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Universidad Nacional Abierta y a Distancia. Hernndez. Dispositivos Bipolares.

DISPOSITIVOS BIPOLARES: EL
TRANSISTOR Y EL TIRISTOR
Hernndez, Lina.
Lina.hh@hotmail.com
Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Resumen- Los dispositivos bipolares son dispositivos


semiconductores de tres terminales formados por dos junturas
PN separados por una regin muy estrecha. De esta forma
quedan formadas tres regiones:-emisor, colector y base-los
cuales pueden ser de dos tipos: NPN y PNP; el Emisor que se
diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportndose como un metal, la Base es la
intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector y el
Colectores el de mayos extensin.
Los dispositivos bipolares tecnolgicamente se desarrollaron
antes que los de efecto de campo o FET, basan su proceso de
conduccin mediante la participacin de los dos tipos de
portadores de carga (electrones y huecos). Se diferencian de los
dispositivos unipolares, en que estos ltimos basan su proceso
de conduccin en la participacin de un solo tipo de portador.
Estos dispositivos se usan generalmente en electrnica
analgica y en algunas aplicaciones de electrnica digital como
la tecnologa TTL o BICMOS
Palabras Clave: Base, Bipolares, Colector, Comn, Emisor,
Transistores.

I.

INTRODUCCIN

El transistor es un elemento que ha originado una


evolucin en le campo electrnico, actualmente existen una
gran variedad de elementos electrnicos los cuales estn
constituidos por estos dispositivos, en este trabajo se
mostrara el funcionamiento general, sus principales
caractersticas as como sus aspectos fsicos, sus estructuras
bsicas y las simbologas utilizadas para cada uno de ellos
El transistor es un nuevo componente utilizado en las
prcticas de electrnica. Este es un dispositivo
semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una
variedad de funciones de control en los circuitos electrnicos
que van desde la amplificacin de seales, al diseo de
circuitos lgicos digitales y memorias.
El principio bsico de funcionamiento de un transistor
bipolar es el uso de la tensin existente entre dos de sus
terminales para controlar la corriente que circula a travs
del tercero de ellos. De esta forma, un transistor bipolar
podra utilizarse como una fuente dependiente que como
veremos es el elemento fundamental del modelo de un
amplificador de seal. Adems, la tensin de control
aplicada puede provocar que la corriente en el tercer
terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor
elevado, permitiendo que el dispositivo activo pueda
utilizarse como un conmutador con dos estados lgicos, que
es el elemento bsico en el diseo de circuitos digitales.
II.

TRANSISTORES BIPOLARES

Es un dispositivo semiconductor de tres capas que


consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo
p (NPN) o de dos capas de material tipo p y una de material
tipo n (PNP).

Fig.1. Transistores NPN - PNP

Configuracin base comn


La base es comn tanto para la entrada como para la salida
de la configuracin. Adems, la base por lo general es la
terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra

Fig.2. configuracin base comn

Fig.3. curva caracterstica

Aplicaciones
Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida
como los micrfonos dinmicos
Configuracin Emisor comn
El emisor es comn tanto para la entrada como para la
salida de la configuracin

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Fig.4. configuracin Emisor comn

Fig.5. curva caracterstica

La zona activa donde las graficas son prcticamente rectas y


equidistantes, es la que se utiliza en amplificacin para
reducir lo mas posible la distorsin lineal.
Configuracin Colector comn
El colector es comn tanto para la entrada como para la
salida de la configuracin.
La configuracin en colector comn se utiliza sobre todo
para igualar impedancias, puesto que tiene una alta
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
contrario de las configuraciones en base comn y en emisor
comn

Fig.8. Hojas de especificaciones del transistor

Regiones operativas del transistor


Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes
regiones operativas, definidas principalmente por la forma
en que son polarizados:
Tabla No.1
Posibilidades de uso de un transistor

Fig.6. configuracin Emisor comn

Fig.7. curva caracterstica

Fig.9. Regiones operativas del transistor

Regin activa inversa: Corresponde a una


polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una

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polarizacin directa de la unin colector-base. Esta
regin es usada raramente.

Regin de corte: Corresponde a una polarizacin


inversa de ambas uniones. La operacin en sta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin
en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un
interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una
polarizacin directa de ambas uniones. La operacin
de esta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo encendido, pues el
transistor acta como un interruptor cerrado (VCE
0).

Encapsulado e identificacin de las terminales de un


transistor
Siempre que sea posible, la cpsula del transistor presentar
alguna marca para indicar cules conectores estn
conectados al emisor, colector o base de un transistor.

Fig.10. Encapsulado

III.

CONCLUSIONES

El parmetro fundamental que describe la


caracterstica de salida del transistor es la ganancia
de corriente
La corriente y la tensin de un transistor NPN va en
sentido contrario a la de PNP.
La polarizacin de los transistores nos permite
definir su uso.
El transistor es un gran aporte al campo del
desarrollo cientfico y tecnolgico, dado su amplia
versatilidad y su gran aplicabilidad en la
investigacin y desarrollo.

IV.

REFERENCIAS

Quora, Recuperado de: https://www.quora.com/What-are-NPN-andPNP-diodes-How-do-they-work

ROBERT L. BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY, Electronica:


teora de circuitos y dispositivos electrnicos, decima edicion,
recuperado
de
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/243006/Libros_guia/Electro
nica

UNAD,UNIDAD
1
FUNDAMENTOS
DE
LOS
SEMICONDUCTORES

recuperado
de:
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/unidad_1
__fundamentos_de_los_semiconductores.html

ROBERT L. BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY, transistor


bipolar de unin , primera edicin, copyright 2002 by Pearson
Education,
inc
recuperado
de
http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf

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