UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS GONZAGA DE ICA

FACULTAD DE INGENIERIA MECNICA Y ELCTRICA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRNICA

DIBUJO ELECTRNICO
Laboratorio N 3: Transistores
Alumna:
Tapia Muante Mara De Jess
Ciclo: III
Turno: Maana

INTRODUCCIN
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una
seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentra prcticamente en
todos los aparatos electrnicos de uso diario tales como radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.

OBJETIVOS
Objetivo General:
Construir y analizar en el simulador virtual Proteus
diferentes circuitos utilizando transistores, diodos y otros
componentes.

Objetivos Especficos:
Deteccin en el osciloscopio de las tensiones filtradas.
Entender tericamente y de forma experimental el
funcionamiento de los circuitos.
Trazado de la curva caracterstica tensin-corriente
Aplicar una forma de onda de voltaje especfica a un
circuito, con el objetivo de conformar diferentes formas de
onda.
Calcular corriente y voltajes del diodo.

CIRCUITO REALIZADO
CIRCUITO I

COMPONENTES UTILIZADOS:

Alternador
de 1 v Hz
Condensado
res de 47 uF
Voltmetro

Resistencias
de 100, 1K,

4.7K Y 330
Ohm.
Diodo
1n4001

 Ampermetr
o
Transistor
2N2222A
Batera de 9
V

DATOS OBTENIDOS I CIRCUITO

V0

+4.28 V

Vi

+ 0.56 V

V CE

6.69 V

V BC

6.87 V

V BE

0.56 V

iC

1.28mA

iB

1.32 mA

iE

5.18 mA

RESULTADOS:

MARCO TERICO

EL TRANSISTOR
Dispositivo semiconductor que permite el control y la
regulacin de una corriente grande mediante una
seal muy pequea. Existe una gran variedad de
transistores. En principio, se explicarn los bipolares.
Los smbolos que corresponden a este tipo de
transistor son los siguientes:

Estructura de un transistor NPN
de un transistor PNP

Estructura

FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula
intensidad por la Base del transistor por lo que la
lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad

muy pequea circular por la Base. As el transistor
disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo

que pasar una intensidad muy grande, haciendo que

se encienda la lmpara. (Figura 2).

En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento
de este componente. No es lo mismo polarizar un
transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un
transistor NPN

Polarizacin de un transistor
PNP

Generalmente podemos decir que la unin base emisor se polariza directamente y la unin base colector inversamente.

ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que,
la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La
tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como
un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una
intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de

colector considerable. En este caso el transistor entre

Colector y Emisor se comporta como un interruptor
cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin
de la batera se encuentra en la carga conectada en el
Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar
ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin
se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva,
como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin
importante para los transistores ya que relaciona la
variacin que sufre la corriente de colector para una
variacin de la corriente de base. Los fabricantes
suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas,
tambin aparece con la denominacin hFE.

Los encapsulados en los transistores dependen de la

funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos
encontramos con que los transistores de pequea
seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente
son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y
tienen en la parte trasera una chapa metlica que
sirve para evacuar el calor disipado convenientemente
refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una
mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente
metlico . Esto, favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador
(TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

OBSERVACIN Y
CONCLUSIONES

Se pudo verificar, mediante simulacin, que los circuitos

planteados entregan las seales que se esperaba
mediante aproximacin matemtica.
Se observa que al conectar una fuente de corriente alterna
se forman curvas sinusoidales, triangulares y cuadrticas.
Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo
aprendido tericamente: Conduciendo en polarizacin
directa y abriendo el circuito en polarizacin inversa.
En las grficas obtenidas podemos observar que al variar
la escala del voltaje en el osciloscopio la curva se expande
o se contrae mantenindose el voltaje inicial.
El uso del osciloscopio es muy importante, debido a que nos
permite medir la evolucin de cualquier tipo de seal. Asimismo
nos ayuda a poder medir voltajes mediante grficas.

BIBLIOGRAFA

Raymond Serway 4ta edicin, fsica para ingenieros, editorial

McCraw Hill.
Fsica Vol.2 Halliday, Resnick, Krane, Fsica Vol.2
www.uhu.es/rafael.lopezahumada/descargas/P2_ OSCILOSC
OPIO.pdf.
http://www.wilful.net/EL%20OSCILOSCOPIO.pdf.
http://prof.usb.ve/mirodriguez/osciloscopio.pdf.
http://linux0.unsl.edu.ar/~rlopez/circuitos/lab1.pdf.