Electrnica Industrial

Ing. Jose Bartolo

ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS.

Se define un circuito equivalente como una combinacin de elementos elegidos
de forma apropiada para representar de la mejor manera las caractersticas
terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para una regin de
operacin particular.
La idea es sustituir por un circuito equivalente que no afecte de forma
importante el comportamiento real del sistema. Para poder conseguir una red
que pueda resolverse con las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.
La forma ms fcil de hacerlo es mediante el uso de segmentos donde los
comportamientos son lineales. Aun cuando no se represente de forma exacta
las caractersticas reales del dispositivo o sistema. Sin embargo, el resultado
est muy aproximado a la curva real, lo cual, establece un circuito equivalente
que proporciona una muy buena aproximacin al comportamiento real del
dispositivo.
Previamente debemos tener en cuenta, en el comportamiento la funcin
resistiva que posee el diodo. Antes de ver el diodo vamos a ver las
caractersticas de la resistencia.
La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn pulverizado.
Son importantes las dimensiones del carbn.

Figura 18. Anlisis de una resistencia.

Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en
directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y un
Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el
comportamiento de la resistencia.

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Figura 19. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin

directa.
Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las
tensiones son negativas.

Figura 20. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin

inversa.
Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Figura 21. Curva caracterstica de una resistencia.

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello
se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar con los
elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.

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Analizamos de la misma forma el diodo:

Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes
por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarizacin de la
pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as:

Figura 22. Comportamiento de un diodo.

Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma).
Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal"
"Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy
difcil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son
bastante complicadas.
La ecuacin matemtica de esta curva es:

En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el

diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el
diodo podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo
se tomar 0.8 V 0.9 V). En inversa tenemos corrientes negativas y pequeas.
A partir de -1V se puede despreciar la e y queda aproximadamente I = - IS, que

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es muy pequea aunque no se ha tenido en cuenta la corriente de fugas, con

ella sera:
I = -(IS + If)
A partir de -1 V si no hubiera If tendramos una corriente pequea y horizontal
pero como hay fugas que son proporcionales a la tensin inversa, bajando
poco a poco.

Figura 23. Curvas de comportamiento en las dos zonas de polarizacin.

Si sigo aumentando la tensin inversa se llegar a un valor de ruptura, en este
ejemplo a VR = -50 V aparece la avalancha y ya la ecuacin no vale, es otra
distinta. Y aqu el diodo se destruye a menos que sea especialmente fabricado
(un diodo Zener).
Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo. La
"Barrera de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del codo, a partir de
ah conduce mucho el diodo en directa.
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:

Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral V d)

para que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa).

Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente

como una resistencia.

Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo

conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la
intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.

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(a)

(b)

Figura 23. Tensin umbral (a) y similitud a la curva de una resistencia (b).
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que
se comporta como una resistencia. La zona n tiene una resistencia y la zona p
otra resistencia diferente:

Figura 24. Clculo de la resistencia en la zona de polarizacin inversa.

EJEMPLO:
1N4001 rp= 0.13 W rn = 0.1 W
La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia
en la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

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Figura 25. Pendiente de la recta en zona directa.

Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con lo
que es casi una vertical, esto es, conduce mucho. Resumiendo hemos visto
que tenemos:

Figura 26. Curva de un diodo.

Mxima corriente continua en polarizacin directa, es el mayor valor de
corriente permitido en la caracterstica del diodo:

Figura 27. Grafica de corriente mxima.

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EJEMPLO:
1N4001 IFmx = 1A (F = forward (directa))
En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque si no el
diodo se estropeara fcilmente. Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo
las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es
de silicio) aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la
caracterstica del diodo.

Figura 28. Resistencia limitadora.

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el
diodo, como se ve en la figura 28. Se calcula la resistencia para limitar la
corriente, para que no aumente a partir de 1 A por ejemplo.

La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre

con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia que indica cuanta
potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni degradar sus
propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el diodo y la
corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste. Normalmente en
diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya
que toda la informacin acerca de la destruccin del diodo (por calor) ya est
contenida en el lmite mximo de corriente.
EJEMPLO: 1N4001. En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima
con polarizacin directa Io de 1A. Siempre que la corriente mxima con
polarizacin directa sea menor que 1A, el diodo no se quemar.

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Figura 29. Disipacin de potencia de un diodo

La potencia se disipa en el diodo en forma de calor. Como ya se ha dicho no se
debe pasar de ese valor de potencia.
En polarizacin inversa tenamos una corriente que estaba formada por la
suma de los valores de la corriente I S y la corriente de fugas I f (Figura 30). Hay
que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se rompe por
avalancha (excepto si es un Zener).

Figura 30. Polarizacin inversa.

Los modelos de resolucin de circuitos con diodos ms usados son 4:
EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de la
malla.
MODELOS EQUIVALENTES
aproximacin y 3 aproximacin.

APROXIMADOS:

aproximacin,

DE FORMA GRFICA: Recta de carga.

Primeramente analizaremos la resolucin de forma exacta. El circuito que
queremos resolver es el de la figura 31.

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Figura 31.Circuito
Primeramente y mirando la temperatura en la que estamos trabajando
tomamos del catlogo los siguientes valores para T = 27 C (temperatura
ambiente):

Con esto podremos continuar calculando:

De la ecuacin exacta del diodo:

Tenemos 2 incgnitas y una ecuacin, necesitamos otra ecuacin que ser la

ecuacin de la malla:

Y ahora tenemos 2 incgnitas y 2 ecuaciones, resolvemos:

Nos queda que es imposible despejar la V, es una "ecuacin trascendente".

Para resolver este tipo de ecuaciones hay que usar otro tipo de mtodos, aqu
lo resolveremos por "tanteo", que consiste en ir dndole valores a una de las
incgnitas hasta que los valores se igualen.

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En este ejemplo hemos usado una malla, pero si tuviramos ms diodos,

tendramos ms exponenciales, ms mallas, etc... Esto es muy largo, por eso
no se usa (a no ser que dispongamos de un PC y un programa matemtico
para resolver este tipo de ecuaciones). Para poder hacerlo a mano, vamos a
basarnos en unos modelos aproximados ms o menos equivalentes del diodo.
Estos modelos equivalentes aproximados son lineales, al ser aproximados
cometeremos alguna imprecisin.
1 Aproximacin (el diodo ideal). La exponencial se aproxima a una vertical y
una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo es ideal, no
se puede fabricar. Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un
interruptor cerrado.

Figura 32. Diodo ideal en zona de conduccin.

Con la polarizacin inversa es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.
Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose
dependiendo de si est en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores
que cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada
aproximacin.

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EJEMPLO:

Figura 33. Circuito

En polarizacin directa:

2 Aproximacin. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal

que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio,
porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara
el valor de 0,3 V).

Figura 34. 2 aproximacin.

El tramo que hay entre 0V y 0,7V es en realidad polarizacin directa, pero
como para efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta
segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior.

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Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7V. Polarizacin

inversa: Es un interruptor abierto.
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la
segunda aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo
analizamos en polarizacin directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta

segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo tanto es ms
exacta, esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito.
3 Aproximacin. La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7
V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna. El
estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se
analiza la polarizacin directa:

Figura 35. 3 Aproximacin.

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23
como valor de la resistencia interna.

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Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se

comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo. Por ello se usar
la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso especial.
Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por
ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es
afirmativa se podra usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el circuito
contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1%, puede ser
necesario utilizar la tercera aproximacin. Pero en la mayora de los casos la
segunda aproximacin ser la mejor opcin. La ecuacin que utilizaremos para
saber que aproximacin se debe utilizar es esta:

Fijndonos en el numerador se ve que se compara la V S con 0.7 V. Si VS es

igual a 7V, al ignorar la barrera de potencial se produce un error en los clculos
del 10 %, si VS es 14V un error del 5 %, etc...

Tabla No. 2

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Viendo el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia

interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del 10 % en los
clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baja al 5%
y as sucesivamente.

Tabla No. 3
En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que 1
, lo que significa que la segunda aproximacin produce un error menor que el
5 % con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda
aproximacin es una buena opcin si hay dudas sobre la aproximacin a
utilizar. Ahora veremos una simulacin para un ejemplo concreto de uso de
estas aproximaciones. Cualquier circuito tiene variables independientes (como
tensiones de alimentacin y resistencias en las ramas) y variables
dependientes (tensiones en las resistencias, corrientes, potencias, etc.).
Cuando una variable independiente aumenta, cada una de las variables
dependientes responder, normalmente, aumentando o disminuyendo. Si se
entiende cmo funciona el circuito, entonces se puede predecir si una variable
aumentar o disminuir.
EJEMPLO:

Figura 36.Circuito
Si se analiza la resistencia R L y la tensin VS, se ve que los valores que se
desean son de 1 K y 10 V en este caso, a estos se les llama "valores
nominales", pero los valores reales se rigen por unas tolerancias, que son unos
rangos de valores no un valor fijo. El diodo tambin puede variar su valor de
tensin umbral. Pero estas tres variables (R L, VS y Vj) dependen de la

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fabricacin, estos es dependen de s mismas, son "variables independientes".

Por otro lado estn las "variables dependientes", que dependen de las tres
variables anteriores, que son: V L, IL, PD, PL y PT. Estos quedan reflejados en la
tabla No 4:

Tabla No 4

ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA.

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles
para los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms
detallada acerca de ellas.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de
forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

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Figura 37. Analisis con la recta de carga

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de
una recta, que en forma de grfica sera:
A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa. El
punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto
Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto
Q se controla variando VS y RS. Al punto de corte con el eje X se le llama
"Corte" y al punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin".

APROXIMACIN DE DIODOS.
En el captulo anterior cuando se realiz el anlisis del modelo equivalente
mediante la utilizacin de segmentos lineales no se utiliz en el anlisis de la
recta de carga debido a que RS es tpicamente mucho menor que los otros
elementos en serie de la red. Si recurriramos a un anlisis tan preciso donde
tengamos en cuenta las variaciones por tolerancias, temperaturas etc.,
Concluiramos que una solucin es tan precisa como la otra.
Por esto, solamente debemos tener en cuenta el material con el cual est
fabricado nuestro diodo, silicio o germanio para determinar el voltaje de cada
que aporta en un anlisis circuital.
Tipo de diodo

Valor de VD

Silicio

0,7 V

Germanio

0,3 V

IDEAL

0,0 V
Tabla No 5

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CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS

DC.
En el desarrollo de circuitos fcilmente encontraremos una variedad de
configuraciones de diodos en serie con entrada de DC. Debemos tener muy
claro que un diodo est en estado de conduccin encendido si las corrientes
aplicadas por las fuentes son superiores a la corriente umbral y permiten una
cada de voltaje de acuerdo al tipo de material de construccin del diodo (V D>
0,7 V para el silicio o 0,3 V para el germanio).
Para cada configuracin, la tcnica consiste en reemplazar los diodos por
elementos resistivos con una cada de voltaje siempre y cuando la direccin de
la corriente sea en el sentido que polarice de forma directa al diodo y este est
en estado de conduccin. Para este caso, reemplazamos el diodo por una
fuente de voltaje con el valor correspondiente al material, ver tabla No 5, y as,
se realizar un anlisis que cumpla con la Ley de Kirchhoff, es decir, que la
suma de los voltajes de una malla debe ser cero. En caso contrario, un diodo
polarizado inversamente, se representar como un circuito abierto. Para
cualquier caso, siempre se debe cumplir con la Ley de Kirchhoff.

CONFIGURACIN DE DIODOS EN PARALELO Y SERIE

PARALELO.
Siendo consecuente con lo visto en el apartado anterior, el anlisis de las
configuraciones paralelo y serie paralelo se realizarn de una forma similar.
Se cambiarn los diodos por fuentes de voltajes y/o circuitos abiertos y se
proceder a la realizacin del respectivo anlisis.
Dentro de estas aplicaciones, podemos encontrar circuitos que se pueden
comportar como compuertas AND/OR.

HOJA DE ESPECIFICACIONES, PRUEBAS DE DIODOS

La mayor parte de la informacin que suministra el fabricante en las hojas de
caractersticas es solamente til para los que disean circuitos, nosotros
solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que
describe parmetros que aparecen en este texto.
CAPACITANCIA DE TRANSICIN Y DIFUSIN
Todos los dispositivos electrnicos cambian su comportamiento cuando se
someten a las altas frecuencias. En los rangos de baja frecuencias los efectos
capacitivos pueden ignorarse porque su reactancia (XC= 1/2 f C) es muy alta
en esta zona de frecuencias y equivaldra a un circuito abierto. En un diodo
semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en
cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarizacin directa
como en la zona de polarizacin inversa. Uno de los efectos es superior al otro
en cada zona. En la regin de polarizacin directa, el efecto significativo se

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conoce como capacitancia de difusin (C D). Y en la regin de polarizacin

inversa, se presenta la capacitancia de transicin (C T) o de regin de
agotamiento.

Figura 38. Incorporacin del efecto de capacitancia de transicin.

Los efectos capacitivos descritos se representan con un capacitor en paralelo
al diodo ideal. Figura 38. En aplicaciones de baja y mediana frecuencia, salvo
en el rea de potencia, el capacitor no se incluye en el smbolo del diodo.
TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO.
En las hojas de especificaciones los fabricantes proporcionan entre otros datos,
el tiempo de recuperacin inversa, el cual se representa por trr. Anteriormente
vimos que en la regin de polarizacin directa, existe un gran nmero de
electrones que se desplazan del material tipo n hacia el material tipo p, y una
gran cantidad de huecos que se desplazan en sentido contrario de los
electrones. Siendo este el requisito para que exista conduccin. Luego, los
electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a travs del material tipo n
establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si
se aplica un voltaje inverso al estado anterior, el diodo cambia de estado de
conduccin a un estado de no conduccin. Pero, debido al gran nmero de
portadores minoritarios en cada material, la corriente del diodo sencillamente
se invierte y se mantiene en este nivel durante un tiempo t s (tiempo de
almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su
estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.

Figura 39. Definicin del tiempo de recuperacin inverso.

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Esto es, el diodo permanece en estado de circuito cerrado con una corriente
Iinversa determinada por los parmetros de la red. Una vez, el tiempo de
almacenamiento termine, la corriente se reducir hasta alcanzar el estado de
no conduccin. Esta segunda etapa se reconoce como el tiempo de
recuperacin y se designa por tt, conocido como el intervalo de transicin.
En la prctica los tiempos estn en el orden de 1 microsegundo (1 Seg) pero
pueden existir trr del orden de unos cientos de picosegundos (10 -12).
TENSIN INVERSA DE RUPTURA.
Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador
empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que convierten una tensin
alterna en una tensin continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las
mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa
sus caractersticas son distintas.
Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Tabla No. 6
Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de
funcionamiento. Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el diodo
es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se
produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente
destructiva.
CORRIENTE MXIMA CON POLARIZACIN DIRECTA.
Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece
as en la hoja de caractersticas:

Tabla No. 7
Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1A con polarizacin directa cuando
se le emplea como rectificador. Esto es, 1A es el nivel de corriente con
polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin

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excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe

garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5A en
cualquier condicin de funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos
es un tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas.
Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de
10:1, para 1N4001 ser de 0,1A o menos.
CADA DE TENSIN CON POLARIZACIN DIRECTA
Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Tabla No. 8
Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra
instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica
con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la
temperatura de la unin es de 25 C.
CORRIENTE INVERSA MXIMA
En esta tabla est la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua
indicada (50 V para un 1N4001).

Tabla No. 9
Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente
de fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser
importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente
inversa de 0,05mA trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero
puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin
alcance los 100 C.

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Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es esttica, que nunca
cambia, es una "Resistencia Esttica". En la zona de polarizacin directa se
simboliza con RF y en la zona de polarizacin inversa con RR.
Lo estudiaremos para el diodo 1N914:

RESISTENCIA CON POLARIZACIN DIRECTA

En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el
equivalente del diodo en polarizacin directa para esos valores concretos de
intensidad y tensin.

Figura 40. Valores del diodo.

Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:

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Figura 41. Comparacin de la resistencia interna del diodo.

Como los 3 puntos tienen la misma pendiente quiere decir que para los 3
puntos el modelo es el mismo. Entonces la R F anterior no es til porque vara,
pero la rB no vara y por eso esta es la resistencia que se utiliza.
RESISTENCIA CON POLARIZACIN INVERSA
Exageramos la curva de la grfica para verlo mejor:

Figura 42. Resistencia con polarizacin inversa.

Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un R R
(R = Reverse, inversa) para cada punto.

Como es un valor muy grande, se puede considerar infinito (idealmente circuito

abierto). Este valor no es til, no se utiliza para hacer modelos o mallas, pero
de forma prctica en el laboratorio puede ser til (el polmetro marca la
resistencia esttica y se puede utilizar para detectar averas).

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Figura 43. Medicin de un diodo.