UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
tema:
AMPPLIFICADORES MULTIETAPA
presentado por:
LPEZ VEGA, ERICSSON
SANCHEZ GARAY, RENZO
CHANDUV VELASQUEZ, JEAN
Docente:
ING. CARLOS MEDINA RAMOS
LIMA-PER
2016

1
1.1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA

RESUMEN

En el caso de los amplificadores que utilizan un

solo transistor, estos circuitos tienen una ganancia,

Los amplificadores multietapa son circuitos electr-

Zin, Zout y capacidades de manejo de potencia limi-

nicos formados por varios transistores (BJT o FET),

tados, y no pueden ser utilizados para llenar cualquier

que pueden ser acoplados en forma directa o median-

necesidad de amplificacin. Afortunadamente, las li-

te capacitores. Las configuraciones clsicas son el

mitaciones de amplificacin en una sola etapa se pue-

par Darlington (alta impedancia de entrada e incre-

den vencer mediante la utilizacin de amplificacin

mento de la ganancia de corriente), el par diferencial

en varias etapas.

(Relacin de rechazo en modo comn elevada), el

amplificador cascode (alta impedancia de salida). To-

Los amplificadores multietapa presentan un con-

das estas etapas amplificadoras pueden ser integradas

junto de conexiones de transistores que, aunque no

y encapsuladas en un chip semiconductor llamado

son los convencionales de emisor comn, colector co-

Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de

mn o base comn, son muy importantes ya que se

las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido

utilizan ampliamente en circuitos tanto discretos co-

a la mayor facilidad de construccin (a travs de tran-

mo integrados.

sistores).
La puesta en prctica de estos circuitos requiere
de tcnicas de diseo y de anlisis que van ms all de
los principios de diseo de una sola etapa. Las tcni-

1.2

OBJETIVOS

cas de diseo multietapas estn orientadas principal-

Disear, simular, implementar y analizar la ga-

mente hacia circuitos integrados. En un entorno de

nancia y respuesta en frecuencia de un amplifi-

circuito integrado, los parmetros de los dispositivos

cador lineal.

que dependen de variaciones en el proceso de fabricacin se pueden controlar nicamente dentro de un

Observar experimentalmente la amplificacin

rango especfico de valores. Sin embargo, todos los

gradual de un amplificador multietapa, etapa

dispositivos de un circuito integrado tienen procesos

por etapa, para de esta manera poder descubrir

de fabricacin virtualmente idnticos. En consecuen-

sus posibles aplicaciones.

cia, dispositivos con parmetros bastante parecidos, si

no exactamente predecibles, s estn fcilmente dis-

Observar experimentalmente el efecto de la fre-

ponibles.

cuencia de operacin en el desempeo de un

amplificador.

1.3

FUNDAMENTO TERICO
1.3.1

Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sis-

Tipos de acoplamiento

temas que tienen mltiples transistores (BJT o FET)

y adems pueden ser conectadas entre s para mejorar

El acoplamiento establece la forma en la cual se co-

sus respuestas tanto en ganancia, Zin, Zout o ancho

nectan las distintas etapas amplificadoras, dependien-

de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de DC

do de la naturaleza de la aplicacin y las caractersti-

como de AC.

cas de respuesta que se desean.

1

Figura 1: acoplamiento

Figura 3: acoplamiento capacitivo

Existen distintos tipos de acoplamiento: acopla-

1.3.1.3

miento directo, capacitivo y por transformador.

Acoplamiento por transformador Muy

popular en el dominio de las radiofrecuencias. El

transformador como carga permite aislar seales y

1.3.1.1

Acoplamiento directo Consiste bsica-

adems, seleccionando la razn de vueltas en el trans-

mente en interconectar directamente cada etapa me-

formador, se pueden lograr incrementos de tensin

diante un cable. Se permite la amplificacin tanto de

o de corriente. Los transformadores permiten aislar

la componente de seal como de la componente con-

elctricamente las etapas.

tinua del circuito. Se dice que los circuitos de CD

se acoplan directamente. Presenta buena respuesta a
baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor comn con otras de seguidor
de emisor. Cuando los circuitos se acoplan de esta
manera se habla de circuitos en CD y AC.

Figura 4: acoplamiento por transformador

1.3.2

Conexiones

Las configuraciones clsicas son el par Darlington (alFigura 2: acoplamiento directo

ta impedancia de entrada e incremento de la ganancia

de corriente), el par diferencial (Relacin de recha-

1.3.1.2

Acoplamiento capacitivo Permite des-

zo en modo comn elevada), el amplificador Cascode

acoplar los efectos de polarizacin entre las etapas.

(alta impedancia de salida) y la conexin en Cascada.

Permite dar una mayor libertad al diseo pues la po-

Todas estas etapas amplificadoras pueden ser integra-

larizacin de una etapa es independiente de las otras.

das y encapsuladas en un chip semiconductor llamado

Se usa cuando slo se desea amplificar seal. La pre-

Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de

sencia de un capacitor anula las componentes de DC

las etapas se hace usando fuentes de corriente, debi-

permitiendo slo la amplificacin de seales AC. Con

do a la mayor facilidad de construccin (a travs de

este tipo de acople, la respuesta en baja frecuencia del

transistores).

amplificador se ve afectada seriamente. Cuando los

circuitos se acoplan de esta manera se habla de cir-

1.3.2.1

cuitos en AC.

conexiones mutietapas en grandes amplificadores, la

2

Conexin en Cascada Entre las posibles

conexin en cascada es la ms simple. En una cone-

individuales. La conexin Darlington de transistores

xin en cascada la tensin y la corriente de salida de

proporciona un transistor que cuenta con una ganan-

una etapa son pasados directamente a la entrada de la

cia de corriente muy elevada, por lo general de unos

siguiente etapa. La ganancia total del amplificador es

miles.

el producto de las ganancias de cada etapa.

Figura 5: conexin en cascada

1.3.2.2

Conexin Cascode

Figura 7: conexin por darlington

Una conexin casco-

de cuenta con un transistor por encima de (en serie

1.4

con) otro. La figura muestra una configuracin casco-

PAR RETROALIMENTADO

de con una etapa de EC alimentando a una etapa de

BC. Este arreglo est diseado para proporcionar una
alta impedancia de entrada con una baja ganancia de
voltaje para asegurar que la capacitancia Miller de entrada sea mnima con la etapa de BC proporcionando
una operacin adecuada a alta frecuencia.

Figura 8: par retroalimentado

1.5

APLICACIONES

Algunas de las aplicaciones de los amplificadores

multietapa se encuentran en:
Etapas intermedias de un amplificador de audio.

Figura 6: conexin cascode

Amplificadores operacionales (etapa diferen1.3.2.3

Conexin Darlington

Una conexin muy

cial).

popular de 2 transistores de unin bipolar para ope Espejos de corriente.

rar como un transistor con superbeta es la conexin

Darlington. Corresponde a 2 etapas seguidor emisor.

Amplificadores sintonizados.

La principal caracterstica de la conexin Darlington

es que el transistor compuesto acta como una unidad

Par de retroalimentacion.

simple con una ganancia de corriente que es el pro Tecnologa CMOS (compuertas lgicas).

ducto de las ganancias de corriente de los transistores

3

1.6

MATERIALES

comnmente menores a 25mV y valores contenidas en la banda de audio-frecuencia, 100Hz-

Los dispositivos a emplear en este laboratorio son:

100kHz, respectivamente). Cuando el transis 4 Transistores 2N222A.

tor se encuentra trabajando en baja frecuencia

se considerar el modelo de parmetros hbri-

Resistencias:

dos para su funcionamiento.

R1= 10K, R2= 100K, R3= 68K, R4=

2.2K, R5= 3.9K, R6= 3.3K, R7= 0.1K,

2. Para la primera etapa Q1 Q2 del circuito en

dIc2
dT ,

R8= 2.2K, R9= 68K, R10= 22K, R11=

estudio, escriba la ecuacin

3.9K, R12= 1.5K, R13= 3.3K, R14=

Ic2 = f (ICB2 ,VBE ) y considerando que los BJT

0.1K, R15= 0.68K, RL= 10K

son de silicio.

Condensadores:

tal que

se sabe que:

Electrolticos:

dIC =

C1= 0.22F, C2= 47F, C3= 0.15F,

C4= 0.22F, C5= 47F

IC
IC
IC
dICBO +
dVBE +
d
ICBO
VBE

dado la condicion que:

Cermicos:

IC2 = f (ICB2 ,VBE

C6 = 1.8F, C7 = 1.2F
luego:

1 protoboard.

dIC2 dICBO
dIC2 dVBE
dIC2
=
+
dT
dICBO dT
dVBE dT

1 generador de seales.

de Q2 sabemos que:

1 fuente DC regulable.

IC2 = ( + 1)ICBO + IB

1 multmetro.
1 osciloscopio.

derivando respecto a IC2

Cables de conexin.
1 = ( +1)

INFORME PREVIO

IB2
ICBO
1+
ICBO
+
S=
=
IC2
IC2
IC2
1 IIB2

C2

1. Detallar las condiciones para los que un bjt y/o

S=

fet puede operar en baja frecuencia.

IC2
1+
h
i
=
ICBO
7 +R8
1 + RBR+R
7 +R8

(1)

En la malla que pasa por la base y el emisor de

Conocidas las frecuencias de corte inferior ( fL

Q2 tenemos que:

) y superior ( fH ) para una configuracin dada solo hay que ajustar la frecuencia de la seal
VB = IB2 RB + (IC2 + IB2 )(R7 + R8 )

que se va a amplificar a un valor menor a la frecuencia fL , es decir el transistor opera en una

Derivando respecto a IC2 y despejando se ten-

zona donde se encuentre linealidad entre las ca-

dr:

ractersticas de la seal de entrada y salida (Por

lo general cuando la seal de entrada presenS0 =

ta una pequea amplitud con baja frecuencia,

4

IC2

=
VBE
RB + (R7 + R8 )(1 + )

(2)

Donde S y S representan los factores de esta-

de estos parmetros para que la ganancia no se

bilidad de IC2 respecto a los parmetros ICBO y

vea afectada.

VBE respectivamente.
Finalmente de las ec 1 y 2 tendremos el ndice
de variacin de IC2 con respecto a T:

dI
dIC2
1+
CBO
h
i
=
+
1 + R7 +R8 dT
dT
RB +R7 +R8


RB + (R7 + RB )(1 + )

dVBE
dT

3. Fundamente las razones por los que se disea la

ganancia y otros parmetros de un amplificador
independiente del hfe , hie , etc., del BJT por
ejemplo.

Uno de los objetivos en el diseo, es lograr la

mxima estabilidad posible de un sistema o red.
Como en el siguiente experimento trabajaremos
con BJT, la corriente que circula por el colector
es sensible a los siguientes parmetros:
: Se incrementa con el aumento de la
temperatura
| V BE | Disminuye cerca de 7.5 mV por
cada incremento de la temperatura en un
grado Celsius C
ICO (corriente de saturacin inversa): se
duplica en su valor por cada incremento
de 10 C en la temperatura.
Cualquiera de estos factores puede ocasionar
que el punto de operacin se desve del punto de operacin determinado. Haciendo as al
sistema demasiado inestable e intil para utilizarlo, de esta manera se busca la manera de
disear el sistema independiente de cualquiera
5

adems R5 << h f e2 R7 y R7  0.11k

4. Disee un circuito amplificador ARGOS 1 bajo

las siguientes premisas

dado que G2=32 =R6/R7

R6  3.6kW

Fuente de operacin DC 12v

adems

Elementos activos 2N2222A

Seal de prueba 1kHz 10mv, resistencia

R8 = 2.51 R7  2.4K

10k
entonces el circuito equivalente para la primera
Corrientes ICQ mayores o iguales a 1mA

etapa Vin0 = 400mV y Ri0 = 3.6k

Frecuencia de corte fi=100Hz y fs=5kHz

nuevamente sabemos fa=0.8 fa = Zin/(Zin+Ri)

Ganancia a frecuencias medias 350

y Zin  15.12k  Rb tomamos Icq3=1.4mA

y V8=2.1V

Sea la ganancia total 896, nos excedemos del

R12  1.5k

continua es muy cercano al valor pico-pico de

h f e2R14R14  0.091k

nuestra seal de salida, optamos por: G12=32

V7=2.8 v y V10=1.47v en consecuencia

G34=28 Adoptamos hfe=150 para todos los

al valor de V8=2.1v dado que G3=0.8 y

transistores dado que este es su valor sugerido

G34/G3=G4=36=R13/R14

por el manual ECG

Como V7=2.8 v y Rb = 15.12kyR9 

sean los valores de: SI = 11y f a = 0.8

62kyR10  20k Sea Vceq3=4.3v, V6=6.4v,

Rb/R5 = 10

R11 = (V + V 6)/Icq3  3.9k Dado que

adems

V10=1.47V y (R14+R15)=V10/Icq4 asumimos

Zin =

Rb
hie + R5 h f e

Como

R12 <<

valor de 350 por que el valor de la fuente

Icq4=2mA
Tendremos entonces que R14 + R15  0.735k

Zin
fa =
Zin + Ri

y R15=0.65k Para que l ultimo transistor se

mantenga operando elegimos Vce4=4V Por

como Ri = 10k y Rb  40k adems sabe-

tanto V 9  5.47V R13  3.3kW

mos que Rb < Zin seaRb = 39.5k

para este valor tendremos R5 = 3.6k
ademas asumimos Icq1 = 1.1mA, V 3 = 3.44V ,
V 2 = 4.085, V 5 = 2.8V dado que V 2 = 4.085V
y Rb = 39.5

R2  110kyR3  62K
asumimos Vce1 = 6.5V , V1 = 10V , R4 = (V +
V 1)/Icq1  2k como V 5 = 2.8V adoptamos Icq2 = 1.11mA y
R7 + R8 = 2.8/1.11 = 2.51k
dado que G1=fa=0.8 G2=G12/G1=32 /0.8=40
6

5. Simular el circuito y graficar los principales parmetros del amplificador.

Figura 12: Vin

Figura 9: ARGOS1.CIR

DIAGRAMAS DE BODE DEL

AMPLIFICADOR ARGOS1.CIR

Figura 13: Respuesta transitoria

Diagramas que prueban que los transistores Q3

y Q4 operan en Regimen Lineal

Figura 10: diagrama de Amplitud

Figura 14: V8-V10

Figura 11: diagrama de Fase

Respuesta del amplificador ARGOS1.CIR a

Figura 15: V5-V3

una onda de prueba de 1Khz

7

6. Comprobar que las junturas Base-Emisor trabajan en el regimen lineal y de minima distorsin
armonica, basado en los diagramas de bode del
circuito ARGOS1.CIR Obtenidos de la simulacin.
Presencia de una o ms componentes de
seal a la salida que son mltiplos enteros
Figura 16: Diagrama de amplitud de

de la frecuencia de entrada (armnicos)

V13
V12

Distorsin no deseada producida por la no

linealidad del amplificador
Se suele especificar como la relacin entre el nivel de los armnicos y el nivel de
la seal de entrada que los gener, expresado en porcentaje o dB.
Se puede especificar para armnicos individuales o para un valor compuesto representando todos los armnicos (Total HarFigura 17: Diagrama de fase de

monic Distortion, THD)

V13
V12

En el diagrama de bode (fig 10) se observa que

para un rango aproximado de 100 Hz a 5 KHz
se tiene una respuesta lineal, lo cual indica que
estamos trabajando en un rgimen lineal.
Adems se observa en la siguiente figura (Ventana Fourier de PSPICE) que los mltiplos de
la frecuencia (f = 1 KHz) de la seal de entrada
no son de un carcter considerable, por lo tanto, se tendr un THD muy bajo (menor a 5%) lo
cual se considera lineal y de mnima distorsin

Figura 18: Diagrama de amplitud de

V3
V12

Figura 19: Diagrama de amplitud de

V3
V12

armnica.

7. Presente los diagramas de bode obtenidos de la

simulacin.
8

Figura 20: Diagrama de amplitud de

Figura 21: Diagrama de fase de

Figura 24: Diagrama de amplitud de

V14
V3

Figura 22: Diagrama de amplitud de

Figura 23: Diagrama de fase de

V14
V3

Figura 25:

V4
V12

V8
V4

Fase

Figura 26: Diagrama de amplitud de

V4
V12

Figura 27: Diagrama de fase de

V8
V4

V9
V8

V9
V8

Figura 28: Diagrama de amplitud de

Figura 29: Diagrama de fase de

V16
V8

Figura 30: Diagrama de amplitud de

V16
V8

Figura 31: Diagrama de fase de

10

V16
V12

V16
V12

ndice
1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA

1.1

RESUMEN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2

OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3

FUNDAMENTO TERICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1

Tipos de acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.1

Acoplamiento directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.2

Acoplamiento capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.1.3

Acoplamiento por transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conexiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.1

Conexin en Cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.2

Conexin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2.3

Conexin Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4

PAR RETROALIMENTADO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5

APLICACIONES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6

MATERIALES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3.2

ndice de figuras
1

acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

acoplamiento directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

acoplamiento capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

acoplamiento por transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

conexin en cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

conexin cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

conexin por darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

par retroalimentado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ARGOS1.CIR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

diagrama de Amplitud . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

diagrama de Fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

12

Vin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13

Respuesta transitoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

14

V8-V10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

15

V5-V3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

Diagrama de amplitud de

17

Diagrama de fase de

V13
V12

V13
V12

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

18

Diagrama de amplitud de

19

Diagrama de amplitud de

20

Diagrama de amplitud de

V3
V12
V3
V12
V14
V3

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

21

Diagrama de fase de

V14
V3

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

22

Diagrama de amplitud de

23

Diagrama de fase de

V4
V12

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Diagrama de amplitud de

25

V8
V4

27
28
29
30
31

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

24

26

V4
V12

V8
V4

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Diagrama de amplitud de
Diagrama de fase de

V9
V8

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Diagrama de fase de

10

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

Diagrama de amplitud de
Diagrama de fase de

V16
V12

V16
V8

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Diagrama de amplitud de
V16
V8

V9
V8

V16
V12

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

12