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前　言
以液晶為代表的平面顯示器和半導體積體電路是資訊產業的兩塊基石。而前者涉及
的範圍更廣、帶動的基礎產業更多、發展潛力更大，具有無限商機。
高效率地製作品質優良、式樣新穎、價格便宜、廣受市場歡迎的平面顯示器產品，
是企業核心競爭力的集中體現。
在平面顯示器產業化領域處於世界前瞻的跨國公司，近年來在高度投入、建設新一
代生產線（2008 年正建設第 10 代線）
、強勢聯合、加速企業間的重組與再編，開發新型
顯示方式之外，更是不遺餘力地完善現有生產體制、加強技術革新、突出表現為簡化技
術的採用、生產效率和良率的提高、關鍵元件和材料的複合化，以便進一步降低產品價格，
提高市場競爭力。在平面顯示器繼續向輕量、薄型、大尺寸、可撓性化、高性能發展的同時，
據預測，TFT LCD 下一個發展階段是可支持用戶更多的附加功能，可在任何場合使用的
創能型顯示器。
液晶顯示器產業是一個包羅萬象的龐大系統，既需要實力雄厚的跨國公司，更要求
有大量的中小型企業作為後盾。在基礎材料和基本製程方面，平面顯示器產業和微電子
積體電路產業有許多資源可以共享。沒有堅實的基礎，沒有長期的研究、開發及產業化
經驗的積累，要想在高手如林的世界平面顯示器行業中占有一席之地是很不容易的。液
晶顯示器產業發展快速、瞬息萬變，作為一個參與者，要想在產業化大潮中跟上步伐、
參與競爭，並有所做為，絕非易事。首先需要對液晶顯示器的原理、設計、製程、性能
改進與提高有比較透徹的了解。其中最核心的是「TFT LCD 產品的製作」
，掌握了這方
面的知識和本領，可以「以不變應萬變」
。
歷史經驗值得借鑒。回顧電子顯示器產業的發展史，許多創意源於美國，而產業化
卻在日本、韓國、臺灣等實現。目前顯示器件最大消費國是美國，但美國的顯示器產業
自 20 世紀 70 年代後期，不僅喪失了開發的領先地位，生產能力也幾乎喪失殆盡。中
國內地的液晶產業曾在 TN、STN 方面有優異的表現，至今產能也居世界第一。但是，
這個「第一」在 21 世紀 TFT LCD 占主導地位的國際液晶顯示器產業中已無足輕重。
1990-2003 年，中國內地的 LCD 被 TFT 的興起遠遠拋在後面，這與大陸半導體產業從
電晶體向大規模積體電路轉型時情況如出一轍。兩個產業登台表演並不晚，但由於未進
入角色，最終提前出局。造成這種衰退的原因很多，包括體制、決策、基礎、產業鏈等，

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TFT LCD 面板設計與構裝技術

但不能「精益求精地製作產品」是表現癥結所在。
本書正是以「TFT LCD 液晶顯示器製作」為中心進行論述的。在第一冊的基礎上，
第二冊共 6 章，包括第 5 章液晶顯示器的設計和驅動，第 6 章 LCD 的工作模式及顯示
螢幕構成，第 7 章 TFT LCD 製作技術，第 8 章 TFT LCD 的主要元件及材料，第 9 章
TFT LCD 的改進及性能提高。
本書內容系統完整、詮釋確切，並以圖文並茂，通俗易懂的方式，反映了 TFT LCD
製程的各個方面。特別是本書源於生產第一線，內容新穎，論述極其實際兼具指導意義
和參考價值。可作為大學相關專業本科高年級及研究生用教材，特別適合相關領域技術
人員閱讀。
讓我們重視 TFT LCD 產品製作，在提高企業創新能力上切切實實地努力吧！

田民波
北京　清華大學
材料科學與工程系

002 本試閱檔為五南所有。如欲購買此書，請至五南網站 www.wunan.com.tw

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目 錄
前 言

第五章 液晶顯示器的設計和驅動 .............................................001

5.1 TFT LCD 陣列設計 .................................................................002

5.1.1 系統設計工程 ................................................................................... 003

5.1.2 陣列設計工程 ................................................................................... 004

5.1.3 驅動回路設計與驅動方式................................................................ 014

5.1.4 陣列圖形（array pattern）設計工程—圖案（layout）設計 ...... 017

5.1.5 檢測（test）設計工程 ..................................................................... 019

5.2 主動式矩陣 TFT LCD 驅動法 ................................................022

5.2.1 TFT LCD 的基本驅動法 ................................................................... 022

5.2.2 畫面閃爍及其對策 ........................................................................... 025

5.2.3 驅動電路的低電壓化及串擾（cross-talk） ................................... 028

5.2.4 灰階顯示驅動 ................................................................................... 031

5.2.5 各種驅動電路方式 ........................................................................... 037

5.2.6 具體的驅動電路 ............................................................................... 039

5.2.7 其他驅動法 ....................................................................................... 046

5.3 主動式矩陣型 TFT LCD 驅動法舉例 ....................................050

5.3.1 TFT LCD 驅動原理 ........................................................................... 050

5.3.2 圖像數據信號 ................................................................................... 053

5.3.3 源驅動（數據驅動）電路................................................................ 055

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 5.3.4 閘驅動（選址驅動）電路................................................................ 055

5.4 單純矩陣驅動法 .....................................................................058

5.4.1 靜態驅動法 ....................................................................................... 058

5.4.2 多路驅動法 ....................................................................................... 060

第六章 LCD 的工作模式及顯示螢幕構成.................................067

6.1 各種不同的光學方式..............................................................068

6.2 穿透型液晶顯示器 .................................................................069

6.2.1 TN 模式 ............................................................................................. 069

6.2.2 STN 模式 .......................................................................................... 080

6.2.3 IPS 模式............................................................................................ 086

6.2.4 VA 模式 ............................................................................................. 094

6.2.5 其他模式簡介 ................................................................................... 100

6.3 反射型液晶顯示器 .................................................................112

6.4 半穿透型液晶顯示器..............................................................114

6.5 投射型液晶顯示器 .................................................................115

第七章 TFT LCD 製作工程 ........................................................119

7.1 液晶顯示器的製作技術流程簡介 ..........................................120

7.1.1 彩色 STN LCD 製程 ......................................................................... 120

7.1.2 彩色 TFT LCD 製程 .......................................................................... 122

7.1.3 彩色濾光片（CF）製程 ................................................................... 128

7.1.4 TFT 元件的構造及特徵 .................................................................... 130

7.1.5 液晶顯示器的製作技術.................................................................... 133

7.2 陣列製作工程 .........................................................................135

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 7.2.1 陣列基板製程 ................................................................................... 135

7.2.2 陣列基板單元製程 ........................................................................... 140

7.3 彩色濾光片製作工程..............................................................168

7.3.1 彩色濾光片製程 ............................................................................... 170

7.3.2 黑色矩陣（BM）形成工程 ............................................................. 172

7.3.3 著色層圖形形成工程........................................................................ 179

7.3.4 保護膜、透明電極、柱狀間隙物形成工程 .................................... 183

7.3.5 切割工程 ........................................................................................... 188

7.3.6 檢查工程 ........................................................................................... 189

7.4 液晶螢幕（盒）製作工程 ......................................................190

7.4.1 液晶螢幕（盒）的結構及製作流程圖 ............................................ 190

7.4.2 液晶螢幕（盒）前工程.................................................................... 192

7.4.3 液晶螢幕（盒）後工程.................................................................... 201

7.5 模塊組裝工程 .........................................................................206

7.5.1 模塊（module）的結構及組裝流程圖 .......................................... 207

7.5.2 OLB 工程 .......................................................................................... 209

7.5.3 PCB 實裝工程 .................................................................................. 220

7.5.4 COG 模塊製造工程 .......................................................................... 221

7.5.5 組裝及檢查工程 ............................................................................... 224

7.6 液晶螢幕製作技術的改進 ......................................................227

7.6.1 陣列工程的改進──關鍵在於提高生產效率 ................................ 228

7.6.2 液晶螢幕（盒）工程的改進──從農業到工業 ............................ 231

7.6.3 模塊工程的改進──如何適應多品種 ............................................ 235

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 第八章 TFT LCD 的主要元件及材料 ........................................237

8.1 玻璃基板 .................................................................................238

8.1.1 液晶顯示器用玻璃基板的種類 ........................................................ 240

8.1.2 對液晶顯示器用玻璃基板的特性要求 ............................................ 241

8.1.3 玻璃母板的大型化 ........................................................................... 242

8.1.4 熱加工工程 ....................................................................................... 244

8.1.5 冷加工工程 ....................................................................................... 248

8.1.6 熱處理工程 ....................................................................................... 250

8.1.7 洗淨檢查，包裝出廠........................................................................ 251

8.1.8 全球 LCD 玻璃基板產業化動向 ...................................................... 253

8.2 偏光片及位相差膜片..............................................................256

8.2.1 偏振光與偏光片的構造.................................................................... 258

8.2.2 基板膜片 ........................................................................................... 262

8.2.3 偏光片製造工程 ............................................................................... 268

8.2.4 位相差膜，視角擴大膜.................................................................... 271

8.3 背光源 .....................................................................................275

8.3.1 背光源在液晶顯示器中的應用 ........................................................ 275

8.3.2 背光源的種類及構造........................................................................ 279

8.3.3 冷陰極體燈 （CCFL）的構造及發光原理 ..................................... 282

8.3.4 光學膜片的種類及特徵.................................................................... 283

8.3.5 導光板 ............................................................................................... 287

8.3.6 背光源的組裝工程 ........................................................................... 290

8.3.7 背光源的改進 ................................................................................... 291

8.3.8 便攜液晶用 LED 背光源 .................................................................. 302

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 8.4 適應高響應速度的液晶材料 ..................................................312

8.4.1 低黏滯性液晶材料 ........................................................................... 313

8.4.2 適應窄間距的高 ∆n 材料 ................................................................. 314

8.4.3 高 ∆ε 材料 ......................................................................................... 316

8.4.4 高速響應液晶材料有待開發的問題 ................................................ 319

8.5 驅動、控制用 IC/LSI 製造工程.............................................321

第九章 TFT LCD 的改進及性能提高 ........................................323

9.1 液晶顯示器的最新技術動向 ..................................................324

9.1.1 液晶顯示器的市場及產品動向 ........................................................ 324

9.1.2 液晶顯示器技術的最新動向 ............................................................ 328

9.1.3 液晶顯示器的今後展望.................................................................... 337

9.2 TFT LCD 開口率的提高 .........................................................341

9.2.1 提高 TFT 陣列基板與 CF 基板的對位精度 .................................... 342

9.2.2 佈線微細加工技術的導入................................................................ 342

9.2.3 採用自整合（self-alignment）型 TFT，以降低閘、源電極間的

重疊電容 ........................................................................................... 345

9.2.4 降低閘線的電阻 ............................................................................... 347

9.2.5 提高 TFT 的遷移率........................................................................... 347

9.3 擴大視角技術 .........................................................................349

9.3.1 採用光學補償或配向分割擴大 TN 模式液晶顯示器的視角 ......... 349

9.3.2 IPS 模式液晶顯示器中的配向分割結構......................................... 353

9.3.3 VA 模式液晶顯示器中的配向分割結構 .......................................... 353

9.3.4 三種擴大視角液晶顯示器中的彩色轉變 ........................................ 357

9.3.5 光學補償位相差膜在各種顯示模式中的應用 ................................ 358

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 9.4 提高響應速度 .........................................................................365

9.4.1 瞬時型與持續型顯示方式的差異 .................................................... 365

9.4.2 過驅動（overdrive）實現高速響應 ............................................... 369

9.4.3 插入黑畫面改善畫質........................................................................ 372

9.4.4 液晶材料如何適應高速響應 ............................................................ 374

9.5 液晶電視發展現狀 .................................................................385

9.5.1 市場動向 ........................................................................................... 385

9.5.2 性能提高 ........................................................................................... 389

9.5.3 產業動向 ........................................................................................... 395

9.5.4 產能分布 ........................................................................................... 399

9.6 TFT LCD 製作技術的革新 .....................................................401

9.6.1 發展背景 ........................................................................................... 402

9.6.2 彩色濾光片製作的技術革新 ............................................................ 403

9.6.3 偏光片與位相差（補償）片一體化的技術革新 ............................ 406

9.6.4 背光源與光學膜片的技術革新 ........................................................ 407

9.6.5 散光膜片與稜鏡膜片（增亮膜）的一體化技術 ............................ 408

9.6.6 驅動 IC 小型化的技術革新 .............................................................. 410

9.6.7 生產設備的技術革新........................................................................ 410

9.7 低溫多晶矽液晶顯示器..........................................................412

9.7.1 發展概況及市場需求........................................................................ 412

9.7.2 LTPS TFT LCD 製品的特點及研究開發動向 ................................. 413

9.7.3 製備技術開發動向 ........................................................................... 419

9.7.4 發展預測和展望 ............................................................................... 422

9.8 高溫多晶矽液晶顯示器的技術進展 ......................................428

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 9.8.1 HTPS 的市場動向 ............................................................................ 430

9.8.2 HTPS 的技術發展動向 .................................................................... 432

9.8.3 HTPS 需要開發的課題 .................................................................... 438

9.9 LCOS 的最新進展 ..................................................................439

9.9.1 LCOS 元件的特性 ............................................................................ 439

9.9.2 LCOS 開發的歷史 ............................................................................ 441

9.9.3 LCOS 的兩大關鍵技術 .................................................................... 441

9.9.4 D-ILA 元件的特性 ............................................................................ 443

9.9.5 LCOS 元件用的光學系統 ................................................................ 446

9.9.6 D-ILA 的發展方向 ............................................................................ 448

附錄 液晶顯示器常用縮略語 .................................................449

參考文獻 ........................................................................................465

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 第五章｜液晶顯示器的設計和驅動

第五章
液晶顯示器的設計
和驅動

5.1　TFT LCD 陣列設計

5.2　主動式矩陣 TFT LCD 驅動
法
5.3　主動式矩陣型 TFT LCD 驅
動法舉例
5.4　被動式矩陣驅動法

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TFT LCD 面板設計與構裝技術

液晶顯示器多採用交流驅動方式，即將極性正負變換的電壓加在液晶上。這是
因為，液晶在直流電壓的長時間作用下，會引起電氣分解等，造成材料變質，壽命降
低；而在交流電壓作用下，液晶材料不會變質，從而能保證其壽命。但交流驅動增加
了電路的難度。
液晶顯示器有被動式矩陣〔又稱被動（passive）矩陣或單純矩陣〕和主動式矩陣
〔又稱主動（active）矩陣〕兩種驅動方式。前者是在封入液晶材料的玻璃基板上縱橫
布置電極，其整合點作為像素構成被動式矩陣；後者是在封入液晶材料的玻璃基板上
陣列布置薄膜電晶體或二極體等主動式（主動）元件，由其控制每一個像素，構成主
動式矩陣。被動式矩陣可用於靜態驅動法和動態驅動（多路驅動）法，主動式矩陣特
別適用於多像素動態驅動。靜態驅動法多用於小規模固定圖形顯示，例如用於娛樂設
備及玩具等的顯示等。除此之外的用途幾乎都採用動態驅動法（多路驅動法）
。
本章在討論 TFT LCD 陣列設計的基礎上，主要針對主動式矩陣 LCD 的代表
TFT LCD 驅動法和被動式矩陣 LCD 的代表多路驅動法做簡要介紹。

5.1　TFT LCD 陣列設計

薄膜電晶體液晶顯示器（thin film transistor liquid crystal display, TFT LCD）的

設計共包括下述幾個部分：
1 顯示圖像部分的設計，主要是像素部分的設計，即陣列（array）設計；
2 封入液晶材料部分的設計，主要是液晶螢幕（盒）的設計；
3 驅動液晶所需的電氣信號及電壓等供給部分的設計，主要是模塊設計等。
本節主要針對由顯示圖像用的像素部分和向像素供給電氣信號的佈線部分所
構成的「陣列設計」工程進行討論。在這種陣列設計工程中，從確定構成陣列的薄
膜電晶體（thin film transistor, TFT）的尺寸開始，針對驅動 LCD 的方式（驅動回
路設計）進行論述；此後，針對所求出尺寸的 TFT 在像素中進行布置的陣列圖案
（pattern）設計（layout，版面設計）進行論述，最後，介紹陣列檢查用的測試方法，
即測試設計。
藉由上述陣列設計工程，最終轉變為 7.2 節陣列製造工程及 7.3 節彩色濾光片製

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 第五章｜液晶顯示器的設計和驅動

系統設計

陣列設計

驅動回路設計 & 驅動方式

陣列•圖案設計（版面設計）

測試設計

設計數據

光罩製作工程

（製作工程略）

光罩 到陣列製作工程

圖 5-1　陣列設計技術流程

造工程所用光罩的製作設計數據，見圖 5-1。關於液晶螢幕（盒）設計及模塊設計，
請參照 7.4、7.5 節。

5.1.1　系統設計工程

在陣列設計工程中，首先要基於目標式樣，對液晶顯示器整體基本形式進行系統
設計（產品定型階段的設計）
，見圖 5-2。而後再進入詳細設計。
進入詳細設計之前，在產品定型階段，應首先定義液晶顯示器整體的基本設計式
樣的目標，需要討論為實現這些目標「採用什麼樣的技術」？「利用什麼樣的元件」？
在確定使用的技術、元件之後，再進行具體的設計。
關於液晶顯示器整體的基本設計規格，屬於現有產品規格說明書中記載的內容，
其中包括畫面尺寸（畫面對角線尺寸）
、顯示像素數（圖像解析度）
、幀頻（圖像轉換

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TFT LCD 面板設計與構裝技術

系統設計 （基本設計要求）
畫面尺寸、顯示像素數、
幀頻、視角、顯示色數、
最大亮度、最大對比度、
響應時間、耗電量、外形
寸法、重量等

陣列設計 驅動電路設計
像素開口率、薄膜電晶體、 交流驅動的設計
存儲電容器、佈線電容、 電容耦合補償設計等
佈線電阻等

陣列•圖案設計 測試設計
（版面設計） 檢查用圖案設計
顯示區域的圖案設計 檢查用元件設計
周邊區域的圖案設計 檢查用回路的設計等

設計數據

光罩製作工程　　　（製作工程略）

光罩 到陣列製作工程

圖 5-2　陣列設計工程的具體流程

頻率）
、視角、顯示色數、最大亮度、最大對比度、響應時間、功耗（耗電量）
、外形
尺寸、重量等。

5.1.2　陣列設計工程

液晶顯示器的基本式樣確定之後，就應該設法滿足最大亮度、功耗、外形尺寸等
式樣要求，在價格最小的前提下，著手對各關鍵元件進行設計。早期，陣列設計中最
重要的考慮是如何提高像素的開口率，因為開口率的大小直接與顯示亮度（亮度）密
切相關。

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 第五章｜液晶顯示器的設計和驅動

開口部

有效面積
約 50%

次像素面積
100%
汲
保護膜 像素 源
絕緣膜 電極 a-Si

閘
(a) 次像素圖案與斷面圖 (b) 次像素的開口部（率）

圖 5-3　次像素圖案與開口率

5.1.2.1　像素開口率

開口率定義為透光區域（開口部）與該像素或次像素面積之比。如圖 5-3 所示，

開口部，即透光區域，是從一個像素或次像素的整個區域扣除掉下述區域所剩部分：
1 向像素或次像素供給顯示信號用的數據線區域；
2 按定時（timing）控制向像素電極寫入數據線電位用的開關元件，即薄膜電晶體
（thin film transistor, TFT）區域；
3 向 TFT 供給 ON/OFF 信號的閘極區域；
4 保持像素電極電位穩定的存儲電容區域；
5 像素電極與數據線、閘線等各種佈線間的間隔（space）區域；

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TFT LCD 面板設計與構裝技術

6 為遮蔽從像素電極周圍漏出的光而設置的黑色矩陣區域。
顯然，上述 1 ∼ 6 區域設計得越小，則開口率越大，從而能獲得更高的亮度。
在畫面尺寸比較小的 LCD 中，藉由中間所夾的絕緣膜，在閘線上配置像素電極而構
1
成存儲電容 CS（Cs on gate ，閘上 CS，見圖 5-4）
。而且，還有後來人們開發的利用
2
所夾的低介電常數的絕緣膜 ，在各佈線之上布置像素電極，將像素電極與信號線構
3
成在不同層中，以提高開口率，即採用場屏蔽像素（field shield pixel，FSP ）及高
解析度製程（hight resolution process, HRP）等，見圖 5-5。進一步，是將黑色矩陣
（black matrix, BM）置於 TFT 陣列一側，以確保陣列與 BM 對位精度的陣列上黑色
矩陣技術（BM on array）
，還有將彩色濾光片設置於 TFT 陣列一側的技術（CF on
array）
，或者在彩色濾光片之上布置 TFT 陣列的技術（TFT on CF，TOC 或 array on
CF）
，見圖 5-6，5-7 等，以提高開口率。

存儲電容器 Cs

閘線
閘線 Y2 （選址線） 閘線 Y2
（選址 Y2） VCOM 存儲電容器 （選址 Y2） VCOM
VS Cs VS
CS CS
TFT CLC TFT CLC
閘線 Y1
CGD VCOM 閘線 Y1 CGD VCOM
（選址 Y1） 源線 X （選址 Y1）
源線 X
（數據 X） （數據 X）
源線
（數據線） 源線
（數據線）
存儲電容器
Cs
閘線
（選址線）

(a)Cs 獨立型 (b)Cs 位於閘上型

圖 5-4　CS 獨立型和 CS 位於閘上型次像素圖案的一例

1 Cs on gate：注意這種方法中閘線的佈線電容會增大。
2 低介電常數絕緣膜：這種膜層對於降低像素電極與佈線間的寄生電容致關重要。
3 FSP：這種技術又稱為陣列上ITO（ITO on array）。

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 第五章｜液晶顯示器的設計和驅動

a-Si 像素電極（ITO）

閘極
絕緣膜 低介電常數感光性樹脂
（SiNx）
源線 n+a-Si
（數據線） 汲極
源極 （ITO）
（ITO）
緩衝膜（SiOx）
黑色矩陣 玻璃基板
（BM）

圖 5-5　提高開口率的 FSP（field shield pixel）型像素的結構

BM 玻璃基板

著色層
外敷層

保護膜
汲極 像素電極 共用電極
（SiNx）
（ITO） （ITO）
源極

絕緣膜 Cs
（SiOx，SiNx） 電極
a-Si 玻璃基板
閘極

(a) 原來的黑色矩陣（BM）結構

玻璃基板
著色層

外敷層

保護膜 BM
汲極 像素電極 共用電極
（SiNx）
（ITO） （ITO）
源極

絕緣膜 Cs
（SiOx，SiNx） 電極
a-Si 玻璃基板
閘極

(b) 為提高開口率而採用的 BM 位於陣列之上的結構

圖 5-6　BM 位於陣列之上的像素結構與原來像素結構的對比
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保護膜（SiNx） 汲極 像素電極（ITO）
a-Si
源極
Cs
絕緣膜
閘
緩衝膜
紅（R） 彩色濾光
綠（G ） 片（CF）
黑色
矩陣 玻璃基板
（BM）

圖 5-7　TFT 位於 CF 之上（TOC）的像素結構

5.1.2.2　薄膜電晶體（thin film transistor, TFT）

像素內薄膜電晶體（thin film transistor, TFT）的大小，由像素電極與數據線間，

即汲—源間電荷移動中必要的電流大小決定。依據這一電流 I，像素自身的電容 C 存
儲電荷 q，進而像素的電壓 V 發生變化。該變化由下式給出

（5-1）

而 且， 基 於 TFT 與 MOS-FET（metal oxide semiconductor-field effect

transistor，金屬氧化物半導體一場效應電晶體）具有相同的結構，參照圖 5-8，則
TFT 汲—源間的電流 I 可由下式給出

　　
（VDS ＜ VGS-VTH） （5-2）

　 　　　

（VDS ≥ VGS-VTH） （5-3）

式中，COX 為單位面積閘極絕緣膜電容；μ 為電子遷移率；W、L 分別為通道寬度和

長度；VGS 為閘—源間電壓；VTH 為 TFT 的臨界電壓；VDS 為汲—源間電壓。

008 本試閱檔為五南所有。如欲購買此書，請至五南網站 www.wunan.com.tw

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上述關係稱為平緩通道（gradual channel）近似公式。
利用式（5-1）
、式（5-2）
、式（5-3）求出一般解是很難的，為簡化，可假定電
流 I 不隨電壓 V 變化，而取一定的值，當然這是非常粗略的近似。也就是說，在非晶
矽（amorphous silicon, a-Si）TFT 的通常使用條件下，流過的電流 I 可按下式近似

I=0.5×10-6× [A] （5-4）

通道長 L
汲 像素電極（ITO）
通道寬 W
保護膜（SiNx）
源
a-Si

絕緣膜
（SiOx，SiNx） 玻璃基板
閘
Cs 電極
註：源、汲電極的名稱依電流的流動方向不同而變，但為方便，定義與
數據線相連的為源極，與像素相連的為汲極

(a) 像素電極與 TFT 的結構

1×10-5 VTH=+3V
VDS=VGS-VTH
W/L=52/12μm
tox=3500Å
VGS=+15V
IDS/A

1×10-6

VGS=+10V

VGS=+5V
-7
1×10
0 10 20
VDS/V
(b)TFT 的靜態特性（IDS 對 VDS 特性）

圖 5-8　像素的結構和 TFT 的靜態特性

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將式（5-4）代入式（5-1）
，等式兩邊對時間做積分，可得下式

0.5×10-6× dt=C dv （5-5）

其中，TFT 的 ON 時間（數據寫入時間）為 tW；液晶上所加的電壓為 VLC，由於液

晶為交流驅動，電位變化為 2VLC，則式（5-5）可改寫為

0.5×10-6× tW=2CVLC （5-6）

由於 TFT 的尺寸（大小）是由通道寬度 W 和通道長度 L 表示的，故式（5-6）

可變形為下式

（5-7）

也就是說，TFT 的大小（W/L）可根據數據寫入時間 tw，施加於液晶上的電壓

VLC，以及像素電容 C 之間的關係式（5-7）求得。
例 如， 對 於 XGA（1,024×768 個 像 素 ） 規 格 的 顯 示 器 來 說， 設 幀 頻 fF 為
60Hg，則向像素寫入的時間 tw 可由下式表示

=19.5μs （5-8）

式中，n 為行〔地址（address）
〕數；tVB 為垂直消隱（blanking，閉鎖）時間比，一
般取 10%。
實際上，可以流過電流的時間為數微秒，是相當短的。在此，寫入時間 tw 以 8μs
近似，而且 TN（twisted nematic，扭曲向列）模式液晶的工作電壓（臨界電壓）VLC
為 3 ∼ 4V，則由式（5-7）可得

= 2×1012×C （5-9）

若假定像素電容 C 為 0.5ρF，則 TFT 的尺寸比 W/L 則等於 1。這意味著，若採

用的通道長 L=10μm 的製作技術，則通道寬的尺寸至少為 W=10μm。
即使同屬於 XGA 顯示規格，畫面對角線尺寸為 2 倍的像素節距也為 2 倍，而由

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於像素電容 C 與像素面積成正比，則變為 4 倍，TFT 的通道寬度 W 也為 4 倍。

以上，根據非常粗略的近似計算，求出了 TFT 的尺寸（大小）
。但在實際的設計
中，由於流經 TFT 的電流 I、電壓 VGS、VDS 都是隨時間而變化的，因此需要採用更
精確的模型等，透過電腦模擬進行更符合實際情況的計算。

5.1.2.3　存儲電容 CS

存儲電容 CS 的作用是使寫入的數據電壓，即像素電極的電位穩定化。也就是
說，TFT ON 時，對像素電極進行數據寫入，該數據直到 TFT OFF 時（1 幀內寫入
數據的殘留時間）
，要基本保持不變。但是，在 TFT OFF 時，由於 TFT 的漏電流及
與像素電極周邊的佈線等之間存在的寄生電容，寫入像素電極的數據電壓會發生變
動。即使存在這種變動，為保持顯示品質，需要在像素電極與共用（common）電極
之間設置存儲電容 CS，以對液晶電容起輔助作用。
例如，由於像素電極與閘線之間的原生電容 CGD，像素電位受閘線電位變動
（VGH-VGL）的影響，像素電位變動 ∆Vp（參照圖 5-9）由下式表示

1幀 閘信號
（選址信號）
數據信號
數據信號的
中心電壓
閘線 Y3
（選址線 -3） 存儲電容 共用電極的
像素 11 像素 21 CS 電壓 VCOM
VGH 供給側 像素電極 閘信號
CGD 像素電極
T11 T21 電位 VP （選址信號）
閘線 Y2 VCOM VCOM 液晶電容
CLC VGH-VGL
（選址線 -2） 終端側
存儲電容 共用電極的
像素 12 像素 22 CS 電壓 VCOM
VGL
像素電極 黑色
T12 T22 數據信號
寄生電容 電平
閘線 Y1 VCOM VCOM 共用電極的
CGD 白色
（選址線 -1） 電壓 VCOM
源線 X1 源線 X2 電平
（數據線 V1） （數據線 V2） 像素電極
∆VP
電位 VP
S1
S2 共用電極的
∆VP 電壓 VCOM

註：為使 S1 和 S2 相等，可透過調整 VCOM 來實現，

以克服閃爍等畫質低下等問題

(a) 像素的等效電路 (b) 像素等的電壓變化

圖 5-9　TFT 像素部的等效電路與動作波形

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（5-10）

式 中，CS 為 存 儲 電 容；CLC 為 像 素 電 極 與 共 用 電 極 之 間 的 電 容（ 液 晶 電 容 ）
；
CS+CLC+CGD+……為像素負載的總電容。
由這種電容耦合引起的像素電位的變動稱為「貫穿電壓」或「充電（charge）分
割電壓」等。由於閘佈線中存在電阻及寄生電容，致使閘信號發生時間延遲，與離閘
信號供給端近的像素相比，離閘信號供給端遠的像素的 ∆Vp 小，即 ∆Vp 在畫面內產生
分布。
而且，由於液晶分子所具有的介電（常數）各向異性，顯示黑的像素與顯示白
的像素之間在液晶電容 CLC 上存在很大差異。例如，對於通常的常白型（normally
white）的 TN（twisted nematic，扭曲向列）模式液晶顯示器來說，顯示黑的液晶電
容 CLC（黑）是顯示白的液晶電容 CLC（白）的大約 3 倍，依畫面顯示圖案（pattern）
而異，像素電位變動 ∆Vp 在畫面內產生分布。
若上述像素電位變動 ∆Vp 在畫面內產生分布，則往往成為「閃爍（flicker）
」及「影
像殘留」等顯示品質低下的原因。當然，作為對策是設定共用電極（common 電極）
電位，然而不可能針對整個畫面的所有像素設定適當的共用電極電位。因此，必須設
4
置存儲電容 CS 。
如果加大該存儲電容 CS，從整體上講 ∆Vp 變小，顯示品質會提高，但為使像素
電容量變大，TFT 的尺寸（W/L）也需要擴大。由於同通道長 L 一起，通道寬度 W
也必須加大，從而 TFT 的寄生電容 CGD 也會變大，其結果，參照式（5-10）
，∆Vp 加
大，進而形成惡性循環。為此，在設計工程中，為實現最優化設計，要利用電腦，共
同確定 TFT 的尺寸（W/L）
、存儲電容 CS 等參數。

5.1.2.4　佈線電容

數據線、閘線所具有的佈線電容，是各佈線與其周圍的佈線、電極間的寄生電
容，其值越大，向佈線供給信號所需要的電荷量越大，功耗增加。

4 即使設定Cs，以及對共用電極電位進行調整，閃爍（flicker）等畫質不良也會發生，作為對
策是採用3值電位驅動及後述的H/V線（點）反轉驅動等，以提高畫質。

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現設佈線整合部位的面積為 S，絕緣膜的厚度為 tOX，絕緣膜的相對介電常數為

εr，真空中的介電常數為 ε0（8.855×10-12F/m）
，則佈線電容量 C 可由下式給出

C = εr • ε0 • （5-11）

以 14 型 TFT LCD 為例，設佈線長度 L=300mm，寬度 W=10μm，整合部分的

比例佔 1/3，絕緣膜的厚度 tOX = 350nm，絕緣膜的相對介電常數 εr=3.82，則佈線電
5
容量 C 為

C = εr • ε0 • =3.82×8.855×10-12× [F]

≈ 100pF　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （5-12）

因此，為降低佈線電容，可以減小佈線的長度（即減小佈線面積 S）
，但佈線太
細，電阻會增大，造成佈線的 RC 常數變大，致使信號延遲時間變大，從而在所定的
寫入時間（選擇時間）tw 內，不能將信號寫入，而且由於電容耦合，使像素電位變動
∆Vp 在面內的分布變大等，這些都會成為影響顯示品質的問題。而且還會因斷線引起
成品率降低，從而成本上升等。

5.1.2.5　佈線電阻

在對電視用大型 LCD 及像素較多的高精密 LCD 設計中，為防止顯示品質問題，

要求佈線的時間常數 RC 較小。設佈線長度為 l，寬度為 w，厚度為 d，電阻率（又稱
為體積電阻率）為 ρ，則佈線電阻 R 由下式給出

（5-13）

以 14 型 TFT LCD 為例，設閘線的佈線長度 l=300mm，寬度 w=10μm，膜厚

d<300nm，閘線材料為鉬鎢（MoW，電阻率 ρ=20×10-8Ω • m）
，代入這些數據，
則計算得到的閘線電阻 R 由下式表示

-6
5 閘線電阻R的計算：由l =300mm=0.3m ，閘線膜的厚度d =300nm=0.3 × 10
m ，寬度w =
-6
10μm=10×10 m，再利用閘線材料的電阻率，利用式（5-13）可計算閘線電阻R。

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=20×103=20kΩ （5-14）

而且，上述閘線的佈線電容 C 為 100ρF，則閘線的時間常數 RC 值計算如下

RC=20×10[Ω]×100×10-12[F]=2×10-6s=2μs （5-15）

一般說來，信號電壓在經過時間約為時間常數 RC 的 4.6 倍之後達到飽和，因

此，在閘線終端，閘信號電壓經約 10μs 達到飽和。對於 XGA 屏來說，這一時間小
於 TFT ON 時數據的寫入時間 tw〔參見式（5-8）
〕。因此，對於閘線長 l=300mm，寬
w=10μm，閘線膜厚 d=300nm，採用鉬鎢材料進行設計的情況，可以有把握地說「數
據寫入的時間是足夠的！」
但是，隨著像素數越來越多的高精密畫面的問世，即使其他條件相同，由於數據
寫入時間 tw 變短，要求佈線寬度 w 變寬，佈線膜厚 d 變厚，以使佈線電阻 R 變低。
但為避免開口率降低及佈線整合部位斷線的增加，必須採用鋁（Al）合金（電阻率
ρ=5×10-8Ω • m）等低電阻率的閘線材料。順便指出，由屏內佈線電阻、電容等構
6
成的回路變為圖 5-10 所示的 RC 分布常數回路。

5.1.3　驅動回路設計與驅動方式

向液晶螢幕（盒）的各次像素（subpixel）供給的數據信號，是以向液晶施加電
7
壓 VLC 的方式提供的，為防止液晶螢幕（盒）的劣化 ，需要每一幀發生極性反轉，
稱此驅動方式為「幀反轉驅動（flame inversion）
」，見圖 5-11(a)。實際上，對液晶所
施加的電壓 VLC 是像素電極的電位 Vp 與共用電極（Common 電極）電位 VCOM 之差，
並用下式表示：

VLC=Vp-VCOM （5-16）

按式中所示，對於共用電極（common）電極電位 VCOM 不變化的情況，像素電

6 RC分布常數回路：需要注意的是，不能用前述的簡易公式求出回路常數。
7 如果所施加的電壓為直流，液晶分子在電極表面產生正、負電荷的偏差，從而縮短其壽命。

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14ns
水準同步信號（H）
22Ω 分布參數 0.2Ω、8pF、200nH

X- 驅動器 ×10 個 V0-V14 V15

內部阻抗 68pF
垂直同步信號（V）
約 20kΩ 22Ω
分布參數
0.1Ω、10pF、250nH 5pF
68pF 5kΩ
Y- 驅動器 ×4 個
17μs

定時控制用 選址信號（閘線）
LSi 分布參數
16.7ms 7 ∼ 20kΩ、
300 ∼ 400pF、
0.4 ∼ 1nH TFT 像素電極
5Ω
200mm
1MΩ
CLC CS

5pF 液晶電容 存儲電容

0.6pF 0.3pF
數據信號（源線）
分布參數
3 ∼ 10kΩ
70 ∼ 100pF、
0.3 ∼ 1nH
300mm
14.1 英寸液晶螢幕
寬高比：16：10，
像素數：1,280×768
顯示規格：WXGA

圖 5-10　由屏內的佈線等造成的 RC 分布參數等效回路一例

極電位 Vp 在液晶上施加電壓 VLC 在振幅（2VLC）範圍內變化，即向數據線提供交流

的數據信號。而且，即使存在因電容耦合而引起的電位變動（∆Vp）
，在保證像素電極
的電位 Vp 以共用電極（common 電極）電位 VCOM 為中心對稱的前提下，可調整共
用電極（common 電極）電位 VCOM（參照圖 5-9(b)）
。如果這種調整不充分，則可引
發閃爍（flicker）等顯示品質低下等情況發生。順便指出，在液晶驅動方式中，除幀
反轉外還有後述的幾種驅動方法。
到目前為止，都是針對一個像素或一個次像素的驅動進行討論的，而著眼於整個
顯示畫面，從對顯示信號賦予極性的方式講，有圖 5-11 及表 5-1 所示的四種驅動方
式。其中，伴隨著液晶電視的大型化、高精密化的顯示要求，
「H/V 線（點）反轉驅動」
備受關注，並獲得成功應用。但是，由於需要逐點的數據極性發生反轉進行驅動，其
缺點是數據反轉時功耗較大。為降低功耗，正提出並採取各種各樣的措施。

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第3幀 第3幀
第2幀 第2幀
第1幀 第1幀

(a) 幀反轉驅動 (b)H 線（行）反轉驅動

第3幀 第3幀
第2幀 第2幀
第1幀 第1幀

(c)V 線（列）反轉驅動 (d)H/V 線（點）反轉驅動

圖 5-11　各種驅動方式

表 5-1　晶液顯示器的各種驅動方式
向像素寫入的極性 與共用電極驅動的組合
奇數幀 偶數幀 共用 DC 共用反轉

幀反轉驅動 可 可

H 線反轉驅動
可 可
（row ／行反轉）

V 線反轉驅動
可 不可 *
（column ／列反轉）

H/V 線反轉驅動（dot
可 不可 *
／像素反轉）

註：V 線反轉及 H/V 線反轉等的列（column）反轉驅動與共用反轉驅動之間是不可組合的，但如果將

彩色濾光片（CF）的共用電極分離（做成梳狀） ，則可以實現組合。

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例如，這些措施包括：藉由對寄生電容 CL 充電的數據電荷再利用，以期降低功
耗的「充電電荷再循環（recycle）驅動法」
；從存儲電容 CS 的與像素電極相反端的端
子，發生與共用電壓（common 電壓）相同電壓振幅的反轉（kick up）
、拉平（pull
down）
，壓低像素所必須的電壓振幅，以期降低功耗的「機敏點（smart dot）反轉驅
動法」
；還有使數據線公用化，即透過一個數據線對兩列像素實施驅動的「數據線多
路（multiplex）
」驅動法等。
此外，還有使共用電極（common 電極）電壓 VCOM 相對於數據信號的極性同步
反轉的驅動法，稱此為「共用（common）反轉驅動法」
。採用這種方法，在像素電
極電位 Vp 中，重疊有共用電極的電位變化，而驅動液晶所需要的電壓為 VLC，因此
可使數據信號電壓的振幅變小，並由此降低功耗。但是，共用（common）反轉同幀
（frame）反轉並用的驅動法，即「共用反轉幀反轉驅動法」
，由於電壓在每幀中振動，
從反應速度看儘管不存在問題，但在幀反轉時存在容易發生閃爍（flicker）的缺點。
而且，共用反轉與 H 線反轉並用的驅動法，即「公用反轉 H 線反轉驅動法」具有易
引發串擾（crosstalk，串擾）等畫質低下的缺點。
順便指出，如表 5-1 所示，上述共用反轉驅動同列（column）反轉驅動，即 V
線（列）反轉驅動及 H/V 線（點）反轉驅動是不能併用的，但公共電極若不採用一個（整
體式）電極，而採用分割式（如梳狀）電極，則是能併用的。

5.1.4　陣列圖形（array pattern）設計工程—圖案（layout）
設計

在完成對 TFT 的尺寸、電容器的大小等陣列的電氣設計之後，在進入第 7 章所

述 TFT LCD 製作技術之前，首先要製作曝光工程（照相蝕刻工程，PEP 工程）所
用的光罩，為此需要進行數據設計。其中，要利用電腦輔助設計（computer aided
design, CAD 或 electronic design automation, EDA）
，將求出的這些設計數據用於製
作照相蝕刻工程中各層用的光罩，見圖 5-12。
像素電極、信號線、各元件區域同各佈線之間需要保持一定的間距（space）
。這
一間距的規定是基於元件特性等電氣設計上的要求及製作工程中圖形的線寬精度、對
位精度等這兩方面的考慮。源於積體電路製作技術，一般稱此間距為「設計標準（特

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(a) 製作好的圖形 (b) 金屬電極形成 (c) 通道保護膜形成圖形

（第 1 道 PEP 光罩） （第 2 道 PEP 光罩）

(d) 信號線形成圖形 (e) 接觸孔形成圖形 (f) 像素電極形成圖形

（第 3 道 PEP 光罩） （第 4 道 PEP 光罩） （第 5 道 PEP 光罩）

圖 5-12　陣列的圖形設計（使用正型光阻時採用的光罩）

徵線寬）
」。對於 TFT LCD 來說，2000 年前後這一特徵線寬為 7 ∼ 3μm（圖 5-13）
，
目前已達 1 微米上下。儘管這一設計標準同目前積體電路製作技術的設計標準（特徵
線寬為 130 ∼ 70nm）相比不可同日而語，但由於前者是在非常大的玻璃母板（第 8
代為 2160mm×2400mm）上，大批量生產線上實現，萬不可低估其技術難度。
順便指出，在顯示區域周圍，為了安裝驅動電路，需要設置電氣連接端子（pad，
焊盤）
、測試元件、像素與焊盤之間的引出線等。此外，為了向彩色濾光片基板上所
設置的共用（common）電極供給電壓，需要設置導通（transfer）電極，為防止靜電
需要設置電阻、短路環等（見圖 5-14）
，還要設置各種檢查用的圖形、元件、測試回
路，以及各種對位標記等等。

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1000

TFT LCD 像素的尺寸

100
特徵線寬，畫素的大小／ μm

TFT LCD 的特徵線寬

10

1 LSI 的特徵線寬

0.1
1980 1985 1990 1995 2000 2005
年代／年

圖 5-13　陣列設計時採用的特徵線寬及像素尺寸的變遷

基準電壓 基準電壓
數據信號 數據信號
基準電壓 基準電壓

閘信號 閘信號

(a) 利用電阻防止靜電的一例 (b) 利用 TFT 防止靜電的一例

圖 5-14　利用各元件防止靜電的對策（輸入保護、短路環等）

5.1.5　檢測（test）設計工程

陣列設計工程中的檢測（test）設計工程是為了提高成品率，針對下述目的的檢

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測而進行的：1 工程管理；2 解析引發不良的原因；3 減少不良品向後續工程的流入；

4 為對不良品進行維修，確定「需要進行哪些試驗」等。
例如，在 TFT 陣列製造工程中，藉由檢測（test）設計進行設計，利用玻璃基板
上搭載的檢測圖形（pattern）等，可對各工程中圖形的線寬、膜厚等進行測定和管理，
排除致命的缺陷，防止不良品的發生。而且，藉由對佈線的斷線、短路、像素缺陷等
的圖像處理，以對圖形（pattern）進行檢查，以及藉由陣列檢測儀（tester）進行檢出，
解析引發不良的原因，及時將這些結果回饋（feed back）到製造生產線，同時還可防
止不良品流入後續的工程等。進一步，在檢出缺陷的同時還可進行返修處理等。
在陣列設計工程中，為實施上述檢查，需要製作必要的測試圖形，檢測元件
（device）
，以及檢查用的測試回路等。舉例來說，為了對電極 OFF、短路等缺陷進行
檢查，需要製作電路圖形；為了判斷生產線是否良好，或判斷帶有獨立型存儲電容器
CS 的顯示螢幕是否良好，需要用 RC 回路置換與該屏等效的回路進行檢查，也就是
說，對 TFT 陣列施加電壓，測定其電流，求出導納（admittance）以判斷像素是否良
好。圖 5-15 表示檢查像素是否良好的測試回路一例（電荷檢出法）
。

（註）VAG：導納
測定用交流電源
RPRD RPRD RPRD RPRD RPRD RPRD RPRD
CP
測定像素 公用環路
delector delector delector delector
VAG
delector
數據信號
GP IOUT
RPRD
閘信號 VAC RPRD RPRD

RPRD

CGS CGD
RPRD

CS

(a)TFT 基板的回路模型 (b) 測定像素的

等效電路

圖 5-15　檢查像素是否良好的測試回路一例（電荷檢出回路）

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 TFT LCD面板設計與構裝技術／田民波著.
－－初版.－－臺北市：五南, 2008.11
　面；　公分
　參考書目：面
ISBN 978-957-11-5427-5 (平裝)
1.顯示器　2.液晶
448.68 97019849

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TFT LCD面板設計與構裝技術
作　　者 ─ 田民波

校 訂 者 ─ 林怡欣

發 行 人 ─ 楊榮川

總 編 輯 ─ 龐君豪

主　　編 ─ 穆文娟

責任編輯 ─ 蔡曉雯

文字編輯 ─ 施榮華

封面設計 ─ 郭佳慈

出 版 者 ─ 五南圖書出版股份有限公司

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法律顧問　元貞聯合法律事務所　張澤平律師

出版日期　2 0 0 8 年 1 1 月 初 版 一 刷

定　　價　新 臺 幣 7 2 0 元

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