Escuela Politcnica Nacional

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

IEE6R4 Electrnica de Alta Frecuencia

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Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Materia: IEE544 Circuitos Electrnicos
Profesor: Ricardo LLugsi Caar, Ing. MSc.

Objetivo
Revisar los conceptos relacionados a
Amplificadores de potencia

Ricardo LLugsi Caar

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Amplificadores de potencia
Los amplificadores de potencia tienen una amplia gama de aplicaciones en las que se destacan:
comunicaciones inalmbricas, transmisores de TV, Radares, etc. Las tcnicas bsicas de
amplificacin de potencia consideran el uso de clases (A, B, AB, C, D, E, F) para frecuencias en
el rango de VLF (Very Low Frequency) hasta microonda.
Por ejemplo la potencia de salida para RF se encuentra en el rango de los mW hasta MW
(dependiendo de la aplicacin). En este caso la introduccin de dispositivos de potencia para RF
de estado slido ha permitido el uso de bajos voltajes, altas corrientes y el uso de cargas
resistivas relativamente bajas.
Entre los parmetros ms importantes que definen la amplificacin de potencia estn los
siguientes:

Potencia de salida
Ganancia
Linealidad1
Estabilidad
Alimentacin DC
Eficiencia2
Robustez

Con el propsito de analizar el concepto de amplificadores de potencia, primeramente es

necesario aclarar ciertos puntos relativos al comportamiento del transistor y sus zonas de trabajo.
La eleccin del punto de trabajo (punto de BIAS, punto de inactividad (quiescent point) Q)
determina el nivel de desempeo que un amplificador de potencia puede tener. Al tener en mente
esto se puede proponer un balance entre: potencia de salida, eficiencia y linealidad de un
amplificador de potencia.
Zonas de trabajo del transistor al trabajar con potencia

Pd max :

Potencia de disipacin mxima del transistor.

VCE max :

Voltaje Colector-Emisor mximo.

Linealidad implica simplemente cuan cercana es la forma de la seal de salida con respecto a la seal de entrada.
La eficiencia de un amplificador es una medicin de la habilidad del mismo para convertir la potencia DC de la
fuente en seal de potencia que se entrega a la carga. La potencia que no es transferida a la carga, es disipada en
forma de calor, generalmente los amplificadores con una baja eficiencia presentan altos niveles de disipacin de
calor.
2

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I C max :

Corriente de colector mxima.

Fig. 1. Anlisis de operacin del transistor de potencia

Para llevar a cabo el diseo bsico de amplificadores de potencia es necesario generar una recta
de carga dinmica que est relacionada con la curva de potencia de disipacin del transistor,
teniendo en cuenta lo siguiente:

I CM I C max

(1.1)

VCEM VCE max

(1.2)

Fig. 2. Consideracin de diseo para amplificadores de potencia (punto de trabajo T)

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De lo anterior se pueden anotar las siguientes relaciones tiles para diseo:

VCEM
2

(1.3)

I CM
2

(1.4)

VCET
I CT

Pd VCET .I CT
Rac

VCEM
I CM

Pd 2 Po (Clase A)
Pd

Po
(Clase B y C)
2

(1.5)
(1.6)
(1.7)
(1.8)

Antes de iniciar el diseo de un amplificador de potencia es necesario comprender en qu forma

trabaja el transistor al tener una etapa de potencia conectada al mismo. Para ello se presenta el
circuito de la Fig. 3, en el que consta un amplificador con una etapa de acoplamiento con
transformador.

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Fig. 3. Circuito de anlisis

El comportamiento del circuito descrito en la Fig. 3, es analizado en la Fig. 4. En la misma se

aprecia a la derecha la seal de corriente y en la parte inferior la seal de voltaje, ambas en la
parte de salida del transistor.

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Fig. 4. Anlisis de carga en el transistor I (ideal)

Con el propsito de analizar la seal de salida para potencia se realiza una variacin en la seal
de corriente y voltaje, ver Fig. 5.

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Fig. 5. Anlisis de carga en el transistor II (ideal)

En la Fig. 5, se aprecia que con una variacin de la seal de corriente se debe tener un adecuado
margen de operacin en la parte de la seal de voltaje. Dicha variacin en la seal es la que
determina la clase del amplificador (la variacin de la seal y el ngulo de conduccin que
determinan la clase de un amplificador sern explicados ms adelante con las grficas
adecuadas).

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Fig. 5. Anlisis de carga en el transistor I (real)

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Fig. 6. Anlisis de carga en el transistor II (real)

Al inspeccionar la Fig. 6, se puede apreciar que hay una pequea parte de la seal de entrada que
aparece en la salida (VCE). La aparicin de esta seal est relacionada con la variacin del punto
de trabajo (T) y por lo tanto de la variacin de la curva de disipacin de potencia, para analizar
de una forma ms clara este fenmeno se presenta la Fig. 7.

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Fig. 7. Desplazamiento de la seal sinusoide (aparente oscilacin)

Teniendo en cuenta la informacin de la Fig. 7, la ecuacin 1.7 y el valor rms de la seal de

voltaje de salida se pueden plantear las siguientes ecuaciones:
2

v opi

2
2P
Poi
dr
Rac

(1.9)

v opr

Por
2 Pdi
Rac

(1.10)

Dividiendo la ecuacin 1.9 para la ecuacin 1.10 se tiene que:

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v opi
Pdr
v
opr

Pdi

(1.11)

Para lo anterior hay que tener en cuenta que:

Pdi 2 Po
Pdi

(1.12)

Po
2

(1.13)

Considerando al transformador (que es bsicamente una red transformadora de impedancia) del

circuito de la Fig. 3, se puede escribir que:
v opi
Pdr m
v
opr

Pdi

(1.14)

Siendo m :
1 Para el caso ideal.
1.1 Considerando un 10% de prdidas en la red transformadora de impedancia.
1.2 Considerando un 20% de prdidas en la red transformadora de impedancia.
1.3 Considerando un 30% de prdidas en la red transformadora de impedancia.

Eficiencia de amplificacin
La eficiencia de un amplificador , est definida como la relacin entre la potencia promedio

Pav entregada a la carga con respecto a la potencia promedio entregada por la fuente PS , ver
Fig. 12.

%
%

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Pav
*100
PS

sin
* 100

2 cos 2 sin
2
2

(1.15)

(1.16)

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Fig. 12. Anlisis de eficiencia vs ngulo de conduccin.

%% Programa para analizar eficiencia en amplificadores de potencia

clear all; close all; clc
theta1=1:1:360;
theta=theta1*pi/180;
n=-(theta-sin(theta))./(2*(theta.*cos(theta/2)-2*sin(theta/2)))*100;
plot(theta*180/pi,n)
title('Analisis de eficiencia en amplificadores de potencia')
xlabel('Angulo de conduccion (Theta)')
ylabel('Eficiencia (n) en %')
grid on

De lo anterior se aprecia que para la clase B de amplificadores de potencia se tiene

aproximadamente un 78.5% de eficiencia, mientras que para la clase AB y B, dicha eficiencia es
mucho menor. Algo contrario a lo que pasa en el caso de amplificadores de potencia clase C en
donde se tiene eficiencias mayores al 78.5% pero con la presencia de distorsin.

Clases de amplificadores
Ahora con propsito de aclarar el concepto relacionado a clase de amplificador a continuacin se
analizan algunas de las clases ms conocidas de amplificadores.
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Clase A
En el caso del amplificador de clase A, la corriente fluye a travs de la carga durante el ciclo
entero de la seal, es decir presenta un ngulo de conduccin de 360, ver Fig. 8, esto hace
que el amplificador de clase A sea el ms lineal de todos los tipos de amplificadores.

Fig. 8. Operacin del amplificador de clase A

En este caso se dice que el amplificador est polarizado (biased) de tal forma que la seal de
salida tiene toda la corriente entregada por la fuente de polarizacin, adicionalmente la seal de
entrada se dice ser lo suficientemente pequea para evitar que el transistor sea conducido a corte.
La alta linealidad de este tipo de amplificadores es requerida en seales AM (modulacin de
amplitud analgica), SSB (Single Side Band), portadoras de video TV, QPSK (Quadrature
Phase Shift Keying), QAM (Quadrature amplitude modulation), OFDM (Orthogonal Frequency
Division Multiplexing).

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La ausencia de armnicos en el proceso de amplificacin, permite que la clase A sea utilizada a

frecuencias cercanas a la capacidad mxima del transistor (fmax), sin embargo la baja eficiencia
de este tipo de amplificadores hace que sea utilizado tpicamente en aplicaciones que requieren
baja potencia, alta linealidad, alta ganancia, operacin de banda ancha o alta frecuencia de
operacin.

Clase B
En el caso del amplificador de clase B, la corriente fluye a travs de la carga solamente durante
la mitad del ciclo de la seal, es decir presenta un ngulo de conduccin de 180, ver Fig. 9.
Se puede mencionar entonces que el transistor solo conduce en la mitad del tiempo (sea esta la
curva positiva o negativa) del ciclo total de la seal de entrada. Al igual que en la clase A, la
aplicacin de la polarizacin determina la clase de operacin, en este caso B.

Fig. 9. Operacin del amplificador de clase B

Si bien es cierto este amplificador es ms eficiente que el amplificador clase A, el mismo

produce ms armnicos (distorsin) los mismos que deben ser filtrados de la seal amplificada.

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Una configuracin comn de amplificador clase B es la de push-pull. En esta configuracin un

transistor conduce durante el ciclo negativo de la seal lo que permite que la seal total sea
reproducida a la salida del amplificador.

Fig. 9. b) Amplificador de clase B, push-pull.

En la prctica, la corriente de trabajo (quiescent current) est en el orden del 10% de la corriente
de colector pico y se ajusta para minimizar la distorsin de cruce producida por las no
linealidades del transistor en seales de baja potencia.
En teora una potencia superior en 6 dB es necesaria para conseguir la amplificacin de clase B
(en comparacin con la clase A), en la prctica se aplica el criterio de 2dB.

Clase AB
En este caso existe un compromiso en trminos de eficiencia y linealidad entre los
amplificadores de potencia clase A y clase B. El transistor est polarizado tpicamente en el
punto de trabajo (quiescent point), el mismo que se encuentra en algn lugar en la regin
comprendida entre el punto de corte y el punto de bias de clase A (aproximadamente un 10 o
15% de la corriente de colector mxima).
En el caso del amplificador de clase AB se tiene una mezcla entre el comportamiento del
amplificador clase A y B, es decir la corriente puede fluir a travs de la carga presentando un
ngulo de conduccin de entre 180 a 360. Este tipo de amplificador es utilizado
principalmente por su alta eficiencia y para aplicaciones de potencia, ver Fig. 10.

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Fig. 10. Operacin del amplificador de clase AB

Experimentalmente se ha determinado que la Clase AB a menudo ofrece un rango dinmico3

superior al encontrado en la operacin de la Clase A o Clase B, esto se debe a que la ganancia de
compresin4 en la clase AB proviene de la configuracin de la Clase A.
Para mejorar la linealidad de la respuesta del amplificador es necesario disear la polarizacin de
voltaje de base de forma que se obtenga una impedancia de entrada baja, este tipo de diseo es
diferente a los diseos comunes de polarizacin de TBJ para baja seal (small signal BJT) o de
polarizacin de voltaje para alta impedancia utilizado en diseo de amplificadores con FET.

El margen que hay entre el nivel de referencia y el ruido de fondo de un determinado sistema, medido en
decibelios.
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La Ganancia de compresin ocurre cuando al incrementar la potencia de entrada de un amplificador se alcanza un
nivel en el que la ganancia del amplificador se reduce y se incrementan las no linealidades en la potencia de salida.
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Clase C
En el caso del amplificador de clase C, la corriente fluye a travs de la carga presentando un
ngulo de conduccin menor a 180. Este tipo de amplificador presenta una salida con una
alta distorsin de seal, ver Fig. 11.

Fig. 11. a) Operacin del amplificador de clase C

Se puede decir que en este caso el transistor est polarizado de forma que para las condiciones de
estado estacionario (condicin normal de operacin) no existe flujo de corriente de colector.

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Fig. 11. b) Amplificador de clase C

Nota: La frecuencia de autoresonancia es la frecuencia en la que un inductor entra en resonancia

gracias a la capacidad distribuida del mismo inductor.
Para este caso se puede decir que la linealidad del amplificador Clase C es la ms baja de todas
las clases de amplificadores, algunos autores sealan que la eficiencia en Clase C es
aproximadamente 85%.
Con el propsito de polarizar un transistor para que ste opere en Clase C, es necesario polarizar
de forma inversa la juntura base-emisor. Para este caso no es necesario utilizar polarizacin
externa, esto debido a que es posible forzar al transistor para que ste provea su propia
polarizacin utilizando una inductancia de choke desde la base hacia tierra.
Uno de los mayores problemas al implementar amplificador Clase C en aplicaciones de estado
slido es la oscilacin del voltaje de entrada, la que coincide con el voltaje pico de salida en el
colector (drenaje). sta es la peor condicin de ruptura inversa (reverse breakdown) en un
transistor, ya que inclusive pequeas corriente de fuga fluyendo en un ciclo de seal producen
efectos importantes en la eficiencia. Es debido a esto que amplificadores de Clase C
implementados con electrnica de estado slido no son utilizados para trabajar en frecuencias de
microonda.
Con el propsito de disear un amplificador de Clase C, el transistor debe presentar un voltaje de
ruptura de colector que sea al menos 3 veces el voltaje de la fuente de alimentacin, esto debido
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a que si bien es cierto la potencia promedio de salida es baja, ya que el transistor conduce por
cortos periodos de tiempo, pero demanda altos niveles de corriente en estos dichos periodos.

Fig. 12. Resumen de operacin de las diferentes clases de amplificadores.

Bibliografa:
[1] I. Rosu. RF Power Amplifiers. http://www.qsl.net/va3iul.
[2] Tocci R. Ingeniera Electrnica. Interamericana. Vol. I. 1986.
[3] D. M. Pozar, Microwave Engineering, JohnWiley, 2004. ISBN 0-471-17096-8.
[4] Z. Hu. Microwave Design. The University of Manchester. 2013.
[5] Gain Compression. http://na.tm.agilent.com/pna/help/latest/Tutorials/Gain_Comp.htm

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