TBJ

Universidade Federal do Piau
Centro de Tecnologia
Curso de Engenharia Eltrica
DISPOSITIVOS
ELETRNICOS
Transistores Bipolares de Juno
- Parte I -
Prof. Marcos Zurita

zurita@ufpi.edu.br
www.ufpi.br/zurita
Teresina - 2012
Sumrio
1. Introduo
2. O TBJ
3. Modos de Operao
4. Caractersticas do TBJ
5. Configurao Base Comum
6. Configurao Emissor Comum
7. Configurao Coletor Comum
8. Limites de Operao
Bibliografia
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita
1. Introduo
Introduo
Transistores Bipolares de Juno (TBJ)
Tambm chamado TJB (Transistor de Juno Bipolar)

BJT Bipolar Junction Transistor
Bipolar a conduo feita pelos dois tipos de
portadores (eltrons-livres e lacunas).
So dispositivos cuja corrente entre dois pinos
pode ser controlada atravs da
Io
corrente em um terceiro pino.
Atualmente, sua aplicao mais
Terminal de
controle
TBJ
comum em circuitos discretos,
sendo seu uso em CIs bastante
limitado devido evoluo da
I
tecnologia MOS.
Introduo
Os encapsulamentos mais comuns de TBJs
Introduo
Detalhes da construo interna de um TBJ (KSY34).
2. O TBJ
O TBJ
Formado pela associao entre SCs tipo p e n, sendo

dois deles fortemente dopados e um fracamente dopado.
Basicamente composto por:
Emissor
Coletor
Uma regio emissora (E)
n++ pn+
(E)
(C)
responsvel por emitir portadores majoritrios em direo
Base (B)
regio coletora (C).
Uma regio coletora (C), responsvel por coletar os
portadores majoritrios vindos da regio emissora.
Uma fina regio regio intermediria (B) de dopagem
oposta s regies emissora e coletora, responsvel pelo
controle do fluxo de portadores entre as regies E e C.
H dois tipos de TBJs:
Tipo NPN;
Tipo PNP.
O TBJ
Estrutura bsica do TBJ tipo PNP e NPN
Emissor
(E)
n++
Base
p-
n+
(B)
Coletor
(C)
Emissor
(E)
p++
Base
n-
p+
Coletor
(C)
(B)
Terminal Emissor: Conectado uma regio SC fortemente

dopada (1018/cm3).
Terminal Coletor: Conectado uma regio SC de dopagem
forte (1017/cm3).
Terminal Base: Ligado uma fina regio SC central, fracamente dopada de modo a evitar a recombinao dos portadores majoritrios vindos do emissor.
O TBJ
Vista em corte de um TBJ tipo NPN fabricado por

processo planar.
As dimenses da regio da base foram aumentadas

para facilitar a visualizao.
A extenso da regio da base tipicamente 150 vezes
menor que a extenso das regies de emissor e coletor
juntas.
10
O TBJ
Alm da diferena na concentrao de dopantes, a

regio de coletor diferencia-se da regio emissora por
ter um volume bem maior, pois nele que se concentra
quase toda a potncia do transistor.
Por essa mesma razo, em encapsulamentos voltados
TBJs de maior potncia, o terminal do Coletor
comumente fixado carcaa, de forma a facilitar a
dissipao de potncia.
Conectado ao
Simbologia:
Coletor (C)
C
B
C
B
NPN
PNP
11
3. Modos de Operao
12
Modos de Operao
A polarizao das junes pn em um TBJ pode ser

analisada fazendo-se uso da analogia com diodos.
13
Modos de Operao
De acordo com o tipo de polarizao das junes

emissor-base e coletor-base, possvel estabelecer o
modo de operao do TBJ.
Modo
Juno EB
Juno CB
Corte
Reversa
Reversa
Ativo / Linear
Direta
Reversa
Saturao
Direta
Direta
Inverso
Reversa
Direta
Corte: neste modo o TBJ opera como uma chave aberta.

Apenas uma fraca corrente reversa (tal qual IS no diodo)
circula entre o coletor e o emissor.
Ativo ou Linear: neste modo o TBJ opera como um amplificador e as correntes entre seus terminais relacionam-se de
forma praticamente linear.
14
Modos de Operao
Saturao: neste modo a corrente entre o coletor e o emissor atinge seu valor mximo. O TBJ passa a operar como
uma chave fechada, embora com uma pequena queda de
tenso entre seus terminais (vCE 0,2 V p/ transistores de Si).
Inverso: muito raramente utilizado, este modo corresponde
ao modo ativo, porm, com baixa eficincia e robustez,
podendo levar queima do componente, pois, a maior parte
dos dispositivos no suporta os mesmos nveis de tenso e
corrente neste modo como suporta no modo ativo.
O modo inverso pode ser ocasionalmente estabelecido, de
forma indesejada, pela inverso na fase de montagem dos
terminais de coletor e emissor de um TBJ cujo circuito foi
projetado para operar no modo ativo.
15
4. Caractersticas do TBJ
16
Caractersticas do TBJ
Considere um TBJ tipo NPN polarizado no modo ativo,

conforme a figura abaixo.
Eltrons minoritrios da base
injetados no coletor (iCBO)
Eltrons
em difuso
p-
n++
n+
iC
E
iE
Eltrons
coletados
Eltrons majoritrios
do emissor injetados
Lacunas majoritrias
da base injetadas no
emissor (iB1)
Eltrons
recombinados (iB2)
iB
iB
iE
VBE
B
iC
VCB
17
A polarizao direta da juno base-emissor (JBE)

provoca a injeo de uma grande quantidade de eltrons
majoritrios da regio do emissor para a da base.
Ao chegarem regio da base esses eltrons
encontram poucas lacunas para se recombinar.
Apenas alguns poucos eltrons injetados pelo emissor
recombinam-se na regio da base.
A fraca dopagem dessa regio cria um caminho de alta
resistncia para os eltrons injetados flurem em direo
ao terminal da base.
18
Por outro lado, a polarizao direta da JBE e reversa da

juno coletor-base (JCB) gera um elevado gradiente de
concentrao de eltrons na regio da base, pois:
A interface da JBE possui uma elevada concentrao
de eltrons (np(0)) injetados pelo emissor.
A interface da JCB possui uma concentrao nula de
eltrons pois est em depleo devido polarizao
reversa.
O gradiente de concentrao de eltrons ainda mais
acentuado pela reduzida espessura da regio da base.
19
O perfil das concentraes de portadores minoritrios
nas regies da base e do emissor desse transistor pode
ser esboado conforme a figura abaixo.
Concentrao de portadores
Emissor
(n)
Regio de
depleo
JEB
Concentrao
de lacunas
Base
(p)
Regio de
depleo
JCB
Coletor
(n)
Concentrao
de eltrons
np (ideal)
np (com
recombinao)
Base efetiva
(largura W)
Distncia (x)
20
Conforme descrito pela Eq. 1.30,

dn
I =q D n
A
dx
dif
n
esse gradiente dar origem a uma corrente de difuso

dos eltrons em direo ao coletor (iC(maj)).
Consequentemente, quase todos os eltrons injetados
pelo emissor atravessaro a regio de depleo formada
pela polarizao reversa da juno coletor-base, e sero
coletados pela regio coletora.
Considerando ainda a corrente devido aos eltrons
minoritrios originrios da base em direo ao coletor
(iCBO), a corrente de coletor pode ser expressa como:
i C =i C maj i CBO
(Eq. 4.1)
21
A corrente de difuso dos eltrons injetados pelo emissor na regio da base, que atingem o coletor, pode ser
deduzida a partir da Eq. 1.30 como:
i C maj=I S ev
BE
/V T
(Eq. 4.2)
Sendo IS a Corrente de Saturao, dada por:

A E q Dn n2i
I S=
N AW
(Eq. 4.3)
Onde:
AE: rea da seo reta da juno base-emissor.

Dn: Constante de difuso dos eltrons na base.
W: Largura efetiva da base (descontada a regio de depleo).
NA: Concentrao de dopantes na base.
22
A Eq. 4.2 nos permite reescrever a Eq. 4.1 como:

i C =I S e
v BE / V T
(Eq. 4.4)
i CBO
Por outro lado, a corrente da base pode ser expressa

como a soma entre a corrente devido s lacunas
majoritrias injetadas da base para o emissor (iB1) e a
corrente de recombinao das lacunas com os eltrons
injetados pelo emissor (iB2), isto :
i B=i B1i B2
(Eq. 4.5)
A corrente de difuso iB1 pode ser deduzida como:
AE q D p n2i v
i B1=
e
N D Lp
BE
/V T
(Eq. 4.6)
23
Onde:
Dp: Constante de difuso das lacunas no emissor.

Lp: Comprimento de difuso das lacunas no emissor.
ND: Concentrao de dopantes na emissor.
Considerando-se que os eltrons minoritrios da base

levam b segundos para se recombinar com as lacunas,
a corrente iB2 pode deduzida como:
AE q W n2i v
i B2=
e
2 b N A
BE
/V T
(Eq. 4.7)
Onde b chamado tempo de vida mdio dos portadores

minoritrios.
24
Aplicando as Eqs. 4.6 e 4.7 na Eq. 4.5 temos:

2
i
i B= A E q n
Dp
W
v
e
N D L p 2 b N A
/VT
(Eq. 4.8)
A Eq. 4.8 pode ser reescrita em funo de IS como:
N AW Dp
W2
i B=
I S ev
N D L p Dn 2 D n b
BE
BE
/V T
(Eq. 4.9)
O termo fora dos parntesis na Eq. 4.9 corresponde

corrente majoritria de coletor descrita pela Eq. 4.2.
Desprezando-se a corrente de fuga do coletor (iCBO),
podemos reescrever a Eq. 4.4 em funo da 4.9 como:
i C =i B
(Eq. 4.10)
25
Onde chamado Ganho de Corrente de Emissor

Comum (constante para um dado transistor), dado por:
N AW Dp
W
=
N D L p Dn 2 D n b
A constante em corrente contnua tambm pode ser

referenciada por CC ou hFE. Valores tpicos de esto
entre 50 e 200.
A corrente no emissor, por sua vez, pode ser determinada diretamente atravs da Lei de Kirchhoff como:
i E =i C i B
(Eq. 4.11)
(Eq. 4.12)
Aplicando a Eq. 4.10, temos:

i E = 1i B
(Eq. 4.13)
26
Alternativamente a Eq. 4.12 tambm pode ser reescrita

com auxlio da Eq. 4.10 como:
i E=
1
iC
Dessa forma, a corrente de coletor (iC) expressa pela

Eq. 4.1 pode ser reescrita aplicando-se a Eq. 4.14 como:
i C =i E i CBO
(Eq. 4.14)
(Eq. 4.15)
Onde uma constante chamada Ganho de Corrente

em Base Comum, sendo expressa como:
=
(Eq. 4.16)
27
A Eq. 4.16 demonstra que o valor da constante

sempre inferior um, porm, assumindo valores
prximos 1. Um = 100, por exemplo, corresponde a
um = 0,990.
Por outro lado, pequenas varies em correspondem a
grandes variaes em . Um = 0,993, por exemplo,
corresponde a um 142.
A relao da Eq. 4.16 tambm pode ser expressa por:
=
1
(Eq. 4.17)
Dessa forma, aplicando-se a Eq. 4.5 na Eq. 4.15 e

desprezando-se a corrente de fuga (iCBO), temos:
i E = I S / e
v BE /V T
(Eq. 4.18)
28
5. Configurao Base Comum
29
Configurao Base Comum
A configurao Base Comum (pnp e npn) esboada

abaixo:
30

Curvas Caractersticas de Entrada
31

Curvas Caractersticas de Sada (ou de Coletor)
Regio de Saturao
Regio Ativa (rea no sombreada)
Regio de Corte
32
Para a configurao em base comum a corrente de

entrada a corrente de emissor (iE) enquanto a de sada
a de coletor (iC).
A relao entre as correntes de sada e de entrada
dada pelas equaes 4.14 e 4.15, ou seja:
= CC
iC
=
iE
(Eq. 4.19)
Por esta razo, o parmetro chamado Ganho de

Corrente em Base Comum.
Aplicando a Eq. 4.19 para pequenos sinais temos:
CA =
[ ]
iC
iE
v CB =cte
ic
=
ie
(Eq. 4.20)
33
Na prtica, CC e CA diferem muito um do outro.

Dessa forma, a principal relao da configurao base
comum pode ser expressa por:
i C = i E
(Eq. 4.21)
No limite inferior da regio ativa, iE = 0 e a corrente de

coletor deve-se exclusivamente corrente de saturao
reversa (ICO, tambm denotado por ICBO).
34
Na anlise de malha, ICBO pode ser considerado nulo na

maior parte dos casos, salvo sob:
Temperaturas elevadas;
Potncias de trabalho elevadas.
Ex. 4.1: Determine a tenso quiescente de coletor para o

circuito abaixo, sabendo que VBE = 0,7V e CC = 0,99.
Resp.: VCQ = 5,13V
35
6. Configurao Emissor Comum
36
Configurao Emissor Comum
A configurao Emissor Comum (pnp e npn) esboada

abaixo:
37

Curvas Caractersticas de Coletor e de Base
38
A configurao emissor comum a mais amplamente

utilizada.
Nesta configurao a corrente de entrada a corrente
de base (iB) enquanto a de sada a de coletor (iC).
dada pela equao 4.10, que pode ser reescrita como:
= CC
iC
=
iB
(Eq. 4.21)
Aplicando a Eq. 4.21 para pequenos sinais, no qual iC

sofre variaes em torno do ponto quiescente para
variaes incrementais em iB, temos:
CA = h FE =
[ ]
iC
iB
V CE =cte
ic
=
ib
(Eq. 4.22)
39
Conforme as curvas caractersticas de coletor apresentadas, nota-se que a corrente de coletor-emissor no

exatamente nula para iB = 0 como previsto pela Eq. 4.10.
Isto se deve a uma pequena corrente minoritria que flui
reversamente na juno coletor-base (iCBO), tipicamente
da ordem de nano Ampres.
Dessa forma, a corrente total no coletor pode ser
reescrita para incluir iCBO:
iB
i CBO
iC =
1 1
(Eq. 4.23)
Logo, para iB = 0 temos:
[ ]
i CBO
i CEO =
1
i B =0
(Eq. 4.24)
40

Efeito Early
TBJs polarizados na regio ativa apresentam um crescimento da corrente de coletor em funo do aumento de
VCE, no previsto pela Eq. 4.10.
Efeito Early: o efeito
associado ao crescimento de iC
em funo do aumento de VCE
na regio ativa do TBJ.
O Efeito Early pode ser includo
na Eq. 4.10 fazendo-se:
i C =i B
V CE
1
VA
(Eq. 4.25)
Onde VA a tenso Early
41
Graficamente, a tenso Early pode ser vista como um

ponto do eixo negativo de VCE (VCE = -VA) para onde
apontam as projees das curvas VCE-iC na regio ativa.
42
A inclinao das curva VCE-iC na regio ativa para um

dado valor de iB indica a resistncia de sada do TBJ
vista do coletor (ro), tambm denominada resistncia
incremental do coletor para o emissor (rce).
E resistncia de sada do TBJ vista do coletor (ro)
podendo ser expressa matematicamente por:
r o = r ce =
[ ]
iC
V CE
(Eq. 4.26)
i B = cte
Para VCE nas proximidades do limite entre a regio ativa

e de saturao, temos:
r o = r ce
VA
iC
(Eq. 4.27)
43
Reescrevendo a Eq. 4.27 para o ponto quiescente,

temos:
V AV CEQ
r o = r ce=
i CQ
(Eq. 4.28)
Valores tpicos de VA situam-se entre 50 e 100V.
Ex. 4.2: Calcule as resistncias de sada de um TBJ cujo

VA = 100V, para iC = 100 A, 1 mA
e 10 mA.
Resp.: ro = 1 M, 100 k e 10 k.
44
7. Configurao Coletor Comum
45
Configurao Coletor Comum
A configurao Coletor Comum (pnp e npn) esboada

abaixo:
46
Configurao Coletor Comum
A configurao coletor comum caracteriza-se por ter

como sinal de entrada a corrente de base (iB) e o sinal
sada em funo da corrente de emissor (iE).
Esta configurao utilizada principalmente para casar
impedncias, uma vez que apresenta elevada
impedncia de entrada e baixa impedncia de sada.
dada pela equao 4.10, que pode ser reescrita como:
i E =1 i B
(Eq. 4.29)
As curvas caractersticas dessa configurao (iE-VCE)

so semelhantes as da configurao EC, salvo apenas
por uma sutil diferena de valores.
47
8. Limites de Operao
48
Limites de Operao
Limites de Operao de um TBJ
Devem ser especificados pelo fabricante:
ICmax Mxima corrente de coletor

VCEmax Mxima tenso entre o coletor e o emissor.
Tambm denotada por VCEO ou V(BR)CEO.
VCE(sat) Mnima tenso entre o coletor e o emissor
necessria para manter o TBJ na regio ativa
(tipicamente em torno de 0,3V).
PCmax Mxima potncia que o dispositivo capaz de
dissipar. Dada por:
P Cmax =V CB i C
conf. BC
(Eq. 4.30)
P Cmax =V CE i C
conf. EC e CC
(Eq. 4.31)
49
Limites de Operao
Regio de Operao de um TBJ
50
Bibliografia
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith,

Microeletrnica, 4 Edio, Makron Books,
1999.
Behzad Razavi, Fundamentos de
Microeletrnica, 1 Edio, LTC, 2010.
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,
Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos, 8 Edio, Prentice Hall, 2004.
David Comer, Donald Comer, Fundamentos de
Projeto de Circuitos Eletrnicos, LTC, 2005.
Jimmie J. Cathey, Dispositivos e Circuitos
Eletrnicos, 2 Ed., Coleo Schaum,
Bookman, 2003.
51

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Alm da diferena na concentrao de dopantes, a

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A polarizao das junes pn em um TBJ pode ser

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De acordo com o tipo de polarizao das junes

Corte: neste modo o TBJ opera como uma chave aberta.

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Considere um TBJ tipo NPN polarizado no modo ativo,

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Por outro lado, a polarizao direta da JBE e reversa da

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Conforme descrito pela Eq. 1.30,

esse gradiente dar origem a uma corrente de difuso

Sendo IS a Corrente de Saturao, dada por:

AE: rea da seo reta da juno base-emissor.

A Eq. 4.2 nos permite reescrever a Eq. 4.1 como:

Por outro lado, a corrente da base pode ser expressa

A corrente de difuso iB1 pode ser deduzida como:

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Dp: Constante de difuso das lacunas no emissor.

Considerando-se que os eltrons minoritrios da base

Onde b chamado tempo de vida mdio dos portadores

Aplicando as Eqs. 4.6 e 4.7 na Eq. 4.5 temos:

A Eq. 4.8 pode ser reescrita em funo de IS como:

O termo fora dos parntesis na Eq. 4.9 corresponde

Onde chamado Ganho de Corrente de Emissor

A constante em corrente contnua tambm pode ser

Aplicando a Eq. 4.10, temos:

Alternativamente a Eq. 4.12 tambm pode ser reescrita

Dessa forma, a corrente de coletor (iC) expressa pela

Onde uma constante chamada Ganho de Corrente

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A Eq. 4.16 demonstra que o valor da constante

Dessa forma, aplicando-se a Eq. 4.5 na Eq. 4.15 e

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Para a configurao em base comum a corrente de

Por esta razo, o parmetro chamado Ganho de

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