UNIVERSIDAD DE LAS

FUERZAS ARMADAS - ESPE

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA
ELECTRONICA I
Informe de Laboratorio N 8
INTEGRANTES:
Bryan Lagua
Brayan Lascano
DOCENTE:
Ing. Bolivar Aguilera
NRC: 2335
Sangolqu, Enero 2016

Contenido
Tema ........................................................................................................................................................... 3
Abstract ...................................................................................................................................................... 3
Objetivos ..................................................................................................................................................... 3
Marco Terico ............................................................................................................................................. 3
Materiales ................................................................................................................................................... 6
Procedimiento ............................................................................................................................................ 6
Anlisis de Resultados................................................................................................................................. 6
Clculos: .................................................................................................................................................. 6
Datos ....................................................................................................................................................... 8
Anlisis: ................................................................................................................................................... 8
Conclusiones y Recomendaciones .............................................................................................................. 8
Conclusiones ........................................................................................................................................... 8
Recomendaciones ................................................................................................................................... 9
Bibliografa .................................................................................................................................................. 9
Anexos ........................................................................................................................................................ 9
Fotos ....................................................................................................................................................... 9
Simulaciones ......................................................................................................................................... 11

Tema
Ganancia de voltaje de un transistor BJT en AC

Abstract
En el presente documento se demostrar la ganancia de voltaje de un transistor BJT polarizado en
Polarizacin Fija en Emisor Comn. Se determinara las seale de entrada y salida as como tambin el
punto de trabajo del transistor.

Objetivos

Demostrar la ganancia del voltaje del transistor BJT en AC.

Analizar los resultados obtenidos.

Marco Terico
Marco Terico.
MODELO DE UN TRANSISTOR BJT
La clave para el anlisis de seal pequea de un transistor es el uso de circuitos equivalentes (modelos)
que se presentarn en este captulo.
Un modelo es una combinacin de elementos de un circuito, apropiadamente seleccionados, que simula
de forma aproximada el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas
de operacin.
MODELO re DEL TRANSISTOR
A continuacin se presentar el modelo re para las configuraciones del transistor BJT en emisor comn,
en base comn y en colector comn con una breve descripcin de por qu cada una es una buena
aproximacin del comportamiento real de un transistor BJT.
El circuito equivalente para la configuracin en emisor comn se construir por medio de las
caractersticas del dispositivo y varias aproximaciones.
Comenzando con el lado de entrada, vemos que el voltaje aplicado Vi es igual al voltaje Vbe con la
corriente de entrada como la corriente de base Ib.

Figura 1. Modelo re de la configuracin de transistor en emisor comn incluido el efecto de re (Teora de

Circuitos y Dispositivos Electrnicos - Boylestad y Nashelsky Ed10)
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA EN EMISOR COMN.

Ahora, para realizar el anlisis de seal pequea de varias configuraciones de red de transistores estndar,
utilizaremos los modelos de transistor que acabamos de presentar. Las redes analizadas representan la
mayora de las que aparecen en la prctica. Las modificaciones de las configuraciones estndar sern
relativamente fciles de examinar una vez que se repase y entienda el contenido de este captulo. Para
cada configuracin, el efecto de una impedancia de salida se examina con todo detalle.
La primera configuracin que se analizar en detalle es la red de polarizacin fija en emisor comn de la
figura. Observe que la seal de entrada Vi se aplica a la base del transistor, en tanto que la salida Vo se
aplica al colector.
Asimismo, tenga en cuenta que la corriente de entrada Ii no es la corriente de base, sino
la corriente suministrada por la fuente y que la corriente de salida es la corriente del colector.

Figura 2. Configuracin de polarizacin fija en emisor comn (Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos - Boylestad y Nashelsky Ed10)
El anlisis de ca de seal pequea se inicia eliminando los efectos de cd de VCC y reemplazando los
capacitores de bloqueo C1 y C2 por equivalentes de cortocircuito y el resultado es la red de la figura.
Observe en la figura que la tierra comn de la fuente de cd y emisor del transistor permite reubicar RB y
RC en paralelo con las secciones de entrada y salida del transistor respectivamente.
Adems, observe la colocacin de los parmetros importantes Zi, Zo, Ii e Io en la red que se volvi a
dibujar. Sustituyendo el modelo re para la configuracin de emisor comn de la figura obtenemos la red
de la figura.

Figura 3. Red de la Figura 2 despus de la eliminacin de los efectos de Vcc, C1, C2 (Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos - Boylestad y Nashelsky Ed10)

Figura 4. Sustitucin del modelo re en la red de la figura 3 (Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos
- Boylestad y Nashelsky Ed10)

El siguiente paso es determinar b, re y ro. La magnitud de b, por lo general, se obtiene de una hoja de
especificaciones, por medicin directa con un trazador de curvas, o un instrumento de prueba de
transistores. El valor de re se debe determinar con un anlisis de cd del sistema y, por lo comn, la
magnitud de ro se toma de la hoja de especificaciones o por las caractersticas. Suponiendo que b, re y ro
ya se han determinado obtendremos las siguientes ecuaciones para las caractersticas importantes de dos
puertos del sistema.

= ||
Para la mayora de las situaciones, RB es mayor que re por ms de un factor de 10, lo que permite la
siguiente aproximacin:

Recuerde que la impedancia de salida de cualquier sistema se define como la impedancia Zo determinada
cuando Vi =0.
= ||
Si la aproximacin
.

Los resistores ro y Rc estn en paralelo, y

= ( || )

= ( )( || )

( || )
= =

Si de modo que podemos pasar por alto el efecto de ro

Materiales

Fuente DC
Generador de seales
Osciloscopio
Puntas de Osciloscopio
Cable generador de seales
Cables banana-banana
Cables banana-lagarto
Protoboard
2 Resistencias R1=1,5M y R2=3k.
2 Capacitores 10uF
Transistor BJT NPN 2N3904
Multmetro

Procedimiento
1. Armamos el circuito con la polarizacin escogida (Polarizacin Fija en Emisor Comn)

2.
3.
4.
5.
6.

Medimos para comprobar la IE.

Medimos para comprobar la IB.
Ajustamos el generador de seales para conectar a la entrada del circuito.
Comprobamos en el osciloscopio las grficas de entrada y salida de voltaje en AC.
Comprobamos la ganancia de voltaje.

Anlisis de Resultados
Clculos:

Anlisis en DC

 = +
= +
=

12 0,7
1,5

= ,
=
= 147 7,53
= ,
= ( + 1)
= (147 + 1) 7,53
= ,
=
=

26

26
1,11

= ,

Ganancia de voltaje en AC
=
=

3
23,24

= ,

Ahora se calcula la ganancia con los valores de voltaje de entrada y salida del Circuito
=
=

12,4
102

= ,

Determinamos el punto Q de trabajo del transistor

Primero hallamos la Ic mxima cuando est saturado el transistor:

12
3

=
Obtenemos el voltaje colector emisor
= +
= +
=
= 12 1,11 3
= ,
= ,
{
= ,

Datos
Generador de seales
f=1[KHz]

1.5 [M]

3[K]
=
10 uF

12 V

102 mV

12,4 V

0,0073mA = 7,2 uA

1,2 mA
Av
-121,5569
Tabla1. Datos obtenidos en la prctica

Anlisis:

Av

Datos Medidos
Datos Tericos
Error Absoluto
7,3 uA
7,53 uA
-0,23 uA
1,2 mA
1,11 mA
0,09 mA
-121,5569
-129,088
7,5311
Tabla 2. Tabla de anlisis y porcentaje de error

Conclusiones y Recomendaciones
Conclusiones

Se logr comprobar la ganancia de voltaje del transistor BJT.

Error Relativo
-3,05%
8,1 %
5,83%

Los errores que se analiza en la tabla 2 son aceptables tomando en cuenta que las medidas
tomadas son muy pequeas y los instrumentos del laboratorio no dan una apreciacin exacta.
Se comprob el desfase que tiene la ganancia de voltaje. (Anexos: Simulacin, Osciloscopio )
Al determinar el punto Q de trabajo del transistor se observ que debido a que el punto se
encuentra muy arriba en la grfica de Ic vs Vce entonces la seal vista desde el osciloscopio es
una seal cortada.

Recomendaciones

Es recomendable trabajar con voltajes bajes y una alta frecuencia para poder observar el efecto
del amplificador y verificar su funcionamiento.
Se recomienda trabajar con altas resistencia en la base para poder controlar el punto de trabajo
del transistor y poder manipularlo para poderlo observar su funcionamiento posteriormente.

Bibliografa
R. Boylestad y L. Nashelsy (2009), Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Dcima
Edicin, Capitulo 5: Anlisis de CA de un BJT.
https://sites.google.com/site/khriztn/1-3/1-3-1
http://people.senecac.on.ca/john.kawenka/EDV255/bjt.html

Anexos
Fotos

Simulaciones