Eletrnica Bsica I

EELI10
Prof. Renan Kozan

Aula 3

DIODO DE JUNO

Diodos de Juno

Foram mostrados os materiais dos tipos N e P

Diodo
Formado pela simples unio desses materiais
(construdos a partir da mesma base Si, Ge ou GaAs)
Criando a famosa Juno PN

Representao esquemtica de um diodo semicondutor

Nomenclatura
Lado P Anodo

Anodo

Lado N Catodo

O smbolo do diodo se parece

com uma seta
Aponta do lado P para o lado N (do
anodo para o catodo)

A seta lembra que a corrente

convencional circula facilmente
do lado P para o lado N

Catodo

Catodo e Anodo
Anodo - Anions

Catodo - Cations

Efeitos da Juno PN
Contato direto entre um cristal N e um cristal P.
Formao da Regio de Depleo
Quando os materiais so unidos, os eltrons e as lacunas da
regio de juno se combinam, resultando na ausncia de
portadores livres na regio prxima juno

Regio de Depleo
Ao cruzarem a juno, os portadores majoritrios deixam atrs ons
Positivos no cristal N; e
Negativos no cristal P.

Cada par de ons representa um dipolo eltrico;

O campo eltrico associado aos dipolos contraria a difuso dos
portadores majoritrios.
Regio de Depleo

E [V/m]
Cristal P

Lacunas

+
W

Eltrons

Cristal N

A regio prxima a juno fica

vazia de portadores
majoritrios. Essa regio vazia
chamada de camada de
depleo

Regio de Depleo

Regio de Depleo
A regio de depleo atua como uma barreira difuso de eltrons;
Se um eltron tiver energia suficiente ele pode romper a barreira
potencial e entrar na regio P.
A barreira de potencial de limiar (threshold), VT, a 25oC de
aproximadamente 0,7 V para o diodo de Silcio (0,3 para o diodo de
Germnio)
O valor de VT depende do
tipo de material
semicondutor, dos nveis de
dopagem e da temperatura.

E [V/m]
Cristal P

Lacunas

+
W

Eltrons

Cristal N

O valor de VT tem um
coeficiente trmico negativo
-2 [mV/oC] para o Si

PAUSA Notao de Sinais

POLARIZAES DA JUNO PN

Polarizaes da Juno PN
Por ser um dispositivo de dois terminais permite trs possibilidades
de polarizao:
Sem polarizao (VD = 0V)
Polarizao reversa (VD < 0V)
Polarizao direta (VD > 0V)

VD

Sem Polarizao (VD = 0V)

Na ausncia de uma tenso de polarizao, o fluxo de carga em
qualquer sentido em um diodo zero
Por exemplo, para que um portador majoritrio do cristal tipo N
(eltrons) possam migrar para se combinar com as lacunas do cristal
P ele deve superar duas foras:
Atrao dos ons positivos no material do tipo N
Repulso dos ons negativos no material tipo P

Sem Polarizao (VD = 0V)

Resumindo, para VD = 0V
Corrente em qualquer direo zero
ID = 0mA

Polarizao Reversa (VD < 0V)

Quando:

Terminal positivo est conectado ao material tipo N

Terminal negativo est conectado ao material tipo P

Os portadores majoritrios so atrados nos sentidos dos terminais

(para longe da juno) aumentando assim a camada de depleo e
dificultando ainda mais a passagens de eltrons na juno
A camada de depleo ir
aumentar at que sua diferena de
potencial se iguale tenso reversa
aplicada

Polarizao Reversa (VD < 0V)

Existe um nmero de portadores minoritrios que penetram na
regio de depleo
Eles geram uma pequena corrente

Esta corrente existente sob condies de polarizao reversa

chamada de corrente de saturao reversa e representada por
IS [A]
Saturao porque ela alcana seu valor
mximo rapidamente

Resumo da Polarizao Reversa

EEXT acelera portadores majoritrios em
direo oposta regio de depleo;
+
Ionizao e consequente alargamento
da regio de depleo;
Favorecimento de circulao de uma
P Cristal P
Cristal N N
corrente reversa (corrente de deriva,
de pequeno valor) constituda de
Anodo
Catodo
portadores minoritrios;
Corrente de Saturao Reversa (IS)
depende da temperatura.
Polarizao Reversa
o
Dobra a cada aumento de 10 C;
Chave aberta
VR

IR = IS

EEXT

IR = IS

WR

W R > WO

Polarizao Direta (VD > 0V)

Quando:
Terminal positivo est conectado ao material tipo P
Terminal negativo est conectado ao material tipo N

Potencial direto fora:

Eltrons do material do tipo N a se recombinarem com as lacunas no material
tipo P;
Lacunas do material do tipo P a se recombinarem com os eltrons no material
tipo N;

Reduz a largura da regio de depleo

Lembre-se que o
sentido convencional
da corrente contrrio
ao movimento dos
eltrons!!!

Polarizao Direta (VD > 0V)

O fluxo de portadores minoritrios no muda de
intensidade
Conduo controlada pelo nmero limitado de impurezas no
material

Porm, o fluxo de portadores majoritrios aumenta

intensamente atravs da juno

Polarizao Direta (VD > 0V)

Conforme VD aumenta a regio de depleo diminui em
largura e ID (corrente direta) aumenta exponencialmente
ID

Onde:

k T. VD

IS . e k 1

ID corrente direta
IS corrente de saturao reversa
Equao
de
k constante: 11600/

Shockley
= 1 para Ge
= 2 para Si
Ou = 1 para ambos em correntes
muito altas

Tk TC + 273o

Resumo da Polarizao Direta

EEXT acelera portadores majoritrios
em direo regio de depleo;
Desionizao e consequente
diminuio da regio de depleo
at sua extino;
Favorecimento de circulao de
uma corrente direta (corrente de
difuso) constituda de portadores
majoritrios;
Potencial necessrio para desionizar
a regio de depleo ser de 0,7V
para o silcio (0,3V Ge);

VD

EEXT

ID

P+

Anodo

Cristal P

ID

Cristal N

N+

WD
W D < WO

Polarizao Direta
Anodo para onde
caminham os eltrons;
Catodo para onde
caminham as lacunas

Chave fechada

Catodo

A FAMOSA CURVA DO DIODO

Equao
Expandindo a equao temos:
ID

k T. VD

IS . e k 1

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Perguntas:
1. Qual o termo varivel mais importante na equao?
2. O que acontece quando este termo positivo e
aumenta?
3. O que acontece quando este termo negativo e diminui?

1. VD
2. ID aumenta exponencialmente, de acordo com o primeiro
termo da equao de modo que IS pode ser desconsiderada
3. ID diminui de forma que o segundo termo da equao, IS, ser
o valor final de ID

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

At vencer a Barreira de
Potencial (VT) da regio de
depleo!
Para o Silcio VT 0,7 [V] @
25oC.

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Graficamente
Lembrando
Sem polarizao (VD = 0)
Polarizao Reversa (VD < 0)
Polarizao Direta (VD > 0)

ID

IS . e

k . VD
Tk

IS

Observe as escalas
Concluindo
ID = f(VD);

REGIO ZENER

Regio Zener
Uma tenso reversa muito alta pode produzir um efeito de
avalanche ou Zener
H um ponto em que a aplicao de uma tenso suficientemente
negativa resulta em uma mudana brusca na curva caracterstica

A corrente aumenta a uma taxa muito rpida no sentido oposto ao

da regio de tenso positiva
Alta corrente de avalanche
Ruptura por avalanche

Regio Zener
Aumentando-se a dopagem das regies P e N a tenso de ruptura
diminui em mdulo:
Diodo especial Diodo Zener (*aula futura)

O potencial mximo de polarizao reversa que pode ser aplicado

antes que a juno PN entre na regio Zener (ruptura) chamado de
tenso de pico inversa ou tenso de pico reversa
Sigla
PIV peak inverse voltage
PRV - peak reverse voltage

Regio Zener

EFEITOS DA TEMPERATURA

Efeitos da Temperatura
Corrente de saturao reversa dobra a cada 10oC
100oC IS = 0,1 mA
Com esse nvel de corrente, j se pode contestar a condio de
no conduo na polarizao reversa.

Contudo, no que se refere conduo

Quanto maior a temperatura, mais prximo
do diodo ideal
Mas ainda devemos considerar potencia
mxima

Efeitos da Temperatura
Uma temperatura muito alta pode acelerar o processo de
ruptura
Ruptura pode ocorrer em duas condies
Tenso reversa muito alta (Zener)
Temperatura muito alta (Corrente de deriva
aumenta)

As condies pode coexistir

Diodo Ideal
Chave fechada Polarizao Direta

Chave aberta Polarizao Reversa

 Suponha V = 5V. O diodo est aberto ou em curto?

VALORES DE RESISTNCIA

Antes de Comear...
Diodo polarizado diretamente apresenta uma
Baixa resistncia
Chave fechada
Prever resistor limitador de corrente externo

Tenso de joelho VT = 0,7V (Si)

Tenso de disparo, tenso de limiar, etc
Depende da temperatura.
Varia aproximadamente -2mV por grau Celsius;

Tipos de diodo
Diodos de sinal Baixa potncia
Retificadores Alta potncia

Pensando um pouco...
Como eu consigo calcular a resistncia disso aqui?

V = R.I

Resistncias do Diodo
Componente altamente no linear, porm:
Partes de sua curva caracterstica podem ser linearizadas
Ou seja, partes da curva so expressas pela Lei de Ohm.

Este procedimento acarreta na definio de alguns nveis

de resistncia (na polarizao direta):
Resistncia Esttica - Resistncia DC (RD);
Resistncia Dinmica Incremental - Resistncia AC Incremental
(rd); e
Resistncia Dinmica Mdia - Resistncia AC Mdia (rAV).

Resistncia Polarizao Reversa

Na polarizao reversa
A resistncia possui um valor altssimo.
Na prtica este valor muito maior (pelo menos 10 vezes) que o
maior resistor presente no circuito.

Condio simbolizada pelo seu comportamento

idealizado
Chave aberta

Resistncia Esttica Polarizao Direta

Resistncia Esttica - Resistncia DC
(RD);
Estabelece-se um ponto de operao
Q
Relao direta entre a tenso DC e a
corrente no diodo.

Maior para regies prximas ou abaixo do

joelho da curva
Elevado valor na polarizao reversa
(antes da ruptura).
A resistncia DC no depende do formato
da curva caracterstica.

Resistncia Dinmica Incremental Polarizao Direta

Resistncia Dinmica Incremental Resistncia AC Incremental (rd)
Estabelece-se um ponto de operao Q
Ponto Q segue um sinal variante no tempo
superposto um nvel DC.
Desde que a variao seja pequena temos a
Operao a Pequeno Sinal
Curva se confunde com a reta tangente no
ponto (derivada).

Resistncia Dinmica Incremental Polarizao Direta

Para a curva caracterstica
mostrada:
Determine a resistncia dinmica (rd)
para ID = 25mA.

Resistncia Dinmica Incremental Polarizao Direta

A derivada de uma funo em um ponto igual a inclinao
da reta tangente traada nesse ponto

Na regio do joelho
k = 11.600
Tk = 273 + 25 = 298
k/Tk = 38,93

Resistncia Dinmica Mdia Polarizao Direta

Resistncia Dinmica Mdia - Resistncia AC
Mdia (rAV).
No se estabelece um ponto de operao Q
O sinal variante no tempo provoca deslocamentos
muito grandes entorno do ponto de operao
Define-se uma resistncia AC mdia.
Calculado tomando uma linha reta que une os
dois pontos extremos das variaes do sinal e
fazendo-se a relao entre a tenso e a corrente.

EXERCCIOS

 Determine os valores de resistncia esttica (RD) do diodo

cuja curva mostrada na figura, para:
a. ID = 2mA
b. ID = 20mA
c. VD = -10V

CIRCUITOS EQUIVALENTES

Circuitos Equivalentes do Diodo

Circuitos equivalentes so uma combinao de elementos de circuito
(resistores, capacitores, fontes de tenso, etc) propriamente
escolhidos, para representar, com um certo grau de preciso, as
caractersticas de um dispositivo ou um sistema.
Um sinnimo para circuito equivalente modelo e este representa o
dispositivo (ou sistema) de forma a torn-lo linear.
O uso de modelos simplifica a anlise de um circuito que contenha
componentes altamente no lineares.

Modelo Linear por Partes

Curva no copiada de forma exata
aproximada por segmentos de reta
Mas a aproximao suficientemente prxima da
curva real

Para simular VT inserida uma bateria de 0,7V

na direo oposta de conduo
Para a regio de inclinao da curva equivalente
a resistncia ca mdia includa (regio
ligado)

Modelo Linear por Partes

Para que o dispositivo possa conduzir
Tenso atravs do sistema deve superar a tenso de
joelho (limiar) da bateria
Quando isto ocorre, a resistncia do diodo tem o
valor de rav

Modelo Simplificado
Para a maior parte das aplicaes, a resistncia rav
pequena o suficiente para ser desprezada na comparao
com os outros elementos do circuito
Retirando rav do circuito equivalente o mesmo que considerar o
diodo com a curva caracterstica apresentada a seguir

Modelo Ideal
Depois que se retirou rav, pode-se avanar um pouco mais e
retirar a bateria de 0,7V que pode ser ignorada em
comparao com o nvel de tenso aplicada

Qual modelo utilizar?

Normalmente, o modelo simplificado atende a maioria das

anlises de circuitos com diodos.
Contudo, sempre que possvel, deve-se avaliar os valores
das tenses aplicadas e de outras resistncias do circuito.
Se estas forem muito superiores aos valores de VT e de rAV (pelo
menos dez vezes maior) o modelo ideal levar a resultados com
um grau de impreciso de no mximo 10%.
Quando as tenses aplicadas e outras resistncias forem da
mesma ordem de grandeza de VT e rAV torna-se necessrio o uso
do modelo linear por partes.

CAPACITNCIA DE TRANSIO E DIFUSO

Efeitos da frequncia em dispositivos eletrnicos

Todos os dispositivos eletrnicos ou eltricos so

sensveis frequncia

Ou seja, suas caractersticas mudam de acordo com

a frequncia. Ex: Resistor altera sua resistncia em
altas frequncias.

Efeitos da frequncia em dispositivos eletrnicos

Frequncias baixas
Reatncia alta

Frequncia altas
Reatncia baixa

Onde:

XC reatncia
C capacitncia
f frequncia
permissividade do dieltrico
A rea
d distncia

Efeitos capacitivos do diodo

No diodo existem dois efeitos capacitivos

Capacitncia de depleo ou juno (CT)
Acontece na polarizao reversa

Capacitncia de difuso (C D)
Acontece na polarizao direta

Em altas frequncias, podem ser introduzidos

curtos-circuitos atravs de baixos valores de
reatncias capacitivas (XC).

Representao do efeito capacitivo em um diodo ideal

A representao grfica um diodo ideal com um capacitor
em paralelo

Esse efeito capacitivo importante?

Crtico
Baixas frequncias (placas de
circuito impresso, circuitos
microcontrolados)

Altas frequncias (placas mes,

circuitos integrados)

TEMPO DE RECUPERAO REVERSO

Tempos de Recuperao

Ao mudar da polarizao direta para a reversa, o

dispositivo responde instantaneamente?
NO!! Efeitos capacitivos impedem que o dispositivo
responda instantaneamente em frequncias muito altas.
Quando o diodo comutado do regime de conduo para o
regime de corte, e vice-versa, as condies de equilbrio
no so estabelecidas de imediato, ou seja, decorre um
intervalo de tempo at que o diodo atinja um novo regime
permanente.
Existe dois tempos de recuperao:
Tempo de recuperao direto (trd); e
Tempo de recuperao reverso (trr).

Tempo de recuperao reverso

Tempo de recuperao reverso

Passar da polarizao direta para a polarizao reversa
Maior dos dois tempos de recuperao (trd e trr)
Representa, portanto, o tempo de recuperao
dominante (devido a capacitncia de difuso).

Tempo de recuperao reverso

trr tempo de recuperao reversa

trr = ts + tt
ts tempo de armazenamento
tt tempo de transio

Fluxo portadores minoritrios (eltrons)

voltando para o cristal de origem

Estimativas de valores para tempo de recuperao

Diodos de sinal
Tempo de recuperao reversa dezenas de [nS]

Diodos retificadores
Tempo de recuperao reversa unidades a dezenas de [mS].

Diodos especializados
Construdos com uma juno metal-semicondutor (diodo
Schottky),
Tempo de recuperao reversa de [S].
Estes diodos podem operar, ento, em frequncias muitas elevadas
(centenas de [MHz]).

DISSIPAO DE CALOR

Dissipao de Calor Hiprbole de Potncia

Diodo dissipa potncia na
polarizao direta
Proporcional ao produto ID x VD.
Pmax constante e depende,
basicamente, do volume de
silcio empregado e do
encapsulamento.

Hiprbole de Potncia.
Produto ID x VD define no plano
ID = f(VD), a curva chamada de
hiprbole de potncia

Dissipao de Calor Hiprbole de Potncia

O ponto quiescente (Ponto Q) dever ficar abaixo da
hiprbole de potncia para garantir uma operao segura
do dispositivo (SOA Safe Operating Area).

A RETA DE CARGA

Como eu encontro o ponto de operao de um diodo?

A carga aplicada impacta no

ponto de operao do dispositivo
Q

Como eu encontro o ponto de operao de um diodo?

A carga aplicada impacta no

ponto de operao do dispositivo
Q

Como eu encontro o ponto de operao de um diodo?

A carga aplicada impacta no

ponto de operao do dispositivo
Q

Como eu encontro o ponto de operao de um diodo?

A carga aplicada impacta no

ponto de operao do dispositivo
Q
A interseco da reta de
carga com a curva
caracterstica determina
o ponto de operao

Conceitos da Reta de Carga

Definio
possvel traar uma linha que representa o comportamento para
uma determinada carga sobre as curvas caractersticas.
Se a carga linear, esta linha se torna uma reta. Da o nome Reta
de Carga.

Preciso ter em mos a curva caracterstica do dispositivo.

Desvantagem, j que nem sempre possvel obter a curva do
dispositivo.

Contudo, importante conhecer esta anlise para circuitos

com transistores.

Formalismo Matemtico
Pela Lei de Kirchhoff

Como VD e ID so os eixos do grfico, temos:

Para VD = 0

Para ID = 0

Formalismo Matemtico
Ao ser traar a linha de carga existir um cruzamento
com a curva caracterstica do diodo.
Este cruzamento define o chamado ponto de operao
ou ponto quiescente (representado pela letra Q) e ser a
soluo para o circuito sob anlise.

ANLISE DE CIRCUITOS COM DIODO

Anlise Atravs dos Modelos Dicas de Anlise

Substitua o diodo por uma resistncia e observe o
sentido da corrente
Se o sentido de corrente estiver igual ao da seta do diodo o
dispositivo estar polarizado diretamente.
Substitua o diodo pelo modelo mais adequado e calcule as tenses e
correntes necessrias.

Se o sentido de corrente estiver ao contrrio da seta do diodo o

dispositivo estar polarizado reversamente.
Substitua o diodo por um circuito aberto e calcule as tenses e correntes
necessrias.

Obs:
Sempre que possvel, ter em mos os valores limites (tenso e
corrente) do diodo para avaliar se o dispositivo esta operando fora
de seus limites seguros e garantidos