La Espintrnica y sus aplicaciones

tecnolgicas.
es conocido en el mbito cientfico como uno de
los grandes desafos que se tienen para el desarrollo
de la nano ciencia y de la nanotecnologa en general.

Resumen
Fernando Bernal1
Sergio Ramirez2

La nanotecnologa es un rea que se dedica al estudio de las partculas en tamao atmico o molecular, que abarca diferentes reas del conocimiento
como lo son la fsica, la qumica, la ingeniera entre
otras. Posee distintas reas de investigacin cada
una de ellas tiene aportes de gran relevancia para el
desarrollo de tecnologa una de ellas es la Espintrnica, magneto electrnica o nano-spin.

Se vienen desarrollando esfuerzos de gran magnitud para estudiar estas estructuras combinndolas
con distintos semiconductores para el almacenamiento de energa y en una mayor escala para el
almacenamiento de informacin, que es un problema de gran magnitud desde el inicio de las
computadoras.

La Espintrnica es toda una tecnologa en desarrollo que aprovecha las propiedades de la carga
del electrn para desarrollar diversas aplicaciones,
donde el diseo y fabricacin de las mismas, tienen
como fundamento este principio, por sus caractersticas llama la atencin de los investigadores de
diversas reas. Generando as una amplia gama de
investigaciones alrededor de esta temtica.

Un rea de aplicacin de la espintrnica que ha

visto una serie de rpidos progresos en los ltimos
aos est relacionada con la computacin, se espera que el desarrollo de estos dispositivos permita
ayudar a combatir diferentes problemas que actualmente son tratados con principios de esta tecnologa.
Los materiales magnetoelctricos son considerados como los principales candidatos para las tecnologas de almacenamiento de informacin de
prxima generacin debido a su presencia simultnea y la interaccin.[1]

Palabras clave: nanotecnologa, espintrnica,

electrn.

Spintronics and its technological applications.

En este trabajo, se revisan brevemente el progreso en relacin con la espintrnica, desde algunas concepciones tericas y su aplicabilidad.

Abstract
123

Estudiante de Ingeniera
electrnica de la universidad
Distrital Francisco Jos de
Caldas.

2. Origen y Desarrollo.

Nanotechnology is an area dedicated to the study

of particles in atomic or molecular size, covering
different areas of knowledge such as physics,
chemistry, engineering among others. Has different investigation areas each of which has contributions of great importance for the development of
technology is one Spintronics or nano-spin.

2.1.1.

Historia.

La investigacin de fenmenos de transporte elctrico afectado por el magnetismo de materiales se

remonta a los aos 70. En general, los metales comunes tienen la misma cantidad de electrones con
espn y esta propiedad no afecta la corriente elctrica que pueda fluir por ellos. En cambio, en los
materiales ferromagnticos que poseen una magnetizacin neta, los electrones que fluyen a travs de
ellos tienen una resistencia diferente a moverse si
su espn apunta para arriba que la que encuentran
si lo hacen para abajo.

Spintronics is a whole developing technology

that exploits the properties of the electron charge to
develop a variety of applications where design and
manufacture thereof, are founded on this principle,
by their nature draws the attention of researchers
from different areas. Thus generating a wide range
of research around this subject.
.
Key words: nanotechnology, spintronics, electron.

El avance impresionante de tcnicas de preparacin de muestras llevado a cabo en los 80, abri las
puertas al estudio de estos fenmenos en materiales
nano estructurados y al descubrimiento de nuevos
efectos. [2]

1. Introduccin
La espintrnica integra las propiedades magnticas del electrn a los dispositivos electrnicos, esto

A fines de los aos 80, el grupo de Albert Fert, de

1

la Universidad Paris Sud, Francia, en colaboracin

con investigadores de la empresa Thales, descubrieron un efecto nuevo al que denominaron magneto resistencia gigante (MRG) en estructuras de
multicapas ferro magneto-metal Se llama magneto
resistencia a la variacin de resistencia elctrica,
de un material cuando est en presencia de un
campo magntico. [3]

partculas que cambian su direccin de rotacin segn la posicin y el campo en que se encuentren.

3. Generacin de polarizacin de
spin.
Transporte, y los mtodos de resonancia ptica
se han utilizado para crear giro de no equilibrio.
Despus de introducir el concepto de polarizacin
de espn en sistemas de estado slido que damos un
cuadro pedaggico de inyeccin de giro elctrico y
deteccin de portadoras polarizadas. Mientras que
la inyeccin de giro elctrica y ptica de la orientacin se discutirn con ms detalle ms adelante
en esta seccin, tambin examinamos aqu varias
otras tcnicas para polarizar los transportistas.
[3][7]

Desde ese momento se ha intensificado el trabajo

de comprender y disear dispositivos que puedan
explotar estas caractersticas. Que posteriormente
dieron paso a otras ideas de utilidad como la juntura tnel, la cual remplaza el metal con un aislador. [4]
En la actualidad el estudio de la espintrnica tiene
una gran importancia y se le es dedicado un gran
esfuerzo, ya que el aprovechamiento de sus propiedades representa un salto en el desarrollo tecnolgico en el cual se est trabajando alrededor de todo
el mundo.

2.1.2.

4. Aplicaciones.
En esta seccin nos centramos principalmente en
los principios fsicos y las cuestiones materiales
para diversos esquemas de dispositivo, que, si bien
todava no es comercialmente viable, es probable
que influyan futuras investigaciones espintrnica y
posibles aplicaciones.[8]

Principio de funcionamiento.

La espintrnica como ya se mencion anteriormente de manera breve, basa su funcionamiento en

la carga del electrn, los electrones s tienen una
cantidad intrnseca de momento angular, denominado el espn. Es como si fueran pelotitas cargadas
que rotan sobre su eje. Podran hacerlo de este a
oeste y de oeste a este (a estados direcciones se les
asigna por convencin y respectivamente).[5]

4.1. Transporte de espn polarizado.

4.1.1.

F/I/S Tnel

Los experimentos realizados por Tedrow y Meservey en el ao de 1994, ferromagneto / aislador /

superconductor (F / I / S por sus siglas en ingls)
uniones que han establecido una tcnica sensible
para medir el giro de polarizacin de pelculas delgadas magnticas y, al mismo tiempo, se ha demostrado que la actual permanecer spin-polarizada
despus de tnel a travs de un experimentos. Tambin estimul las tcnicas ms recientes de formacin de imgenes basado en la STM spin-polarizada con el objetivo final de configuraciones de
giro de imagen hasta el nivel atmico. [9]

En presencia de un campo magntico, los electrones con espn tienen distinta energa que los que
tienen espn, respecto de la orientacin del campo.
En un circuito elctrico ordinario, los espines de
los electrones estn orientados al azar y no poseen
ningn efecto sobre la corriente. En los dispositivos espintrnicos, en cambio, se crean corrientes
polarizadas en espn, donde ahora s el espn controla el transporte.[6]
Lo anteriormente explicado se puede ver en la figura que a continuacin se presenta.

Figura. 2. En esta figura se muestra el planteamiento geomtrico para el desarrollo de esta estructura, con este planteamiento se da paso a el desarrollo matemtico y fsico que es necesario.
Figura. 1. Esquema general del principio de funcionamiento de la espintrnica, ilustrada por dos

Aplicaciones como la determinacin de la magnitud del efecto tnel magneto resistencia (TMR)
en uniones tnel magnticas (MTJ). Diferentes
2

sondas para polarizacin de espn generalmente

pueden medir valores significativamente diferentes, incluso en experimentos realizados en la
misma muestra homognea. En una MTJ real, polarizacin medida no es una propiedad intrnseca
de la regin y podra depender de propiedades la
eleccin de la barrera aislante. Desafos en la cuantificacin de campo, incluso cuando es un simple
metal ferromagntico, deben servir como una advertencia para los estudios espintrnicos.[10]

4.1.2.

nes de fase a un material no sper conductor. Efectos magnetos resistivas grandes se predicen para
cruzado reflexin Andreev, cuando las dos regiones, separadas dentro de la distancia de la longitud
de coherencia superconductor, estn en el mismo
lado de la regin. Este tipo de estructuras tambin
se han estudiado en teora para comprender las implicaciones de las correlaciones no locales.[13]

4.1.4.

F/I/F Tnel

Dispositivos semiconductores tradicionales, tales

como transistores de efecto de campo, diodos y
transistores bipolares, o clulas solares de semiconductores dependen en gran parte de los portadores cuyo movimiento puede ser descrito como el
desplazamiento y la difusin, limitado por la recombinacin portadora. [14]

Es clsico en spin tnel no polarizada en slidos,

Duke ya que se trabaja desde el ao de 1969 y se
llega a la conclusin de que el estudio de la construccin de tneles es un arte y no una ciencia. Tal
vez esto tambin es una buena descripcin de la situacin actual de experimento en un tnel spin polarizado entre dos regiones ferromagnticas. Incluso en el caso de los metales ferromagnticos con
MTJ estndar, el sesgo y la dependencia de la temperatura de la TMR, como la identificacin de la
polarizacin de espn correspondiente an no se
han comprendido plenamente. En una breve revisin de los resultados actuales tenemos la intencin
de identificar las preguntas que pudieran surgir
como se estn considerando nuevos materiales para
la MTJ. [11]

En los dispositivos no homogneos, donde la acumulacin de carga es la regla, del desplazamiento

de difusin de recombinacin limitada es suministrada por las ecuaciones de Maxwell, que hay que
resolver. Muchos dispositivos de espintrnica propuestos, as como parmetros experimentales para
la inyeccin de giro se pueden describir por tanto
portadora y el giro el desplazamiento y difusin, limitada por la recombinacin de soporte y girar la
relajacin. [15][16]

Ha abierto la posibilidad de utilizar de MTJ para

estudios fundamentales de magnetismo superficie
y la polarizacin temperatura ambiente giro en diversos electrodos ferromagnticos as como a sugerir aplicaciones tales como sensores de alta sensibilidad de campo magntico, las cabezas de lectura magntica, y aplicaciones de memoria magntica no voltil.[12]

4.1.3.

Desplazamiento y difusin de espn polarizado.

Adems, si la precesin de giro es importante para

el funcionamiento del dispositivo, la dinmica de
espn es necesario incorporar explcitamente en las
ecuaciones de transporte. Los portadores de espn
polarizado puede ser debido no slo a que el campo
elctrico, pero tambin a los campos magnticos.
Se ilustra la deriva spin polarizado y difusin del
modelo de transporte de transporte bipolar giro polarizado, donde bipolar se refiere a la presencia de
electrones y huecos, no girar hacia arriba y abajo.
Un transporte unipolar spin-polarizada se puede
obtener como un caso lmite mediante el establecimiento de la tasa de recombinacin electrn-hueco
a cero y considerando slo un tipo de portador
(electrones o agujeros).[17]

La reflexin Andreev.

La reflexin Andreev es un proceso de dispersin,

en una interfaz con un superconductor, responsable
de una conversin entre una corriente de partculas
cuasi disipativo y una disipacin de menos supe corriente. Para un superconductor spin un electrn incidente de giro se refleja como un agujero (electrones) que pertenece al contrario giro de subbanda, de nuevo a la regin no sper conductora,
mientras que un par de Cooper se transfiere al superconductor. Este es un proceso de dispersin de
fase coherente en el que la partcula se refleja lleva
la informacin acerca tanto de la fase de la partcula incidente y la fase
macroscpica del superconductor.[13]

Recientemente un estudio se inform sobre una simulacin de la dinmica de rotacin de la mecnica

cuntica limitados por la relajacin espn, en el que
el transporte orbital clsico se llev a cabo para el
transporte en el plano de hetera estructuras donde
la precesin de giro se debe a la asimetra mayor y
la estructura de inversin.[16]

4.2. Materiales.

Es decir Andreev es responsable de un efecto de

proximidad en la que se introducen las correlacio3

Los materiales de espn polarizado, como se discuti en las secciones anteriores, podra proporcionar
tanto la inyeccin de giro efectivo en materiales no
magnticos y grandes efectos de RM, importante
para aplicaciones no voltiles. Los ejemplos incluyen xidos de media metlicos como, materiales
CMR, semiconductores ferromagnticos, han demostrado ser altamente polarizados al giro.[18]

ticos son ineficaces, sino tambin en otros semiconductores donde la deteccin elctrica sera
deseable.[21]
Varios diodos de giro han sido recientemente propuestos o demostrados con el objetivo de c de maximizar la sensibilidad de la corriente caracterstica
voltaje, a girar y campo magntico, o para facilitar
la inyeccin de giro y su deteccin a travs de interfaces de semiconductores que comprenden un
semiconductor magntico como el inyector. [22]

Sin embargo, el inters ms reciente en los semiconductores ferromagnticos fue tras el descubrimiento del dopaje con distintos materiales con una
densidad de portadores altas y bajas. A las distintas
temperaturas.

Diodos de tnel magntico se han utilizado para la

inyeccin de un giro ferromagntico a un semiconductor no magntico, se han combinado semiconductores ferromagnticos, estos fueron empleados
para la inyeccin y la deteccin de giros en los semiconductores, mientras que los diodos tnel resonante se han demostrado eficaces como inyectores
de giro y los filtros de espn. Un diodo unipolar
magntico ha sido propuesto para simular el funcionamiento de los diodos ordinarios, pero con homogneos de dopaje mono polar ya sean donantes
o aceptores, no ambos.[21] [22]

Se sugiere que las propiedades de transporte se

pueden controlar de manera efectiva por el dopaje
portador. La mayora de los semiconductores ferromagnticos actualmente estudiados son dopado
con agujeros como portadores de espn polarizado,
que normalmente conduce a movilidades bajas y
tiempos ms cortos de relajacin espn que en los
materiales de dopado. Es posible usar el dopaje selectivo para aumentar sustancialmente, en comparacin con los semiconductores ferromagnticos a
granel uniformemente dopados.[19]

4.4. Transistores Spin.

Los primeros trabajos mostr la baja solubilidad

del y la formacin de nanoclusters magnticos caractersticos de muchos compuestos subsiguientes
y diferentes impurezas magnticas. La presencia de
tales nanoclusters menudo complica la determinacin exacta de TC, as como de si el compuesto es
en realidad en una sola fase. En consecuencia, la
informaron a temperatura ambiente ferromagnetismo en un creciente nmero de compuestos.[20]

Los transistores de espn que tienen al menos una

regin de semiconductor y que tienen por objeto la
integracin de giro y el transporte de carga dentro
de los esquemas tradicionales de dispositivos de
efecto de campo y los transistores de unin.

4.3. Diodos spin

Tres casos importantes presentan a continuacin: el

giro transistor de efecto campo, el transistor bipolar
magntica, y el transistor de espn del electrn-caliente.

Los diodos spin son no homogneos dispositivos

de dos terminales cuyas propiedades electrnico u
ptico depender de la polarizacin de espn de los
portadores. Tales dispositivos se han previsto mucho antes de la aparicin de la espintrnica, se propuso y demostr una unin de p-n silicio cuya corriente fue modificado cambiando la polarizacin
de espn de los centros de recombinacin.[21][22]

Se han propuesto varios transistores de spin que

contienen regiones metlicas y aislantes. Tambin
hay una gran categora de los transistores de espn
de un solo electrn. Girar transistores de un solo
electrn se pueden ver como una extensin de un
tnel magntico para uniones dobles de tnel. [23]

4.4.1.

La tasa de recombinacin, lo que, a su vez, depende

de la orientacin relativa de la rotacin de los portadores y de los centros, El truco para modificar el
actual es disminuir o incluso saturar la polarizacin
de espn de los electrones o bien los centros de resonancia de espn electrnico.

Spin transistores de efecto de campo.

El esquema de dispositivo espintrnico prototpico,

el giro transistor de efecto campo (SFET). El dispositivo se basa en la inyeccin de centrifugado y
deteccin de giro por una fuente ferromagntico y
de drenaje, y en spin de precesin sobre el campo
incorporado asimetra estructura inversin, en el
canal asimtrico, cuasi unidimensional de un transistor de efecto campo comn. La caracterstica
atractiva de la SFET es que el funcionamiento del

Diferentes experimentos se podran utilizar para

detectar giro de no equilibrio debido a la inyeccin
potencial de giro en silicio, donde los mtodos p-

dispositivo de giro dependiente no es controlado

por campos magnticos externos, pero por el sesgo
de la puerta, que controla la velocidad de precesin
giro.[23]

caso de diodo magntico. [23]

Es en efecto, un transistor de hetero-estructura
magntica, ya que su funcionamiento depende de
la capacidad de ajuste de la estructura de bandas
del emisor, base, o colector. La ventaja de MBT,
sin embargo, es que la estructura de la banda no
est incorporado, pero se puede ajustar durante el
funcionamiento del dispositivo de seales de
campo o de inyeccin de giro magntico. Los desafos para demostrar los fenmenos predichos en
MBT son similares a las de diodos bipolares magnticos [25].

El SFET ha generado un gran inters en el transporte de giro polarizado en presencia de la asimetra de la estructura de la inversin. Los clculos
del modelo utilizando la formulacin de unin
fuerte de Internet de alta velocidad.
En SFET de Tambin se han sugerido, incluso en
ausencia de las regiones ferromagnticas que se
sustituye por un campo magntico externo de rotacin de resistencia uniforme propuesto, un transistor ferromagntico-xido-semiconductor, con una
fuente no magntico y de drenaje, pero con dos
puertas ferromagnticos en serie por encima del canal base. La orientacin relativa de la magnetizacin de las puertas conduce a la magneto resistencia efectos. Un SFET que puede funcionar en el rgimen de difusin, en presencia de tanto a granel y
la estructura asimetra inversin.[24]

4.4.2.

4.4.3.

Transistores de espn de electrones en

caliente.

Transistores de espn que se basan en el transporte

de portadores calientes tienen el potencial de servir
de varios propsitos. Por un lado, podran ser utilizados como una herramienta de diagnstico para
caracterizar propiedades de spin y dependientes de
la energa, procesos de dispersin y estructura electrnica, relevantes para dispositivos espintrnicos.[26]

Transistor bipolar magntico.

El transistor bipolar magntico (MBT) es un transistor bipolar con bandas de spin-split de soporte y,
en general, un giro inyectado. Una estructura de
dispositivo correspondiente ya fue propuesta, un
impulso para la espintrnica basados en silicio. Los
semiconductores no tienen espn de equilibrio,
mientras que la fuente de centrifugado es proporcionada por un inyector ferromagntico de giro
unido al emisor, y otro metal ferromagntico, un
detector de giro, est unido a la unin base / colector para modular el flujo de corriente. En ambas
configuraciones, el objetivo es controlar amplificacin de corriente por giro y el campo magntico.

Por otra parte, los transistores-electrn caliente

tambin son de inters por su capacidad para detectar campos magnticos, sus posibles aplicaciones
de memoria, y un su potencial como una fuente de
inyeccin de electrones spin-caliente balstico. A
continuacin se discuten dos ejemplos representativos, un transistor spin-vlvula y un transistor de
efecto tnel magntico.[27]
Se espera que los futuros estudios de transistores
de espn de electrones calientes que produzca un
aumento de la inyeccin de giro, incluso a temperatura ambiente y utilizar otros colectores de semiconductores. Sera particularmente deseable para
demostrar inyeccin spin-electrn caliente en silicio y facilitar una integracin con la tecnologa
CMOS.[26]

5. Conclusiones y trabajo futuro.

Hemos revisado algunos de los temas relacionados con la espintrnica, haciendo un recorrido por
los aspectos fundamentales de la dinmica de rotacin, el transporte y la relajacin, en las aplicaciones potenciales. Si bien el empuje actual de la espintrnica es impulsado por la perspectiva de las
aplicaciones tecnolgicas, la fsica presenta de manera fundamental, que tiene una larga tradicin en
la comunidad de estado slido, es de por s interesante y vale la pena.

Figura 3. Esquema de un MBT particular, se muestra en la figura anterior. Un dispositivo de tres terminales de este tipo puede ser considerado como
que consta de dos uniones magnticas conectadas
en serie.
A fin de proporcionar una polarizacin de equilibrio suficiente en una base magntica. Si bien no
magntico, el emisor tiene una polarizacin de no
equilibrio de una fuente de centrifugado, similar al

Por otra parte, a pesar de que muchos esquemas

5

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de dispositivos de espintrnica que son propuestos

pueden llegar a ser poco prcticos en el final, su
importancia radica en la estimulacin de la investigacin experimental y terica interesante.
Hay muchos retos y preguntas abiertas para ser
abordados por la investigacin futura, la importancia tecnolgica, el control de giro en el silicio dan
esperanzas a la perfecta integracin de la espintrnica con la actual tecnologa. Adems, la pequea
magnitud de la interaccin spin-rbita y la ausencia
de plomo inversin de simetra para tiempos de
vida relativamente largo de giro de temperatura
ambiente, Relajante algunas limitaciones en la duracin operativa y escalas de tiempo.
Avances importantes materiales se han realizado
en la mejora de la compatibilidad de las estructuras
de silicio. El progreso futuro en el transporte de
giro polarizado ser impulsado en gran medida por
los avances materiales. Sobresaltando en el mbito
de los semiconductores, teniendo en cuenta todos
los semiconductores estructuras en lugar de las estructuras hbridas.
Lo que falta, incluso en los materiales disponibles en la actualidad, es una comprensin sistemtica de los efectos de los materiales magnticos y
la falta de homogeneidad en el transporte de giro
polarizado.
La polarizacin nuclear dinmica inducida por el
espn del electrn a menudo puede ser una molestia
para la deteccin de la dinmica de rotacin intrnseca, La interaccin entre los electrones y nucleares giros es de fundamental importancia para la espintrnica.

La gama de posibles aplicaciones espintrnicos

va ms all de la utilizacin de grandes efectos
magneto, la espintrnica es relevante para la
computacin cuntica el desarrollo de lser de giro,
almacenamiento de informacin entre otros.

Referencias
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Bogot, Colombia. Es estudiante de Ingeniera Electrnica de la Universidad

Distrital Francisco Jos de Caldas
e-mail: bloodsudaca@gmail.com

Brayan Fernando Bernal C.

Bogot, Colombia. Es estudiante de Ingeniera Electrnica de la Universidad
Distrital Francisco Jos de Caldas
e-mail: Brayanber@hotmail.com