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 序 言 1

序 言

本書以有系統的方式，深入淺出地介紹目前半導體歷史回顧、物理及元件物理
與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術特別是奈
米材料在最近發展快速之後，半導體的應用更加朝向奈米級的應用。內容可分為十
個章節：第一至第五章涵蓋目前主流半導體元件基本特性、包括了材料、結構、電
磁場中的傳輸行為、以及光電特性。第六至第八章探討現代與先進的元件物理之原
理及相關應用、包括了 MOS 結構、非晶型半導體、以及半導體多層結構。第九至
第十章則討論以半導體元件為主的相關半導體製程與應用，包括了半導體長晶、長
膜、以及元件製程。由於強調基本物理觀念與實用並重，且對於重要的觀念或關鍵
技術均會清楚地交代，並盡可能以「雷達報報站」的補充解釋來幫助讀者理解與想
像，以期收事半功倍之效。

本書宗旨主要是提供讀者在半導體製造工程上建立更完整的元件物理基礎上，
進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工
程、系統工程、應用物理、與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，
也可以作為半導體業界工程師的重要參考。適合基礎理工、電子訊息、半導體相關
科系學生學習的教科用書，也可提供相關從業人員參考進修之用。

本書內容足以提供連續兩學期的半導體元件物理與製程技術的課程。若是一個
一學期的課程，則教師可以使用第一章至第五章的內容來講授半導體基礎元件物理；
下半學期可以使用第六章至第十章的內容來講授現代半導體元件的應用與製程技術。

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 目 錄 1

目 錄

CHAPTER 1 半導體的歷史回顧

一、半導體簡介與歷史演進／ 2

CHAPTER 2 半導體的材料與結構特性

一、半導體的材料／ 8
元素半導體與化合物半導體／ 8
奈米半導體／ 9
二、半導體的結構／ 10
晶體和非晶體──原子之大家族／ 10
晶面和晶向──米勒指數／ 11
金剛石結構（diamond lattice）和閃鋅礦結構（Zincblende lattice）／ 15
Ⅲ-Ⅴ族 GaAs 之結構分析與界面態模型／ 17

CHAPTER 3 半導體的電子結構與能隙理論

一、能隙的形成／ 24
二、金屬、絕緣體、半導體與費米能階（Fermi level）／ 28
三、內廩（intrinsic）半導體與外廩（extrinsic）半導體
──不純物加入的影響／ 32
電洞（Holes）的概念與有效質量的意義／ 32
四、有效質量可由實驗上測得──迴旋加速器
共振法（cyclotron resonance）／ 38
內廩半導體和外廩半導體的差別／ 41

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2 半導體工程 精選

CHAPTER 4 半導體中載流子在電場與磁場中的傳輸行為

一、電阻產生的原因／ 50
晶格振動所致之載流子散射／ 53
不純物所導致的載流子散射／ 54
捕獲與再結合中心（trap and recombination center）／ 54
二、電阻的量測／ 55
定電流測電壓方法／ 55
單臂惠斯通電橋方法／ 56
雙臂惠斯通電橋方法／ 56
開爾文四線連接測試技術／ 57
四點探針量測法／ 58
三、載流子在磁場中的作用 霍爾效應（Hall effect）／ 61

CHAPTER 5 半導體的光學性質與光電效應

一、半導體的光電現象／ 68
半導體的光吸收／ 68
反射率和透射率／ 71
二、本質吸收（intrinsic absorption）／ 73
直接躍遷／ 73
間接躍遷／ 74
三、其他吸收／ 76
激子吸收／ 76
自由載子的吸收／ 76
雜質的吸收／ 77
晶格振動吸收／ 78
四、半導體的光電導／ 78
光電導的現象／ 78
五、半導體的光生伏特效應／ 81

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 目 錄 3

光生伏特效應／ 81
光電池與太陽光電池／ 82

CHAPTER 6 半導體的同質結、異質結及 MOS 結構

一、非平衡載流子／ 88
非平衡載流子的復合與生命期 ／ 89
非平衡載流子的擴散與漂移／ 89
二、同質結──p-n 結（p-n Junction）／ 95
平衡時的 p-n 結位能障／ 96
p-n 結的順向注入／ 97
p-n 結的逆向抽取／ 99
p-n 結的整流作用（rectification）與載流子之注入（injection）／ 101
p-n 結的電容／ 101
p-n 結的擊穿（break down）及隧道結／ 106
三、異質結（hetergeneous junction）／ 109
四、MOS 結構（Metal-Oxide-Semi-conductor Structure）／ 112
理想的 MOS 結構的電容－電壓特性／ 115

CHAPTER 7 非晶型半導體

一、非晶型物質／ 126
二、非晶型物質的基本能隙模型／ 128
三、非晶型物質在半導體元件上的應用／ 130
摻雜的效應／ 131
直流電導／ 131
非晶態半導體中的缺陷／ 134

CHAPTER 8 半導體的表面、界面與多層結構

一、半導體表面結構／ 136

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4 半導體工程 精選

表面弛豫（surface relaxation）／ 136

表面重構（surface reconstruction)／ 138
台階表面（stepped surface）／ 139
吸附表面／ 140
二、金屬與半導體界面／ 140
蕭特基位能障的原因／ 140
歐姆接觸（Ohmic contact）／ 143
三、矽與二氧化矽界面／ 144
四、半導體常見的吸附／ 148
五、半導體的多層結構──超晶格／ 150
超晶格的結構與物理功能／ 150
超晶格和量子阱材料的應用／ 154

CHAPTER 9 半導體長晶與薄膜製程

一、晶體成長製程／ 158
半導體晶體生長的方法／ 158
區域精煉與浮區成長（Zone refining, floating zone）／ 160
二、半導體薄膜的製程方法／ 164
真空蒸發鍍膜法（也就是物理氣相沈積法
：Physical vapor deposition）／ 164
特殊蒸發法──幾種比較便宜的方法／ 172
濺射鍍膜法（sputtering）／ 173
化學氣相沈積法（CVD）／ 177

CHAPTER 10 半導體元件製程

一、前言／ 190
二、氧化物的形成／ 191
二氧化矽的結構與性質／ 192
氧化的方法／ 193

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 目 錄 5

熱氧化速率的因素／ 198
在元件上的作用／ 199
三、摻雜／ 203
熱擴散／ 203
熱擴散的方法／ 208
離子注入法／ 211
四、光微影技術（lithography）／ 219
圖形轉移／ 220
圖形刻蝕／ 224

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 CHAPTER 1
半導體的歷史回顧

一 、 半 導 體 簡 介與 歷 史 演 進

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2 半導體工程 精選

一、半導體簡介與歷史演進

導電能力介於導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。半導體材料是一種具
有半導體性能、可用來製作半導體元件和積體電路的電子材料，常用的矽晶半
導體其電阻係數在 0.001～1000 歐姆-釐米範圍內。半導體材料的電學性質對
光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質就
可以控制這類材料的電導率。
正是利用半導體材料的這些性質，才製造出功能多樣的半導體元件。半導
體材料是半導體工業的基礎，它的發展對半導體技術的發展有極大的影響。半
導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類：
元素半導體有鍺、矽、硒、硼、碲、銻等。50 年代，鍺在半導體中佔主
導地位，但鍺半導體元件的耐高溫和抗輻射性能較差，到 60 年代後期逐漸被
矽材料取代。用矽製造的半導體元件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製
作大功率元件。因此，矽已成為應用最多的一種半導體材料，目前的積體電路
大多數是用矽材料製造的。
化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。它的種
類很多，重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化矽、硫化鎘及鎵砷矽等。其
中砷化鎵是製造微波元件和積體電路的重要材料。碳化矽由於其抗輻射能力
強、耐高溫和化學穩定性好，在航太技術領域有著廣泛的應用。
非晶形半導體材料用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，
分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關、記憶特性和
很強的抗輻射能力，主要用來製造閾值開關、記憶開關和固體顯示元件。當今
熱門的能源材料 ── 太陽能電池，很多都是採用非晶形半導體材料所製作的。
有機半導體材料。已知的有機半導體材料有幾十種，包括 、 、聚丙
烯 、 菁和一些芳香族化合物等，但目前尚未得到應用。
人類的文明演進與材料之發展，自古以來就是息息相關。從上古的石器時

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 第一章 半導體的歷史回顧 3

代、銅器時代……到近四分之一個世紀以來，進步最快、影響最深遠的，莫過
於半導體材料了，因而使得人類堂堂進入「矽」器時代（半導體元件中用的最
多的是矽材料）。我們每天在家裡或外面所接觸到的電器設備，裡面都是使用
半導體元件製成，但是通常被藏在黑盒子裡，以至於落到「吃過豬肉卻不曾看
過豬走路」的局面。本書希望讀者能一窺黑盒子裡的秘密，了解半導體神通廣
大的功能與奇妙的特性。在往後的幾章，半導體的特性、元件製作與應用將有
很詳細的解說。

‧西元 1833 年─著名的實驗物理學家法拉第（Faraday），觀察到硫化銀

的電阻率隨著溫度上升而減少（稱為負溫度係數），這是第一次觀察到
半導體的基本性質之一，與一般金屬的正溫度係數（電阻率隨著溫度上
升而上升）相反。
‧西元 1873 年─史密斯（Smith）以光照射 Se 上時，電阻會變小，發現
了半導體光電導的特性。
‧西元 1879 年─霍爾效應（Hall effect）的發現，可以用來確定在半導體
中載流子濃度與遷移率（mobility），進而發現有正載流子且遷移率比
正離子大，而提出電洞（hole）作為正電荷載流子之圖像。
‧西元 1906～1926 年─矽（Si）和鍺（Ge）開始被用於製作半導體整流
元件。
‧西元 1956 年─巴丁（J. Bardeen）、布拉坦（W. H. Brattain）和薛克利
（W. B. Shockley）因為研究半導體及電晶體效應而獲得諾貝爾獎。在這
期間半導體的固態能隙理論也已逐漸發展完成。
‧西元 1958 年─貝爾實驗室（Bell Lab）的科學家利用 Si 作出矽平面式
的電晶體，後來的德州儀器（T. I.）公司和費爾契德（Frairchid）把電
晶體、電阻、電容放在一個小的矽晶片上（Si wafer）構成整個電路或
系統，為積體電路之先驅（Integrated Circuit，簡稱 IC）。
‧到了 1970 年代，積體電路的製造技術漸漸成熟，擁有 100 個、1,000 個
甚至 10,000 個電晶體的積體電路便循序發展成功，而有小型（SSI）、
中型（MSI）、大型（LSI）之別。1968 年執半導體工業牛耳的費契德

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4 半導體工程 精選

公司發生經營危機，公司內多位具有新穎構想的專家們乃另外組織 Intel
公 司，從 事 大 型 積 體 電 路 產 品 的 生 產，於 該 年 代 成 功 生 產 4 位 元
（4004）、8 位元（8080）次至於 16 位元（8086）的微處理機（micro-
processor），開啟了所謂的微電腦時代。
‧西元 1970 年之後─貝爾實驗室（Bell Lab.）採用化合物半導體材料砷化
鎵，利用其直接能隙（Direct bandgap）、發明了室溫半導體雷射，開創
了光電通訊的新紀元。
‧而西元 1994 年時，台灣台積電的張忠謀董事長更率先催生全世界第一
家半導體專業代工公司的出現（不生產自己產品，設計公司拿圖樣，請
台灣積體電路公司生產），創新產業競賽、撼動競爭規則。台灣積體電
路公司，更是讓台灣的半導體業首度在國際揚名，並帶動半導體產業朝
向民生化的用途。

所以回顧歷史，半導體的應用隨著技術的改進，將持續有良好的發展。例
如在積體元件的應用上，希望尺寸能愈作愈小，並隨著奈米科技的配合下，不
但提供了基礎物理研究的新課題，更將帶領工業界製造在一顆晶粒上容納上億
個元件成為可預見的事實。而半導體材料藉由改變元素半導體的幾何形狀（如
多孔矽），或是非結晶狀態，或是尋找新的化合物半導體，都將在半導體的相關
元件下，如偵測器、發光元件，或是太陽電池功率元件，提供了多樣性的選擇。

雷達報報站：莫爾定律

電腦計算能力提升的速度究竟有多快？西元 1964 年高登‧莫爾先生

（Gordon Moore），Intel 創辦人之一，提出他的觀察用來說明晶片進步的
速度：「一片晶片上的電晶體數每 12 個月就會加倍，但是價格不變（在西
元 1975 年調整成 18 個月）」，這項聞名的預測被稱之為莫爾定律（見圖
1-1），其後影響了電腦半導體產業發展三十多年，也帶動了全球文明的高
速發展。

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 第一章 半導體的歷史回顧 5

圖 1-1 莫爾定律的預測影響了電腦半導體晶片的發展

雷達報報站：積體電路

積體電路又叫集成電路，目前使用的範圍很廣，但大部分用在低功率
元件上：一般高功率放大器還是以電晶體為主，故打開電腦盒子，你會看
到許多長接腳，長方形或正方形，像黑色毛毛蟲的，就是它啦！積體電路
的類別很多，從外殼材料上分，有金屬、塑料和陶瓷三種，從線路上來分，
有邏輯電路和線性電路。為什麼會出現積體電路呢？因為人類的太空飛行、
火箭、電腦等技術迅速發展後，迫切地需要解決體積與重量的問題，並且
希望設備的可靠度提高。積體電路出現後，輕、薄、短、小的要求達到了，
而且由於元件之間連接線大大地減少了，故線路的可靠性也大大地提高了。
在民生方面，可作成很小的助聽器，手提的甚至掌上型的各種電子產品，
例如手機、PDA 及筆記型電腦，甚至近來的生醫科技也拜積體電路之賜而
大放異采。

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6 半導體工程 精選

雷達報報站：為什麼矽的使用比鍺多？

套句俗語「平平（台語）都是同一父母生，一個作官，另一個作流
氓」。矽與鍺都是四價的元素半導體，為何先發展起來的鍺會先熟先爛
（Soon ripe, soon rotten），被後來居上的矽取代呢？
西元 1960 年代的電晶體原以鍺（Ge）電晶體為主，但氧化鍺為水溶
性，鍺的表面保護較困難，容易損傷而生成漏電流（leak current）；而矽
（Si）可經高溫氧化形成二氧化矽表面保護層，且矽（Si）本身漏電流較
小。除此之外，矽又比鍺便宜（地殼到處都是，可由石英岩提煉純化）。
但是近來因為高速元件的需求而出現一種矽鍺半導體（SiGe）。矽鍺
為矽半導體加鍺元素，在高頻環境下，較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率
損耗優點；相較於砷化鎵（GaAs），矽鍺半導體有較優的高集積度、高電
子傳導頻率，及製造良率較高的優勢；另外，矽鍺製程技術可與 CMOS 技
術相容並整合，也可整合 FET 與 Bipolar。不過，矽鍺半導體其崩潰電壓
（Breakdown Voltage）較低（低於 5V，一般的電子元件需要 15V）。就應
用層面而言，矽鍺半導體可應用藍芽（Bluetooth）、功率放大器、行動電
話、RF IC、SOC 或光纖骨幹網路 SONET 介面 IC。

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第二章

CHAPTER 2
半導體的材料
與結構特性

一、半導體材料
二 、 半 導 體 的 結構

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8 半導體工程 精選

一、半導體的材料

元素半導體與化合物半導體

前面提到了一些矽、鍺、砷化鎵等，事實上這些都是屬於半導體材料。半
導體再細分，還可以分為元素半導體（Element Semiconductor）和化合物半導體
（Compound Semiconductor）。矽、鍺是元素半導體，砷化鎵則屬於化合物半
導體。化合物半導體有兩種形式：Ⅲ-Ⅴ族半導體與Ⅱ-Ⅵ族半導體。前者是由
元素周期表中ⅢA 及 ⅤA 族的元素所組成，例如氮化鎵等；後者是由元素周期
表中的ⅡB 及ⅥA 族的元素所組成，例如硒化鎘等。其他還有許多種，諸如Ⅳ-
Ⅳ族，Ⅱ-Ⅵ族，Ⅳ-Ⅵ族，由下表列出的情況看來，將不同價數的元素組合而
成的化合物半導體，似乎是可以以排列組合對每一個元素作用。如此一來經由
排列組合，可得到一系列的Ⅲ-Ⅴ族，Ⅱ-Ⅵ族，Ⅳ-Ⅵ族的化合物半導體。

表 2-1 元素與化合物半導體
Ⅳ-Ⅳ Ⅲ-Ⅴ Ⅱ-Ⅵ Ⅱ-Ⅵ
Element
Compounds Compounds Compounds Compounds
Si SiC AlAs CdS PbS
Ge AlSb CdSe PbTe
BN CdTe
GaAs ZnS
GaP ZnSe
GaSb ZnTe
InAs
InP
InSb
註：摘自 S. M. SZE 之 Semiconductor devlces, p. 3

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 第二章 半導體的材料與結構特性 9

我們先前談到的矽材料在半導體製程中的應用已逐漸取代鍺，而對於砷化
鎵等化合物半導體而言，由於具有直接躍遷的能隙，故在半導體發光元件，例
如半導體雷射的製作上，是元素半導體所無法取代的。

奈米半導體

當材料尺度由巨觀到微米，再縮小到奈米時，它所代表的意義並不只是尺
寸的縮小，許多嶄新而豐富的物質特性，如光學性質、磁性、電性、導熱性
等，亦隨之出現，因此也就衍生了許多新的應用。奈米材料的小尺寸，造就了
表面原子數激增（也就是說表面積對體積的比例大增）與量子效應的出現兩個
基本特徵。奈米材料的基本特徵便是量子化效應的出現。量子化是微觀世界中
一個普遍的現象，它敘述微觀世界的物質所可以具備的能量或是其他的參數，
不會是任何一個值，而是量化的，也就是不連續的。這個量化的現象不同於巨
觀世界中能量是連續的狀況。
對奈米材料而言，當材料的尺寸由巨觀縮小至接近於數個原子或分子的大
小時，其能量狀態的分佈由連續轉變為量化的狀態，繼而明顯地影響奈米材料
的許多性質。當半導體材料縮減成奈米粒子的時候，會有什麼量化的現象呢？
在研究不同粒徑的半導體奈米粒子的能隙特性時，發現一個現象，就是當粒徑
減小時，粒子電子結構的能量分佈出現逐漸分散的能階態，而非群聚式的能
隙，也就是說在價帶與導帶之間的能隙越變越大。科學家發現要將不同粒徑的
半導體奈米粒子的價電子以照光的方式激發至導帶，所需要光的波長就有所不
同，也就是如前面的量化現象所述，粒徑越小的粒子，能隙越大，也就是需要
的能量越大、波長越短的光。當硒化鎘奈米粒子的價電子經由照光激發至能量
狀態較高的傳導帶之後，會自發性地將能量釋放而回到較穩定的價帶，這能量
的釋放是以光的形式進行的。前面說過，因為粒徑的不同而造成硒化鎘奈米粒
子具有不同的能隙大小。相對地，亦會因為粒徑的增大，而釋放出波長較長的
光。因此，經由製備不同粒徑的硒化鎘奈米粒子，便可僅僅因為粒徑大小的不
同，而釋放不同顏色的光。由此可知，量子侷限化效應造成半導體奈米粒子具
有如此特殊的放光性質，實在非傳統材料所能達到。目前半導體奈米粒子的光

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10 半導體工程 精選

學性質已應用於諸如奈米雷射、生物醫學檢測（經由與蛋白質或 DNA 分子的

吸附）等許多方面。

雷達報報站：奈米的應用

最近一個奈米生物技術的例子：未來的人造胰臟，利用現今的微機電
技術裡的光蝕刻技術，製造一種穿透膜，其中佈滿了微細的孔洞，其孔徑
大小是均勻的 18nm。若是將胰腺細胞裝進佈滿奈米孔的膜中，因為極微小
孔徑的關係，使得埋在其中的胰腺細胞所分泌的胰島素以及其他的小分子
如氧和葡萄糖得以順利穿透進出薄膜；但相對地，人體內免疫系統所分泌
的較大抗體分子如免疫球蛋白 G（immunoglobulin G）卻無法穿透而入，破
壞胰腺細胞。這可是糖尿病患者的一大福音。

二、半導體的結構

晶體和非晶體──原子之大家族

固體可以分為晶體和非晶體兩大類。晶體是由原子（或離子、分子）按一
定規律周期排列而成。因此晶體結構的周期性是其主要特徵，甚至本章中提到
的能隙結構也與晶體的周期性有關。晶體又分為單晶（single crystal）、多晶
（polycrytal）與微晶（microcrystal）。單晶是對於整個塊材（bulk）中，原子
都是有規則地、周期地重複排列起來。多晶（poly crystal）是由許多區域的晶
粒（ 0.01mm）組成的。在每個晶域內，原子的排列是規則的，但是不同晶域
會有不同的晶面方向，所以在晶域的邊界上（grain boundary）是屬於弱關聯的
區域，對於微晶（microcrystal）其晶域延伸的範圍又更小（大約 1 m）。非晶
體的原子排列則沒有明確的周期性。一般而言，半導體中的鍺、矽、砷化鎵、
銻化銦、硫化鎘等都是單晶體，而金屬則一般屬於多晶體。

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 第二章 半導體的材料與結構特性 11

單晶 多晶 微晶 非晶

圖 2-1 各種晶體的分類

但是千萬不要誤以為只有單晶體才有較大之應用範圍，事實上在半導體工
程中，單晶的製備是相當困難且昂貴的，在非晶材料，由於製程方便且便宜，
故具有開發性的價值，例如非晶矽由於其光吸收波段 1.5～1.8eV，恰好與太陽
光一致，故已大量用來生產太陽電池。

晶面和晶向──米勒指數

前面提到晶體是由原子對稱的排列造成的，對於這些晶挌，我們可以引入
空間座標的方式來表示原子的排列，通常用 3 個數字來描述，稱為米勒指數1
（miller index）。如一平面割軸於正側（負側），則對應指數為正（負），可
在指數中表示出來，例如立方晶體的立方面為（100），（010），（001），
（100），（010），（001），可 用 一 組 立 方 面{100}表 示。若 表 示 成
〔100〕，則表示（100）平面的向量。其他則依此類推。例如我們說平面
（200），則其涵意為一平面為平行（100），但割軸為 a/2 處。以下即為這幾
種平面之示意圖。在半導體生產的矽元件中，常常對矽材料的晶向提出一定的
要 求，例 如 BJT（Bipolar Junction Transistor）要 求 沿〔111〕晶 向 生 長 的
（111）晶面，而 MOS 元件則要求（100）晶面的材料。

1
米勒指數定義為截距的倒數，再取其最簡約分。

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12 半導體工程 精選

雷達報報站：一片晶片出來，如何判斷（ ）面或是（ ）面？

一般長晶後，必須切成薄片，拋光之後，才能形成一片可以作鍍膜、
或積體電路的晶片（wafer）。記得我們在前面曾經提到，製作不同的元
件，需選用不同晶向的材料，但如何去判斷晶向呢？
通常晶片在製作完之後，會以二種切口作為標識的記號。圖 2-2 就是
常見的幾種切口，標識了（111），（100）及 n 型或 p 型的晶片種類。另
外還有一種方式，如果當你切割晶片時，總是無法切成一塊像四方形的，
而是很容易切成三角形的形狀，就代表是（111）的晶向，如果可以順利切
成四方形的話就是（100）晶向。

PRIMARY PRIMARY
45° FLAT FLAT

SECONDARY
FLAT
{111}n-TYPE {111}p-TYPE

180°
PRIMARY PRIMARY
FLAT FLAT
90°
SECONDARY SECONOARY
FLAT FLAT
{100}n-TYPE {100}p-TYPE

圖 2-2 常見的幾種半導體晶片切口
註：摘自 S. M. SZE 之 Semiconductor devices, p. 315

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 第二章 半導體的材料與結構特性 13

x y
（100） （110） （111）

（200） （100）

圖 2-3 立方晶體中，一些重要平面之指數

小小加油站
〔 〕代表方向：〔111〕、〔112〕、〔100〕等
（ ）代表平面：（110）、（111）等。
〈 〉代表一組方向，例如〈110〉代表〔110〕、〔011〕……等。
{ } 代表一組平面屬於等效晶面。

牛刀小試
對於立方晶系，常見的有[100]，[111]，[100]等低指數晶向。[100]，
[010]，[001]，[100]，[010]，[001]等 6 個晶向為對稱的，稱為等效晶
向，與[111]或[110]等效的晶向有幾個？
【提示】：作排列組合即可。

【解答】：
[111]有 8 個等效晶向
[110]有 12 個等效晶向
晶體的結構：最簡單的晶胞有以下幾種：有立方晶體（simple
cubic）、面 心 立 方（face centered cubic）、體 心 立 方（body

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14 半導體工程 精選

y
x

圖 2-4 簡單晶胞： 立方晶格； 面心立方； 體心立方

centered cubic）等。圖 2-4 為立方晶體，只在 8 個角落存在原

子，像釙（polonium）就是立方晶格（也是唯一的）。圖 2-4
為面心立方，除了角落原子之外，面的中心也存在一原子，與鄰
近面共同享用，像鋁（aluminum）、銅（copper）、金（gold）
及鉑（platinum）就是 f.c.c. 結構。體心立方則除了角落之外，在
晶格的中心多一個原子，鈉（sodium）及鎢（tungsten）為體心
立方（圖 2-4 ）

立方晶格（s. c.），面心立方（f. c. c.），體心立方（b. c. c.）各有幾個

最近原子？

【解答】：立方晶格：6 個
面心立方：12 個
體心立方：8 個

若以硬球填入晶格以形成 b.c.c.（體心立方）結構，使得中心球恰接觸
角落的球，計算 b.c.c. 原胞內，硬球所佔的比例（volume fraction）。

【解答】：
由前述可知，在體心立方中，角落的原子事實上是被八個原胞所共
享。故角落的原子只貢獻 1/8 在此晶胞內，八個角落的原子只貢獻
一個原子於此晶胞上，所以
‧每個晶胞內的硬球數 = 1（角落）+1（中心） = 2
4r =
‧若晶格常數為 a，則球的半徑為 = r

‧一個球的體積 =

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 第二章 半導體的材料與結構特性 15

（一個球的體積）×（每個晶胞的球數）
‧ volume fraction =
（每個晶胞的體積）

×
= = 0.68 = 68%

故有 68% 為球，32% 為空的

（讀者可自行計算 s.c. 與 f.c.c. 之 packing density2）

2
simple cubic = 52%
思考：diamond 事實上是兩組 f.c.c. 交錯，但
body centered cubic = 68% 為何 volume fraction 比 face centered
face centered cubic = 74% cubic 之 volume fraction 還小呢？

金剛石結構（diamond lattice）和
閃鋅礦結構（Zincblende lattice）

金剛石的原胞結構如圖 2-5 。它可以看成是由兩個互相交疊的 f.c.c. 結

構組成，一個若在原來的位置上，另一個則往 1/4（111）的方向移位而疊加在
其上。金剛石結構具有立方對稱性，故通常可按照立方晶格的方式來定其晶面
和晶向，任何兩個鄰近原子的連線都沿一個〔111〕方向。處於四面體頂點的
2 個原子的連線都沿一個〔110〕方向，四面體不共頂點的兩個稜的中點連線沿
一個〔100〕方向。常見的半導體材料，如矽（Si）、鍺（Ge）都屬於這種結
構。
砷化鎵、磷化銦Ⅲ-Ⅴ族之化合物半導體還有閃鋅礦材料是屬於閃鋅礦
結構。與金剛石結構相比，兩者在幾何上的結構是一樣的，所不同的是，把鎵
（Ga）原子放在金剛石結構的一個面心結構，而砷（As）放在有位移 1/4
（111）的另一面心結構上。在Ⅲ-Ⅴ族化合物的化學鍵中，起主要作用的是共
價鍵，但也有少量的離子鍵成分，故通常為混合鍵。除此之外，Ⅱ-Ⅵ族的碲
化鎘、碲化汞以及Ⅳ-Ⅵ族的碳化矽也是屬於閃鋅礦結構。

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16 半導體工程 精選

Ga

As
a

圖 2-5 金剛石結構； 閃鋅礦結構

註：摘自 S. M. SZe Semiconductor and device, p. 5

雷達報報站：各向異性的差異產生多種晶體結構

我們已介紹了好幾種晶體結構，有簡單立方（simple cubic）、面心立
方（face centered cubic）、體心立方（body centered cubic），金剛石結構
（diamond lattice）和閃鋅礦（Zincblende）結構，從不同的晶面看去，可發
現有時會有不同的原子數目，甚至原子之間的距離都不一樣，這就是晶體

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 第二章 半導體的材料與結構特性 17

的各向異性（anisotropic）性質，也就是我們必須引用米勒指數來定義不同
晶面的原因。也因為晶體結構的各向異性，使得許多物理量必須以張量或
隨空間而變的向量來表示。甚至蝕刻速率也不同，那是因為晶格鍵結與蝕
刻{100}與{111}面的共價鍵與懸垂鍵在 KOH 蝕刻液蝕刻時的 OH 與矽原
子的懸垂鍵反應，{111}有三個共價鍵，強度較高，故蝕刻速率低，而{100}
面只有兩個共價鍵，所以蝕刻速率高。

Ⅲ-Ⅴ族 GaAs 之結構分析與界面態模型

GaAs，InP 等Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料的禁帶寬度大，電子遷移率也高，對
製造高頻功率元件十分有利。自從 Si-MOS 元件的成功，也希望嘗試在化合物
半導體上製作 GaAs，InP 上製作 MOS 或 MIS 元件，故我們專門深入地來探討
GaAs 之晶體結構與能態密度分析。從上一小節，我們知道 GaAs 為閃鋅礦結
構，其晶格常數為 a=0.5653nm，Ga 原子的外殼層電子態為 4S24P1，As 的外殼
層為 4S24P3，形成 GaAs 時，4S24P1 與 4S24P3 軌道混合而形成 SP3 四面體共價
鍵。由於 As 原子的負電性比 Ga 原子強（As 為 Ⅴ 價，Ga 為Ⅲ價），因此 Ga-
As 鍵為極性共價鍵。
GaAs 晶體也是各向異性（anisotropic），不同晶面表現出不同的性質，它
有三個典型的晶面。（100）晶面是由 Ga 原子和 As 原子面相間排列構成的，
因此（100）晶面是極性面。在（100）面內不存在價鍵，所有價鍵都在 Ga 原
子 面 和 As 原 子 面 之 間。（100）晶 面 的 原 子 面 密 度 為 2/a2，面 間 距 為
a/4=0.141nm。晶 體 表 面 每 個 原 子 有 兩 個 懸 垂 鍵（dangling bond）（見 圖
2-6 ）。（110）面是由同等數目的 Ga 原子和 As 原子組成，故為非極性面，
面 間 距 是 2a/4 = 0.2nm。在（100）面 內，面 內 和 面 之 間 都 有 Ga-As 鍵。
（110）面的原子密度最大，因此面間距也最大，因此（110）面為解理面。在
（110）表面上 As 和 Ga 原子各有一懸垂鍵（dangling bond）（見圖 2-6 ）。
（111）面是由 Ga 原子面和 As 原子面交替排列組成，因此是極性面。在

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18 半導體工程 精選

(111)Ga
0.082nm
As
As [111] 0.245nm
0.141nm [110] 0.2nm
[100] Ga
[1 1 1]
[001]
[011] (1 1 1) As

圖 2-6 GaAs（100）面； GaAs（100）面； GaAs（111）面

（111）面之間有兩種不同的間距，長距為 3a/4 = 0.245nm，短距為 3a/12

= 0.082nm。如同前面負電性的分別，（111）Ga 原子面具有正極性，（111）
As 面具有負極性。當（111）面為晶體表面時，Ga 原子和 As 原子各有一個懸
垂鍵（見圖 2-6 ）。

雷達報報站：什麼是懸垂鍵？

在晶體的表面由於原子突然中斷，破壞了晶格的周期性，則存在著不
飽和鍵，即原子的鍵不鍵結其他原子，此時表面原子的能量比體內高，此
能量差距稱為界面能或表面能。為了降低表面能，表面幾層原子範圍的原
子間距可能增大或縮小，也就是原子可能向外擴張或向內收縮，這種收縮
稱為晶格弛豫。為什麼西元 1960 年代末成長之非晶矽特性極差呢？原來那
時製造的非晶矽中有為數高達 1019/cm3 之矽的懸垂鍵（dangling bond），
其能階位置剛好在能隙的中間。因為這些懸垂鍵只有一個電子，可丟掉這
個電子或再容納一個電子，因此形成缺陷，提供電子電洞做為復合中心，
使得載體生命期縮短，材料特性變差。摻雜之磷或硼原子所釋出之電子或
電洞，也被這些缺陷捉住，導電度無法改變，因而無法做 p-n 接面。

挑戰實力
試討論金剛石結構{100}晶面、{110}晶面和{111}晶面的共價鍵密度，
並說明金剛石結構與閃鋅礦結構的解理面。

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 第二章 半導體的材料與結構特性 19

【解答】：
{100}晶面：在金剛石結構的一個晶胞中，沿著{100}晶向（相當
於 X 軸）往下，通過了面心立方體的上面、下面、面心及 2 個體
對角線上的原子，一共可作 5 個互相平行的{100}晶面。這些晶
面的垂直距離，即面的間距 = 1/4a = 0.141nm，在 a2 的面積內，包
含了 2 個原子，因此{100}晶面的原子密度 = 2/a2。為了衡量相鄰
晶面間每個原子連結的牢固程度，不但要考慮晶面間每個原子受
到的共價鍵數，而且必須算出共價鍵的面密度，在這裡，每個
{100}原子有 2 個價鍵，故共價鍵面密度 = 原子面密度 × 2=4/a2。
{110}晶面：在一個晶胞，沿[110]晶向，可以得到 5 個互相平行
的{110}晶面，正好把[110]的面對角線分成四等分，故{110}晶面
的間距 = 2a/4，對於{100}晶面的面積為 2a × a = 2a2，內含
有 4 個原子，故原子的面密度為 2 2/a2。{110}晶面相鄰原子面
間每個原子只有一個鍵互相連結，故其共價鍵密度為 2 2/a2。
{111}晶面形成的晶距有兩類，一類的間距為 /4，另一類為
3a/12。上面這兩者的原子面密度皆為 4 3/3a2。
解理面：具有金剛石結構的矽、鍺半導體，常沿{111}晶面解理，
這是因為沿{111}面的雙層原子面內的共價鍵密度最低。而對於
有閃鋅礦結構的 GaAs 等Ⅲ～Ⅴ族化合物半導體，上下兩層異類
原子層間除了共價結合外，兩層原子所帶的異類電荷可使沿
（111）面的原子層之間結合加強。相比之下，沿（110）面原子
層各包含等量的帶異性電荷的原子，故層與層之間的庫侖作用減
弱。因此 GaAs，InP 等閃鋅礦結構主要沿（111）面解理。

單晶 GaAs（single crystal GaAS）之晶格常數為 5.65Å，Ga 之原子量為

69.7，As 之原子量為 74.9。
求 GaAs 之晶體密度（以 g/cm3 表之）
求（100）面之原子的面濃度（以 1/cm2 表之）
求（111）Ga 面，Ga 原子之面濃度（以 1/cm2 表之）

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20 半導體工程 精選

【解答】：

熱身運動
首先要知道 GaAs 是屬於閃鋅礦結構（Zincblende lattice），如下
圖。請注意，在一原胞內共有 4 個 Ga 原子，而 As 之原子共有
8 × 1/8 + 6 × 1/2 = 4（在八個角落貢獻 1/8，在六個面貢獻 1/2）

Ga

As
a

大展身手
Ga：1 mole = 6.023 × 1023 個／克原子 = 69.7g
As：1 mole = 6.023 × 1023 個／克原子 = 74.9g

× ×
× ×
晶體密度 =
×
= 5.32g/cm3

（100）晶面是由 Ga 原子面和 As 原子面相間排列構成，因此

（100）晶面是極性面（如下圖）。在（100）面內不存在價鍵，
所有的價鍵都在 Ga 原子面和 As 原子面之間。故（100）晶面原
子面濃度為：

= 6.26 × 1014

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國家圖書館出版品預行編目資料
半導體工程 精選／蔡淑慧著. —初版.—臺北
市：五南, 2007.10
面； 公分.
I S B N: 978-957-11-4925-7（平裝）
1.半導體 2.電子物理學
337.472 96016630

5D69

半導體工程 精選
編 著 － 蔡淑慧(375.2)
發 行 人 － 楊榮川
總 編 輯 － 龐君豪
主 編 － 穆文娟
責任編輯 － 蔡曉雯
文字編輯 － 施榮華
封面設計 － 簡愷立
出 版 者 － 五南圖書出版股份有限公司
地 址：106 台北市大安區和平東路二段 339 號 4 樓
電 話：(02)2705-5066 傳 真：(02)2706-6100
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電 話：(07)2358-702 傳 真：(07)2350-236

法律顧問 得力商務律師事務所 張澤平律師

出版日期 2007 年 10 月初版一刷

定 價 新臺幣 320 元

※版權所有．欲利用本書內容，必須徵求本公司同意※
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