GUIA DE SEMICONDUCTORES

1) De
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
i)
j)
k)
l)
m)
n)
o)
p)

q)
r)
s)
t)

las siguientes aseveraciones, indique si son verdaderas o falsas:

En la banda de conduccin se producen los enlaces covalentes (
).
El Silicio tiene 5 electrones en su banda de Valencia (
).
Las rbitas de los electrones tienen distancias muy definidas con respecto al ncleo (
)
El Germanio es un semiconductor similar al Silicio (
).
En un conductor la corriente se produce por el movimiento de electrones y huecos (
).
La unin de los tomos se realiza por medio de los pares Hueco- electrn (
)
Un cristal puro es un material Intrnseco (
).
En un semiconductor intrnseco, la conduccin de corriente puede llegar a ser alta
(
).
En un semiconductor intrnseco, la conduccin de corriente depende de la temperatura
( ).
Dopaje significa agregar tomos de impureza al cristal Intrnseco (
).
Un semiconductor Intrnseco a cero absoluto no circular corriente (
).
Regeneracin consiste en el enlace de un par Hueco- electrn (
).
El par Hueco- electrn se produce a temperaturas sobre el cero absoluto (
).
En un semiconductor la corriente se produce por el movimiento de electrones y huecos (
).
La recombinacin es sinnimo de par Hueco Electrn (
).
En un semiconductor tipo P, la corriente se debe principalmente por el movimiento de
electrones en su banda de valencia produciendo el desplazamiento de los huecos en
dicha banda (
).
En un semiconductor tipo N, la corriente se debe exclusivamente por el movimiento de
electrones en su banda de conduccin (
).
Un semiconductor tipo N, tiene carga negativa y un semiconductor tipo P, tiene carga
positiva (
).
En un semiconductor tipo N, los portadores mayoritarios son electrones en su banda de
conduccin (
).
La banda de conduccin tiene un nivel de energa superior a la banda de valencia (
)

2.- Complete la oracin con el trmino correcto.

2.1)

El
a)
b)
c)
d)
e)

Germanio y el Silicio tienen ___ electrones en su banda de Valencia

5
3
4
0
1

2.2)

El Germanio y el Silicio en forma intrnseca y al cero absoluto tienen ___ electrones

en su banda de conduccin.
a) 5
b) 3
c) 4
d) 0
e) 1

2.3)

El Germanio y el Silicio extrnseco tendr a lo menos ___ electrones en su banda de

conduccin por cada tomo pentavalete con que se dope.
a) 5
b) 3
c) 4
d) 0
e) 1

2.4)

En un semiconductor tipo P, la corriente se debe fundamentalmente por _______

a) Huecos en la banda de conduccin
b) Electrones en la banda de conduccin
c) Huecos en la banda de Valencia
d) Electrones en la banda de conduccin

2.5)

En un semiconductor tipo P, los portadores minoritarios son _______

a) Huecos en la banda de conduccin
b) Electrones en la banda de conduccin
e) Huecos en la banda de Valencia
f) Electrones en la banda de conduccin

2.6)

En un semiconductor tipo N, los portadores mayoritarios son _______

a) Huecos en la banda de conduccin
b) Electrones en la banda de conduccin
g) Huecos en la banda de Valencia
h) Electrones en la banda de conduccin

2.7)

cada tomo conductor tiene por defecto ______ en su banda de ________

a) 1 Hueco
a) conduccin
b) 1 Hueco
b) Valencia
c) 1 Electrn
c) Valencia
d) 1 Electrn
d) conduccin

2.8)

Los
a)
b)
c)

materiales aisladores tienen la zona prohibida ______ que los conductores

Mas grande
Mas pequea
Igual

2,9)

Los
a)
b)
c)
d)

cristales se constituyen gracias a _____

La generacin de los pares Hueco - Electrn
La generacin de electrones libres
Los Enlaces covalentes
Los Enlaces constituyentes

2.10)

Los pares Hueco electrn se producen por _____

a) El Frio
b) El calor
c) Campo elctrico
d) Cualquier forma de energa que se bombardee al cristal
e) Rompimiento del enlace covalente

3) Dibuje en un plano Bidimencioneal los enlaces covalentes de un cristal de silicio dopado con
material aceptor.