Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del poder popular para la Educacin Universitaria, Ciencia y Tegnologia

u.p.t.o.s. Clodosbaldo Russin
Cuman Edo. Sucre

FUNCIONES BASICAS DE LOS CONVERTIDORES DE POTENCIA

Tutores:
Marlyn Patio

Integrantes:
Kelipson E. Mata Z. Ci. 24.878.913
Guillermo E. Pirs B. Ci. 19.893.556
Seccin: 02

Cuman enero del 2016

INTRODUCCION
En la presente investigacin se ha tomado una recoleccin de los datos ms importantes en lo
que se refiere a las funciones bsicas que tienen los convertidores de potencia. Teniendo en
cuenta los elementos ms comunes que existen en la electrnica de potencia, la descripcin,
caractersticas y el funcionamiento de cada uno de ellos, que incluyen tambin a los dispositivos
semiconductores ms importantes y que han sido usados siempre en la electrnica de potencia.
Concluiremos con las ventajas y desventajas que existen en la electrnica de potencia.

Funciones Bsicas de los Convertidores Electrnicos de Potencia

La electrnica de potencia se utiliza principalmente para la conversin de la energa elctrica,
mediante operaciones controladas de interrupcin de tensin y/o corriente, tanto en los sistemas
de corriente alterna como de corriente continua. Las cuatro formas de conversin de energa
elctrica entre los sistemas de corriente alterna y continua.

Rectificacin: es el proceso de transformacin de AC a DC.

Inversin: es el proceso de transformacin de DC a AC.
Conversin DC: es el proceso de transformacin de DC a DC de distinto nivel.
Conversin AC: es el proceso de transformacin de AC a AC de distinto nivel y/o
frecuencia.

Estas cuatro formas de conversin de energa son realizadas con los puentes convertidores
electrnicos. Estos puentes se pueden utilizar para acoplar sistemas de corriente continua y
alterna, as como para alimentar, conectar y desconectar cargas en ambos sistemas de
alimentacin.
Aplicaciones
La electrnica de potencia se utiliza en diversos campos, entre las aplicaciones ms
importantes se encuentran:
Residencial:

Aires acondicionados.
Equipos electrnicos (computadores y equipos de entretenimiento).

Comercial:

Ventiladores.
Calefaccin.

Industrial:

Control de mquinas elctricas.

Robtica

Transporte:

Control de vehculos elctricos.

Cargadores de batera.

Transmisin y Otras Utilidades:

Transmisin en corriente continua (HV DC).

Compensadores de reactivos (SV S).

Dispositivos Semiconductores de Potencia

Diodo
Es el dispositivo ms bsico de la electrnica de potencia, esta constituido por una juntura
semiconductora PN su encendido se realiza cuando la tensin entre su nodo y ctodo supera la
tensin de ruptura de la componente (vak vto). Esta tensin de ruptura se encuentra en baja
potencia alrededor de 0,7V para componentes en silicio y en 0,3V para germanio. En electrnica
de potencia los diodos son de silicio y su tensin de ruptura esta en el rango de 1V a 2V.
El apagado de esta componente se realiza cuando la corriente cruce por cero (iD = 0) lo cual
origina la restitucin de la barrera de potencial en la juntura PN. En la figura 4.5a, se presenta la
curva de tensin corriente del diodo, esta caracterstica depende de la temperatura de operacin
de la componente. En la grfica se puede observar que la componentes no comienza a conducir
corriente hasta que la tensin entre sus terminales no es mayor a la tensin de ruptura (vak vto),
generalmente esta informacin as como el inverso de la pendiente de curva en la zona de
conduccin (RD) son suministrados por el fabricante en la hoja de datos del dispositivo. Debido a
que la tensin de ruptura de los diodo es inferior al 0,1% de la tensin en conduccin se puede
idealizar la curva caracterstica de la componente mostrada en la figura 4.5a, para los fines de
anlisis y consideraciones del efecto sobre la carga y red de alimentacin, a la caracterstica que se
muestra en la figura 4.5b

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal

Tiristor
El Tiristor o SCR est conformado por tres junturas NP en serie, este dispositivo reemplazo
a los tiratrones y posee control de encendido a travs del suministro de un pulso de corriente en el

orden de los 20mA en la compuerta de disparo o gate, adicionalmente requiere polarizacin

nodo ctodo positiva (vak > 0) . Su apagado al igual que los diodos depende de que la corriente
cruce por cero. En la siguiente figura se presenta su simbologa, terminales y esquema como
semiconductor.

(a) Esquema Semiconductor

(b) Esquema por Componentes

En la figura a, se presenta la caracterstica tensin corriente del dispositivo, la tensin de

ruptura de los tiristores se encuentra entre 1V y los 2V aproximadamente. Al igual que los diodos,
la tensin de ruptura de los tiristores es inferior al 0,1% de la tensin en conduccin, esto permite
idealizar la curva caracterstica a la mostrada en la figura b.

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal

Triac
El Triac esta conformado por dos tiristores en antiparalelo, tambin se le conoce como
rel de esta slido y su aplicacin ms comn es en los dimer de luz para bombillos
incandescentes. Ambos tiristores se construyen sobre la misma pastilla de silicio con la finalidad
que tengan caractersticas similares a fin que la onda sea simtrica en ambos semiciclos de
operacin, esta componente es bidireccional en corriente.
La ventaja de utilizar este dispositivo en lugar de dos tiristores en configuracin anti
paralelo es que solo se requiere un circuito de disparo. En la figura a, se presenta la caracterstica
de tensin corriente del dispositivo. En la figura b, se presenta la caracterstica ideal de la
componente que se utilizara para el anlisis tanto en la carga como en la fuente de alimentacin.

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal

Tiristores Auto Desactivables

Estos dispositivos presentan control de encendido y apagado a travs de la compuerta,
dependiendo la tecnologa de diseo los requerimientos de encendido y apagado difieren entre
uno y otro. Para el caso del GTO que se basa en la tecnologa de los tiristores se requiere para su
encendido tensin positiva nodo ctodo y un pulso de corriente por el gate de 20mA, mientras
que para el apagado se requiere un pulso de corriente que puede oscilar hasta un 10% de la
corriente de conduccin. El MCT que se basa en la tecnologa de los transistores BJT requiere para
su encendido y apagado, la existencia o no de un pulso de corriente, este pulso depende de la
ganancia hf e del componente y de la corriente de conduccin. El SITH esta basado en la
tecnologa de los MOSFET y requiere para el encendido y apagado un pulso de tensin en el gate
adicionalmente de la polarizacin en directo al igual que el MCT. Otros tiristores auto
desactivables de tecnologa hbrida son: el MTO fue desarrollado por Silicon Power Company y es
una combinacin de un GTO y un MOSFET para realizar el apagado de la componente. El ETO es un
dispositivo que combina el MOS y GTO tomando las ventajas de ambas componentes, el manejo
de potencia del GTO y el encendido y apagado por tensin del MOS. El ETO fue inventado en el
Virginia Power Electronics Center, en colaboracin con SPO. El IGCT es la combinacin de un GTO

de conmutacin permanente, con un activador de compuerta en tarjeta de circuito impreso

multicapa que toma la corriente del ctodo por un 1s y la aplica en el gate para el apagado de la
componente. En la figura a, se presenta la caracterstica de tensin corriente de los tiristores auto
desactivables. A igual que los tiristores la tensin de ruptura de los componentes auto
desactivables son menores al 0,1% de la tensin de diseo por lo cual la caracterstica de la figura
a, se puede idealizar a fines de realizar los anlisis del impacto en la carga y fuente de
alimentacin de convertidores construidos con este tipo de dispositivo. Se puede destacar que
estos componentes solo permiten la conduccin unidireccional de la corriente. En la figura b, se
presente la caracterstica ideal de los tiristores auto desactivables.

.
a) GTO

(c) MCT

(e) MTO

(b) IGCT

(d) SITH

(f) ETO

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal

Transistores BJT
Los transistores BJT ms utilizados en la electrnica de potencia son los NPN, y su
operacin se centra en corte y saturacin, es decir, como interruptor electrnico. En la figura se
presenta es smbolo de un transistor NPN destacando sus terminales. Un transistor NPN se
encuentra polarizado s la tensin del colector es mayor a la de la base y esta mayor que la del
emisor (vC > vB > vE) en por lo menos 0,7V. La polarizacin de este dispositivo se realiza por
corriente y es de la forma:
I base = i colector = i emisor
hf e
(hf e+1)

Transistor NPN
Para operar el transistor en corte es necesario suministra cero corriente por la base,
generalmente para evitar operaciones no deseadas que pudiesen colocar el dispositivo en la zona
activa de operacin por corrientes inducidas en los circuitos de disparo se coloca corriente
negativa en la base a fin de garantizar la operacin en corte de la componente. La condicin para
operar el transistor en saturacin es que la corriente de la base debe ser mayor o igual a la del
colector en conduccin entre la ganancia de corriente del dispositivo o hfe.

En la figura 4.15a, se presenta la caracterstica de operacin del transistor NPN, se puede

observar como la zona de operacin de la componente depende de la corriente de base utilizada
para su polarizacin. La ganancia (hf e) tpica de los transistores de potencia en corriente esta
alrededor de 50. En la figura 4.15b, se presenta la caracterstica ideal de la componente como
interruptor electrnico, es decir, en la zona de corte y saturacin. Esta componente es
unidireccional en corriente y requiere siempre la presencia de la seal de corriente en la base para
su operacin.

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal en corte y saturacin

MOSFET
Los MOSFET ms utilizados en electrnica de potencia son los canal N, su smbolo se
presenta en la figura 4.16, al igual que los transistores BJT su operacin se reduce a interruptor
electrnico, es decir, en corte y saturacin. La ventaja de este dispositivo en relacin con el BJT es
su polarizacin en tensin y alta impedancia de entrada. En la figura a, se presenta la caracterstica
de operacin de los MOSFET en funcin de la tensin gate source.

MOSFET

En la figura b, se presenta la caracterstica ideal de la componente como interruptor

electrnico, es decir, en la zona de corte y saturacin. Esta componente es unidireccional en
corriente y requiere siempre la presencia de la seal en el gate para su operacin.

(a) Caracterstica de operacin real

(b) Caracterstica ideal de corte y saturacin

IGBT
Los transistores de compuerta aislada o IGBT combinan las caractersticas de los MOSFET
de alta impedancia de entrada y polarizacin en tensin con la baja impedancia de salida de los
BJT lo que origina una alta ganancia de corriente. Esta componente se construye colocando en
cascada un MOSFET que polariza un par de BJT, su smbolo y esquema interno se presenta en la
figura

(a) Smbolo

(b) Esquema Interno

En la figura a, se presenta la caracterstica de operacin del IGBT, en funcin de la tensin

base emisor de polarizacin (vBE). En la figura b, se presenta la caracterstica ideal de operacin
del IGBT como interruptor electrnico de potencia.

(a) Caracterstica real

(b) Caracterstica ideal de corte y saturacin

SIT
El SIT es el FET de electrnica de potencia, su smbolo se presenta en la figura, su
aplicacin se reserva para altas frecuencias en la industria aeronutica y aeroespacial.

SIT
En la figura, se presenta la caracterstica de operacin del dispositivo en funcin de la
tensin de polarizacin gate source y su caracterstica ideal como interruptor electrnico.

(a) Real

(b) Interruptor Electrnico

Clasificacin de los Semiconductores de Potencia.

Los semiconductores de potencia se pueden clasificar de acuerdo a su grado de
controlabilidad para el encendido y apagado, as como por su capacidad de soportar corriente y
tensin unidireccional o bidireccional como:

Activacin y desactivacin sin control.

Activacin controlada y desactivacin sin control.
Activacin y desactivacin controlada.
Requerimiento de encendido por nivel de compuerta.
Requerimiento de encendido por flanco o pulso en la compuerta.
Capacidad de tensin bipolar.
Capacidad de tensin unipolar. Corriente bidireccional. Corriente Unidireccional.

Ventajas y Desventajas de la Electrnica de Potencia

Los dispositivos semiconductores de potencia permiten construir puentes convertidores
electrnicos, eficientes que mejoran las prestaciones estticas y dinmicas de los procesos de
conversin de energa elctrica. Estos puentes originan procesos ms eficientes debido a la
capacidad de conmutar grandes bloques de energa con mnimas prdidas. Estos incrementos en
las prestaciones y eficiencia se logran al combinar distintas reas del conocimiento dentro de las
aplicaciones de la electrnica de potencia. En la figura 4.23, se presentan algunas de las reas que
interactan dentro de la electrnica de potencia.

La conmutacin de altos bloques de energa trae consigo la introduccin de contaminacin

arm- nica en tensin y corriente sobre las lneas de alimentacin, problemas de resonancia,
interferencia electromagntica, fallas de aislacin, entre otras. Estos problemas pueden

solucionarse mediante filtros pasivos y/o activos o mejorando las estrategia de conmutacin de los
puentes electrnicos.

conclusin
Gracias a los diferentes dispositivos semiconductores con todas sus diferentes aplicaciones
podemos contar hoy da, con un nmero significativo de funciones, que podemos encontrar las
principales como lo son la rectificacin, inversin y conversin de los diferentes niveles de
voltajes, tambien se pudo entender las caractersticas individuales que pueden llegar a tener en
una pista electrnica algunos de estos componentes, de conmutacin o control que hacen de ellos
ser muy valiosos para la actividad electrnica.

conclusin