Dispositivos de Memoria

Gabriel Santiago Orellana Cabrera

gorellanac@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Cuenca - Ecuador

I. INTRODUCCION
Una de las principales ventajas de los sistemas digitales sobre los analgicos es su habilidad para almacenar con facilidad
GRANDES CANTIDADES DE INFORMACION Y datos digitales. Esta capacidad de memoria es lo que hace a los sistemas
digitales tan verstiles y adaptables a muchas situaciones.
En este documento estudiaremos de los tipos de dispositivos y sistemas de memoria que se utilizan con ms frecuencia. Ya nos
hemos familiarizado bastante con el flip-flop, que es un dispositivo de memoria electrnico. Tambin hemos visto cmo pueden
utilizarse grupos de FFs, a los cuales se les llama registros, para almacenar informacin y como esta informacin puede transferirse
hacia otras ubicaciones. Los registros de FF son elementos de memoria de alta velocidad, los cuales se utilizan mucho en las
operaciones internas de una computadora digital, en donde la informacin digital se desplaza continuamente de una ubicacin a
otra. Los avances en las tecnologas LSI y VLSI han hecho posible colocar grandes cantidades de FFs en un solo chip, ordenados
en diversos formatos de arreglos de memoria. Estas memorias semiconductoras bipolares y MOS son los dispositivos de memoria
ms veloces disponibles, y su costo se ha ido reduciendo en forma continua, a medida que mejora la tecnologa LSI.
II.

DESARROLLO

II-A. Tipos de Memoria.

Las memorias semiconductoras: se utilizan como memoria principal de una computadora en donde la operacin rpida es
importante. La memoria principal de una computadora esta en comunicacin constante con la unidad central de procesamiento a
medida que se ejecuta un programa de instrucciones. El programa y cualquier informacin que este utilice residen en la memoria
principal mientras la computadora trabaja con ese programa. La RAM y la ROM conforman la memoria principal.
La memoria auxiliar: es otra forma de almacenamiento en la computadora esta memoria auxiliar est separada de la memoria de
trabajo principal y tienen la capacidad de almacenar cantidades masivas de datos, sin necesidad de energa elctrica. Opera a una
velocidad mucho ms lenta que la memoria principal.

Figura 1. Un sistema computacional utiliza por lo general memoria principal de alta velocidad memoria auxiliar externa ms lenta. 1

III-B. Definicin de Memoria.

El estudio de los dispositivos y sistemas de memoria est lleno de terminologa que algunas veces puede ser abrumadora para un
estudiante. Antes de ver una descripcin detallada sobre las memorias, sera conveniente que entendiera el significado de algunos
de los trminos ms elementales.

Celda de memoria. Un dispositivo o un circuito elctrico utilizado para almacenar un bit (0 o 1).
Palabra de memoria. Un grupo de bits (celdas) en una memoria, el cual representa instrucciones o datos de cierto tipo.

Byte. Un trmino especial que se utiliza para un grupo de ocho bits. Un byte siempre consiste de ocho bits. Los tamaos de
las palabras pueden expresarse en bytes o en bits.
Capacidad. Una manera de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria especifico o en un
sistema completo de memoria. Por ejemplo, suponga que tenemos una memoria que puede almacenar 4096 palabras de 20
bits.
Densidad. Otro termino para capacidad.
Operacin de lectura. La operacin mediante la cual la palabra binaria almacenada en una ubicacin especifica de memoria
(direccin) se detecta y despus se transfiere hacia otro dispositivo.
Memoria de acceso secuencial (SAM). Un tipo de memoria en la cual el tiempo de acceso no es constante, sino que vara
dependiendo de la ubicacin de la direccin. Una palabra especifica que esta almacenada se encuentra mediante la bsqueda
secuencial a travs de todas las ubicaciones de las direcciones, hasta que se llega a la direccin deseada.
Memoria de lectura/escritura (RWM). Cualquier memoria que se puede leer, o en la que se puede escribir, con la misma
facilidad.
Memoria de slo lectura (ROM). Una amplia variedad de memorias semiconductoras, diseadas para aplicaciones en las
que la proporcin de operaciones de lectura en comparacin con las de escritura es muy alta.
Dispositivos de memoria esttica. Los dispositivos de memoria semiconductora en la cual los datos se almacenaran de
manera permanente, siempre y cuando se aplique energa, sin necesidad de reescribir los datos en la memoria en forma
peridica.
Dispositivos de memoria dinmica. Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los datos no se almacenaran en
forma permanente.
Memoria principal. Tambin se le conoce como memoria de trabajo de la computadora.
Memoria auxiliar. Tambin se le conoce como almacenamiento masivo, ya que guarda cantidades masivas de informacin
externa a la memoria principal.
Dispositivos de memoria esttica. Los dispositivos de memoria semiconductora en la cual los datos se almacenarn de
manera permanente siempre y cuando se aplique energa sin necesidad de reescribir los datos en la memoria en forma
peridica.
Dispositivos de memoria dinmica. Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los datos no se almacenan en
forma permanente aun y cuando se le aplique energa a menos que se reescriban en forma peridica en la memoria.
Memoria principal. Tambin se le conoce como memoria de trabajo de la computadora. Almacena instrucciones y datos
con los que la CPU est trabajando en un momento dado. Es la mayor velocidad en la computadora y siempre es
semiconductora.
Memoria auxiliar. Tambin se le conoce como almacenamiento masivo ya que guarda cantidades masivas de informacin
externa a la memoria principal. Es ms lenta en velocidad que la memoria principal y siempre es no voltil.

III-C. Operacin General de una Memoria.

Aunque cada tipo de memoria es distinto en su operacin interna, ciertos principios de operacin bsicos son iguales para todos los
sistemas de memoria. Comprender estas ideas bsicas le ayudara en el estudio de los dispositivos de memoria individuales.
Todo sistema de memoria requiere varios tipos distintos de lneas de entrada y de salida para realizar las siguientes funciones:
1. Seleccionar la direccin en memoria a la que se va a acceder para una operacin de lectura o de escritura.
2. Seleccionar una operacin de lectura o de escritura a realizar.
3. Suministrar los datos de entrada que se van a almacenar en memoria durante una operacin de escritura.
4. Retener los datos de entrada que provienen de la memoria durante una operacin de lectura.
5. Habilitar (o deshabilitar) la memoria, de manera que responda (o no) a las entradas de direccin y a la lnea de seleccin de
lectura/escritura.

Figura 2. Diagrama de una memoria de 32 x 4 y Arreglo virtual de las celdas de memoria en 32 palabras de 4 bits. 1

III-C.1. Entradas de Direccin.

Como esta memoria almacena 32 palabras, tiene 32 distintas ubicaciones de almacenamiento y, por lo tanto, 32 distintas direcciones
binarias, las cuales varan de 00000 a 11111 (de 0 a 31 en decimal). Por ende, hay cinco entradas de direccin (#0 & #4).

IV-D. Conexiones entre CPU y Memoria.

La memoria principal de una computadora est compuesta por CIs tipo RAM y ROM, los cuales se conectan a la CPU a travs de
tres grupos de lneas de seal o buses, como las lneas de direccin o bus de direccin, las lneas de datos o el bus de datos, y las
lneas de control o el bus de control. Cada uno de estos buses consiste de varias lneas (observe que se representan mediante una
sola lnea con una barra diagonal), y el nmero de lneas en cada bus varia de una computadora a otra. Los tres buses juegan un
papel necesario para permitir que la CPU escriba datos en la memoria y lea datos de ella.

Figura 5. Tres tipos de buses conectan a los CIs de la memoria principal con el CPU. 1
La CPU tambin almacenara (escribir) datos en ubicaciones de memoria, segn lo dicten las instrucciones del programa. Cada vez
que la CPU desea escribir datos a una ubicacin de memoria especfica, deben realizarse los siguientes pasos:
IV-D.1. Operacin de escritura
1. La CPU suministra la direccin binaria de la ubicacin de memoria en la que se van a almacenar los datos. Coloca esta direccin
en las lneas del bus de direccin.
2. La CPU coloca los datos que se van a almacenar en las lneas del bus de datos.
3. La CPU activa las lneas de seal de control apropiadas para la operacin de escritura en la memoria.
4. Los CIs de la memoria decodifican la direccin binaria para determinar que ubicacin se est seleccionando para la operacin de
almacenamiento.
5. Los datos en el bus de datos se transfieren hacia la ubicacin de memoria seleccionada. Cada vez que la CPU desea leer datos de
una ubicacin especifica en memoria, deben realizarse los siguientes pasos:
IV-D.2. Operacin de lectura
1. La CPU suministra la direccin binaria de la ubicacin de memoria de la cual se van a recuperar los datos. Coloca esta direccin
en las lneas del bus de direccin.
2. La CPU activa las lneas de seal de control apropiadas para la operacin de lectura de la memoria.
3. Los CIs de la memoria decodifican la direccin binaria para determinar cul ubicacin se est seleccionando para la operacin
de lectura.
4. Los CIs de memoria colocan los datos de la ubicacin de memoria seleccionada en el bus de datos, desde donde se van a transferir
hacia la CPU. Los pasos anteriores deben dejar en claro la funcin de cada uno de los buses del sistema:

Bus de direccin. Este bus unidireccional transporta las salidas de la direccin binaria del CPU hacia los CIs de memoria,
para seleccionar una ubicacin de memoria.
Bus de datos. Este bus bidireccional transporta los datos entre el CPU y los CIs de memoria.

V-E. Habilitacin de Memoria.

Esta entrada controla que operacin de memoria se va a realizar: lectura (R) o escritura (W). La entrada se identifica como */,;
no hay barra sobre la R, lo cual indica que la operacin de lectura ocurre cuando = 1. La barra sobre la W indica que la operacin
-

de escritura se realiza cuando = 0. A menudo se utilizan otras etiquetas para identificar esta entrada. Dos de las ms comunes
.
son W (escritura) y WE (habilita escritura). De nuevo, la barra indica que la operacin de escritura se lleva a cabo cuando la entrada
esta en BAJO. En estos ltimos casos se sobreentiende que la operacin de lectura ocurre cuando la entrada est en ALTO.

a)
b)
Figura 4. a) ESCRITURA de la palabra de datos 0100 en la ubicacin de memoria 00011. b) LECTURA de la palabra de datos
1101 de la ubicacin de memoria 11110 1
VI-E. Memoria solo Lectura.
La memoria de solo lectura es un tipo de memoria semiconductora, diseada para retener datos que sean permanentes o que no
cambien con frecuencia. Durante la
Operacin normal, no pueden escribirse datos en una ROM, pero si se pueden leer. Para algunas ROMs, los datos almacenados
deben integrarse durante el proceso de manufactura; para otras ROMs los datos pueden introducirse mediante electricidad.
Al proceso de introducir datos se le llama programacin o quemado de la ROM. Algunas ROMs no pueden cambiar sus datos una
vez programadas; otras pueden borrarse y reprogramarse tantas veces como se requiera.

Figura 6. Smbolo de Bloque de la Rom. 1

VII-F. Arquitectura de la ROM.

La arquitectura (estructura) interna de un CI de ROM es muy compleja, por lo que no intentaremos familiarizarnos con todos sus
detalles.
VII-F.1. Arreglo de registros
El arreglo de registros almacena los datos que se programan en la ROM. Cada registro contiene varias celdas de memoria que
equivalen al tamao de palabra. En este caso, cada registro almacena una palabra de ocho bits. Los registros se ordenan en un
arreglo de matriz cuadrada, comn para muchos chips de memoria semiconductora. Podemos especificar que la posicin de cada
registro est en una fila y una columna especficas. Por ejemplo, el registro 0 est en la fila 0, columna 0, y el registro
9 est en la fila 1, columna 2.
VII-F.2. Decodificadores de direccin
El cdigo de direccin A3A2A1A0 que se aplica es el que determina que registro en el arreglo se habilitara para colocar su palabra
de datos de ocho bits en el bus. Los bits de direccin A1A0 se alimentan a un decodificador 1 de 4, el cual activa una lnea de
seleccin de fila, y los bits de direccin A3A2 se alimentan a un segundo decodificador 1 de 4, el cual activa una lnea de seleccin
de columna.
VII-G. Sincronizacin de la ROM
Durante una operacin de lectura se produce un tiempo de propagacin entre la aplicacin de las entradas de una ROM y la aparicin
de las salidas de datos. Este tiempo de propagacin, conocido como tiempo de acceso (0#11), es una medida de la velocidad de
operacin de la ROM.

Figura 8. Sincronizacin de la Rom. 1

VII-H. Tipos de ROMS

Ahora que tenemos una comprensin general sobre la arquitectura interna y la operacin externa de los dispositivos de ROM,
analizaremos los diversos tipos de ROMs para ver como difieren en la manera en que se programan, se borran y se reprograman.
VII-H.1. ROM programada por mscara
La ROM programada por mascara (MROM) almacena su informacin al momento en que se fabrica el circuito integrado.

Figura 9. Rom programada por Mascara. 1

VII-H.2. ROMs programables (PROMs)

Una ROM programable por mascara es muy costosa y se utiliza solo en aplicaciones donde se debe fabricar una alta cantidad de
memorias idnticas, y as repartir el costo entre muchas unidades. Para las aplicaciones de menor volumen, los fabricantes han
desarrollado PRO Ms con enlaces de fusible, las cuales son programables por el usuario; esto es, no se programan durante el proceso
de fabricacin sino que el usuario los programas segn sus necesidades. Sin embargo, una vez programada, una PROM es como
una MROM ya que no puede borrarse y reprogramarse. Por lo tanto, si el programa en la PROM tiene fallas o debe modificarse,
hay que desechar esa
PROM. Por esta razn, a estos dispositivos se les conoce por lo general como ROMs programables una sola vez (OTP).

Figura 10. Las PROMs utilizan enlaces de fusible; el usuario puede abrir estos enlaces en forma selectiva para programar un 0 lgico en una.

VII-I. Arquitectura de la RAM

Al igual que con la ROM, es til pensar en la RAM como si consistiera de un nmero de registros, cada uno de los cuales almacena
una sola palabra de datos y tiene una direccin nica. Por lo general las RAMs tienen capacidades de palabras de 1K, 4K,
8K, 16K, 64K, 128K, 256K y 1024K, con tamaos de palabra de uno, cuatro u ocho bits. Como veremos ms adelante, la capacidad
de palabras y el tamao de palabra pueden expandirse mediante la combinacin de chips de memoria.
La fi gura 12-19 muestra la arquitectura simplificada de una RAM que almacena 64 palabras de cuatro bits cada una (es decir, una
memoria de 64 x 4).

Figura 11. Organizacin interna de una RAM de 64 x 4 1

VII-I.1. Tipos de memoria
PROM: La PROM es una memoria programable de solo lectura. Estas no vienen programadas de fabrica sino que es el propio
usuario es el que se encarga de grabar la informacin, y una vez que los datos se han grabado no se pueden borrar. Si Grabamos
mal alguna informacin esta no se podr modificar.
PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada
bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada
(pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son
utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos
los casos.
EPROM: Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. Y aplicando en un pin especial de la
memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la
posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o
programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta, Al mismo
tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del transistor, crendose de esta manera un
campo elctrico fuerte dentro de las capas del material Semiconductor. Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de
los electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante
que normalmente asla la compuerta flotante.
(ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos
cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga, por lo que es
ledo como un 0 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo
electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben
carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte
luz ultravioleta.
SRAM: SRAM proviene de ("Static Read Aleatory Memory"), lo que traducido significa memoria esttica de acceso aleatorio. Se
trata de una memoria RAM que tiene la caracterstica de estar construida a base de transistores (a diferencia de la memoria DRAM
que la mayora utilizamos en las computadoras, la cul esta fabricada a base de capacitores).
La caracterstica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrnicas del transistor, este no necesita
estarse cargando constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de la DRAM, el cul necesita constantemente