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Vd=Eda
160.00
140.00
120.00
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
a=2 cm
0.00
r=1 cm
p=
30 Kv
cm
t=17 C
b=546+ sobrepresion[mmHg]
Kg/cm^2
8000
Vd_Medido
b
=0.386
273+t
Presin
6000
Ed=Edo
Sobrepresin
4000
Vd_Calculado
a+r
r
Edo=
2000
Densidad
VDCalculado
[kV]
VDMedido
[kV]
Error
%
mmHg
3677,80
4223,80
5,62
144,37
91,2
36,8%
4,5
3310,02
3856,02
5,13
131,80
87,7
33,5%
2942,24
3488,24
4,64
119,23
81,77
31,4%
3,5
2574,46
3120,46
4,15
106,66
75,83
28,9%
2206,68
2752,68
3,66
94,09
68,83
26,8%
2,5
1838,90
2384,90
3,17
81,52
60,63
25,6%
1471,12
2017,12
2,68
68,95
52,67
23,6%
1,5
1103,34
1649,34
2,20
56,38
45,63
19,1%
735,56
1281,56
1,71
43,80
37,37
14,7%
0,5
367,78
913,78
1,22
31,23
30,23
3,2%
0,00
546,00
0,73
18,66
19,73
5,7%
S 0.5 D
Vd=2.44S+7.5 S
=
0.386p
T
T =290 K
=1.33 x 103p
3
Vd=2441.33 x 10 pS+7.5 S
10000
Vd=0.325pS+7.5 S
F. Explique los gases SF6 y ozono.
SF6
SF6 es un gas con alta resistividad dielctrica
por lo que es muy empleado como gas aislante
en equipos para distribucin de energa
elctrica. Sus partculas son pesadas por lo que
se puede cortar corrientes 100 veces mayores
que las que se pueden cortan en el aire bajo las
mismas condiciones.
El Hexafluoruro de Azufre se emplea en la
fabricacin de semiconductores como fuente de
fluor en los plasmas de grabado sin generar
subproductos carbonados. El SF6 puede
emplearse para el grabado de siliciuros
metlicos (especialmente el grabado de
tungsteno), nitruros y xidos depositados en su
sustrato metlico.
Conclusiones:
La presin dentro de un gas afecta en la
movilidad de los electrones y partculas que se
encuentren en su interior, dificultando la
movilidad entre ellos lo que impide que se
produzca una descarga dentro del recipiente, lo
que implica mayor voltaje aplicado para que
exista la disrupcin.
Al comparar los datos obtenidos entre los
voltajes aplicados en el aire seco y el N2, se
llega a determinar que son muy parecidos,
aunque se observa que se necesita menor voltaje
en el N2 para que se produzca la disrupcin.
Esto significa que el aire seco es mejor aislante.
Referencias
[1]
[2]