Respuensta en Alta Frecuencia de Un Amplificador de Una Sola Etapa

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN
MARCOS
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
FACULTAD DE INGENIERIA
ELECTRONICA Y ELECTRICA
RESPUENSTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

SOLA ETAPA
I.
OBJETIVOS
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio
Amplificador en frecuencias altas
La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores est fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
En general, se har la suposicin de que la respuesta en frecuencia viene
fijada por un POLO DOMINANTE. De esta manera, el anlisis en alta
frecuencia se reduce al clculo de la frecuencia de corte superior asociada a
este polo dominante. 9
El clculo del polo dominante se realizar aplicando el MTODO DE LAS
CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.
Mtodo de las Constantes de Tiempo en Circuito Abierto.
Dnde:
Ci son cada uno de los condensadores que actan en alta frecuencia:
Condensadores intrnsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o
condensadores pequeos de caracterstica paso-bajo introducidos para
controlar la respuesta en frecuencia del circuito.
R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN

CIRCUITO ABIERTO

MARCOS
Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya

que un solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de banda
audible. Para esto se suele utilizar divisores de frecuencias o crossover
Muchos fabricantes, en lugar de usar slo las audiofrecuencias, para proteger a

los amplificadores de perturbaciones supra snicas o subsnicas, lo que hacen
es medir la respuesta en frecuencia para una banda de frecuencias superior
(generalmente de 12 a 40.000 Hz). En este caso una respuesta en frecuencia
ptima debe estar en torno a 3 dB por encima (+ 3 dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos
los
condensadores
de
acoplamiento, C1 y C2,
desacoplo CE en cortocircuito.
II.
INFORME PREVIO
1. Definir: rbb, rbe, rbc, cbe, cbc , f y ft
rbb: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parmetro

h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido
, esta se denomina a menudo como r si se aplica un corto circuito
entre el emisor y colector, se obtiene:
hie=r =rbb +rb e / rb c

MARCOS
rbe:
La resistencia de entrada (r en el modelo hibrido) se aproxima
por medio de la razn:
r =
Vb e
Ib
rbc: Resistencia de retroalimentacin, rce ; resistencia de salida del

transistor.
cbe y cbc; son las capacitancias parasitas del transistor. cb c es la
capacitancia de la unin colector-base a pesar de que es una
capacitancia variable, suele considerarse constante en una regin de
operacin particular del transistor. La capacitancia cb e, la cual es
capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas
de datos como Cib. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de
difusin del emisor y la capacitancia de la unin del emisor. Debido a
que el primer capacitor es el ms grande de los dos, cb e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusin (conocida tambin
como capacitancia de carga de la base).
f y ft : son frecuencias caractersticas, f B es la frecuencia para cuando
el factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
mxima de operacin del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.
2. En el circuito del experimento (fig 5) de cuerdo al modelo pi del transistor
en altas frecuencias , encontrar la expresin f / ft

MARCOS
56k
1.5k
C4
R4
C3
1k
22F
22F
V1
12 V
XFG1
12k
0.68k
C1
100F
10k
Modelo Hibrido
Cbc
rbb
gmVbe
rbe
Del circuito mostrado

1+ jwrb e(Cb e+ Cb c )
Ib e
Ic hfeIb e
Ai= =
Ib
Cbe
rce

MARCOS
Ai ( jw)=
hfe
(1+ jwrb e (Cb e+ Cb c ) )
Frecuencia de corte:
W B=
1
rb e ( Cb e+Cb c )
Calculo de ft: (frecuencia mxima de operacin del transistor)
1+w 2( rb e ( Cb e+Cb c )2)
hfe
Ai
Ai
hfe
Por tanto:
(1+
wT 2
w B2

MARCOS
w T=
hfe1
(rb e ( Cb e+Cb c ) )
f T=
hfe1
2 ( rb e ( Cb e+Cb c ) )
Pero hfe2>>1
f T=
hfe
2 ( rb e ( Cb e+Cb c ))
De esta ecuacin y tambin de:
W B=
1
rb e ( Cb e+Cb c )
Tenemos:
fB 1
=
f T hfe

MARCOS
3. Considerando que cbc <0.1-50p F>, cbe<100-1000p F> rbe=VThfe/IEQ,

encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.
Consideremos un B=100, R B=56k//12k, Ri=1k, RL=10K. La
corriente de polarizacin del transistor IQ=1.99m A.
rb e=
26 mB
=1306.53
1.99 m A
Rin=RB/ rb e=1153.96
Ri/ Rin=535.7
Av =
f=
RL/ RC 1304.34
=
=99.87
rb e/ B
13.06
1
2 (Ri / Rin) cb c (1+ 99.87 )
4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor ser ms

conveniente? por qu?

MARCOS
La configuracin hibrida , es la ms conveniente para altas frecuencias

ya que cuenta con los parmetros que salen a relucir para altas
frecuencias como las capacitancias parasitas.
Cbc
rbb
gmVbe
rbe
III.
Cbe
MATERIAL Y EQUIPOS
Transistor 2n2222
Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k
Condensadores 2(22uf), 100uf
Multmetro digital
Generador de audio
rce

MARCOS
Fuente DC
IV. PROCEDIMIENTO
1. Implementa el circuito de la figura 5
2. Sin aplicarla seal a medir

MARCOS
3. Encontrar una salida mxima sin distorsin

100mv--------60Hz
100mv------------1Mhz

MARCOS
4. Llenar la siguiente tabla. Note que el punto de corte superior se

encuentra a una frecuencia en que vo es 0.707 de su valor

MARCOS
V.
BIBLIOGRAFIA
TEORIA DE CIRCUITOS
CIRCUITOS ELECTRONICOS
CIRCUITOS ELECTRONICOS
R.BOYLESTAD
GHAUSI
SCHILLING

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