2016-I

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA DE SISTEMAS

E INFORMATICA
ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

EXAMEN
FINAL
En Nmeros
En Letras

M-EP20161

DATOS DEL ALUMNO (Completar obligatoriamente todos los campos)

Apellidos
nombres:

CHECASACA ARPITA HECTOR

UDED

Cdigo
Fecha:

DATOS DEL CURSO

Ing. Chauca Castilo Eduardo

Docente:
Ciclo:

Mdulo:

INDICACIO
NES PARA
EL
ALUMNO

Seccin:

Estimado alumno
Le presentamos un modelo de examen PARCIAL del curso, el
mismo que se sugiere desarrollar a fin de autoevaluarse en el
estudio de los temas correspondientes a las semanas 1-4.
Cualquier consulta dirigirse al docente en las tutoras telemticas
o correo docente.
xitos!
PREGUNTAS

Responda las siguientes preguntas

cada pregunta 0.5 puntos

las 16 preguntas = 10puntos

Memoria cach
1. Qu tipos generales de funciones especifican las instrucciones de un
computador?.

Procesador Memoria: Transferencia de datos desde o hacia memoria.

Procesador E/S: Transferencia de datos desde o hacia el exterior a travs
de un modulo de E/S.
Procesamiento de Datos: Alguna operacin aritmtica o lgica con los
datos.
Control: Una instruccin puede especificar que la secuencia de ejecucin se
alter

2. Enumere y defina brevemente los estados posibles que determinan la

ejecucin de una instruccin.
M-EP20161

3.

Qu tipos de transferencias debe permitir la estructura de

interconexin (por ejemplo, un bus) de un computador?

4. Qu ventajas tiene una arquitectura de varios buses frente a otra de
bus nico?
Con mltiplos buses, hay menos dispositivos por bus. Esto reduce el retraso de
propagacin, porque cada bus puede ser ms corto, y reduce efectos de cuello de
botella

Memoria interna
5. Cules son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?

Presentan dos estados estables (o semintales), que pueden

emplearse para representar el 1 y el 0 binarios
Puede escribirse en ellas (al menos una vez), para fijar su
estado.
Puede leerse para detectar su estado.

6. Qu diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM?

Las SRAM son ms rpidas se utiliza como cach & la DRAM como
memoria principal.

7. Qu diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a caractersticas

tales como velocidad, tamao y coste?

Las DRAM son ms pequeas las celdas y mas econmicas que

las SRAM.
Tanto las RAM estticas como las dinmicas son voltiles.
Una celda de memoria RAM dinmica es ms simple que una
esttica y en consecuencia ms pequea.
Por tanto las DRAM dinmicas son ms densas (celdas ms
pequeas = mas celadas por unidad de superficie) y mas
econmicas que las correspondientes SRAM. Por otra parte una
DRAM requiere de circuitera para realizar el refresco.
En memorias grandes el coste fijo de la circuitera de refresco
se ve ms que compensado por el menor coste de las celdas
DRAM.

M-EP20161

As pues las DRAM tienden a ser las preferidas para memorias

grandes. Un ltimo detalle es que las SRAM son generalmente
algo ms rpidas que las dinmicas.

8. Defina e indique algunas aplicaciones de las ROM.

Las microcomputadoras personales y de empresas usan ROM para
almacenar sus programas de sistema operativo y sus intrpretes de
lenguaje (BASIC). Los productos que tienen una microcomputadora
para controlar su operacin utilizan ROM para almacenar programas
de control. Los programas de microcomputadora que se almacenan
en ROM se conocen como programas firma(firmware) ya que no estn
sujetos a cambios.

9. Qu diferencias hay entre las memorias EPROM, EEPROM y flash?

EPROM.- Erasable PROM, memoria borrable. Est memoria fue de las
ms usadas en la antigedad son las que traen una ventanita de
vidrio a la mitad del encapsulado. Solo pueden programarse si se les
borra antes exponindolas durante cierto tiempo a la luz ultravioleta.
Esto introduce voltaje a las celdas para que despus puedan ser
grabadas.
EEPROM.- Electrical EPROM, memoria borrable electrnicamente. Esta
memoria puede ser borrada por medios electrnicos a travs de una
terminal conocida como Vpp. Los voltajes de borrado son de aprox.
13v.
FLASH= Si la traducimos sera como rpida, y as lo es. Es igual que
una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de los
datos, adems que el voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v
dependiendo de la memoria. Es la ms usada actualmente y existe un
sin nmero de variantes. Otra gran diferencia es la capacidad ya que
las flash alcanzan ahora hasta los 80Gb y las usan como HDD en
algunas PCs. Otra mejora notable es el ciclo de borrado/escritura que
le permite a una memoria trabajar cierto tiempo.
Memoria externa
10. Cmo se escriben y se leen los datos en un disco magntico (Disco
duro)?.
11. Definir los trminos pista, cilindro y sector(Disco duro)?.
Entrada/salida
12. Enumere tres clasificaciones generales de dispositivos externos o
perifricos.

M-EP20161

13. Cules son las principales funciones de un mdulo de E/S?

14. Enumere y defina brevemente tres tcnicas para realizar la E/S.
15. Cul es la diferencia entre E/S asignada en memoria y E/S aislada?
1) En la configuracin E/S aislada, la Cpu tiene instrucciones distintas de entrada y salida, y cada una de
estas instrucciones se asocia con la direccin de un registro de interfase.

16. Cuando se produce una interrupcin de dispositivo, cmo determina

el procesador el dispositivo que la ha originado?
Responda la siguiente pregunta

= 1 punto

17. Disee una memoria de 16-bits con una capacidad total de 8192 bits
utilizando chips de SRAM de tamao 64 X 1 bit. Indique la configuracin
matricial de los chips en la tarjeta de memoria, mostrando todas las
seales de entrada y salida necesarias para asignar esta memoria al
espacio de direcciones ms bajo. El diseo debe permitir accesos tanto
por bytes como por palabras de 16 bits.
Responda la siguiente pregunta

= 1 punto

18. La memoria de un cierto microcomputador est construida a partir de

chips DRAM de 64K X 1. De acuerdo con su hoja de caractersticas, la
matriz de celdas del chip de RAM est organizada en 256 filas.
Cada fila debe refrescarse al menos una vez cada 4 ms. Suponga que
refrescamos la memoria con una periodicidad estricta.
(a) Qu tiempo transcurre entre peticiones de refresco sucesivas?
(b Qu tamao debe tener el contador de direcciones de refresco?
Responda la siguiente pregunta

= 1 punto

19. Considere un microprocesador hipottico que genera direcciones de

16 bits (por ejemplo, suponga que el contador de programa y el registro
de direccin son de 16 bits) y tiene un bus de datos de 16 bits.
M-EP20161

(a) Cul es el mximo espacio de direcciones de memoria al que el

procesador puede acceder directamente si est conectado a una
memoria de 16 bits?.
(b) Cul es el mximo espacio de direcciones de memoria al que el
procesador puede acceder directamente si est conectado a una
memoria de 8 bits?
(c) Qu caractersticas de la arquitectura permitirn a este procesador
acceder a un espacio de E/S separado?
(d) Si una instruccin de entrada o de salida pueden especificar un
nmero de puerto de E/S de 8 bits, cuntos puertos de E/S de 8 bits
puede soportar el microprocesador? (cuntos puertos de E/S de 16 bits?
Explquelo.
Responda la siguiente pregunta

= 1 punto

20. Considere un microprocesador hipottico que genera direcciones de

16 bits (por ejemplo, suponga que el contador de programa y el registro
de direccin son de 16 bits) y tiene un bus de datos de 16 bits.
(a) Cul es el mximo espacio de direcciones de memoria al que el
procesador puede acceder directamente si est conectado a una
memoria de 16 bits?
(b) Cul es el mximo espacio de direcciones de memoria al que el
procesador puede acceder directamente si est conectado a una
memoria de 8 bits?
(c) Qu caractersticas de la arquitectura permitirn a este procesador
acceder a un espacio de E/S separado?

M-EP20161

(d) Si una instruccin de entrada o de salida pueden especificar un

nmero de puerto de E/S de 8 bits, cuntos puertos de E/S de 8 bits
puede soportar el microprocesador? (cuntos puertos de E/S de
16 bits? Explquelo.

Desarrolle la siguiente simulacin con los 5 pasos indicados en el

proceso del laboratorio y describa las instrucciones en ingls y espaol
PARTE 3

3 Puntos

1. Realizar el flujograma de funcionamiento.

2. Llenar la columna de comentarios

.org 2000H
MVI A,70H ;CARGAR EL REGISTRO A CON UN DATO INMEDIATO 70H
MVI B,ACH ;CARGAR EL REGISTRO B CON UN DATO INMEDIATO ACH
XRA B ;REALIZAR LA OPERACION LOGICA XOR ENTRE EL REGISTRO A Y
B , ALMACENANDOSE EN EL ACUMULADOR
STA 2012H ;ALMACENA UNA COPIA DEL CONTENIDO DEL AMULADOR A LA
DIRECCION 2012H
HLT ;SE DETIENE EL PROCESADOR
3. Traducir el programa a lenguaje de mquina, asignndole las respectivas
direcciones de memoria a cada una de las instrucciones del programa.
M-EP20161

4. Analizar el programa e indicar el resultado que se espera obtener al correr el

mismo.
El programa realiza un XOR en base a dos registros en los cuales se almacena el dato,
en el registro a se almacena 70H y en B ACH dando como respuesta DCH este se
almacena en el acumulador y por medio del STA se realiza una copia del acumulador a
la direccin 2012H, luego el procesador queda en el estado HLT, como se muestra en la
siguiente figura:

5. Cargue el programa en el simulador y verifique sus respuestas.

El dato introducido en el registro A es 70H (01110000), este se almacena en el
acumulador; el otro dato a introducir es ACH (10101100) este se almacena en un
registro B. Luego realizamos un XOR entre el acumulador (registro A) y el registro B
obteniendo DCH (11011100) l cual es almacenado en el acumulador, pero el comando
STA realiza una copia del acumulador en la direccin 2012H, pasando luego el
procesador a un estado HLT.

Desarrolle la siguiente simulacin con los 5 pasos indicados en el

proceso del laboratorio y describa las instrucciones en ingls y espaol
PARTE 4

3 Puntos

1. Realizar el flujograma de funcionamiento.

M-EP20161

2. Llenar la columna de comentarios

.org 2C00H
MVI A, 99H ;CARGAR EN EL REGISTRO A (ACUMULADOR)
INMEDIATAMENTE EL DATO 99H
ANI 01H ;REALIZAR UN OPERACION AND INMEDIATAMENTE ENTRE EL
ACUMULADOR Y EL DATO 01H
JNZ UNO ;SI EL CONTENIDO DEL ACUMULADOR ES 0 SALTARA A UNO
MVI A,CCH ;CARGAR EN EL REGISTRO A
(ACUMULADOR)INMEDIATAMENTE EL DATO CCH
JMP OTRO ;CARGA EL DATO DE LA DIRECCION OTRO
UNO: MVI A,0FH ;CARGA EN EL REGISTRO A (ACUMULADOR)
INMEDIATAMENTE EL DATO 0FH
OTRO: OUT 10 ;PONE EL CONTENIDO DEL ACUMULADOR EN EL PUERTO 10
HLT ;MODO EN QUE SE DETIENE EL PROCESADOR
3. Traducir el programa a lenguaje de mquina, asignndole las respectivas
direcciones de memoria a cada una de las instrucciones del programa.

M-EP20161

4. Analizar el programa e indicar el resultado que se espera obtener al correr el

mismo.
El programa realiza una operacin lgica AND inmediata con los datos 99H y 01H
dependiendo del resultado, la funcin JNZ DIR comprueba el valor 0, da lugar a que
vaya a la direccin UNO si el valor es diferente de 0 y si es 0 deja pasar el programa
dando lugar a que se almacene en el acumulador o registro A el dato CCH
producindose luego un salto a la direccin OTRO el cual muestra por el puerto 10H el
dato del acumulador.
S el valor es diferente de 0 en el acumulador entonces salta a la direccin UNO donde
se carga en el registro A o acumulador el dato 0FH y est se muestra en el puerto 10H.,
pasando luego a un estado HLT el microprocesador, como se muestra en la siguiente
figura:

5. Cargue el programa en el simulador y verifique sus respuestas.

El dato introducido en el registro A es 99H (10011001), este se almacena en el
acumulador, el otro dato a introducir es 01H (000000001) este junto con el comando
ANI produciendo un AND inmediato obteniendo 01H (00000001), la instruccin JNZ
DIR comprueba el valor del bit 0, como el acumulador es diferente de 0, da lugar a que
M-EP20161

l programa vaya a la direccin UNO producindose una carga en el registro A

(acumulador) inmediato de dato 0FH (00001111), est se muestra en el puerto 10H,
luego pasa a un estado HLT el procesador.

M-EP20161