Semiconductor complementario de xido

metlico (CMOS)
El semiconductor complementario de xido metlico o complementary metal-oxidesemiconductor (CMOS) es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos
integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de
tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de
energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas, colocado en la placa base.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican usan la tecnologa
CMOS. Esto incluye microprocesadores,memorias, procesadores digitales de seales y
muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de consumo considerablemente bajo.
Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0 ; el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y
por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado
de conduccin y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida.
Otra caracterstica importante de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0
1, siempre que an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

Historia
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,1 de Fairchild Semiconductor, a
principios de los aos 1960. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su
famosa familia lgica CD4000.
Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de oxidacin
local condujeron a la introduccin de la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo consumo
(prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen de alimentacin (de 3 a 18 V).
RCA tambin fabric LSI en esta tecnologa, como su familia COSMAC de amplia aceptacin
en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor dificultad de
fabricacin frente a dispositivos NMOS.
Pero su taln de Aquiles consista en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia
de reloj, su consumo sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas.
Esto se debe a dos factores:

La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS.

La utilizacin de MOS de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de
los huecos menor que la de los electrones.

El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de transistores,
que obliga a utilizar un mayor nmero de mscaras.
Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de la
tecnologa CMOS, que sera sustituida por la novedosa I2L, entonces prometedora.
Esta fue la situacin durante una dcada, para, en los ochenta, cambia el escenario
rpidamente:

Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan
reducir el tamao de los transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez
menor.
Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin
de un mayor nmero de mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de
modo que no era ms difcil la fabricacin de CMOS que de NMOS.

En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101
a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido
y velocidad a sus contrapartidas NMOS. Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la
fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.).
Y aparecieron nuevas familias lgicas, HC y HCT en competencia directa con la TTL-LS,
dominadora del sector digital hasta el momento.
Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de los
circuitos NMOS:

Uso de cargas activas. Esto es, un transistor se polariza con otros transistores y no con
resistencias debido al menor tamao de aquellos. Adems, el transistor MOS funciona
fcilmente como fuente de corriente constante. Entonces un inversor se hace conectando
el transistor inversor a la carga activa. Cuando se satura el transistor, drena toda la
corriente de la carga y el nivel da salida baja. Cuando se corta, la carga activa inyecta
corriente hasta que el nivel de salida sube. Y aqu est el compromiso: es deseable una
corriente pequea porque reduce la necesidad de superficie en el silicio (transistores ms
pequeos) y la disipacin (menor consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto
se realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor,
adems de las capacidades parsitas que existan, por lo que una corriente elevada es
mejor, pues se cargan las capacidades rpidamente.
Estructuras de almacenamiento dinmicas. La propia capacidad MOS se puede utilizar
para retener la informacin durante cortos periodos de tiempo. Este medio ahorra
transistores frente al biestable esttico. Como la capacidad MOS es relativamente
pequea, en esta aplicacin hay que usar transistores grandes y corrientes reducidos, lo
que lleva a un dispositivo lento.

La tecnologa CMOS mejora estos dos factores:

Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que slo se consuma corriente
en las transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la corriente
necesaria para cargar rpidamente las capacidades parsitas, con un transistor de canal
N ms pequeo, de modo que la clula resulta ms pequea que su contrapartida en
NMOS.
En CMOS se suelen sustituir los registros dinmicos por estticos, debido a que as se
puede bajar el reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo de la celda
CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinmicos.

Por ltimo, se suelen emplear transistores pequeos, poniendo una celda mayor para la
interfaz con las patillas, ya que las necesidades de corriente son mucho mayores en las lneas
de salida del chip.
La disminucin del tamao de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas familias
CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.

CMOS analgicos
Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos
caractersticas importantes, a saber.

Alta impedancia de entrada

La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo condensador, por lo que no
existe corriente de polarizacin. Un transistor, para que pueda funcionar, necesita tensin de
polarizacin.

Baja resistencia de canal

Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie del
transistor. Es decir, que si se le piden corrientes reducidas, la cada de tensin en el transistor
llega a ser muy reducida.
Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail",
en los que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la
positiva. Tambin es til en el diseo de reguladores de tensin lineales y fuentes
conmutadas.

CMOS y bipolar
Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de
circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los

transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo
experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo
que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se
encuentra en la regin de corte en estado estacionario.
Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o
degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de
integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.
Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son
empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura
CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce
con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los
circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de
alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo
adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar

contactos de sustrato y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de

que est slidamente conectado a masa o alimentacin.
Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a
ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).

Problemas
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnologa CMOS, aunque no son
exclusivos de ella.

Sensibilidad a las cargas estticas

Histricamente, este problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del
circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentacin, que, adems
de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Este ltimo
mtodo permite quitar la alimentacin de un slo dispositivo.

Latch-up
Artculo principal: Latch-up

Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura cmos que se dispara cuando la

salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen
transitorios por usar lneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentacin o
alimentacin mal desacoplada. El Latch-Upproduce un camino de baja resistencia a la
corriente de alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del
dispositivo. Las ltimas tecnologas se anuncian como inmunes al latch-up.

Resistencia a la radiacin
El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la existencia de cargas
atrapadas en el xido. Una partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar
cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los transistores y deteriorando o
inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened), fabricados
habitualmente en silicio sobre aislante (SOI).