e a energia de Fermi é

uma função logarítmica da concentração do doador. Como a concentração do doador
aumenta, o nível de Fermi se move para mais perto da banda de condução. Por outro
lado, se o nível de Fermi se move para mais perto da banda de condução, em seguida, a
concentração de elétrons na banda de condução é aumentada. Podemos notar que, se
tivermos um semicondutor compensado, então o termo Nd na Equação (4.64) é
simplesmente substituído por 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 , ou a concentração líquida efetiva dos doadores.
Para determinar a concentração do doador de impureza necessária para obter uma

energia de Fermi especificada.
Silício a T = 300K contém uma concentração de impurezas aceitante de 𝑁𝑎 =
10 𝑐𝑚−3 . Determinar a concentração de átomos doadores de impurezas que devem
16
ser adicionados de modo que o silício é do tipo n e a energia de Fermi é de 0,20 eV

abaixo da banda de condução.
 Solução
Da Equação (4.64) temos

𝑁𝑐
𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛 ( )
𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
Que pode ser reescrita como
−(𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 )
𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 𝑁𝑐 exp [ ]
𝑘𝑇
então
0,20
𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 2,8𝑥1019 exp [− ] = 1,24𝑥1016 𝑐𝑚−3
0,0259
ou
𝑁𝑑 = 1,24𝑥1016 + 𝑁𝑎 = 2,24𝑥1016 𝑐𝑚−3
 Comentário
Um semicondutor compensado pode ser fabricado para proporcionar um nível de

energia de Fermi especificado.
Podemos desenvolver uma expressão ligeiramente diferente para a posição do nível de

Fermi. Tivemos a partir da Equação (4.39), que 𝑛0 = 𝑛𝑖 exp[(𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 )/𝑘𝑇].
Podemos resolver para 𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 como
𝑛
𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 = 𝑘𝑇 ln ( 0 ) (4.65)
𝑛𝑖
A Equação (4.65) pode ser usada especificamente para um semicondutor tipo n, onde n0
é dado pela Equação (4.60), para encontrar a diferença entre o nível de Fermi e o nível
de Fermi intrínseco como uma função da concentração dos doadores. Temos que notar
que se a concentração líquida efetiva de doadores é zero, isto é, Nd – Na = 0, então n0=ni
e EF = EFi. Um semicondutor completamente compensado tem características de um
material intrínseco em termos de concentração de transportadores e posição do nível de
Fermi.
Podemos derivar os mesmos tipos de equações para um semicondutor tipo p. Da

Equação (4.19), temos 𝑝0 = 𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝[− (𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 )/𝑘𝑇], de modo que
𝑁
𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 = 𝑘𝑇 ln (𝑝𝑣) (4.66)
0
Se assumirmos que 𝑁𝑎 >> 𝑛𝑖 , a Equação (4.66) pode ser reescrita como

𝑁
𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 = 𝑘𝑇 ln (𝑁𝑣 ) (4.67)
𝑎
A distância entre o nível de Fermi e o topo da banda de valência para um

semicondutor tipo p é uma função logarítmica da concentração de aceitadores: se a
concentração de aceitadores aumenta, o nível de Fermi aproxima-se da banda de
valência. Equação (4.67) ainda assume que a aproximação de Bolstzmann é válida.
Novamente, se temos um semicondutor tipo p compensado, então o termo Na na
Equação (4.67) é substituído por Na – Nd, ou a concentração líquida de aceitadores.
Também podemos derivar uma expressão para a relação entre o nível de Fermi e
o nível de Fermi intrínseco em termos da concentração de lacunas. Temos da Equação
(4.40) que 𝑝0 = 𝑛𝑖 exp[−(𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 )/𝑘𝑇], que resulta
𝑝
𝐸𝐹𝑖 − 𝐸𝐹 − 𝑘𝑇 ln ( 𝑛0 ) (4.68)
𝑖
A Equação (4.68) pode ser usada para encontrar a diferença entre o nível de Fermi
intrínseco e a energia de Fermi em termos da concentração de aceitadores. A
concentração de lacunas 𝑝0 na Equação (4.68) é dada pela Equação (4.62).
Podemos notar novamente da Equação (4.65) que, para um semicondutor tipo n,
n0>ni e EF>EFi. O nível de Fermi para um semicondutor tipo n está acima de E Fi. Para
um semicondutor tipo p, p0 >ni, e para a Equação (4.68) vemos que
Figura 4.17 | Posição do nível Fermi para um semicondutor (a) tipo n (𝑁𝑑 >𝑁𝑎 ) e (b)
tipo p (𝑁𝑑 >𝑁𝑎 ).
𝐸𝐹𝑖 > 𝐸𝐹 . O nível de Fermi para um semicondutor do tipo p esta abaixo de 𝐸𝐹𝑖 . Onde é
mostrado na figura 4.17.
4.6.2 Variação de 𝑬𝑭 com concentração de dopagem e temperatura
Podemos traçar a posição do nível de energia de Fermi como uma função de

concentração de dopagem.A figura 4.18 mostra que o nível de energia de Fermi como
uma função de concentração de doadores (tipo n) e como uma função de concentração
de receptores (tipo p) para o silício T=300K.Como os níveis de dopagem aumentam,o
nível de energia de Fermi aproxima-se da banda de condução para o material do tipo n e
mais perto da banda de Valência para o material do tipo p. Manter em mente que as
equações para o nível de energia de Fermi que temos pressupor que a aproximação de
Boltzmann é valida.
Figura 4.18 | Posição do nível de Fermi como uma função de concentração de doadores
(tipo n) e de concentração de receptores (tipo p).
______________________________________________________________________
Determinar a posição e o nível de Fermi e a dopagem máxima para à qual a

aproximação Boltzmann ainda é válido.
Considerar o silício (tipo p), à T = 300k, dopado com boro.Podemos assumir
que o limite da aproximação Boltzmann ocorre quando 𝐸𝐹 - 𝐸𝑎 = 3kT.(Ver seção 4.1.2).
 Solução
Da tabela 4.3, encontramos que a energia de ionização é 𝐸𝐹𝑖 -𝐸𝐹𝑖 =0.045 eV para o boro
no silício.Se assumimos que 𝐸𝐹𝑖 ≈ 𝐸𝑚𝑖𝑑𝑔𝑎𝑝 ,em seguida , da equação (4.68), a posição
do nível de Fermi para a dopagem máxima é dada por:
ou
Então podemos resolver para a dopagem como
 Comentário
Se a concentração de receptores (ou doadores) no silicone é maior do que cerca de

3 𝑥 1017 𝑐𝑚−3, em seguida, à aproximação de Boltzmann na função de distribuição
torna-se menos válidas e as equações para a posição de nível de Fermi já não são tão
precisos.
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
E.4.13: Determinar a posição do nível de Fermi em relação à energia da banda de

valência no GaAs do tipo p à T=300k.As concentrações de dopagem são 𝑁𝑎 =
5 𝑥 1016 𝑐𝑚−3 e 𝑁𝑑 = 4 𝑥 1015 𝑐𝑚−3.
Resposta: 𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 = 0.130eV.
E.4.14: Calcular a posição do nível de energia de Fermi no silício do tipo n, à T = 300K

no que diz respeito à energia intrínseca do nível de Fermi. As concentrações de
dopagem são e 𝑁𝑑 = 2 𝑥 1017 𝑐𝑚−3 e 𝑁𝑎 = 3 𝑥 1016 𝑐𝑚−3 . 𝐸𝐹 − 𝐸𝐹𝑖 = 0.421eV.
______________________________________________________________________
A concentração de portador intrínseco 𝑛𝑖 nas equações (4.65) e (4.68), é uma

forte função da temperatura, de modo que 𝐸𝐹 também é uma função da temperatura. A
figura 4.19 mostra a variação do nível de energia de Fermi no silício com a temperatura
para várias concentrações de doadores e receptores. Com o aumento da temperatura, 𝑛𝑖
, aumenta, e 𝐸𝐹 se aproxima do nível intrínseco de Fermi.
Em altas temperaturas, o material semicondutor começa a perder suas
características extrínsecas e começa a se comportar mais como um semicondutor
intrínseco. Em temperaturas muito baixas, ocorre o congelamento, a aproximação de
Boltzmann não é mais válido e as equações que derivou da posição do nível de Fermi já
não são mais validas. Em temperaturas muito baixas onde o congelamento ocorre, o
nível de Fermi vai para cima de 𝐸𝑑 no material do tipo n e abaixo de 𝐸𝑎 no material do
tipo p . Em zero graus absolutos , todos os estados de energia abaixo de 𝐸𝐹 estarão
cheios e todos os estados de energia acima de 𝐸𝐹 estarão vazios.
Figura 4.19 | Posição do nível de Fermi como uma função da temperatura para várias
concentrações de dopagem.
4.6.3 Relevância da energia de Fermi
Nós temos calculado a posição do nível de energia de Fermi em função das

concentrações de dopagem e temperatura. Essa análise pode parecer um tanto arbitrária
e fictícia. Contudo, essas relações se tornam significativos mais tarde na nossa
discussão de junções pn e outros dispositivos semicondutores que consideramos. Um
ponto importante é que, em equilíbrio térmico, o nível de energia de Fermi é uma
constante ao longo de um sistema. Nós não vamos provar esta afirmação, mas podemos
ver intuitivamente sua validade por considerar o seguinte exemplo.
Suponha que temos um material A especifico, cujos elétrons estão distribuídos nos
estados de energia de uma banda permitida como mostrado na figura 4.20a.A maioria
dos estados de energia abaixo de 𝐸𝐹𝐴 contêm elétrons e a maioria dos estados de energia
acima de 𝐸𝐹𝐴 estão vazios. Considerar outro material, B, cujos elétrons estão
distribuídos nos estados de energia de uma banda permitida, conforme mostrado na
figura 4.20b.Os estados de energia abaixo de 𝐸𝐹𝐵 são essencialmente cheios e os
estados de energia acima de 𝐸𝐹𝐵 são essencialmente vazios. Se estes dois materiais são
postos em contato íntimo, os elétrons do sistema total vai a procura do menor estado de
energia possível. Elétrons do material A vão fluir para os estados de energia mais baixos
do material B, como indicado na figura 4.20c, até que o equilíbrio térmico seja
alcançado. O equilíbrio térmico ocorre quando a distribuição de electrões, como uma
função de energia, é a mesma nos dois materiais.
Este estado de equilíbrio ocorre quando a energia de Fermi, é a mesma nos dois
materiais, conforme mostrado na Figura 4.20d. A energia Fermi, importante na física
dos semicondutores, também fornece uma boa representação pictórica das
características dos materiais semicondutores e dispositivos.
Figura 4.20 | A energia Fermi de (a) material A em equilíbrio térmico, (b) o material B
em equilíbrio térmico, (c) materiais A e B, no momento em que são colocados em
contatoe (d), os materiais A e B em contacto, o equilíbrio térmico.
4.7 | SUMÁRIO
 A concentração de elétrons na banda de condução é a integral sobre a energia da
banda de condução do produto da densidade de estados funcionais na mão de
condução e a função de probabilidade de Fermi-Dirac.
 A concentração de buracos na banda de valência é a integral sobre a curva de
valência de energia do produto da densidade de olhares funcionais na banda de
valência e da probabilidade de um estado de ser vazio, que é [1 - FF (E)]
 Usando a aproximação de Maxwell-Boltzmann, a concentração de equilíbrio térmico
de elétrons na banda de condução é dada por
onde N, é a densidade efetiva dos estados na banda de condução

 Usando a aproximação de Maxwell - Boltzmann, a concentração de equilíbrio
térmico de orifícios na banda de valência é dada por;
onde é a densidade efetiva dos estados na banda de valência.

 A concentração de condução intrínseca é encontrada a partir de
 O conceito de dopagem do semicondutor com doador (elementos do grupo V),

impurezas e receptor (elementos do grupo III) a partir destas impurezas foi discutido
n-tipo e p-tipo de semicondutores extrínsecos.
 A relação fundamental da foi derivada.
 Usando os conceitos de ionização completa e a neutralidade de carga, as equações
para as concentrações de elétrons e buracos, foram uma função das concentrações de
impurezas de dopagem derivadas.
 A posição do nível de energia de Fermi em função da concentração de impureza
dopante foi derivada.
 Discutiu-se a relevância da energia de Fermi. A energia de Fermi é uma constante ao
longo de um semicondutor que está em equilíbrio térmico.
GLOSSÁRIO DE TERMOS IMPORTANTES

Átomos de aceitador: Átomos de impureza adicionada a um semicondutor para criar
um material do tipo p.
Condutora de Transporte: O elétron e/ou furado, que se move dentro do semicondutor
e dá origem a correntes eléctricas.
Semicondutor compensados: Um semicondutor que contém ambos os doadores e
receptores é a mesma região de semicondutores.
Ionização completa: A condição em que todos os átomos doadores são carregados
positivamente, dando seus elétrons doadores e todos os átomos aceitadores são
carregados negativamente, ao aceitar elétrons.
Semicondutor degenerado: Um semicondutor cuja concentração de elétrons ou furo
concentrado é maior do que a densidade efetiva dos estados, de modo que o nível de
Fermi está na banda de condução (tipo n) ou na banda de valência (tipo p).
Átomos de doador: Átomos de impureza adicionada a um semicondutor para criar um
material do tipo n.
Densidade efetiva dos estados: O parâmetro , que resulta da integração da densidade ,
estado quântico (E) vezes a função , Fermi (E) sobre a energia da banda de condução, e
o parâmetro , que resulta da integração da densidade de estados quânticos (E), vezes
sobre a energia da banda de valência.
Semicondutor extrínseco: Um semicondutor em que quantidades de dadores e/ou
receptores controladas foram adicionados para que a mudança do elétron e o buraco
concentrado a partir da concentração de portadores são extrínsecos e uma
preponderância de elétrons citados (tipo n) ou buracos (tipo p) que são criados.
Saída de cristalização: A condição que ocorre em um semicondutor quando a
temperatura é mais baixa é e os doadores e aceitadores de ficar com carga neutra. O
elétron e o buraco concentrado se tornam muito pequena.
Intrínseca concentração de portadores Ni A concentração de elétrons na banda de
condução e a concentração de buracos na banda de valência (valores iguais) em um
semicondutor intrínseco.
Intrínseco Nível de Fermi EFi A posição do nível de Fermi em um semicondutor
intrínseco.
Semicondutor intrínseco Um material semicondutor puro, sem átomos de impureza e
não há defeitos de rede do cristal.
Semicondutor não degenerado Um semicondutor em que foram adicionados um
número relativamente pequeno de doadores e / ou receptores para que discretas, não
interagem estados doadores e / ou discretos, não interagem estados aceitadores são
introduzidos.
PONTO DE INSPEÇÃO
Depois de estudar este capítulo, o leitor deve ter a capacidade de
 Derivar as equações para as concentrações de equilíbrio térmico de elétrons nos

orifícios em termos da energia de Fermi.
 Derivar a equação para a concentração de portadores intrínseca.
 Declare o valor da concentração de portadores intrínseco para silício a T = 300K.
 Derivar a expressão para o nível de Fermi intrínseca.
 Descrever o efeito da adição de átomos de doador e receptor de impurezas a um
semicondutor.
 Compreender o conceito de ionização completa.
 Entenda a derivação da fundamental relacionamento n0 p0 = ni2.
 Descrever o significado de degenerados e semicondutores não degenerado.
 Discutir o conceito de mudança de neutralidade.
 Derivar as equações para n0 e p0 em termos de concentrações de impureza dopante.
 Discutir a variação da energia de Fermi com a concentração de dopante e
temperatura.
QUESTÕES DE REVISÃO
1. Escreva a equação para n(E) em função da densidade de estados e a função de

probabilidade de Fermi. Repita o procedimento para a função p(E).
2. Na derivação da equação n0 em termos da função de Fermi, o limite superior da
integral deve ser a energia na parte superior da banda de condução. Justifique
utilizando o infinito em seu lugar.
3. Assumindo que a aproximação de Boltzmann é aplicável, escrever as equações para
n0 e p0 em termos da energia de Fermi.
4. O que é o valor da concentração de portadores intrínseca em silício a T = 300K?
5. Sob que condições o nível de Fermi intrínseca estar na energia médio gap?
6. O que é uma impureza doador? O que é uma impureza aceitador?
7. O que se entende por ionização completa? O que se entende por freeze-out?
8. O que é o produto de n0 e p0 igual a?
9. Escreva a equação para a neutralidade de carga para a condição de ionização
completa.
10. Esboçar um gráfico de n0 em função da temperatura para um material do tipo n.
11. Esboçar gráficos da energia de Fermi em função da concentração de doadores
impureza e em função da temperatura.
PROBLEMAS
Seção 4.1 Portadores de cargas em semicondutores.
4.1 Calcule a concentração de portadores intrínsecos, Ni, em T = 200, 400 e 600 K
para (a) silício, (b) germânio, (c) arsenato de gálio.
4.2 A concentração de portadores intrínsecos no silício não pode ser maior que Ni =
1x10^12 cm^-3. Assuma Eg = 1.12 eV. Determine a máxima temperatura
permitida para o silício.
4.3 Plote a concentração intrínseca de portadores, Ni, para uma temperatura de
escala 200<= T <= 600 K para (a) silício, (b) germânio, (c) arsenato de gálio.
(Use uma escala de logarítmica para Ni.)
4.4 Em particular no material semicondutor, a densidade efetiva dos estados de
funções são dadas por Nc = Nc0(T)^3/2 e Nv = Nv0(T)^3/2 onde Nc0 e Nv0 são
constantes independentes da temperatura. A concentração de portadores
intrínsecos determinados experimentalmente em função da temperatura são
mostrados na tabela 4.5. Determine o produto Nc0Nv0 e a energia de banda
proibida Eg. (Assuma Eg independente da temperatura.)
4.5 (a) A magnitude do produto gc(E)Ff(E) na condução de banda é uma função da
energia como mostra a figura 4.1. Assuma que a aproximação de Boltzmann é
válida. Determine a energia em relação a Eg em que seu máximo ocorre. (b)
repita a parte (a) para a magnitude do produto gv(E)[1 – Ff(E)] na banda de
valência.
4.6 Assuma que a aproximação de Boltzmann no semicondutor é válido. Determine
a relação n(E) = gc(E)Ff(E) em E = Ec + 4KT para que E = Ec + KT/2.
4.7 Asuma que Ec – Ef = 0.20 eV no silício. Plote n(E) = gc(E)Ff(E) ao longo do
intervalo Ec <= E <= Ec + 0.10 eV para (a) T = 200 K e (b) T = 400 K.
4.8 Dois materiais semicondutores tem exatamente as mesmas propriedades exceto
que o material A tem uma energia de banda proibida de 1.0 eV e o material B
tem uma energia de banda proibida de 1.2 eV. Determine a relação de Ni do
material A em relação ao material B para T = 300 K.
4.9 (a) Considere o silício em T = 300 K. Traçar o equilíbrio térmico da
concentração de elétrons n0 ( em escala logarítmica) ao longo do intervalo 0.2
<= Ec – Ef <= 0.4 eV. (b) repita a parte (a) para concentrações de buracos ao
longo do intervalo 0.2 <= Ef – Ev <= 0.4 eV.
4.10 Mostre as massas efetiva de elétrons e buracos no silício, germânio, e arsenato
de gálio, calculando a posição do nível de energia de Fermi intrínseco com
respeito ao centro da banda proibida para cada semicondutor em T = 300 K.
4.11 Os transportadores de massas efetiva em um semicondutor são m'n = 0.62m0 e
m'p = 1.4m0. Determine a posição do nível de energia de Fermi intrínseco com
respeito ao centro da banda proibida em T = 300 K. (b) Repita a parte (a) se m'n
= 1.10m0 m'p = 0.25m0.
Tabela 4.5 | Concentração intrínseca como uma função da temperatura
4.12 Calcule EFi, o que diz respeito ao Centro AF o bandgap em silício para T = 200,
400 e 600 K.
4.13 Traçar a intrínseca energia Fermi EFi, o que diz respeito ao centro da bandgap
em silício para 200 ≤ T ≤ 600 K.
4.14 Se a densidade de estados de funcionar na banda de condução de um
semicondutor em particular é uma constante igual a K, derive a expressão de
concentração de equilíbrio térmico de electrões da banda de condução,
assumindo a estatística de Fermi-Dirac e assumindo a aproximação de
Boltzmann é válido.
4.15 Repita o Problema 4.14 se a densidade de estados função é dada por gc (E) = C1
(E - E,) para E ≥ Ec, onde o C1 é uma constante.
Seção 4.2 Átomos Dopantes e Níveis de Energia.
4.16 Calcule a energia de ionização e raio do elétron doador no germânio usando a

teoria de Bohr. (Utilize a densidade de estados massa efetiva como uma primeira
aproximação).
4.17 Repita o Problema 4.16 para arseneto de gálio.
Seção 4.3 Os Semicondutores Extrínsecos

4.18 A concentração de elétrons em silício a T = 300 K é n0 = 5 x 104 cm-3. (a)
Determinar p0. É este o material n- ou p-type? (b) Determinar a posição do nível
de Fermi com respeito ao nível de Fermi intrínseca.
4.19 Determine os valores de n0 e p0 para silício a T = 300 K, se a energia de Fermi é
0,22 eV acima da energia da banda de valência.
4.20 Se Ec – EF = 0,25 eV em arsenieto de gálio a T = 400 K. calcular os valores de
que não e p0. (a) Supondo que o valor de n0 da parte (b) se mantém constante,
determinar Ec - Ef e p0 a T = 300 K.
4.21 O valor de p0, em silício a T = 300 K é de 1015 cm-3. Determine (a) Ec – EF e (b)
n0.
4.22 (a) Considere o silício a T = 300 K. Determine se p0, se EFi – EF = 0.35 eV. (b)
Supondo que p0 na parte (a) mantém-se constante, determinar o valor de EFi – EF
quando T = 400 K. (c) Determinar o valor de qualquer ambas as partes (a) e (b).
4.23 Repita problema 4.22 para GaAs.
*4.24 Suponha que Ec = EF, a T = 300 K em silício. Determine p0.
*4.25 Considere o silício, a T = 300 K, que tem n0 = 5 x 1019 cm-3 Determinar Ec – EF.
Seção 4.4 Estatísticas dos Doadores e Receptores

*4.26 As concentrações de electrões e buracos como uma função da energia na banda
de condução e na banda do pico de valência de uma determinada energia, estão
representadas como mostrado na Figura 4.8. Considere o silício e Ec – EF = 0,20
eV. Determinar a energia, em relação às bordas da banda, com as concentrações
de pico.
*4.27 Para a aproximação Boltzmann para ser válido para um semicondutor, o nível de
Fermi deve ser de pelo menos 3 KT abaixo do nível dos doadores em um
material do tipo n e pelo menos 3 KT acima do nível do receptor em um material
do tipo p. Se T = 300 K, determinar a concentração elétron máximo em um
semicondutor do tipo n e a concentração máxima buraco em um semicondutor
do tipo p para a aproximação Boltzmann de ser válido em (a) de silício (b) de
arseneto gálio.
4.28 Traça-se a proporção de átomos doadores não ionizados à concentração
eletrônico total em função da temperatura para o silício sobre a faixa de 50 ≤ T
≥200 K.
Seção 4.5 Neutralidade de Carga
4.29 Considere um semicondutor germânio a T = 300 K. Calcular as concentrações de

equilíbrio térmico de no e po para (a) Na = 1013 cm-3, Nd = 0, e (b) Nd = 5 x 1015
cm-3, N0 = 0;
*4.30 O nível de Fermi em tipo n de silício a T = 300 K é de 245 meV abaixo da banda
de condução e 200 meV abaixo do nível dos doadores. Determine a
probabilidade de encontrar um elétron (a) no nível dos doadores e (b) em um
estado na banda condução kT acima do limite de banda condução.
4.31 Determine os elétrons e buracos concentrações de equilíbrio em silício para as
seguintes condições:
(a) - T = 300 K, Nd = 2 x 1015 cm-3, Na = 0;
(b) - T = 300 K, Nd = 0, Na = 1016 cm-3;
(c) - T = 300 K, Nd = Na = 1015 cm-3;
(d) - T = 300 K, Nd = 0, Na = 1014 cm-3;
(e) - T = 300 K, Nd = 1014, Na = 0;
4.32 Repita o problema 4.31 for GaAs.
4.33 Suponha que arseneto de silício, germânio, gálio e cada um tem concentração
dopantes de Nd = 1 x 1013 cm-3 e Na = 2,5 x 1013 cm-3 em T = 300 K. Para cada
um dos três materiais (a) É este tipo de material n ou tipo p? (b) Calcular n0 e p0.
4.34 Uma amostra de silício, a T = 450 K é dopado com boro a uma concentração de
1,5 x 1015 cm-3 e com arsénio a uma concentração de 8 x 1014 cm-3. (a) é o tipo
de materiais n ou p? Determine as concentrações de elétrons e buracos. (c)
Calcule a concentração total de impureza ionizado.
4.35 A concentração de buracos equilíbrio térmico em silício a T = 300 K é p = 2 x
105 cm-3. Determinar a concentração dos elétrons em equilíbrio térmico. É o tipo
de material n ou p tipo?
4.36 Numa amostra de GaAs a T = 200 K, foi determinado experimentalmente que n
= 5 e que N = 0. Calcular n0 e p0 e Nd.
4.37 Considerar uma amostra de silício dopado pelo Nd = 0 e Na = 2,5 x 1014 cm-3.
Traça-se a concentração de portadores maioria em função da temperatura ao
longo do intervalo de 200 ≤ T ≥ 500 K.
4.38 A temperatura de uma amostra de silício é T = 300 K e da concentração doping
aceitante é Nd = 0. Traça-se a concentração de portadores minoritários (em um
gráfico log-log) versus N ao longo do intervalo1015 ≤Nd≥1018 cm-3.
4.39 Repita o problema 4.38 for GaAs.
4.40 Um determinado material semicondutor é dopado em Na = 0 e Nd = 2 x 1013 cm-
3
, e a concentração de portadores é intrínseca ni = 2 x 1013 cm-3. Suponha
ionização completa. Determine as concentrações da maioria equilíbrio de
portadores minoritários térmicas.
4.41 (a) O silício a T = 300 K é uniformemente dopada com átomos de arsénico a
uma concentração de 2 x 1016 cm-3 e átomos de boro, a uma concentração de 1 x
1016 cm-3. Determinar as concentrações de equilíbrio térmico de maioria e
minoria carrega. (b) Repita a parte (a), se as concentrações de impurezas são 2 x
1015 cm-3 átomos de fósforo cm e 3 x 1016 cm-3 átomos de boro.
4.42 No silício, a T = 300 K, verificou-se experimentalmente que n = 4,5 x 104 cm-3
um N = 5 x 1015 cm-3. (a) é o tipo de material n ou p tipo? (b) determinar as
concentrações da maioria e da minoria transportadora. (c) quais os tipos e
concentrações de átomos de impureza não existem no material?
Seção 4.6 Posição do Fermi Nível de Energia

4.43 Considere germânio com uma concentração de aceitador de Na = 1015 cm-3, com
uma concentração de dador de Nd = 0. Considere temperaturas de T = 200, 400 e
400 K. Calcular a posição de energia de Fermi em relação ao nível de Fermi
intrínseca a estas temperaturas.
4.44 Considere germânio a T = 300 K com concentrações de dadores de Nd = 1014,
1016 e 1018 cm-3. Seja Nd = 0. Calcula-se a posição do nível de energia de Fermi
em relação ao nível de Fermi intrínseca para estas concentrações dopantes.
4.45 Um dispositivo de GaAs é dopado com uma concentração de dador 3 x 1015 cm-
3
. Para que o dispositivo funcione adequadamente, a concentração de portadores
intrínseca deve permanecer inferior a 5 por cento da concentração de electrões.
O que é a temperatura máxima que o dispositivo pode operar?
4.46 Considere germânio com um aceitador de concentração N = 1015 cm-3 e uma
concentração dador de Nd = 0. Lote a posição de energia de Fermi em relação ao
nível de Fermi intrínseca como funciona de temperatura ao longo do intervalo de
200 ≤T≥600 k.
4.47 Consider silicon at T = 300 K with Na = 0. Plot the position of the Fermi energy
level with respect to the intrinsic Fermi level as a function of the donor doping
concentration over the range 1014 ≤N≥ 1018 cm-3.
4.48 For a particular semiconductor, Ek = 1.50 eV, mp = 10 m, T = 300 K, and ni = 1
x 10 cm, (a) Determinar a posição do nível intrínseco de energia de Fermi em
relação à abertura da faixa (b) átomos de impureza são adicionados para que o
nível de energia Fermi é de 0,45 eV abaixo do centro da abertura da faixa, (i)
São aceitadores ou doadores átomos acrescentado? (ii) O que é a concentração
de átomos de impureza acrescentado?
4.49 Silício a T = 300 K contém átomos aceitadores a uma concentração de N = 5 x
1015 cm-3. Átomos doadores são adicionados formando um semicondutor do tipo
n compensado de tal modo que o nível de Fermi é 0,215 eV abaixo da banda de
condução. Que concentração de átomos doadores são adicionados?
4.50 Silício a T = 300 K é dopada com átomos de aceitar a uma concentração de N =
7 x 1015 cm-3. (a) Determinar Ef – Er. (b) calcular a concentração de átomos
aceitadores adicionais que devem ser adicionados para mover o nível de Fermi
uma distância kT mais perto da borda da banda de valência.
4.51 (a) Determinar a posição do nível de Fermi em relação ao nível de Fermi
intrínseca em T = 300 K, que é dopado com átomos de fósforo a uma
concentração de 1015 cm-3. (b) Repita a parte (a) se o silício é dopada com átomo
de boro, a uma concentração de 1015 cm-3. (c) Calcule a concentração de
electrões no silício para partes (a) e (b).
4.52 Arsenieto de gálio a T = 300 K contém átomos de aceitador de impureza, a uma
densidade de 1015 cm-3. Átomos adicionais de impurezas devem ser adicionados
de modo que o nível de Fermi é de 0,45 eV abaixo do nível intrínseco.
Determinar a concentração e tipo (dador ou aceitador) de átomos de impureza a
ser adicionado.
4.53 Determinar o nível de energia de Fermi em relação ao nível de Fermi intrínseca
para cada condição dada no problema 4.31.
4.54 Encontre o nível de energia Fermi em relação à energia da banda de valência
para a condição dada no problema 4.32..
4.55 Calcular a posição de o nível de energia de Fermi em relação ao Fermi intrínseca
para as condições indicadas no problema 4.42.
Resumo e avaliação
4.56 Um material semicondutor especial deve ser "desenhado". O semicondutor é
para ser do tipo n e dopado com 1 x 10 cm, átomos doadores. Suponha ionização
completa e assumir N = 0. A densidade efectiva de funções estados são dadas
por: N = N = 1,5 x 10 cm, e são independentes da temperatura. Um dispositivo
semicondutor especial fabricada com este material requer a concentração de
elétrons para ser superior a 1,01 x 10 cm em T = 400 K. Qual é o valor mínimo
da energia da banda.
4.57 Átomos de silício, a uma concentração de 10 cm, são adicionados a arsenieto de
gálio. Assuma que os átomos de silício agir átomos dopantes como totalmente
ionizado e que 05 por cento da concentração adicionada substituir átomos de
gálio e 95 por cento substituir átomos de arsénio. Seja T = 300 K (a) Determinar
as concentrações doador e receptor, (b) Calcular a concentração de elétrons e
buracos do nível de Fermi em relação a E.
4.58 Defeitos em um material semicondutor introduzem estados permitidos dentro do
gap banda proibida. Suponha que um defeito especial em silício introduz dois els
discretos: Leve um nível doador 0,25 eV acima do topo da banda de valência, e
um nível aceitador 0,65 eV acima do topo da banda de valência. O estado de
carga de cada defeito é uma função da posição do nível de Fermi (a) Esboçe a
densidade de carga de cada defeito como os movimentos do nível de Fermi para
E. E que domina nível de defeitos em materiais fortemente dopado tipo n? (b)
em tipo p dopada N = 10 cm. (c) Determine a posição do nível de Fermi, se não
há átomos dopantes são adicionados. É o tipo n material, tipo p ou intrínseca?

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CAPÍTULO

A té agora, consideramos um cristal geral e aplicamos os conceitos da mecânica

4.1 | PORTADORES DE CARGA EM SEMICONDUTORES

A taxa de fluxos de carga é atual. Em um semicondutor, dois tipos de portadores de

4.1.1 Equilíbrio Distribuição de Elétrons E Buracos

onde fF(E) é a função de Fermi-Dirac probabilidade e gc(E) é a densidade de estados

Figura 4.1 | (a) Densidade de funções estados, função de probabilidade de Fermi-Dirac,

A Figura 4.la mostra um gráfico da densidade de estados funcionais na banda de

Aplicando a aproximação de Boltzmann a equação (4.3), a densidade de equilíbrio

A integral é a função gama, com um valor de:

Em seguida, a equação (4.7) se torna:

Podemos definir um parâmetro como Nc:

de modo que a concentração de elétrons em equilíbrio térmico na banda de condução

O parâmetro Nc é chamado função densidade efetiva dos Estados na banda de

Exemplo 4.1 | Objetivo

Calcule a probabilidade de que um estado na banda de condução é ocupado por um

A probabilidade de que um estado de energia de E = Ec seja ocupada por elétrons é

A concentração de equilíbrio térmico de orifícios na banda de valência é

Podemos notar que:

Aplicando a aproximação de Boltzmann da equação (4.13b) à equação (4.12),

Podemos definir um parâmetro como Nv:

o qual é chamado a função densidade efetiva dos Estados na banda de valência. A

A magnitude de Nv também é da ordem de 1019cm-3, a T = 300 K para a maioria dos

Exemplo 4.2 | Objetivo

Calcular a concentração de furos em equilíbrio térmico no silício a T = 400K.

Os valores de parâmetros em T = 400K são encontrados como:

a concentração de furos é então

Os valores dos parâmetros a qualquer temperatura pode ser facilmente encontrado

A densidade efetiva dos estados de funções, Nc e Nv, são constantes para um

E4.1: Calcular o equilíbrio térmico do elétron e a concentração de buracos no silício

E4.2: Determine o equilíbrio térmico do elétron e a concentração de buracos no GaAs

4.1.3 A Concentração De Portadores Intrínsecos

Para um semicondutor intrínseco, a concentração de elétrons na banda de condução é

Tabela 4.1| Densidade efetiva de estados de função e valores de massa efetiva

O nível de energia de Fermi para os semicondutores intrínsecos é chamado de

se pegarmos o produto das equações (4.20) e (4.21), nós obtemos

onde Eg é a energia de banda proibida. Para obter um material semicondutor numa

Tabela 4.2| Valores comumente aceitos de Ni em T=300 K.

A concentração dos portadores intrínsecos é muito forte em função da temperatura.

Para calcular a concentração de portador intrínseco no arsenato de gálio em T=300 K e

Usando a equação (4.23), nós encontramos para T=300 K

em T = 450 K, nós encontramos

A figura 4.2 é um gráfico de Ni da equação (4.23) para o silício, arsenato de gálio e

E4.3: Encontrar a concentração de portadores de cargas no silício a (a) T=200K e (b)

E4.4: Repetir o mesmo exercício para o GaAs

E4.5: Repetir o mesmo exercício para o Ge

4.1.4 A Posição Intrínseca De Nível Fermi

A partir das definições para Nc e N0 dadas pelas equações (4.10) e (4.18),

Para calcular a posição do nível de Fermi em relação ao centro da banda proibida no

O nível de Fermi em relação ao centro da banda proibida é:

4.2 |DOPAMENTO DE ÁTOMOS E OS NÍVEIS DE

O semicondutor pode ser um material interessante, mas o poder real de semicondutores

4.2.1 Descrição Qualitativa

Figura 4.3 | Representação Figura 4.4 | Representação

O átomo de fósforo, sendo o doador de elétrons é carregado positivamente. Em

4.2.2 Energia de ionização

Em que v é a magnitude da velocidade e rn é o raio da órbita.se assumirmos que o

Onde n é um número inteiro positivo, resolvendo para v a partir da equação (4.28),

Podemos normalizar o raio do orbital doador para o do raio de Borh, que da

Onde Єr é a constante dielétrica relativa do material semicondutor, m0 é a massa em

ou r1 = 23.9 Å. Este raio corresponde a aproximadamente quatro estruturas constantes

em que T é a energia cinética e V é a energia potencial do elétron. a energia cinética é