Prctica 1

Josefina Ivonne Rico Rodrguez, Miguel ngel Ruiz Villegas, Gustavo Mendoza Arreguin, Jos Manuel Lpez
Luna, David Peaflor Luna
Departamento de ingeniera mecatrnica, Instituto Tecnolgico de Celaya
Celaya, Mxico

ricorodriguez.ivo@hotmail.com
miguelruiz.ville@outlook.com
stavmdza@gmail.com
jl_mane@hotmail.com
davidpenaflorluna@gmail.com
Resumen Actualmente los diodos se fabrican a partir de
la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. En cada zona
la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo,
y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen
distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos.
Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P
pasan a la zona N. El electrn que pasa la unin se recombina
con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que
llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de
la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en
la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El
diodo es un componente elctrico que solo permite el paso de la
corriente en un sentido, se le denomina semiconductor por este
mismo motivo, ya que conduce la corriente elctrica solo en
determinadas condiciones.

Polarizacin en directa- La aplicacin de un potencial de

polarizacin en directa V D presionar a los electrones en el
material de tipo n a los huecos en el terminal de tipo para que se
recombinen con los iones prximos al lmite y reducir el ancho de
la regin de empobrecimiento. La corriente IS no cambia de
magnitud. Cuando se incrementa el voltaje aplicado, el ancho de la
regin de empobrecimiento continuar reducindose hasta que el
flujo de electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de la corriente.
Se pueden mostrar las caractersticas generales de un diodo
semiconductor mediante la siguiente ecuacin conocida como
ecuacin de Shockley, para las regiones de polarizacin en directa
y en inversa: [1]

" = $

&'

(&)

Palabras clave Diodo, corriente, electrones de Valencia,

semiconductor

I.INTRODUCCIN
Antes de pasar a la parte prctica, es necesario tener claros
algunos conceptos importantes, ya que de lo contrario es muy
probable que nuestra comprensin sea baja o confusa en cuanto a
interpretaciones fsicas.
Un diodo semiconductor se crea uniendo un material n (con
portadores minoritarios (+)) a un material de tipo p (con portadores
minoritarios (-)). En el momento en que los dos materiales se unen,
los electrones y huecos de la regin de unin se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a
la unin.
Sin ninguna polarizacin (voltaje externo) aplicada a travs de
un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una direccin es
cero.
Polarizacin en inversa- Si se aplica un potencial externo a
travs de la unin p-n con la terminal positiva conectada al
material tipo n y la negativa al tipo p, hay una mayor apertura de la
regin de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado
grande y los portadores mayoritarios no la pueden superar, as que
el flujo de stos se reduce efectivamente a cero. Sin embargo, si
hay flujo de portadores minoritarios. Esta se llama corriente de
saturacin en inversa y est representada por IS, la cual rara vez es
de ms de algunos mA.

Fig. 1 Caractersticas del diodo semiconductor de silicio.

II. DESARROLLO
En esta prctica se realiz un nico circuito en serie diodoresistencia, donde la fuente de voltaje es variable, el diodo
(1N4004) y la resistencia (220 ohms) de valores constantes.

Resultados obtenidos en la prctica

TABLA I
ID Y V D CUANDO LA FUENTE DE VOLTAJE ES VARIABLE
E (V)
0.01
0.02
0.04
0.06
1.4
2.4
3.5
5
6.8
9

V D (mV)
476
574
633
650
695
719
737
750
763
777

ID (mA)
0.06
0.46
1.99
2.65
6.33
11
15.93
23.1
30.6
40.7

50
40

Por medio de la realizacin de esta prctica se comprob que

el comportamiento de los diodos, est caracterizado por la
ecuacin de Shockley; La prctica consisti en aplicar un voltaje y
tomar lecturas de corriente, graficndolas para una mejor
visualizacin del comportamiento del diodo al llegar al voltaje
forward. La grafica se arrojada de por la corriente y voltaje del
diodo fue exponencial.
Miguel ngel Ruiz Villegas
De la prctica presentada en el laboratorio se obtuvieron
conocimientos sobre la utilizacin de un diodo, y se represent de
manera grfica la corriente que ste libera, del mismo modo
anotando los datos correspondientes sobre voltaje y corriente, lo
cual ayudo a comprender su uso y funcin.
Gustavo Mendoza Arreguin
En esta prctica pudimos apreciar y entender de una manera
ms prctica la curva caracterstica del diodo, y poder entender de
una manera ms clara como es que se comporta administrndole
diferentes voltajes y corrientes.
Jos Manuel Lpez Luna

30
20
10
0
0

200

400

600

800

1000

Fig. 2 Corriente del diodo (ID) en funcin de su voltaje (V D)

III. DISCUSION
Durante esta prctica nos dimos a la tarea de encontrar la curva
caracterstica del diodo, esto de una manera practica en el
laboratorio de mecatrnica. Al principio nos enfrentamos a varias
dificultades, tales como que el diodo no embonaba en los orificios
de la protoboard, pero esto fueron dificultades menores.
En el momento que empezamos a introducir corriente y voltaje
nos dimos cuenta que algo no estaba correcto, ya que los valores
que obtenamos no nos daban la curva caracterstica del diodo, por
lo que decidimos pedir la ayuda de nuestro profesor. Con su ayuda
y aclarndonos todo, usamos el generador de funciones para
apreciar de una mejor manera los valores de la corriente y el
voltaje que estbamos aplicando y sobre la cual estaba trabajando
el diodo. De esta manera fue ms fcil hacer el bosquejo de la
curva caracterstica del diodo de una manera grfica, obtenida por
nosotros mismos.
En esta prctica pudimos apreciar y entender de una manera
ms prctica la curva caracterstica del diodo, y poder entender de
una manera ms clara como es que se comporta administrndole
diferentes voltajes y corrientes.

IV. CONCLUSIONES
Despus de aplicar valores mayores a 700mV, pudimos
observar que los valores para la corriente adoptaron un
comportamiento exponencial notorio, lo cual coincide con la
ecuacin de Shockley, demostrando as que los diodos de ste tipo
en polarizacin directa tienen caractersticas generales segn la
ecuacin antes mencionada.
Josefina Ivonne Rico Rodrguez

En la prctica realizada en el LSM se pudo observar, pese a las

dificultades, el comportamiento caracterstico de un diodo
rectificador a base de silicio cuando la fuente de voltaje (E) varia
su valor, a partir de los resultados obtenidos pudimos llegar a la
curva caracterstica exponencial del diodo y ver que como su
pendiente tiende a ser ms vertical conforme el voltaje aumenta.
David Peaflor Luna

V. REFERENCIAS
[1]

R. L. Boylestand, L. Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos

y dispositivos electrnicos, dcima ed. Ed. PEARSON
EDUCACIN, Mxico, 2009, 912 pag.