Transistor JFET

El transistor JFET por sus siglas en ingles Junction Field Efect Transistor que se
traduce como transistor de efecto de campo es un dispositivo electrnico
activo. Imagen 1.

Imagen 1. Transistor JFET

En 1983 se propuso su fabricacin por Van Nostrand pero no fue hasta 1980 que fue
posible su elaboracin.

Funcionamiento
El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se
basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en
un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y
fuente (source). El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Imagen 2.

Imagen 2. Terminales del JFET.

As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de

campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si
la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado
de conduccin o no conduccin, respectivamente.

Imagen 3. Transistor de canal N.

Imagen 4. Transistor canal P

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente.

Polarizacin
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de
fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la
fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source.

MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor por sus siglas en ingles
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico
para crear una canal de conduccin.

Imagen 1. MOSFET.

Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.

El principio bsico de operacin de este tipo de transistor fue patentado por

primera vez por el austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld en 1925, pero por
distintos motivos se fabrico hasta 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla
en los Laboratorios Bell.

Funcionamiento.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).

Imagen 2. Terminales MOSFET

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET

de canal P o PMOS.
Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas en la
superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales
drenador y fuente, si la tensin es menor que el umbral se produce un
estrangulamiento.

Imagen 3. Canal P

Imagen 4. Canal N

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir, se constituye por tres
terminales: nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G).

Smbolo del SCR y Aspecto Fsico de Encapsulado

El SCR es utilizado para el control de potencia elctrica, de conduccin

unidireccional (en un solo sentido)

FUNCIONAMIENTO DEL SCR

diferencia del diodo rectificador, el SCR cuenta con una condicin adicional
para conducir. Esta es que en la tercera terminal, llamada compuerta (Gate) de
control o de disparo. Si no existe corriente en la compuerta el tristor no
conduce. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, es que se queda
conduciendo (activado) y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de
conducir (desactivado), el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.

TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA (TRIAC)

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de
que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la
tensin.

El triac puede ser disparado por ciertos mtodos.

El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto
al nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta
entrante).

Optoacoplador
Un optoacoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado
pticamente, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un
interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo LED. De este modo
se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un
fotorreceptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado.

Encapsulado.

Smbolo electrnico

Funcionamiento
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del
fotoreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica
en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica.
Es como un interruptor. Si no llega luz al detector el interruptor estar abierto,
si le llega luz del led el interruptor sera cerrado.