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DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE BAJA, MEDIANA, ALTA Y ULTRA

ALTA ESCALA DE INTEGRACIN Y SUS ENTORNOS DE PROGRAMACIN.

Tabla de Contenidos
PARTE 1
ANTECEDENTES. Pag. 5
ENTORNOS DE PROGRAMACIN.Pag. 7
CONTROVERSIAS....Pag. 11
CUESTIONES ACTUALES...Pag. 20
ESCALA DE INTEGRACIN...Pag. 24
FAMILIAS LGICAS EN LAS ESCALAS DE INTEGRACIN....Pag. 27
DISPOSITIVOS LGICOS PROGRAMABLES...Pag. 29
CONVERGENCIAS Y DIVERGENCIAS.Pag. 33

INTRODUCCIN
En el presente trabajo se dar a conocer los diferentes tipos de diseos de circuitos
integrados y sus entornos de programacin desde los puntos de vista de diferentes
Autores.
A lo largo de la historia, tanto la evolucin como su importancia en la industria
tecnolgica, los circuitos integrados han sido de gran relevancia. Como por ejemplo la
continua miniaturizacin, tales como: transistores, resistencias, condensadores, etc (que
se encuentran dentro de los CI). Estos inventos son la base fundamental de casi todos
los avances electrnicos producidos desde su aparicin. Hoy en da es posible integrar
en un solo chip, tambin llamado microchip, millones de transistores agrupados en
lminas de silicio del tamao de una ua. Esto es posible gracias a que los transistores
son microscpicos y, adems, consumen muy poca energa elctrica.

ANTECEDENTES:
Para conocer mejor las funciones de un CI debemos saber de qu est compuesto y
como funciona internamente. En este apartado hacemos mencin de ello y, aunque no
todos los tipos se usan en la creacin de un CI, haremos mencin de sus diferentes tipos.
ADALVERTO CANT CHAPA
(Semiconductores)
De acuerdo con la cantidad de energa que debe recibir un electrn para saltar el
intervalo entre la banda de valencia y la de conduccin, los materiales pueden
clasificarse elctricamente en: aisladores, semiconductores, conductores y
superconductores.
Pag.71 (transistores)
Dentro de los dispositivos amplificadores estn los transistores de unin bipolares
(BJT), los transistores efecto de campo (FET), el transistor semiconductor efecto de
campo de xido de metal (MOS-FET), el transistor efecto de campo de corriente
vertical (FET-V) y los transistores efecto de campo de xido de metal complementario
(CMOS). La palabra transistor es una palabra latina compuesta que significa transferir
resistencia: tran(sfer) + (re)sistor. Quiere decir que la amplificacin se produce llevando
o pasando una corriente de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. En
otras palabras, el transistor es un dispositivo semiconductor en el estado slido capaz de
amplificar seales de corriente elctrica y de conmutar.
GUSTAVO A. RUIZ ROBREDO
Pag.10 (transistores)
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico.
En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y
FET y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos y su utilizacin en el
anlisis los circuitos de polarizacin. Polarizar un transistor es una condicin previa a
muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en
continua que van a circular por el dispositivo.
MARTIN J. MORANT
(p.18-20)Tecnologa del silicio
El silicio es un semiconductor, uno de los muchos materiales con propiedades elctricas
bastante peculiares que se utilizan sobre todo en los CI para hacer transistores. Debido a
su importancia en la electrnica, ha sido objeto de estudios cientficos mucho ms
profundos que cualquier otro material. Tiene una combinacin nica y casi ideal de
propiedades fsicas y qumicas que nos permiten fabricar transistores CI de alto
rendimiento a muy bajo costo. Slo otro material, el semiconductor compuesto de
arseniuro de galio (GaAs), tiene alguna ventaja sobre el silicio para la fabricacin de
transistores, y adems solo para dispositivos que han de utilizarse en circuitos digitales
y de microondas de muy alta velocidad. Pero es mucho ms difcil fabricar CI
monolticos en GaAs que es un silicio de modo que slo se le usa en aplicaciones muy
especializadas en las que se puede justificar su mayor costo. Una caracterstica
importante del proceso planar cosiste en que una gran cantidad de chips se producen al
mismo tiempo sobre una olbea circular de silicio. Esta es una rebanada de menos de un
milmetro de grueso, cortada de un solo cristal cilndrico de silicio, que hoy da se puede

hacer crecer hasta un dimetro de seis a ocho pulgadas. Es posible fabricar muchos
cientos de chips sobre una sola oblea que, una vez completa, se corta para separar los
chips individuales para el empaquetado. Los Ci contienen 10 o ms capas distintas
cobre la cara superior del chip. Algunas de la capas se forman dentro del silicio por
contaminacin intencional (doping) de ste en reas seleccionadas con ciertos
elementos y otras delgadas pelculas de material ya sea conductor o aislante que se
agregan a la cara superior. Las capas conductoras se acomodan, de acuerdo con un
patrn de disposicin, en formas complejas a plena vista, es decir, mirando hacia la
superficie del silicio. Algunas de las formas de las formas ms pequeas pueden ser
partes de transistores, mientras otras forman lneas conductoras para las
interconexiones. Las pelculas aislantes separan las capas conductoras, excepto en los
puntos donde se graban los agujeros de contacto a travs de ellas a fin de permitir que
se hagan las conexiones entre las diferentes capas para alambrar el circuito.
CECILIO BLANCO VIEJO
(p.109) (Familia CMOS)
Las siglas CMOS corresponden a Complementary Metal-Oxide Semiconductor, donde
el trmino complementario se refiere a la utilizacin de dos transistores MOS, uno de
canal n y otro de canal p conectados en series en la etapa de salida, en una configuracin
similar a la ttem-pole de la familia TTL.
Los transistores de efecto de campo de semiconductor de metal-xido (MOSFET) son
elementos bsicos de esta familia, funcionando como interruptores abiertos o cerrados
segn los transistores estn cortados o saturados.
La tecnologa CMOS se ha impuesto en la mayora de las aplicaciones debido a las
ventajas que presenta sobre la TTL, como son una mayor inmunidad al ruido,
alimentacin ms flexible y menor consumo, tamao, complejidad y coste de
fabricacin.
Su principal inconveniente es que la electricidad esttica puede daar los circuitos
CMOS, aunque esto puede minimizarse mediante un manejo adecuado de los circuitos
integrados.

ENTORNOS DE PROGRAMACION
Thomas L. Floyd
(p.26) (Tipos de dispositivos lgicos programables)
Existen muchos dispositivos lgicos programables, desde pequeos dispositivos que
pueden reemplazar a algunas de los dispositivos de funcin fija hasta complejos
dispositivos de alta densidad que pueden reemplazar a miles de dispositivos de funcin
fija. Las dos principales categoras de los dispositivos lgicos programables de usuario
son PLD (Programmable Logic Device, dispositivo lgico programable) y las FPGA
(Field Programmable Gate Array, matrices de puertas programable por campo). Los
PLD pueden ser SPLD (Simple PLD, PLD simple) o CPLD ( Complex PLD, PLD
complejo).

SPLD (Simple Programmable Logic Device). El SPLD se corresponde con el


dispositivo lgico programable (PLD) original y todava est disponible para
aplicaciones de pequea escala. Generalmente, un SPLD puede reemplazar a diez CI de
funcin fija y sus interconexiones, dependiendo del tipo de funciones y del SPLD
especfico. La mayora de los SPLD pertenecen a una de dos posibles categoras: PAL y
GAL. Una PAL (Programmable Array Logic, matriz lgica programable) es un
dispositivo que se puede programar una vez.
Consta de una matriz programable de puertas AND y una matriz fija de puertas OR,
como se muestra en la Figura (a). Una GAL (Generic Array Logic, matriz lgica
genrica) es un dispositivo que es bsicamente una PAL que puede reprogramarse
muchas veces. Consta de una matriz reprogramable de puertas AND y de una matriz fija
de puertas OR con salidas programables, como se muestra en la Figura (b). El
encapsulado tpico de un SPLD, que normalmente dispone de entre 24 y 28 pines.

CPLD (Complex Programmable Logic Device). A medida que la tecnologa


progresaba y que la cantidad de circuitera que se poda meter en un chip (densidad del
chip) aumentaba, los fabricantes fueron capaces de incluir ms de un SPLD en un
mismo chip, lo que dio lugar al nacimiento del CPLD. En esencia, un CPLD es un
dispositivo que contiene varios SPLD y que puede reemplazar a muchos CI de funcin
fija. En la siguiente figura se muestra un diagrama de bloques bsico de un CPLD con
cuatro bloques de matriz lgica (LAB, Logic Array Block) y una PIA (Programmable
Interconnection Array, matriz de interconexin programable). Dependiendo del CPLD
especfico, puede contener desde dos hasta sesenta y cuatro bloques LAB. Cada matriz
lgica es aproximadamente equivalente a un SPLD.

Generalmente, los CPLD pueden utilizarse para implementar cualquiera de las


funciones lgicas estudiadas anteriormente, como por ejemplo decodificadores,
codificadores, multiplexores, demultiplexores y sumadores. Adems, hay disponibles
diversas configuraciones que normalmente emplean encapsulados con 44 hasta 160
pines.
FPGA (Field Programmable Gate Array). Por lo general, una FPGA es ms compleja
y tiene una densidad mucho mayor que un CPLD, aunque en ocasiones sus aplicaciones
pueden solaparse. Como hemos dicho, el SPLD y el CPLD estn ntimamente
relacionados, puesto que, bsicamente, el CPLD contiene un conjunto de dispositivos
SPLD. Sin embargo, la FPGA tiene una estructura interna (arquitectura) diferente, como
se ilustra en la Figura 1.36. Los tres elementos bsicos en una FPGA son el bloque
lgico, las interconexiones programables y los bloques de entrada/salida (E/S). Los
bloques lgicos de una FPGA no son tan complejos como los bloques de matrices
lgicas (LAB) de un CPLD, aunque generalmente contienen muchos ms. Cuando los
bloques lgicos son relativamente simples, la arquitectura de la FPGA se dice que es de
granularidad fina. Cuando los bloques lgicos son grandes y ms complejos, la
arquitectura se denomina de granularidad gruesa.
Los bloques de E/S se encuentran en los bordes exteriores de la estructura y
proporcionan entrada, salida o acceso bidireccional seleccionable al mundo exterior. La
matriz de interconexiones programable distribuida proporciona la interconexin de los
bloques lgicos y la conexin a las entradas y las salidas. Las FPGA grandes pueden
contener decenas de miles de bloques lgicos adems de memoria y otros recursos.

David G. Maxinez / Jessica Alcal


(p.37) (Qus es un VHDL?)
Tal como lo indican sus siglas, VHDL (Hardware Description Language) es un lenguaje
orientado a la descripcin o medela de sistemas digitales; es decir, se trata de un
lenguaje mediante el cual se puede describir, analizar y evaluar el comportamiento de
un sistema electrnico digital.
VHDL es un lenguaje poderoso que permite la integracin de sistemas digitales
sencillos, elaborados o ambos en un dispositivo lgico programable, sea de baja
capacidad de integracin como un GAL, o de mayor capacidad como los CPLD y
FPGA.
Unidades bsicas de diseo
La estructura general de un programa en VHDL est formada por mdulos o unidades
de diseo, cada uno de ellos compuesto por un conjunto de declaraciones e
instrucciones que definen, describen, estructuran, analizan y evalan el comportamiento
de un sistema digital.
Existen cinco tipos de unidades de diseo en VHDL: declaracin de entidad (entity
declaration), arquitectura (architecture), configuracin (configuration), declaracin del
paquete (package declaration) y cuerpo del paquete (package body). En el desarrollo de
programas en VHDL pueden utilizarse o no tres de los cinco mdulos ,pero dos de ellos
(entidad y arquitectura) son indispensables en la estructuracin de un programa.
Las declaraciones de entidad, paquete y configuracin se consideran unidades de diseo
primarias, mientras que la arquitectura y el cuero del paquete son unidades de diseo
secundarias porque dependen de una entidad primaria que se deba analizar antes que
ellas.

David G. Maxinez / Jessica Alcal


(p.7) (Caractersticas PROM, PLA, PAL)

La PROM no se utiliza como un dispositivo lgico, sino como una memoria


direccionable, debido a las limitaciones que presenta con las compuertas AND
fijas.
En esencia, el PLA se desarroll para superar las limitaciones de la memoria
PROM. Este dispositivo se llama tambin FPLA (arreglo lgico programable en
campo), ya que es el usuario y no el fabricante quien lo programa
El PAL se desarroll para superar algunas limitaciones del PLA, como retardos
provocados por la implementacin de fusible adicionales, que resultan de la
utilizacin de dos arreglos programables y de la complejidad del circuito. Un
ejemplo tpico de estos dispositivos es la familia PAL16R8, la cual fue
desarrollada por la compaa AMD (Advanced Micro Devices) e incluye los
dispositivos PAL16R4, PAL16R6, PAL16L8, PAL16R8, dispositivos
programables por el usuario para reemplazar circuitos combinaciones y
secuencias SSI y MSI en un circuito.

CONTROVERSIAS:
En esta seccin se tuvo la intencin de resaltar determinados temas de ms relevancia en
los circuitos integrados. Dependiendo de los autores que explican los CIs, hay diferentes
clasificaciones para referirse a estos. A continuacin se presenta las escalas de
integracin y cmo diferentes autores los clasifican.
Escalas de integracin segn diferentes autores:
RONAL J. TOCCI
Pag.133 (Escala de integracin)
A menudo los CI digitales se clasifican de acuerdo con la complejidad de su circuitera,
que se estima por el nmero de compuertas lgicas equivalente sobre el sustrato. En la
actualidad existen cinco niveles estndar de complejidad, que se definen de la siguiente
manera:
Complejidad

Nmero de compuertas

Integracin a escala pequea (SSI)

Menos de 12

Integracin a escala mediana (MSI)

De 12 a 99

Integracin a escala grande (LSI)

De 100 a 9999

Integracin a escala muy grande (VLSI)

De 10 000 a 99 999

Integracin a escala ultra grande (ULSI)

100 000 a ms

Todos los CI especficos a los que se hizo referencia en el captulo 3 y en ste son SSI
(siglas de small-scale integration) que tienen un nmero pequeo de compuertas. En los
sistemas digitales modernos, los dispositivos con integracin de mediana y gran escala
(MSI y LSI, de medium y large scale integration, respectivamente) llevan a cabo la
mayor parte de las funciones que alguna vez requirieron de varias tarjetas de circuito
impreso llenas de dispositivos SSI. Sin embargo, los circuitos SSI se siguen empleando
como interfaces entre circuitos ms complejos. Por lo general, se emplean pequeas
combinaciones de compuertas discretas para conectar CI ms complejos entre s o con
otros dispositivos externos. Por consiguiente, es necesario saber cmo analizar, disear,
probar y detectar fallas en circuitos combinacionales sencillos.
CI del Captulo 3 y 4 (SSI): OR, AND, NOT, NOR, NAND, XOR, XNOR
DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON
Pag. 32-34 (Escala de integracin)
En la prctica, se fabrican varias puertas en un mismo circuito integrado. Aunque no ay
una definicin universalmente aceptada para los niveles de complejidad, cuando un chip
contiene entre 1 y 10 puertas, su nivel de complejidad se conoce como SSI o pequea
escala de integracin (Small-scale-integration).

Se consideran circuitos de media escala de integracin o MSI (Medium.-scaleintegration) a los que contienen entre 10 y 100 puertas, mientras que el trmino elevada
escala de integracin o LSI (Large-scale-integration) se aplica a los chips que agrupan
entre 100 y 10000 puertas o bits de memoria. El trmino muy elevada escala de
integracin o VLSI (Very-large-scale-integration) se usa comnmente para los circuitos
que tienen ms de 10 000 puertas equivalentes; el primer circuito integrado de este nivel
de complejidad estuvo disponible comercialmente hacia el ao 1980. ltimamente es
posible incorporar un milln de puertas o ms en un chip; nuevo identificado, tal como
ultra elevada escala de integracin o ULSI (Ultra large scale of integration), puede
volverse de uso comn.
Otra clasificacin consiste en agrupar a los circuitos integrados en dos categora
circuitos estndar (o standard parts), que son circuitos utilizados por varios fabricantes
de sistemas y componentes a media o (custom circuits) que son componentes diseados
y producidos para un cliente. Es adecuado utilizar circuitos custom cuando no se
dispones de circuitos estndar que realicen cierto tipo de funciones, o cuando se desea
reducir costos, construyendo un circuito que realice exactamente la funcin que se
precisa en una determinada aplicacin. Una tercera categora, conocida como circuitos
parcialmente a medida o semicustom, incluye a los circuitos del tipo gate array y
standard cell. Los circuitos semicustom tienen algunas estructuras o mscaras estndar
que se usan en diferentes circuitos integrados finales y otras estructuras o mscaras que
se disean para que el circuito integrado verifique las especificaciones particulares de
cada usuario.
CECILIO BLANCO VIEJO
Pag.81 (Escala de integracin)
Los circuitos digitales se suelen clasificar de acuerdo con la complejidad de la
circuitera que encierran. En funcin del nmero de puertas lgicas o transistores que
encierran se tienen los siguientes tipos de circuitos:
SSI (Integracin a pequea escala) menos de 12 puertas.
MSI (Integracin a media escala) de 12 a 99.
LSI (Integracin a gran escala) de 100 a 9999.
VLSI (Integracin a escala muy grande) de 10.000 a 99.999.
ULSI (Integracin a escala ultra grande) de 100.000 a 999.999.
GSI (Integracin a gigaescala) 1.000.000 o ms
Para fabricar estos CIs se usan varias tecnologas, pero para implementar las puertas
bsicas y circuitos no muy complejos, esto es, los circuitos SSI y MSI que son objeto de
estudio en este libro, las tecnologas dominantes son TTL, CMOS y ECL.
MARTIN J. MORANT
Pag.6 (Escala de integracin)
Los CI pueden ser complicados en extremo. Las formas ms pequeas estn
relacionadas con transistores y la complejidad de un CI se puede medir
aproximadamente por el nmero de transistores que contiene. Muchos de los chips ms
complejos son para aplicaciones digitales, y entonces la complejidad se puede expresar
en forma muy burda en trminos de un nmero equivalente de compuertas de dos
entradas, cada una de las cuales se toma como cuatro transistores. Se puede usar un
nivel de integracin para clasificar los CI de acuerdo a su complejidad El lmite

supero de la complejidad VLSI sigue incrementndose cada ao, pero hoy se producen,
en cantidades cada vez mayores, chips que contienen ms de 50 000 compuertas
equivalentes. El nmero de transistores que estos contienen es ms de mil veces mayor
que la de los chips SSI y MSI que se utilizan en la electrnica elemental.

David G. Maxinez / Jessica Alcal


(p.18) (FPGA vs CPLD)
Caracterstica
s

CPLD

FPGA

Arquitectura

.Similar a un PLD
.Ms combinacional

Similar a los arreglos de compuertas

Densidad

.Baja a media

.Media a alta

Funcionalidad

.Trabajan a frecuencias
superiores a 200 Mhz

.Depende de la aplicacin (arriba de los


135 Mhz)

Aplicaciones

.Contadores rpidos
.Mquinas de estado
.Lgica combinacional

.Excelentes en aplicaciones para


arquitecturas de computadoras
.procesadores Digitales de seales (DSP)
.Diseos con registros

David G. Maxinez / Jessica Alcal


(p.26-28) (Ventajas y Desventajas del VHDL)

Ventajas del desarrollo de circuitos integrados con VHDL

Notacin formal. Los circuitos integrados VHDL cuentan con una notacin que
permite su uso en cualquier diseo electrnico.

Disponibilidad pblica. VHDL es un estndar no sometido a patente o marca


registrada alguna, por lo que cualquier empresa o institucin puede utilizarla sin
restricciones. Adems, dado que el IEEE lo mantiene y documenta, exista la
garanta de estabilidad y soporte.

Independencia tecnolgica de diseo. VHDL se dise para soportar diversas


tecnologas de diseo (PLD, FPGA, ASIC, etc.) con distinta funcionalidad
(circuito combinacionales, secuenciales, sncronos y asncronos), a fin de
satisfacer las distintas necesidades de diseo.

Independencia de la tecnologa y proceso de fabricacin. VHDL se cre para


que fuera independiente de la tecnologa y del proceso de fabricacin del
circuito o del sistema electrnico. El lenguaje funciona de igual manera en

circuitos diseados con tecnologa MOS, bipolares, BICMOS, etc., sin


necesidad de incluir en el diseo informacin concreta de la tecnologa utilizada
o de sus caractersticas (retardos, consumos, temperatura, etc.), aunque esto
puede hacerse de manera opcional.

Capacidad descriptiva en distintos niveles de abstraccin. El proceso de


diseo consta de varios niveles de detalle, desde la especificacin hasta la
implementacin final (niveles de abstraccin), VHDL ofrece la ventaja de poder
disear en cualquiera de estos niveles y combinarlos, con lo cual se genera lo
que se conoce como simulacin multinivel.

Uso como formato de intercambio de informacin. VHDL permite el


intercambio de informacin a lo largo de todas las etapas del proceso de diseo,
con lo cual favorece el trabajo en equipo.

Independencia de los proveedores. Debido a que VHDL es un lenguaje


estndar, permite que las descripciones o modelos generados en un sitio sean
accesibles desde cualquier otro, sean cuales sean las herramientas de diseo
utilizadas.

Reutilizacin del cdigo. El uso de VHDL como lenguaje estndar permite


reutilizar los cdigos en diversos diseos, sin importar que hayan sido generados
para una tecnologa (CMOS, bipolar, etc.) e implementacin (FPGA, ASIC, etc.)
en particular.

Facilitacin de la participacin en proyectos internacionales. En la


actualidad VHDL constituye el lenguaje estndar de referencia a nivel
internacional. Impulsado en sus inicios por el Departamento de Defensa de
Estados Unidos, cualquier programa lanzado por alguna de las dependencias
oficiales de este pas vuelve obligatorio su uso para el modelado de los sistemas
y la documentacin del proceso de diseo. Este hecho ha motivado que diversas
empresas y universidades adopten a VHDL como su lenguaje de diseo.

Desventajas del desarrollo de circuitos integrados con VHDL (Importantes)

En algunas ocasiones, el uso de una herramienta provista por alguna compaa


en especial tiene caractersticas adicionales al lenguaje, con lo que se pierde un
poco la libertad de diseo. Como mtodo alternativo, se pretende que entre
diseadores que utilizan distintas herramientas exista una compatibilidad en sus
diseos, sin que esto requiera un esfuerzo importante en la traduccin del
cdigo.
Debido a que VHDL es un lenguaje diseado por un comit, presenta una alta
complejidad, ya que se debe dar gusto a las diversas opiniones de los miembros
de ste, por lo que resulta un lenguaje difcil de aprender para un novato.

David G. Maxinez / Jessica Alcal


(p.3) (Tecnologa de fabricacin de circuitos integrados)
Los FPGA (arreglos de compuertas programables en campo) y CPLD (dispositivos
lgicos programables complejos ofrecen las mismas ventajas de un ASIC, slo que a un
menor costos; es decir, el costo por desarrollar un ASIC es mucho ms alto que el que
precisara un FPGA o un CPLD, con la ventaja de que ambos son circuitos
reprogramables, en los cuales es posible modificar o borrar una funcin programada sin
alterar el funcionamiento del circuito.
Categora
Diseo totalmente a la
media (Full Custom)

Caractersticas

Total libertad de diseo, pero el desarrollo requiere todas


las etapas del proceso de fabricacin: preparacin de la
oblea o base, crecimiento epitaxial, difusin de
impurezas, implantacin de iones, oxidacin,
fotolitografa, metalizacin y limpieza qumica.

Los riesgos y costos son muy


elevados; slo se justifican
ante grandes volmenes o proyectos con restricciones (rea,
velocidad, consumo de potencia etctera)
Matrices de puertas
predifundidas (SemiCustom/gate arrays)

Celdas estndares pre


caracterizada (Semicustom/standard cells)

Lgica programable
(FPGA, CPLP).

Existe una estructura regular de dispositivos bsicos


(transistores) prefabricada que se puede personalizar
mediante un conexionado especfico que slo necesita
las ltimas etapas del proceso tecnolgico.

El diseo est limitado a las posibilidades de la


estructura prefabricada y se realiza con base en una
biblioteca de celdas pre caracterizadas para cada familia
de dispositivos.

No se trabaja con alguna estructura fija prefabricada en


particular, pero s con bibliotecas celdas y mdulos
precaracterizados y especficos para cada tecnologa.

Libertad de diseo (en funcin de las facilidades de la


biblioteca); pero el desarrollo exige un proceso de
fabricacin completo

Se trata de dispositivos fabricados y revisados que se


pueden personalizar desde el exterior mediante diversas
tcnicas de programacin
El diseo se basa en bibliotecas y mecanismos
especficos de mapeo de funciones, mientras que su
implementacin tan slo requiere una fase de
programacin del dispositivo, que por lo general realiza
el diseador en unos pocos segundos.

Estructura interna de un PLD


Los dispositivos PROM, PLA, PAL y GAL estn formados por arreglos o matrices que
pueden ser fijos o programables mientras que los CPLD y FPGA se encuentran
estructurados mediante bloques lgicos configurables y celdas lgicas de alta densidad
respectivamente,
La arquitectura bsica de un PLD est formado por un arreglo de compuertas AND y
OR conectadas a las entradas y salidas del dispositivo.
CONTROVERSIAS: FAMILIAS TTL
RONAL J. TOCCI
Pag. 134 (Familia TTL)
La familia TTL destaca principalmente en circuitos de pequea y mediana integracin
(SSI y MSI) y ha sido lder durante mucho tiempo en estas categoras. Sin embargo, esta
posicin de liderazgo de SSI y MSI est siendo amenazada por la familia lgica CMOS
(de
complementary
metal-oxide-semiconductor:
metal-xido-semiconductor
complementario), que pertenece a la categora de CI digitales unipolares.
DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON
Pag. 266-267 (Familias TTL)
En
la
actualidad,
las
familias de C.I. digitales bipolares ms populares son: los circuitos TTL limitados por
Schottky, de baja potencia (74LS y 74ALS) para usos de propsito general, y los
circuitos TTL de alta velocidad (74S y 74AS) y circuitos ECL (10K y 100 K) para
aplicaciones de muy alta velocidad. Los antiguos RTL, DTL y TTL ya no se producen
comercialmente, excepto por pedido, para realizar reparaciones y sustituciones.
Una familia de circuitos lgicos bipolares que desafa los circuitos MOSFET en
integracin de alta escala (LSI) es la lgica de inyeccin integrada. I l. Este C.I. digital
se disea alrededor de un transistor inversor multicolector que opera en modo inverso.
Dos desarrollos posteriores en LSI digital bipolar se acercan a la densidad del I L, pero
usando el transistor inversor que opera en modo normal directo. Son conocidos como
lgica de transistor Schottky (STL) y lgica Schottky integrada (ISL).
La eleccin por parte del ingeniero de una familia lgica para su uso en el diseo de un
sistema digital especfico est influida por muchos factores. Entre stos estn la
necesidad
de
bajo consumo, alta velocidad, disponibilidad de funciones digitales ms complejas
(MSI), compatibilidad con otras partes del sistema y, desde luego, el coste. Muchos
sistemas mezclan familias lgicas, por ejemplo, TTL y NMOS o CMOS.
CECILIO BLANCO VIEJO
Pag.97 (Familia TTL)
Esta familia lgica, la ms popular hasta hace unos aos debido a su bajo coste y a la
enorme variedad de circuitos que ofreca, hoy se limita a CI de pequea y mediana
escala (SSI y LSI). Estos circuitos se emplean cuando hay que manejar corrientes
elevadas o para conectar los dispositivos ms complejos en los sistemas digitales.
Aunque esta familia est en declive, se comenzar por ella el anlisis de los circuitos
lgicos porque se puede aprender mucho de los circuitos actuales estudiando los
circuitos TTL originales, que son ms simples y por tanto ms fciles de comprender.
2

El elemento en el que se basa la lgica TTL est representado en la Figura 3.9, que
corresponde a una puerta NAND. El transistor Q1 se construye con varios emisores, que
son las entradas de la puerta NAND.
Si todas las entradas A, B y C en este caso, estn a 1, todas las uniones base emisor del
transistor Q1 estn polarizadas inversamente, la intensidad que circula a travs de la
unin base-colector de Q1 circula por la base del transistor Q2 saturndolo, y la salida S
toma el valor lgico 0.
Pero si alguna o varias de las entradas se conectan a 0, la intensidad de base Q1
circular entonces por los emisores de las entradas conectadas a 0, en lugar de por la
base Q1. Entonces, el transistor Q1 se corta y la salida S toma el valor de la tensin de
alimentacin que corresponde al estado lgico 1.
CONTROVERSIAS:FAMILIA MOS
RONAL J. TOCCI
Pag.447 (Familia MOS - Metal Oxide Semiconductors)
Complejidad del proceso La lgica MOS es la familia lgica ms simple de fabricar ya
que utiliza slo un elemento bsico, un transistor N-MOS (o bien P-MOS). No requiere
de otros elementos, como resistencias o diodos. Esta caracterstica, junto con su bajo P ,
la hace idealmente adecuada para LSI (memorias grandes, CI de calculadora,
microprocesadores), y aqu es donde la lgica MOS ha causado su ms grande impacto
en el campo digital. La velocidad de operacin N-MOS y P-MOS no es compatible con
TTL, de manera que se ha hecho muy poco con ellos en aplicaciones SSI y MSI. De
hecho, hay pocos circuitos lgicos MOS en las categoras de SSI o MSI (compuertas,
FF y contadores, por ejemplo). Sin embargo, CMOS es competitiva en el rea del MSI,
que hasta ahora fue dominada por los TTL.
RONAL J. TOCCI
Pag.448-449 (Familia MOS)
La familia lgica MOS complementaria (CMOS) utiliza los MOSFET de canales P y N
en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS.
En trminos generales, CMOS es ms rpida y consume an menos potencia que las
otras familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada complejidad
del proceso de fabricacin de CI y menos densidad de integracin. De este modo, los
CMOS todava no pueden competir con MOS en aplicaciones que requieren lo ltimo
en LSI.
Sin embargo, la lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea de la
MSI, principalmente a expensas de la TTL, con la que compite directamente.
D

DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON


Pag.51 (Familia MOS)
Los circuitos digitales integrados en pequea escala, basados en tecnologa MOS
complementarios, se han utilizado durante muchos aos. La tecnologa MOS es la base
de la mayor parte de las memorias digitales integradas a gran escala (LSI, Large-scaleintegration) y de los circuitos microprocesadores. La ventaja ms importante de los
circuitos MOS respecto a los circuitos bipolares para LSI es que pueden fabricarse con
xito ms transistores y ms funciones circuitales sobre un nico chip con tecnologa
MOS. Hay tres razones que lo explican. Primera, Un transistor MOS individual ocupa
menos rea de chip. Segunda, el proceso de fabricacin MOS individual requiere menos

etapas y, en consecuencia, se consiguen menos defectos pro unidad de rea de chip que
en la fabricacin de circuitos bipolares. En parte, esto posibilita hacer chips ms grandes
con tecnologa MOS. Tercero, las tcnicas de circuitos dinmicos, que exigen menos
transistores para realizar una funcin dada, son prcticamente en tecnologa MOS, pero
no en tecnologa bipolar. El resultado de estas diferencias es que los circuitos MOSLSI
son notablemente ms baratos de fabricar que los circuitos bipolares para funciones
equivalentes. En consecuencia, los circuitos MOSLSI van conquistando de forma
constante fracciones crecientes del mercado total de circuitos digitales LSI.
DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON
Pag.51-52 (Familia MOS)
Los primeros circuitos MOS, realizados con tecnologa de canal p (PMOS) y puerta de
metal, requeran tensiones de alimentacin especiales (p. ej., -9v, -12v) y funcionaban
slo a muy bajas velocidades de transmisin de datos digitales (p. ej., 200bb/s a 1Mb/s).
El cambio a tecnologa de canal n (NMOS), puerta de silicio y otras mejoras, han
posibilitado realizar circuitos LSI que requieren slo una alimentacin estndar de +5v
y operan a velocidades de transmisin de datos digitales por encima de 20 Mb/s.
Una caracterstica notable de los circuitos MOS es que la reduccin de las dimensiones
internas del dispositivo individual se traduce en importantes mejoras en la velocidad del
circuito En circuitos LSI las diferencias en velocidad se han reducido desde una
factor de 10 o ms en 1970 a un factor de 2 o menos en 1980
La limitacin ms importante de los circuitos MOS reside en el control de corrientes y
voltajes elevados. Los procesos MOSLSI estndar estn limitados a un voltaje mximo
de operacin de 5 a 10 V, y son ineficientes cuando deben entregar a una carga una
corriente superior a 20mA. Esto ltimo es un importante factor limitador de la velocidad
en sistemas digitales que emplean buses de datos que exhiben alta capacidad. El uso de
buses terminados en lnea de transmisin, que tienen tpicamente unas impedancias
caractersticas de 50 a 100 W, no es prctico en sistemas que emplean MOSLSI debido a
la limitada capacidad de entregar corriente de estos circuitos.

CONCLUSIONES

Como podemos observar, la historia de los circuitos integrados es amplia. Su historia


nos demuestra cun complejo y e imaginativo fue su evolucin.
Hemos visto que un circuito integrado es un conjunto de diferentes componentes como
transistores, resistencias, condensadores, etc. y que en cada CI hay un gran nmero de
estos componentes y les otorga, a parte de cierta clasificacin, diferentes propiedades y
funciones.
Tambin hemos podido ver que segn diferentes profesionales y/o autores de libros han
podido trabajar con estos CIs y como es tomado y clasificado segn su conveniencia.
Cabe recalcar que a da de hoy an se contina trabajando en el desarrollo de nuevos y
complejos CIs, teniendo como principal importancia hacerlo cada vez ms pequeo,
compacto y eficiente.

BIBLIOGRAFA
-David A. Hodge / Horage G Jackson. (1988). Anlisis y diseo de circuitos
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