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Jefe de Prcticas:
Ing. Christiam G. Collado Oporto
Cdigo:
Semestr
e:
Grupo:
Lab. N:
FECHA:
01
OBJETIVOS
MARCO TERICO
DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termnales que tiene el smbolo y las caractersticas siguientes:
Proporciona una base comparativa respecto de las caractersticas de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducir
corriente en la direccin definida por la fecha en el smbolo, se comporta como circuito cerrado para la regin de conduccin, y
actuar como un circuito abierto al intentar establecer corriente en direccin opuesta. Para el diodo ideal:
DIODO SEMICONDUCTOR
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la regin de conduccin se combinarn, dando como resultado una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones positivos y
negativos recibe el nombre de regin de agotamiento por ausencia de portadores en la
misma.
La aplicacin de un voltaje implica tres posibilidades:
No hay polarizacin (VD = 0v)
Polarizacin directa (VD > 0v)
Polarizacin inversa (VD < 0v)
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Lab. CE1
SIN POLARIZACIN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la
regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as
como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el rea ms all de la regin de agotamiento del material
tipo p. Sin embargo el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habr un
pequeo nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de
agotamiento y llegar al material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado el flujo neto de carga en cualquier
direccin para un diodo semiconductor es cero.
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Las caractersticas de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la figura # 1. Note el cambio en la
escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la regin de polarizacin inversa la comerte de saturacin inversa
es justamente constarte de 0 V al potencial Zener.
rpidamente cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva est subiendo casi verticalmente a un
voltaje de polarizacin directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarizacin directa se limitar solamente por la red en que el diodo es conectado o por la mxima
comento o por el valor de potencia del diodo.
Rd =
VD
ID
La resistencia de AC o Dinmica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una lnea
tangente dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje (
ser determinado siguiendo la ecuacin aplicada:
R rd =
V
I
) y corriente (
de desviacin puede
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EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC , DMM
Resistores 1/4W : 1K, 1M,
Diodos : Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60
PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo
CONEXIN DIRECTA
TEST
DIRECTO
INVERSO
SI:
SI:
GE:
SI:
SI:
Lab. CE1
GE:
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Lab. CE1
D
Rmedido = _______________
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)
Tabla 3.
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
VR (V)
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)
Tabla 4.
R
1M
20 V
Rmedido = _____________
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I D=
VR
R med R m
(Si)
(Ge)
Rm
VR
ID
MEDIDO
CALCULADO
R DC =
V V R
ID
RDC(Si ______) =
RDC(Ge ______) =
PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas caractersticas de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla
6, 7 y 8
Diodo ________ (Si)
ID (mA)
0,2
1
5
10
VD
RDC
Tabla 6.
VD
Tabla 7.
RDC
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Lab. CE1
CUESTIONARIO FINAL
analizados en laboratorio?
De la ficha tcnica de los diodos, anote los valores ms importantes y/o usuales a
consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general.
Anote los valores de acuerdo a la eleccin hecha.
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