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MARCO DE REFERENCIA
DIAGRAMA
CARACTERSTICAS
Cada transistor se encuentra aislado del resto gracias al xido enterrado. Esta
caracterstica permite evitar el fenmeno de latch up y fabricar ms transistores
por cm2. Adems se ha demostrado una importante mejora en sus prestaciones
ya que pueden trabajar a menores tensiones, aumentar la velocidad de
conmutacin y son menos vulnerables al efecto de las partculas csmicas y
efectos de canal corto (SCE). Todas estas mejoras se consiguen sin necesidad de
alterar los procesos que tradicionalmente se han seguido en tecnologa CMOS.
VENTAJAS:
Debido a la ausencia de pozos las estructuras son muy densas
Bajas capacidades del sustrato, circuitos rpidos
No existe Latch-up, se aslan los transistores del sustrato
No existe efecto cuerpo porque no hay corrientes en el sustrato
Aumento de la tolerancia a fallos
DESVENTAJAS:
La ausencia de contactos hmicos hace el circuito de difcil proteccin
Aunque se reducen las capacidades parsitas del sustrato, las capacidades entre
hilos todava existen luego la reduccin de la capacidad total es menor de lo que
cabra esperar
La densidad no es particularmente importante, debido a que en la actualidad la
densidad depende sobre todo de los layers metlicos de conexin
El sustrato de zafiro encarece el producto
APLICACIONES
La nueva tecnologa Silicon-on-Insulator (SOI) permitir la construccin de
ordenadores ms rpidos y con menor consumo de energa, ambos factores son
claves para incrementar la autonoma de los dispositivos porttiles que se van a
generalizar en un futuro prximo. En la fabricacin de un chip, como ser un
microprocesador, generalmente se busca integrar la mayor cantidad posible de
componentes en el espacio ms pequeo que permita la tecnologa disponible.
BIBLIOGRAFIA
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap13#136
http://www.ecured.cu/index.php/Silicon_on_insulator
http://www.dacya.ucm.es/lanchares/documentos/2.9.3%20Apuntes%20de%20dise
%C3%B1o%20de%20circuitos%20integrados%201.pdf
http://www.neoteo.com/silicon-on-insulator-silicio-sobre-aislante/