1.

2 Anlisis de
los
Componente
s.
Arquitectura de
Computadoras Rafael
Vazquez Perez

1.2.2
Memorias
1manejo
Conceptos
bsicos de
de la memoria
2 Memoria principal
semiconductora

3 Memoria Cache

Conceptos
Bsicos
del
Manejo
de la
memoria
Una
memoria es un dispositivo que
puede mantenerse en por lo menos dos
estados estables
por un cierto periodo de tiempo.

 Cada
uno de estos estados
estables puede utilizarse para
representar un bit.

Aalmacenar
un dispositivo con la capacidad de
por lo menos un bit se le
conoce como celda bsica de
memoria.

Conceptos
Bsicos
del
Manejo
de la
memoria
Un
dispositivo de memoria completo se
forma con varias celdas bsicas y los
circuitos asociados para
poder leer y escribir dichas celdas
bsicas, agrupadas como
localidades de memoria que

permitan almacenar un grupo de N

bits.

El
nmero de bits que puede almacenar
cada localidad de memoria es conocido
como el ancho
de palabra de la memoria.

Coincide con el ancho del bus de datos.

Conceptos
Bsicos
del
Manejo
de la
memoria

Conceptos
Bsicos
del
Manejo
de la
memoria

Decodificac
in por filas
y columnas

Conceptos
Bsicos
del
Manejo
de la
memoria

Uno de los circuitos auxiliares que integran la

memoria es el decodificador de direcciones.
Su funcin es la de activar a las celdas bsicas que
van a ser ledas o escritas a partir de la direccin
presente en el bus de direcciones.

Tiene como entradas las n lineas del bus de

direcciones y 2n lineas de habilitacin de localidad,
cada una correspondiente a una
combinacin binaria distinta de los bits de direcciones.
Por lo tanto, el nmero de localidades de memoria
disponibles en un dispositivo (T) se relaciona con el
nmero de lineas de direccin
2n .

Resumen sobre conceptos bsicos de la

memoria

Resumen sobre conceptos bsicos de la

memoria

Jerarquas de
Memoria

Memoria Principal
Semiconductora

Memoria
matriz

semiconductora:
de celdas que
contienen 1 0, donde cada
celda se
especifica
por una direccin
compuesta por su fila
(ROW) y su columna
(COLUMN).
Para
su
implementacin se usan de
transistores en
semiconductores.

 Operaciones
bsicas:
lectura y escritura de datos.

Conexin al exterior mediante bus

de datos, direcciones y
control.

Memoria Principal
Semiconductora

Existen 2 categoras principales:

ROM (read-only memory): los datos se
almacenan
de forma permanente o
semipermanentememorias
no voltiles.

RAM
(random-access memory): se tarda
lo mismo en acceder a cualquier

direccin de memoria
(acceso en cualquier orden), capacidad
de lectura y escritura, memorias
voltiles. Existen
2 tipos de

memoria
ram : SRAM
(estticas) y
DRAM
(dinmicas).

Memorias
de acceso
aleatorio
estticas

(SRAM, static RAM)

Utilizacin de flip-flops para almacenar

celdas.
Rapidez de acceso a los datos.
Tecnologa con la que se implementan las
memorias cach.

Dos
tipos: asncronas y sncronas de
rfaga. Diferencia: utilizacin de la

seal de reloj del

sistema para sincronizar todas las
entradas este reloj.
Modo rfaga en las SRAM sncronas: leer
o escribir

en varias posiciones de memoria (hasta

4)
utilizando una nica direccin.Tambin
presente en memorias DRAM.

Estructura
externa
una

de

SRAM
asncrona

Estructura
interna
de
una
SRAM
asncrona

Diagrama
de
tiempos
de
R/W
en una
SRAM
asncrona
Tiempo
de acceso: tiempo
transcurrido desde que se hace la

peticin(direccin a la entrada del bus

de direcciones) hasta que se accede al
dato.

 Tiempo
de ciclo (ciclo de
lectura/escritura): tiempo mnimo
que debe transcurrir entre dos
peticiones de lectura y escritura.

Diagrama
de
tiemposde R/W
en una
SRAM
asncrona

Fundamentosde
memorias DRAM

Celdas implementadas
mediante un condensador en
vez de un latch/flip flop,
mayor
densidad
de
almacenamiento a un menor
costo. Se pasa de 6 transistores
a 1 transistor.
Transistor MOS (MOSFET).
El transistor acta como interruptor.
Guarda la mnima carga elctrica posible
para luego poder ser leda mediante un
circuito de amplificacin:
cargado (1) o descargado (0).
Acceso por fila (linea de palabra) y por
columna (lnea de bit).

Fundamentosde
memorias DRAM

Memorias ms lentas que las SRAM: se prioriza el

bajo costo y la mayor capacidad de
almacenamiento.
Requieren refresco peridico (Dynamic RAM): el
condensador se
descarga.
Tiempo de ciclo > tiempo de acceso.
Multiplexacin de direcciones: ahorro de pines en los
chips de
memoria. Las SRAM al tener menor capacidad, no
tenan ese
problema. Una direccin se divide/multiplexa en
dos partes: fila (parte alta) y columna (parte
baja). Seales necesarias: RAS# y CAS#.
RAS# (row access strobe): validacin de la fila.
CAS# (column access strobe): validacin de la
columna.

Asncronas y sncronas: intercambio de seales entre

la memoria y
el procesador utilizacin de una seal de reloj