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Tabla de Contenidos
PARTE 1
ANTECEDENTES. Pag. 5
ENTORNOS DE PROGRAMACIN.Pag. 7
CONTROVERSIAS....Pag. 11
CUESTIONES ACTUALES...Pag. 20
ESCALA DE INTEGRACIN...Pag. 24
FAMILIAS LGICAS EN LAS ESCALAS DE INTEGRACIN....Pag. 27
DISPOSITIVOS LGICOS PROGRAMABLES...Pag. 29
CONVERGENCIAS Y DIVERGENCIAS.Pag. 33
INTRODUCCIN
En el presente trabajo se dar a conocer los diferentes tipos de diseos de circuitos
integrados y sus entornos de programacin desde los puntos de vista de diferentes
Autores.
A lo largo de la historia, tanto la evolucin como su importancia en la industria
tecnolgica, los circuitos integrados han sido de gran relevancia. Como por ejemplo la
continua miniaturizacin, tales como: transistores, resistencias, condensadores, etc (que
se encuentran dentro de los CI). Estos inventos son la base fundamental de casi todos
los avances electrnicos producidos desde su aparicin. Hoy en da es posible integrar
en un solo chip, tambin llamado microchip, millones de transistores agrupados en
lminas de silicio del tamao de una ua. Esto es posible gracias a que los transistores
son microscpicos y, adems, consumen muy poca energa elctrica.
ANTECEDENTES:
Para conocer mejor las funciones de un CI debemos saber de qu est compuesto y
como funciona internamente. En este apartado hacemos mencin de ello y, aunque no
todos los tipos se usan en la creacin de un CI, haremos mencin de sus diferentes tipos.
ADALVERTO CANT CHAPA
(Semiconductores)
De acuerdo con la cantidad de energa que debe recibir un electrn para saltar el
intervalo entre la banda de valencia y la de conduccin, los materiales pueden
clasificarse elctricamente en: aisladores, semiconductores, conductores y
superconductores.
Pag.71 (transistores)
Dentro de los dispositivos amplificadores estn los transistores de unin bipolares
(BJT), los transistores efecto de campo (FET), el transistor semiconductor efecto de
campo de xido de metal (MOS-FET), el transistor efecto de campo de corriente
vertical (FET-V) y los transistores efecto de campo de xido de metal complementario
(CMOS). La palabra transistor es una palabra latina compuesta que significa transferir
resistencia: tran(sfer) + (re)sistor. Quiere decir que la amplificacin se produce llevando
o pasando una corriente de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. En
otras palabras, el transistor es un dispositivo semiconductor en el estado slido capaz de
amplificar seales de corriente elctrica y de conmutar.
GUSTAVO A. RUIZ ROBREDO
Pag.10 (transistores)
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico.
En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y
FET y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos y su utilizacin en el
anlisis los circuitos de polarizacin. Polarizar un transistor es una condicin previa a
muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en
continua que van a circular por el dispositivo.
MARTIN J. MORANT
(p.18-20)Tecnologa del silicio
El silicio es un semiconductor, uno de los muchos materiales con propiedades elctricas
bastante peculiares que se utilizan sobre todo en los CI para hacer transistores. Debido a
su importancia en la electrnica, ha sido objeto de estudios cientficos mucho ms
profundos que cualquier otro material. Tiene una combinacin nica y casi ideal de
propiedades fsicas y qumicas que nos permiten fabricar transistores CI de alto
rendimiento a muy bajo costo. Slo otro material, el semiconductor compuesto de
arseniuro de galio (GaAs), tiene alguna ventaja sobre el silicio para la fabricacin de
transistores, y adems solo para dispositivos que han de utilizarse en circuitos digitales
y de microondas de muy alta velocidad. Pero es mucho ms difcil fabricar CI
monolticos en GaAs que es un silicio de modo que slo se le usa en aplicaciones muy
especializadas en las que se puede justificar su mayor costo. Una caracterstica
importante del proceso planar cosiste en que una gran cantidad de chips se producen al
mismo tiempo sobre una olbea circular de silicio. Esta es una rebanada de menos de un
milmetro de grueso, cortada de un solo cristal cilndrico de silicio, que hoy da se puede
hacer crecer hasta un dimetro de seis a ocho pulgadas. Es posible fabricar muchos
cientos de chips sobre una sola oblea que, una vez completa, se corta para separar los
chips individuales para el empaquetado. Los Ci contienen 10 o ms capas distintas
cobre la cara superior del chip. Algunas de la capas se forman dentro del silicio por
contaminacin intencional (doping) de ste en reas seleccionadas con ciertos
elementos y otras delgadas pelculas de material ya sea conductor o aislante que se
agregan a la cara superior. Las capas conductoras se acomodan, de acuerdo con un
patrn de disposicin, en formas complejas a plena vista, es decir, mirando hacia la
superficie del silicio. Algunas de las formas de las formas ms pequeas pueden ser
partes de transistores, mientras otras forman lneas conductoras para las
interconexiones. Las pelculas aislantes separan las capas conductoras, excepto en los
puntos donde se graban los agujeros de contacto a travs de ellas a fin de permitir que
se hagan las conexiones entre las diferentes capas para alambrar el circuito.
CECILIO BLANCO VIEJO
(p.109) (Familia CMOS)
Las siglas CMOS corresponden a Complementary Metal-Oxide Semiconductor, donde
el trmino complementario se refiere a la utilizacin de dos transistores MOS, uno de
canal n y otro de canal p conectados en series en la etapa de salida, en una configuracin
similar a la ttem-pole de la familia TTL.
Los transistores de efecto de campo de semiconductor de metal-xido (MOSFET) son
elementos bsicos de esta familia, funcionando como interruptores abiertos o cerrados
segn los transistores estn cortados o saturados.
La tecnologa CMOS se ha impuesto en la mayora de las aplicaciones debido a las
ventajas que presenta sobre la TTL, como son una mayor inmunidad al ruido,
alimentacin ms flexible y menor consumo, tamao, complejidad y coste de
fabricacin.
Su principal inconveniente es que la electricidad esttica puede daar los circuitos
CMOS, aunque esto puede minimizarse mediante un manejo adecuado de los circuitos
integrados.
ENTORNOS DE PROGRAMACION
Thomas L. Floyd
(p.26) (Tipos de dispositivos lgicos programables)
Existen muchos dispositivos lgicos programables, desde pequeos dispositivos que
pueden reemplazar a algunas de los dispositivos de funcin fija hasta complejos
dispositivos de alta densidad que pueden reemplazar a miles de dispositivos de funcin
fija. Las dos principales categoras de los dispositivos lgicos programables de usuario
son PLD (Programmable Logic Device, dispositivo lgico programable) y las FPGA
(Field Programmable Gate Array, matrices de puertas programable por campo). Los
PLD pueden ser SPLD (Simple PLD, PLD simple) o CPLD ( Complex PLD, PLD
complejo).
CONTROVERSIAS:
En esta seccin se tuvo la intencin de resaltar determinados temas de ms relevancia en
los circuitos integrados. Dependiendo de los autores que explican los CIs, hay diferentes
clasificaciones para referirse a estos. A continuacin se presenta las escalas de
integracin y cmo diferentes autores los clasifican.
Escalas de integracin segn diferentes autores:
RONAL J. TOCCI
Pag.133 (Escala de integracin)
A menudo los CI digitales se clasifican de acuerdo con la complejidad de su circuitera,
que se estima por el nmero de compuertas lgicas equivalente sobre el sustrato. En la
actualidad existen cinco niveles estndar de complejidad, que se definen de la siguiente
manera:
Complejidad
Nmero de compuertas
Menos de 12
De 12 a 99
De 100 a 9999
De 10 000 a 99 999
100 000 a ms
Todos los CI especficos a los que se hizo referencia en el captulo 3 y en ste son SSI
(siglas de small-scale integration) que tienen un nmero pequeo de compuertas. En los
sistemas digitales modernos, los dispositivos con integracin de mediana y gran escala
(MSI y LSI, de medium y large scale integration, respectivamente) llevan a cabo la
mayor parte de las funciones que alguna vez requirieron de varias tarjetas de circuito
impreso llenas de dispositivos SSI. Sin embargo, los circuitos SSI se siguen empleando
como interfaces entre circuitos ms complejos. Por lo general, se emplean pequeas
combinaciones de compuertas discretas para conectar CI ms complejos entre s o con
otros dispositivos externos. Por consiguiente, es necesario saber cmo analizar, disear,
probar y detectar fallas en circuitos combinacionales sencillos.
CI del Captulo 3 y 4 (SSI): OR, AND, NOT, NOR, NAND, XOR, XNOR
DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON
Pag. 32-34 (Escala de integracin)
En la prctica, se fabrican varias puertas en un mismo circuito integrado. Aunque no ay
una definicin universalmente aceptada para los niveles de complejidad, cuando un chip
contiene entre 1 y 10 puertas, su nivel de complejidad se conoce como SSI o pequea
escala de integracin (Small-scale-integration).
Se consideran circuitos de media escala de integracin o MSI (Medium.-scaleintegration) a los que contienen entre 10 y 100 puertas, mientras que el trmino elevada
escala de integracin o LSI (Large-scale-integration) se aplica a los chips que agrupan
entre 100 y 10000 puertas o bits de memoria. El trmino muy elevada escala de
integracin o VLSI (Very-large-scale-integration) se usa comnmente para los circuitos
que tienen ms de 10 000 puertas equivalentes; el primer circuito integrado de este nivel
de complejidad estuvo disponible comercialmente hacia el ao 1980. ltimamente es
posible incorporar un milln de puertas o ms en un chip; nuevo identificado, tal como
ultra elevada escala de integracin o ULSI (Ultra large scale of integration), puede
volverse de uso comn.
Otra clasificacin consiste en agrupar a los circuitos integrados en dos categora
circuitos estndar (o standard parts), que son circuitos utilizados por varios fabricantes
de sistemas y componentes a media o (custom circuits) que son componentes diseados
y producidos para un cliente. Es adecuado utilizar circuitos custom cuando no se
dispones de circuitos estndar que realicen cierto tipo de funciones, o cuando se desea
reducir costos, construyendo un circuito que realice exactamente la funcin que se
precisa en una determinada aplicacin. Una tercera categora, conocida como circuitos
parcialmente a medida o semicustom, incluye a los circuitos del tipo gate array y
standard cell. Los circuitos semicustom tienen algunas estructuras o mscaras estndar
que se usan en diferentes circuitos integrados finales y otras estructuras o mscaras que
se disean para que el circuito integrado verifique las especificaciones particulares de
cada usuario.
CECILIO BLANCO VIEJO
Pag.81 (Escala de integracin)
Los circuitos digitales se suelen clasificar de acuerdo con la complejidad de la
circuitera que encierran. En funcin del nmero de puertas lgicas o transistores que
encierran se tienen los siguientes tipos de circuitos:
SSI (Integracin a pequea escala) menos de 12 puertas.
MSI (Integracin a media escala) de 12 a 99.
LSI (Integracin a gran escala) de 100 a 9999.
VLSI (Integracin a escala muy grande) de 10.000 a 99.999.
ULSI (Integracin a escala ultra grande) de 100.000 a 999.999.
GSI (Integracin a gigaescala) 1.000.000 o ms
Para fabricar estos CIs se usan varias tecnologas, pero para implementar las puertas
bsicas y circuitos no muy complejos, esto es, los circuitos SSI y MSI que son objeto de
estudio en este libro, las tecnologas dominantes son TTL, CMOS y ECL.
MARTIN J. MORANT
Pag.6 (Escala de integracin)
Los CI pueden ser complicados en extremo. Las formas ms pequeas estn
relacionadas con transistores y la complejidad de un CI se puede medir
aproximadamente por el nmero de transistores que contiene. Muchos de los chips ms
complejos son para aplicaciones digitales, y entonces la complejidad se puede expresar
en forma muy burda en trminos de un nmero equivalente de compuertas de dos
entradas, cada una de las cuales se toma como cuatro transistores. Se puede usar un
nivel de integracin para clasificar los CI de acuerdo a su complejidad El lmite
supero de la complejidad VLSI sigue incrementndose cada ao, pero hoy se producen,
en cantidades cada vez mayores, chips que contienen ms de 50 000 compuertas
equivalentes. El nmero de transistores que estos contienen es ms de mil veces mayor
que la de los chips SSI y MSI que se utilizan en la electrnica elemental.
CPLD
FPGA
Arquitectura
.Similar a un PLD
.Ms combinacional
Densidad
.Baja a media
.Media a alta
Funcionalidad
.Trabajan a frecuencias
superiores a 200 Mhz
Aplicaciones
.Contadores rpidos
.Mquinas de estado
.Lgica combinacional
Notacin formal. Los circuitos integrados VHDL cuentan con una notacin que
permite su uso en cualquier diseo electrnico.
Caractersticas
Lgica programable
(FPGA, CPLP).
El elemento en el que se basa la lgica TTL est representado en la Figura 3.9, que
corresponde a una puerta NAND. El transistor Q1 se construye con varios emisores, que
son las entradas de la puerta NAND.
Si todas las entradas A, B y C en este caso, estn a 1, todas las uniones base emisor del
transistor Q1 estn polarizadas inversamente, la intensidad que circula a travs de la
unin base-colector de Q1 circula por la base del transistor Q2 saturndolo, y la salida S
toma el valor lgico 0.
Pero si alguna o varias de las entradas se conectan a 0, la intensidad de base Q1
circular entonces por los emisores de las entradas conectadas a 0, en lugar de por la
base Q1. Entonces, el transistor Q1 se corta y la salida S toma el valor de la tensin de
alimentacin que corresponde al estado lgico 1.
CONTROVERSIAS:FAMILIA MOS
RONAL J. TOCCI
Pag.447 (Familia MOS - Metal Oxide Semiconductors)
Complejidad del proceso La lgica MOS es la familia lgica ms simple de fabricar ya
que utiliza slo un elemento bsico, un transistor N-MOS (o bien P-MOS). No requiere
de otros elementos, como resistencias o diodos. Esta caracterstica, junto con su bajo P ,
la hace idealmente adecuada para LSI (memorias grandes, CI de calculadora,
microprocesadores), y aqu es donde la lgica MOS ha causado su ms grande impacto
en el campo digital. La velocidad de operacin N-MOS y P-MOS no es compatible con
TTL, de manera que se ha hecho muy poco con ellos en aplicaciones SSI y MSI. De
hecho, hay pocos circuitos lgicos MOS en las categoras de SSI o MSI (compuertas,
FF y contadores, por ejemplo). Sin embargo, CMOS es competitiva en el rea del MSI,
que hasta ahora fue dominada por los TTL.
RONAL J. TOCCI
Pag.448-449 (Familia MOS)
La familia lgica MOS complementaria (CMOS) utiliza los MOSFET de canales P y N
en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS.
En trminos generales, CMOS es ms rpida y consume an menos potencia que las
otras familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada complejidad
del proceso de fabricacin de CI y menos densidad de integracin. De este modo, los
CMOS todava no pueden competir con MOS en aplicaciones que requieren lo ltimo
en LSI.
Sin embargo, la lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea de la
MSI, principalmente a expensas de la TTL, con la que compite directamente.
D
etapas y, en consecuencia, se consiguen menos defectos pro unidad de rea de chip que
en la fabricacin de circuitos bipolares. En parte, esto posibilita hacer chips ms grandes
con tecnologa MOS. Tercero, las tcnicas de circuitos dinmicos, que exigen menos
transistores para realizar una funcin dada, son prcticamente en tecnologa MOS, pero
no en tecnologa bipolar. El resultado de estas diferencias es que los circuitos MOSLSI
son notablemente ms baratos de fabricar que los circuitos bipolares para funciones
equivalentes. En consecuencia, los circuitos MOSLSI van conquistando de forma
constante fracciones crecientes del mercado total de circuitos digitales LSI.
DAVID A. HODGE / HORAGE G. JACKSON
Pag.51-52 (Familia MOS)
Los primeros circuitos MOS, realizados con tecnologa de canal p (PMOS) y puerta de
metal, requeran tensiones de alimentacin especiales (p. ej., -9v, -12v) y funcionaban
slo a muy bajas velocidades de transmisin de datos digitales (p. ej., 200bb/s a 1Mb/s).
El cambio a tecnologa de canal n (NMOS), puerta de silicio y otras mejoras, han
posibilitado realizar circuitos LSI que requieren slo una alimentacin estndar de +5v
y operan a velocidades de transmisin de datos digitales por encima de 20 Mb/s.
Una caracterstica notable de los circuitos MOS es que la reduccin de las dimensiones
internas del dispositivo individual se traduce en importantes mejoras en la velocidad del
circuito En circuitos LSI las diferencias en velocidad se han reducido desde una
factor de 10 o ms en 1970 a un factor de 2 o menos en 1980
La limitacin ms importante de los circuitos MOS reside en el control de corrientes y
voltajes elevados. Los procesos MOSLSI estndar estn limitados a un voltaje mximo
de operacin de 5 a 10 V, y son ineficientes cuando deben entregar a una carga una
corriente superior a 20mA. Esto ltimo es un importante factor limitador de la velocidad
en sistemas digitales que emplean buses de datos que exhiben alta capacidad. El uso de
buses terminados en lnea de transmisin, que tienen tpicamente unas impedancias
caractersticas de 50 a 100 W, no es prctico en sistemas que emplean MOSLSI debido a
la limitada capacidad de entregar corriente de estos circuitos.
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFA
-David A. Hodge / Horage G Jackson. (1988). Anlisis y diseo de circuitos
integrados digitales. Espaa: Gustavo Gili.
-M. J. Morant. (1994). Diseo y tecnologa de circuitos integrados. Mxico:
Addison-Wesley Iberoamericana.
-Cecilio Blanco Viejo. (2005). Fundamentos de electrnica digital. Espaa:
Thomson.
-Ronal J. Tocci.
Hispanoamericana.
(1993).
Sistemas
digitales.
Mxico:
Prentice-Hall